JPH04654U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH04654U JPH04654U JP3988490U JP3988490U JPH04654U JP H04654 U JPH04654 U JP H04654U JP 3988490 U JP3988490 U JP 3988490U JP 3988490 U JP3988490 U JP 3988490U JP H04654 U JPH04654 U JP H04654U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- hole
- diameter
- holes
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第1図は本考案のプラズマCVD装置の一実施
例を示す概略的構成図、第2図Aは第1図におけ
る内部電極の要部構成図、第2図Bは第1図にお
ける外部電極の要部構成図、第3図は第1図にお
ける外部電極及び内部電極のそれぞれの孔の配置
状態を示す説明図、第4図は従来のプラズマCV
D装置の例を示す概略的構成図、第5図は第4図
におけるガス吹き出し電極を示す断面図、第6図
は第5図の底面図である。 1……反応室、2……ガス吹き出し電極、3…
…基板設置電極、4……反応ガス供給管、5……
高周波電源、6……外部電極、6a……孔、7…
…モータ、8……回転軸、9……内部電極、9a
,9b……孔、10……基板、11……基板加熱
ヒータ、12……排気配管。
例を示す概略的構成図、第2図Aは第1図におけ
る内部電極の要部構成図、第2図Bは第1図にお
ける外部電極の要部構成図、第3図は第1図にお
ける外部電極及び内部電極のそれぞれの孔の配置
状態を示す説明図、第4図は従来のプラズマCV
D装置の例を示す概略的構成図、第5図は第4図
におけるガス吹き出し電極を示す断面図、第6図
は第5図の底面図である。 1……反応室、2……ガス吹き出し電極、3…
…基板設置電極、4……反応ガス供給管、5……
高周波電源、6……外部電極、6a……孔、7…
…モータ、8……回転軸、9……内部電極、9a
,9b……孔、10……基板、11……基板加熱
ヒータ、12……排気配管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応ガスを、反応室内に平行に所定の間隔
をおいて配置された一対の電極の一方より、該電
極に形成された複数個のガス吹き出し孔を通じて
反応室内に導入し、該電極間に発生するグロー放
電プラズマを用いて、基板上に薄膜を堆積するも
のにおいて、前記ガス吹き出し孔の孔径を調整す
る手段を設けたことを特徴とするプラズマCVD
装置。 (2) 前記ガス吹き出し孔の孔径を調整する手段
が、異なる孔径からなる孔をそれぞれ複数個有す
る板状の第1の電極と、前記孔の孔径よりも大き
い孔径からなる孔を複数個有する板状の第2の電
極と、を備え、第1の電極と第2の電極のそれぞ
れ片面が接触した状態でその少なくとも一方が移
動自在に設置されて、第2の電極の孔が第1の電
極の異なる孔径のうち、所定の孔径の孔の位置に
対応してその孔径の孔を解放するようにしたこと
を特徴とする請求項(1)記載のプラズマCVD装
置。 (3) 前記第1の電極と、前記第2の電極がそれ
ぞれ円盤状に形成されて各々の孔が同心円上に配
置され、前記電極の一方が回転自在に設置されて
いることを特徴とする請求項(2)記載のプラズマ
CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3988490U JPH04654U (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3988490U JPH04654U (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04654U true JPH04654U (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=31549185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3988490U Pending JPH04654U (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04654U (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH076961A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Nec Yamaguchi Ltd | プラズマ気相成長装置 |
JPH11307454A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Nec Kyushu Ltd | ガス整流機構 |
US9679725B2 (en) | 2015-04-23 | 2017-06-13 | Lsis Co., Ltd. | Magnetic switch |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP3988490U patent/JPH04654U/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH076961A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Nec Yamaguchi Ltd | プラズマ気相成長装置 |
JPH11307454A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Nec Kyushu Ltd | ガス整流機構 |
US9679725B2 (en) | 2015-04-23 | 2017-06-13 | Lsis Co., Ltd. | Magnetic switch |
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