JPH04654U - - Google Patents

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JPH04654U
JPH04654U JP3988490U JP3988490U JPH04654U JP H04654 U JPH04654 U JP H04654U JP 3988490 U JP3988490 U JP 3988490U JP 3988490 U JP3988490 U JP 3988490U JP H04654 U JPH04654 U JP H04654U
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hole
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holes
plasma cvd
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JP3988490U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案のプラズマＣＶＤ装置の一実施
例を示す概略的構成図、第２図Ａは第１図におけ
る内部電極の要部構成図、第２図Ｂは第１図にお
ける外部電極の要部構成図、第３図は第１図にお
ける外部電極及び内部電極のそれぞれの孔の配置
状態を示す説明図、第４図は従来のプラズマＣＶ
Ｄ装置の例を示す概略的構成図、第５図は第４図
におけるガス吹き出し電極を示す断面図、第６図
は第５図の底面図である。 １……反応室、２……ガス吹き出し電極、３…
…基板設置電極、４……反応ガス供給管、５……
高周波電源、６……外部電極、６ａ……孔、７…
…モータ、８……回転軸、９……内部電極、９ａ
，９ｂ……孔、１０……基板、１１……基板加熱
ヒータ、１２……排気配管。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応ガスを、反応室内に平行に所定の間隔
    をおいて配置された一対の電極の一方より、該電
    極に形成された複数個のガス吹き出し孔を通じて
    反応室内に導入し、該電極間に発生するグロー放
    電プラズマを用いて、基板上に薄膜を堆積するも
    のにおいて、前記ガス吹き出し孔の孔径を調整す
    る手段を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ
    装置。 (2) 前記ガス吹き出し孔の孔径を調整する手段
    が、異なる孔径からなる孔をそれぞれ複数個有す
    る板状の第１の電極と、前記孔の孔径よりも大き
    い孔径からなる孔を複数個有する板状の第２の電
    極と、を備え、第１の電極と第２の電極のそれぞ
    れ片面が接触した状態でその少なくとも一方が移
    動自在に設置されて、第２の電極の孔が第１の電
    極の異なる孔径のうち、所定の孔径の孔の位置に
    対応してその孔径の孔を解放するようにしたこと
    を特徴とする請求項(1)記載のプラズマＣＶＤ装
    置。 (3) 前記第１の電極と、前記第２の電極がそれ
    ぞれ円盤状に形成されて各々の孔が同心円上に配
    置され、前記電極の一方が回転自在に設置されて
    いることを特徴とする請求項(2)記載のプラズマ
    ＣＶＤ装置。
JP3988490U 1990-04-13 1990-04-13 Pending JPH04654U (ja)

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JP3988490U JPH04654U (ja) 1990-04-13 1990-04-13

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JPH04654U true JPH04654U (ja) 1992-01-07

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JP (1) JPH04654U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH076961A (ja) * 1993-06-16 1995-01-10 Nec Yamaguchi Ltd プラズマ気相成長装置
JPH11307454A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Nec Kyushu Ltd ガス整流機構
US9679725B2 (en) 2015-04-23 2017-06-13 Lsis Co., Ltd. Magnetic switch

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH076961A (ja) * 1993-06-16 1995-01-10 Nec Yamaguchi Ltd プラズマ気相成長装置
JPH11307454A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Nec Kyushu Ltd ガス整流機構
US9679725B2 (en) 2015-04-23 2017-06-13 Lsis Co., Ltd. Magnetic switch

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