JPH0465346A - 超電導組成物 - Google Patents
超電導組成物Info
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- JPH0465346A JPH0465346A JP2177994A JP17799490A JPH0465346A JP H0465346 A JPH0465346 A JP H0465346A JP 2177994 A JP2177994 A JP 2177994A JP 17799490 A JP17799490 A JP 17799490A JP H0465346 A JPH0465346 A JP H0465346A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、核融合炉、電磁流体発電機、加速器、回転
電気機器(電動機や発電機等)、磁気分離器、磁気浮上
列車、磁気浮上自動車、核磁気共鳴断層撮影診断装置、
磁気推進船、電子ビーム露光装置、各種実験装置等のマ
グネットコイル用材料して適し、また、送電線、エネル
ギー貯蔵器、変圧器、整流器、調相器等、電力損失が問
題になる用途に適し、さらに、ジョセフソン素子、5Q
UID素子等の素子として適し、さらにまた、赤外線探
知材料、磁気遮蔽材料等の機能材料として適した超電導
組成物に関する。
電気機器(電動機や発電機等)、磁気分離器、磁気浮上
列車、磁気浮上自動車、核磁気共鳴断層撮影診断装置、
磁気推進船、電子ビーム露光装置、各種実験装置等のマ
グネットコイル用材料して適し、また、送電線、エネル
ギー貯蔵器、変圧器、整流器、調相器等、電力損失が問
題になる用途に適し、さらに、ジョセフソン素子、5Q
UID素子等の素子として適し、さらにまた、赤外線探
知材料、磁気遮蔽材料等の機能材料として適した超電導
組成物に関する。
〈従来の技術〉
従来、酸化物系超電導組成物で高い超電導転移温度を示
すものとして、B i−3r−Ca−CuOの系か知ら
れている。しかし、この系では抵抗が零になる温度(零
抵抗温度)か90Kを超える、いわゆる高温相のものを
作成するのは容易ではなく、厳密な温度制御と長時間の
焼成を必要とする。
すものとして、B i−3r−Ca−CuOの系か知ら
れている。しかし、この系では抵抗が零になる温度(零
抵抗温度)か90Kを超える、いわゆる高温相のものを
作成するのは容易ではなく、厳密な温度制御と長時間の
焼成を必要とする。
一方、上記の系にPbを添加すると、零抵抗温度が90
Kを超えるものの作成も少しは容易になるとされている
(Japancse JourlIal ol App
!1edPhysics、 27 (1988) L
1041)。しかしながら、依然としてかなり厳密な温
度制御と40時間を超える長時間の焼成を必要とするの
で、実用的であるとはいえない。
Kを超えるものの作成も少しは容易になるとされている
(Japancse JourlIal ol App
!1edPhysics、 27 (1988) L
1041)。しかしながら、依然としてかなり厳密な温
度制御と40時間を超える長時間の焼成を必要とするの
で、実用的であるとはいえない。
〈発明が解決しようとする課題〉
この発明の目的は、従来の超電導組成物の上述した問題
点を解決し、比較的短い焼成時間であっても高い超電導
転移温度を示す超電導組成物を提供するにある。
点を解決し、比較的短い焼成時間であっても高い超電導
転移温度を示す超電導組成物を提供するにある。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、この発明は、下記一般式で
表される超電導組成物を提供する。
表される超電導組成物を提供する。
(Bil、 Pb、 ) XSr、 Ca、 Cu、
Zn−まただし、0≦p<0.4 1、9<x<2.2 1、9<q<2. 1 1、9<r<2.3 2、 8<y<3. 1 0.1<s<3.0 10.0<z<10.2 この発明の超電導組成物は、全体として上記−般式で表
わされるものであるが、一つの化合物からなる単一相は
形成しておらず、主として、第2図に示すような結晶構
造の、いわゆるBl系CuO□3層相(高温相ともいう
)と、第3図に示すような結晶構造の、いわゆるCu0
.2層相(低温相ともいう)とが混ざり合ったものと考
えられる。もっとも、CaO2相のCuサイトの一部か
Znによって置換されているものか含まれていたり、不
純物としてCa2Pb04やZnO等か含まれているこ
ともあろう。
Zn−まただし、0≦p<0.4 1、9<x<2.2 1、9<q<2. 1 1、9<r<2.3 2、 8<y<3. 1 0.1<s<3.0 10.0<z<10.2 この発明の超電導組成物は、全体として上記−般式で表
わされるものであるが、一つの化合物からなる単一相は
形成しておらず、主として、第2図に示すような結晶構
造の、いわゆるBl系CuO□3層相(高温相ともいう
)と、第3図に示すような結晶構造の、いわゆるCu0
.2層相(低温相ともいう)とが混ざり合ったものと考
えられる。もっとも、CaO2相のCuサイトの一部か
Znによって置換されているものか含まれていたり、不
純物としてCa2Pb04やZnO等か含まれているこ
ともあろう。
第1図は、この発明の超電導組成物のうち、組成がB
1184Pb[l 34S 1191Ca203Cu2
86Z n o、 5101 o、 4であるもののX
線回折パターン(X線源はCuKa線)を示すものであ
る。横軸の2θは回折角で、縦軸のIは強度である。こ
の第1図から、上記の超伝導組成物は、はぼBi系Cu
023層相とCuO72層相とから形成されていること
がわかる。
1184Pb[l 34S 1191Ca203Cu2
86Z n o、 5101 o、 4であるもののX
線回折パターン(X線源はCuKa線)を示すものであ
る。横軸の2θは回折角で、縦軸のIは強度である。こ
の第1図から、上記の超伝導組成物は、はぼBi系Cu
023層相とCuO72層相とから形成されていること
がわかる。
この発明の特徴は、Cub22層相の組成に特定範囲内
のZnを添加することによって比較的容易にその超電導
特性がBi系Cub23層相のそれになるようにしたこ
とにある。これによって、40時間以内の短時間の焼成
でも超電導開始温度115〜95に1零抵抗温度100
〜90Kを実現できる。
のZnを添加することによって比較的容易にその超電導
特性がBi系Cub23層相のそれになるようにしたこ
とにある。これによって、40時間以内の短時間の焼成
でも超電導開始温度115〜95に1零抵抗温度100
〜90Kを実現できる。
Znの役割は、次のようなものであると考えられる。
すなわち、この発明の超電導組成物を螢光X線分析して
みると、結晶粒の粒内にはZnかほとんど存在せず、粒
界に存在していることがわかる。
みると、結晶粒の粒内にはZnかほとんど存在せず、粒
界に存在していることがわかる。
このことから、Znは、第2図や第3図に示すような結
晶構造においてCuサイトに置換することはほとんどな
く、そのほとんどが粒界に酸化物またはその他の化合物
の形で存在するものと推定される。そうして、Znは、
フラックスとして物質移動を容易にし、Bi系Cub2
3層相の出現を助けるものと推定される。
晶構造においてCuサイトに置換することはほとんどな
く、そのほとんどが粒界に酸化物またはその他の化合物
の形で存在するものと推定される。そうして、Znは、
フラックスとして物質移動を容易にし、Bi系Cub2
3層相の出現を助けるものと推定される。
上述した特性が得られるためには、Bi系CuO23層
相が一定の割合以上に形成されることが必要になる。こ
のために、1.9<x<2.2.1.9<q<2.1.
1.9<r<2゜3.2゜8<y<3.1なる制限が加
わる。この範囲を超えると、Bi系Cu○23層相の割
合か不足する。
相が一定の割合以上に形成されることが必要になる。こ
のために、1.9<x<2.2.1.9<q<2.1.
1.9<r<2゜3.2゜8<y<3.1なる制限が加
わる。この範囲を超えると、Bi系Cu○23層相の割
合か不足する。
Sは、0.1未満ではZnを添加したことによる効果が
得られず、また、不純物の析出が多くなりすぎて超電導
特性が低下する。pが0.4を超えても不純物の析出か
多くなりすぎ、やはり超電導特性か低下する。Zの値は
焼成によって変わるが、通常、10.0<z<10.2
の範囲をとる。
得られず、また、不純物の析出が多くなりすぎて超電導
特性が低下する。pが0.4を超えても不純物の析出か
多くなりすぎ、やはり超電導特性か低下する。Zの値は
焼成によって変わるが、通常、10.0<z<10.2
の範囲をとる。
この発明の超電導組成物は、いわゆる粉末混合法によっ
て製造することができる。
て製造することができる。
すなわち、上述した一般式におけるpzqzrsy、s
の関係を満足するようにB12O3、PbO1SrCO
3、CaCO3、CuO1ZnOの各粉末を混合し、粉
砕し、再び混合し、所望の形状に成形した後、炉に入れ
て850〜865℃で20〜40時間焼成することによ
って製造することができる。もっとも、電子ビーム蒸着
法やレザー蒸着法等の各種蒸着法によったり、マグネト
ロンスパッタ法等の各種スパッタ法によったり、ハロゲ
ン化物や有機金属等を用いる化学的気相成長法によった
り、硝酸塩や有機酸等を用いる霧化法によったり、アル
コキシド等を用いる塗布法によって製造することもでき
る。そうして、この発明の超伝導組成物は、テープ状、
線状、繊維状、シート状等、いろいろな形態をとり得る
。また、炭素繊維や、セラミックスや、銀等の金属から
なる補強線材上に形成せしめることもできる。さらに、
銀シース等の補強用の中空材料に詰めて用いることもで
きる。さらにまた、銅等のマトリクスを用いて多芯線構
造の超伝導線材とすることもできる。また、Si、Mg
O1LaGa03等の基板上に薄膜として形成し、いろ
いろな素子として、あるいは、LSIの配線として用い
ることができる。
の関係を満足するようにB12O3、PbO1SrCO
3、CaCO3、CuO1ZnOの各粉末を混合し、粉
砕し、再び混合し、所望の形状に成形した後、炉に入れ
て850〜865℃で20〜40時間焼成することによ
って製造することができる。もっとも、電子ビーム蒸着
法やレザー蒸着法等の各種蒸着法によったり、マグネト
ロンスパッタ法等の各種スパッタ法によったり、ハロゲ
ン化物や有機金属等を用いる化学的気相成長法によった
り、硝酸塩や有機酸等を用いる霧化法によったり、アル
コキシド等を用いる塗布法によって製造することもでき
る。そうして、この発明の超伝導組成物は、テープ状、
線状、繊維状、シート状等、いろいろな形態をとり得る
。また、炭素繊維や、セラミックスや、銀等の金属から
なる補強線材上に形成せしめることもできる。さらに、
銀シース等の補強用の中空材料に詰めて用いることもで
きる。さらにまた、銅等のマトリクスを用いて多芯線構
造の超伝導線材とすることもできる。また、Si、Mg
O1LaGa03等の基板上に薄膜として形成し、いろ
いろな素子として、あるいは、LSIの配線として用い
ることができる。
く実 施 例〉
実施例l
B12O3、PbO1SrCO3、CaCO3、Cu
O,Z n Oの各粉末を、Bi:Pb:Sr:Ca:
Cu:Znが1.84:0.34:1.91:2.03
:2.86:0.51になるように秤量し、これをめの
う乳鉢で混合した後、アルミナ製容器に入れ、大気中に
て800°Cで12時間焼成した。
O,Z n Oの各粉末を、Bi:Pb:Sr:Ca:
Cu:Znが1.84:0.34:1.91:2.03
:2.86:0.51になるように秤量し、これをめの
う乳鉢で混合した後、アルミナ製容器に入れ、大気中に
て800°Cで12時間焼成した。
次に、得られた焼成体をめのう乳鉢で粉砕し、ペレット
に成形し、成形体を大気中にて850°Cで20時間焼
成した後、徐冷した。
に成形し、成形体を大気中にて850°Cで20時間焼
成した後、徐冷した。
かくして得られた、B1□84P 1)o 34S l
1.91C82,03CL12.862n0.510
10.4なる超電導組成物の超電導転移温度は、開始温
度か110K、零抵抗温度が95にであった。
1.91C82,03CL12.862n0.510
10.4なる超電導組成物の超電導転移温度は、開始温
度か110K、零抵抗温度が95にであった。
実施例2
実施例1において、ペレットに成形した成形体を大気中
にて850’Cで40時間焼成した後、徐冷した。
にて850’Cで40時間焼成した後、徐冷した。
かくして得られた超電導組成物は、組成は実施例1のも
のと同じであったが、超電導転移温度は、開始温度が1
.15に、零抵抗温度が100にであった。
のと同じであったが、超電導転移温度は、開始温度が1
.15に、零抵抗温度が100にであった。
実施例3
Bi203、PbOXSrCO3、CaCO3、Cu
O,、、Z n Oの各粉末を、Bi:Pb:5rCa
:Cu:Znか1.84:0.34:1.91:2.0
3:2.86・0.20になるように秤量し、これをめ
のう乳鉢で混合した後、アルミナ製容器に入れ、大気中
にて800℃で12時間焼成した。
O,、、Z n Oの各粉末を、Bi:Pb:5rCa
:Cu:Znか1.84:0.34:1.91:2.0
3:2.86・0.20になるように秤量し、これをめ
のう乳鉢で混合した後、アルミナ製容器に入れ、大気中
にて800℃で12時間焼成した。
次に、得られた焼成体をめのう乳鉢で粉砕し、ペレット
に成形し、成形体を大気中にて850°Cで20時間焼
成した後、徐冷した。
に成形し、成形体を大気中にて850°Cで20時間焼
成した後、徐冷した。
かくして得られた、B 1184pbo 34S 11
91Ca2.03Cu2.86Zn[1,20010,
1なる超電導組成物の超電導転移温度は、開始温度が1
−10K、零抵抗温度が95にであった。
91Ca2.03Cu2.86Zn[1,20010,
1なる超電導組成物の超電導転移温度は、開始温度が1
−10K、零抵抗温度が95にであった。
実施例4
実施例3において、ペレットに成形した成形体を大気中
にて850°Cで40時間焼成した後、徐冷した。組成
は実施例3と同じであったが、超電導転移温度は、開始
温度が115に、零抵抗温度が100にであった。
にて850°Cで40時間焼成した後、徐冷した。組成
は実施例3と同じであったが、超電導転移温度は、開始
温度が115に、零抵抗温度が100にであった。
〈発明の効果〉
この発明の超電導組成物は、下記の一般式で表わされる
もので、実施例にも示したように、比較的短時間の焼成
で高い超電導転移温度を達成できる。
もので、実施例にも示したように、比較的短時間の焼成
で高い超電導転移温度を達成できる。
(Bib−p Pb、 ) X ST、 Ca、
Cu、 Zn、 0 まただし、0≦p<0
. 4 1、 9<X<2. 2 1.9<q<2. 1 1.9<r<2. 3 2.8<y<3.1 0、 1<s<3.0 10.0<z<10.2
Cu、 Zn、 0 まただし、0≦p<0
. 4 1、 9<X<2. 2 1.9<q<2. 1 1.9<r<2. 3 2.8<y<3.1 0、 1<s<3.0 10.0<z<10.2
第1図は、この発明の超電導組成物の一例についてその
X線回折パターンを示すグラフ、第2図および第3図は
、この発明の超電導組成物の結晶構造を説明するための
、それぞれBi系Cu O23層相構造およびCuO2
2層相構造を示すモデル図である。
X線回折パターンを示すグラフ、第2図および第3図は
、この発明の超電導組成物の結晶構造を説明するための
、それぞれBi系Cu O23層相構造およびCuO2
2層相構造を示すモデル図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式で表される超電導組成物。 (B_1_−_pPb_p)_xSr_qCa_rCu
_yZn_sO_zただし、0≦p<0.4 1.9<x<2.2 1.9<q<2.1 1.9<r<2.3 2.8<y<3.1 0.1<s<3.0 10.0<z<10.2
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2177994A JP3049739B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 超電導組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2177994A JP3049739B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 超電導組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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1990
- 1990-07-04 JP JP2177994A patent/JP3049739B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9682320B2 (en) | 2002-07-22 | 2017-06-20 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Inertially trackable hand-held controller |
KR100823990B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2008-04-22 | (주)선재하이테크 | 광 이오나이저 |
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