JPH0464221A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0464221A JPH0464221A JP17718290A JP17718290A JPH0464221A JP H0464221 A JPH0464221 A JP H0464221A JP 17718290 A JP17718290 A JP 17718290A JP 17718290 A JP17718290 A JP 17718290A JP H0464221 A JPH0464221 A JP H0464221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor wafer
- reaction
- process gas
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 67
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 2
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001845 vibrational spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体ウェハの製造工程で薄膜形成方法に係わ
り、特にＣＶＤ装置での薄膜形成方法に関する。
り、特にＣＶＤ装置での薄膜形成方法に関する。
［従来の技術］
従来から半導体ウェハの製造工程ではＣＶＤ装置を用い
て薄膜形成がなされている。ＣＶＤ装置は薄膜材料を構
成する元素から成る一種または数種の化合物ガス単体ガ
スを半導体ウェハ上に供給し、気相または半導体ウェハ
表面での化学反応により所望の薄膜を形成するものであ
る。ガス分子を励起させるには熱エネルギーやプラズマ
放電が用いられるが、ランプ光源装置と加熱用ヒータを
内蔵した反応室から成り、比較的低温で熱処理が行われ
るランプアニール装置がある。ランプアニール装置のラ
ンプ光源には近赤外域の範囲の波長を発生するランプを
用い、物質が近赤外線の吸収によりその振動スペクトル
で物質内の熱運動か励起され、温度が上昇して加熱され
ることを利用し、枚葉処理されている。このランプアニ
ール装置は熱処理雰囲気を制御しやすいため広く使われ
ている。
て薄膜形成がなされている。ＣＶＤ装置は薄膜材料を構
成する元素から成る一種または数種の化合物ガス単体ガ
スを半導体ウェハ上に供給し、気相または半導体ウェハ
表面での化学反応により所望の薄膜を形成するものであ
る。ガス分子を励起させるには熱エネルギーやプラズマ
放電が用いられるが、ランプ光源装置と加熱用ヒータを
内蔵した反応室から成り、比較的低温で熱処理が行われ
るランプアニール装置がある。ランプアニール装置のラ
ンプ光源には近赤外域の範囲の波長を発生するランプを
用い、物質が近赤外線の吸収によりその振動スペクトル
で物質内の熱運動か励起され、温度が上昇して加熱され
ることを利用し、枚葉処理されている。このランプアニ
ール装置は熱処理雰囲気を制御しやすいため広く使われ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このようなＣＶＤ装置においては、半導
体ウェハの前面からハロゲン化金属等の化合物ガスと、
水素ガス等のプロセスガスを供給し、半導体ウェハ上に
金属膜を析出させ、ハロゲン化水素等の反応生成ガスを
排気して行っているものがあるが、この時半導体ウェハ
の裏面にまで金属膜が析出され、後工程におけるゴミ、
塵などの発生源を形成してしまった。
体ウェハの前面からハロゲン化金属等の化合物ガスと、
水素ガス等のプロセスガスを供給し、半導体ウェハ上に
金属膜を析出させ、ハロゲン化水素等の反応生成ガスを
排気して行っているものがあるが、この時半導体ウェハ
の裏面にまで金属膜が析出され、後工程におけるゴミ、
塵などの発生源を形成してしまった。
そのため、半導体ウェハの裏面より反応系とは無関係な
アルゴンガス等の不活性ガスを吹きつけ、金属膜が裏面
に析出するのを防止していた。
アルゴンガス等の不活性ガスを吹きつけ、金属膜が裏面
に析出するのを防止していた。
しかしながら、このような方法を採っても、金属膜の析
出は完全には防止できす、不活性ガスの供給系も必要で
あり、装置としても大掛かりとなってしまった。
出は完全には防止できす、不活性ガスの供給系も必要で
あり、装置としても大掛かりとなってしまった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、半導体ウェハの裏面にまで薄膜が形成されて発塵
源を生成することなく、装置的にも簡単で従って高品質
な半導体ウェハを経済的に製造できる薄膜形成方法を提
供することを目的とする。
って、半導体ウェハの裏面にまで薄膜が形成されて発塵
源を生成することなく、装置的にも簡単で従って高品質
な半導体ウェハを経済的に製造できる薄膜形成方法を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明の薄膜形成方法は、半
導体ウェハの表面にプロセスガスを供給し、半導体ウェ
ハを加熱して反応系を促進させて半導体ウェハの表面上
に薄膜を形成するに際し、半導体ウェハの裏面からプロ
セスガスまたは前記反応系の生成ガスを供給する。
導体ウェハの表面にプロセスガスを供給し、半導体ウェ
ハを加熱して反応系を促進させて半導体ウェハの表面上
に薄膜を形成するに際し、半導体ウェハの裏面からプロ
セスガスまたは前記反応系の生成ガスを供給する。
［作用］
半導体ウェハの表面からプロセスガスを供給し、半導体
ウェハを加熱して反応を促進させ半導体ウェハ上に薄膜
を形成させる。この時、半導体ウェハの裏面からプロセ
スガスかまたはプロセスにより生じる反応ガスを強制的
に供給し、半導体ウェハの裏面の周縁部で反応系のプロ
セスガスの供給量を局部的に変化させる。それにより、
反応を律速させて裏面周縁部に薄膜の生成を防止するも
のである。
ウェハを加熱して反応を促進させ半導体ウェハ上に薄膜
を形成させる。この時、半導体ウェハの裏面からプロセ
スガスかまたはプロセスにより生じる反応ガスを強制的
に供給し、半導体ウェハの裏面の周縁部で反応系のプロ
セスガスの供給量を局部的に変化させる。それにより、
反応を律速させて裏面周縁部に薄膜の生成を防止するも
のである。
［実施例コ
本発明の薄膜形成方法を実現する一実施例であるランプ
アニール装置を図面を参照して説明する。
アニール装置を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、ランプアニール装置１は半導体ウ
ェハ２の処理を行う石英製のチャンバ３を備え、ピスト
ン４により上下移動されてチャンバ３の開閉を行う蓋５
が設けられる。蓋５には半導体ウェハ２を支持する支持
ビン６が複数備えられ、半導体ウェハの図示しない搬送
系からのウェハ受は渡しを行うようになっている。蓋５
には、さらにプロセスに応じたプロセスガスＧ及びＧ１
の供給系７及び７１に接続されたプロセスガス吸入口８
が設けられる。そして、余剰のプロセスガス及び反応生
成ガスが真空ポンプ等を備えた排気系９により排気され
る排気孔１０がチャンバ３の上部に備えられる。さらに
、チャンバ３の上面に加熱源であるランプ１１が設けら
れる。ランプ１１には、棒状のタングステンランプまた
はタングステンハロゲンランプを平行に並べたランプア
レイまたはキセノンランプ灯等が使用され、ランプ１１
の光のうち特定の波長以上の波長の光はカットして半導
体ウェハ２を加熱するように石英窓１２が設けられる。
ェハ２の処理を行う石英製のチャンバ３を備え、ピスト
ン４により上下移動されてチャンバ３の開閉を行う蓋５
が設けられる。蓋５には半導体ウェハ２を支持する支持
ビン６が複数備えられ、半導体ウェハの図示しない搬送
系からのウェハ受は渡しを行うようになっている。蓋５
には、さらにプロセスに応じたプロセスガスＧ及びＧ１
の供給系７及び７１に接続されたプロセスガス吸入口８
が設けられる。そして、余剰のプロセスガス及び反応生
成ガスが真空ポンプ等を備えた排気系９により排気され
る排気孔１０がチャンバ３の上部に備えられる。さらに
、チャンバ３の上面に加熱源であるランプ１１が設けら
れる。ランプ１１には、棒状のタングステンランプまた
はタングステンハロゲンランプを平行に並べたランプア
レイまたはキセノンランプ灯等が使用され、ランプ１１
の光のうち特定の波長以上の波長の光はカットして半導
体ウェハ２を加熱するように石英窓１２が設けられる。
ランプ１１は半導体ウェハ２の周縁部２１の中心部に比
べて相対的に大きい熱拡散による温度低下を防止するた
め、いくつかのゾーンに分割され、周辺部でのパワーが
中心部に対して相対的に高くなるように調整が行えるよ
うになっている。さらに、蓋５には、水冷した金メツキ
反射板が組み合わされ、ランプからの熱が均一に半導体
ウェハに照射されるようになっている。
べて相対的に大きい熱拡散による温度低下を防止するた
め、いくつかのゾーンに分割され、周辺部でのパワーが
中心部に対して相対的に高くなるように調整が行えるよ
うになっている。さらに、蓋５には、水冷した金メツキ
反射板が組み合わされ、ランプからの熱が均一に半導体
ウェハに照射されるようになっている。
加えて、半導体ウェハ２の熱処理の温度はフィードバッ
ク制御を行えるよう半導体ウェハ２の表面に面した蓋５
に赤外線放射温度計１３が配置され、処理中の半導体ウ
ェハ２から放射される赤外線強度を測定し、より精密な
温度制御を行うようになっている。
ク制御を行えるよう半導体ウェハ２の表面に面した蓋５
に赤外線放射温度計１３が配置され、処理中の半導体ウ
ェハ２から放射される赤外線強度を測定し、より精密な
温度制御を行うようになっている。
ここで、石英窓１２は第２図に示すように、直径１ｍｍ
φの孔１４が複数例えば６ケ穿孔されており、石英窓１
２の支持体１５の上部及びチャンバ３の上部を貫通した
裏面ガス供給管１６より支持体１５内に供給されるガス
が、孔１４を通過して半導体ウェハ２の裏面にガス流と
なって流れ込むようになっている。さらに、裏面ガス供
給管１６はプロセスガス供給系７に接続され、プロセス
ガスの１つが半導体ウェハ２の裏面に供給されるように
なっている。
φの孔１４が複数例えば６ケ穿孔されており、石英窓１
２の支持体１５の上部及びチャンバ３の上部を貫通した
裏面ガス供給管１６より支持体１５内に供給されるガス
が、孔１４を通過して半導体ウェハ２の裏面にガス流と
なって流れ込むようになっている。さらに、裏面ガス供
給管１６はプロセスガス供給系７に接続され、プロセス
ガスの１つが半導体ウェハ２の裏面に供給されるように
なっている。
このような構成のランプアニール装置において、薄膜形
成方法を説明する。
成方法を説明する。
搬送系により支持ビン上に載置された半導体ウェハ２が
ピストン４の駆動により蓋５がチャンバ３に嵌合され所
定の位置に配置されると、空気の巻き込みを防止するた
めにチャンバ３内にパージガス供給系（図示せず）から
流されているパージガスあるいは空気を排気系９により
排気させ、０５〜５Ｔｏｒｒまで真空にする。その後プ
ロセスガス供給系７及び７１からプロセスガス吸入口８
を通ってプロセスガスを半導体ウェハ２の表面に供給す
ると同時に、排気系９を駆動してチャンバ内が所望の真
空度になるよう排気させながらランプ１１により半導体
ウェハ２の表面を５００℃に加熱する。
ピストン４の駆動により蓋５がチャンバ３に嵌合され所
定の位置に配置されると、空気の巻き込みを防止するた
めにチャンバ３内にパージガス供給系（図示せず）から
流されているパージガスあるいは空気を排気系９により
排気させ、０５〜５Ｔｏｒｒまで真空にする。その後プ
ロセスガス供給系７及び７１からプロセスガス吸入口８
を通ってプロセスガスを半導体ウェハ２の表面に供給す
ると同時に、排気系９を駆動してチャンバ内が所望の真
空度になるよう排気させながらランプ１１により半導体
ウェハ２の表面を５００℃に加熱する。
ここで半導体ウェハ２上に形成する薄膜はハロゲン化金
属例えばＷＦ６、ＴｉＣ１）４、ＭｏＣ９等と水素ガス
との反応でそれぞれ次式で示される反応により生じる金
属膜である。
属例えばＷＦ６、ＴｉＣ１）４、ＭｏＣ９等と水素ガス
との反応でそれぞれ次式で示される反応により生じる金
属膜である。
ＷＦｓ ＋３８２ ＝ゴ ３Ｗ ＋６ＨＦＴｉＣＪ）４
＋ ２Ｈｚ羊Ｔｉ＋４ＨＣＵ２ ＭｏＣＤ ＋Ｈ２＜−
２２Ｍｏ＋２ＨＣＵこの時、例えばＷＦｓとＨ２ガスと
の反応の場合、ＷＦｓの供給量が一定であると反応の進
行により生じる生成物の量りは第３図に示すようにＨ２
ガスの供給量に従ってＯから増加し、一定値に達した後
、Ｈ２ガス超過剰になり、Ｑ点で反応は抑制され始める
。このＨ２ガス超過剰の状況は、ＷＦ６の分圧で１／
１０００〜１／ ５００の時に生じ始める。ここで、プ
ロセスガスＧ１として例えばプロセスガス供給系７１か
らＷＦ、を１０ｃｍ”／ｍｉｎ、、プロセスガスＧとし
てプロセスガス供給系７からＨ２を１０００ｃｍ３／
ｍｉｎ半導体ウェハ２の表面に供給し、この時の半導体
ウェハ２の表面の付近の圧をＰとして反応を進行させ、
半導体ウェハ２の表面にＷ膜を析出させる。この時、Ｈ
２のプロセスガス供給系７に接続されたガス供給管１６
から石英窓１２の支持体１５内にＰ’ ＞Ｐとなるよ
うな圧Ｐ。
＋ ２Ｈｚ羊Ｔｉ＋４ＨＣＵ２ ＭｏＣＤ ＋Ｈ２＜−
２２Ｍｏ＋２ＨＣＵこの時、例えばＷＦｓとＨ２ガスと
の反応の場合、ＷＦｓの供給量が一定であると反応の進
行により生じる生成物の量りは第３図に示すようにＨ２
ガスの供給量に従ってＯから増加し、一定値に達した後
、Ｈ２ガス超過剰になり、Ｑ点で反応は抑制され始める
。このＨ２ガス超過剰の状況は、ＷＦ６の分圧で１／
１０００〜１／ ５００の時に生じ始める。ここで、プ
ロセスガスＧ１として例えばプロセスガス供給系７１か
らＷＦ、を１０ｃｍ”／ｍｉｎ、、プロセスガスＧとし
てプロセスガス供給系７からＨ２を１０００ｃｍ３／
ｍｉｎ半導体ウェハ２の表面に供給し、この時の半導体
ウェハ２の表面の付近の圧をＰとして反応を進行させ、
半導体ウェハ２の表面にＷ膜を析出させる。この時、Ｈ
２のプロセスガス供給系７に接続されたガス供給管１６
から石英窓１２の支持体１５内にＰ’ ＞Ｐとなるよ
うな圧Ｐ。
を満足するようにＨ２ガスを例えば１００ｃｍ”／ｍｉ
ｎ供給する。支持体１５内のＨ２ガスはＰ’ ＞Ｐで
あるため、石英窓１２の孔１４から半導体ウェハ２の裏
面に流れ込む。すると半導体ウェハ２の裏面はＨ２ガス
が偏在することにより、Ｈ２ガスの分圧は局部的に大き
くなり、ＷＦｓの分圧が１／１０００〜１１５００のＱ
点以上に達し、ＷＦａ十Ｈｉ→Ｗ＋ＨＦの反応が抑制さ
れる。従って裏面にＷが析出されることがない。
ｎ供給する。支持体１５内のＨ２ガスはＰ’ ＞Ｐで
あるため、石英窓１２の孔１４から半導体ウェハ２の裏
面に流れ込む。すると半導体ウェハ２の裏面はＨ２ガス
が偏在することにより、Ｈ２ガスの分圧は局部的に大き
くなり、ＷＦｓの分圧が１／１０００〜１１５００のＱ
点以上に達し、ＷＦａ十Ｈｉ→Ｗ＋ＨＦの反応が抑制さ
れる。従って裏面にＷが析出されることがない。
このようにプロセスガスを裏面から供給することにより
裏面のプロセスガスの分圧を変えることにより反応を律
速させて裏面に薄膜が形成されるのを防止することがで
きる。所定の時間反応させ、金属膜形成後、プロセスガ
スの供給を停止し、反応を終了させる。そしてパージガ
スをチャンバ内に流入させ空気の巻込みを防止して蓋５
を開けて処理済の半導体ウェハを搬送する。
裏面のプロセスガスの分圧を変えることにより反応を律
速させて裏面に薄膜が形成されるのを防止することがで
きる。所定の時間反応させ、金属膜形成後、プロセスガ
スの供給を停止し、反応を終了させる。そしてパージガ
スをチャンバ内に流入させ空気の巻込みを防止して蓋５
を開けて処理済の半導体ウェハを搬送する。
以上の説明ではプロセスガスであるＨ２ガスを半導体ウ
ェハの裏面にプロセスガス供給系から所定量供給するよ
うにしたがＷＦ、＋３Ｈ，→Ｗ＋６ＨＦは可逆反応であ
り、半導体ウェハ裏面にＨＦを供給し、裏面の反応を逆
進させてＷの析出を防止してもよい。
ェハの裏面にプロセスガス供給系から所定量供給するよ
うにしたがＷＦ、＋３Ｈ，→Ｗ＋６ＨＦは可逆反応であ
り、半導体ウェハ裏面にＨＦを供給し、裏面の反応を逆
進させてＷの析出を防止してもよい。
さらに、エツチング効果の高いＣｒＪＦ ｓを用いるこ
とで逆方向の反応を促進し裏面に薄膜か形成されるのを
抑制することも可能である。
とで逆方向の反応を促進し裏面に薄膜か形成されるのを
抑制することも可能である。
また、本発明はハロゲン金属と水素ガスの反応に限定さ
れず、反応系に係わる気体を供給することにより半導体
ウェハの裏面の反応系を調整し成膜を律速させてもよく
、ＣＶＤ装置に限定されず何れの装置にも適用すること
かできる。
れず、反応系に係わる気体を供給することにより半導体
ウェハの裏面の反応系を調整し成膜を律速させてもよく
、ＣＶＤ装置に限定されず何れの装置にも適用すること
かできる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明の薄膜形成方
法によれば、半導体ウェハの裏面に反応ガスあるいは反
応生成ガスを供給し、局部的にこれらの気体の分圧を高
くして反応系を抑制して成膜しない状態に調整すること
により裏面に成膜されるのを防止できる。
法によれば、半導体ウェハの裏面に反応ガスあるいは反
応生成ガスを供給し、局部的にこれらの気体の分圧を高
くして反応系を抑制して成膜しない状態に調整すること
により裏面に成膜されるのを防止できる。
このため、後工程で裏面から発生するゴミ、パーティク
ルを除去できるため、高品質な製品を簡単に製造するこ
とができる。特に半導体ウェハの裏面にプロセスガスを
供給する場合はプロセスガス供給系を使用することがで
き、従来用いられていたＡｒガス等の供給系が不必要と
なり装置としても簡単で経済的である。
ルを除去できるため、高品質な製品を簡単に製造するこ
とができる。特に半導体ウェハの裏面にプロセスガスを
供給する場合はプロセスガス供給系を使用することがで
き、従来用いられていたＡｒガス等の供給系が不必要と
なり装置としても簡単で経済的である。
第１図は本発明の薄膜形成方法を適用した一実施例のラ
ンプアニール装置の構成図、第２図は第１図に示す一実
施例の要部を示す図、第３図は第１図に示す一実施例の
説明図である。 １・・・・・・ランプアニール装置 ２・・・・・・半導体ウェハ
ンプアニール装置の構成図、第２図は第１図に示す一実
施例の要部を示す図、第３図は第１図に示す一実施例の
説明図である。 １・・・・・・ランプアニール装置 ２・・・・・・半導体ウェハ
Claims (1)
- 半導体ウェハの表面にプロセスガスを供給し前記半導
体ウェハを加熱して反応系を促進させて前記半導体ウェ
ハの表面上に薄膜を形成するに際し、前記半導体ウェハ
の裏面から前記プロセスガスまたは前記反応系の生成ガ
スを供給することを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17718290A JP2961224B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17718290A JP2961224B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0464221A true JPH0464221A (ja) | 1992-02-28 |
| JP2961224B2 JP2961224B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=16026617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17718290A Expired - Fee Related JP2961224B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961224B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022483A1 (fr) * | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Applied Materials Inc. | Dispositif de fabrication de semi-conducteurs et procede pour chauffer une tranche dans ce dispositif |
| WO2001088974A1 (de) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Mattson Thermal Products Gmbh | Einstellung von defektprofilen in kristallen oder kristallähnlichen strukturen |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17718290A patent/JP2961224B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022483A1 (fr) * | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Applied Materials Inc. | Dispositif de fabrication de semi-conducteurs et procede pour chauffer une tranche dans ce dispositif |
| WO2001088974A1 (de) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Mattson Thermal Products Gmbh | Einstellung von defektprofilen in kristallen oder kristallähnlichen strukturen |
| US6809011B2 (en) | 2000-05-18 | 2004-10-26 | Mattson Thermal Products Gmbh | Adjusting of defect profiles in crystal or crystalline-like structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2961224B2 (ja) | 1999-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5863327A (en) | Apparatus for forming materials | |
| US6085689A (en) | Apparatus to increase gas residence time in a reactor | |
| US6153260A (en) | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor | |
| TWI334450B (en) | Wafer treatment device and the manufacturing method of semiconductor device | |
| JPS61127121A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| WO2004021415A1 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| WO1993013244A1 (en) | Surface reaction film formation apparatus | |
| JPH0464221A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0149004B2 (ja) | ||
| CN107641796B (zh) | 制程设备及化学气相沉积制程 | |
| US6281122B1 (en) | Method for forming materials | |
| JPS6141763A (ja) | 薄膜作成装置 | |
| JPS59207621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP4231589B2 (ja) | 化学蒸着方法及び化学蒸着装置 | |
| JP4221489B2 (ja) | 発熱体ｃｖｄ装置及びこれを用いた発熱体ｃｖｄ方法 | |
| JP2723053B2 (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JP4401481B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH0689455B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2008251956A (ja) | 酸化膜の形成方法及びその装置 | |
| JP3272610B2 (ja) | 金属薄膜の形成方法 | |
| JPS60131969A (ja) | 化学気相成長処理装置 | |
| JPS61198733A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6118125A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS59224118A (ja) | 光化学気相反応法 | |
| JPH04349624A (ja) | 成膜処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070806 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |