JPH046389A - ランプ加熱装置 - Google Patents

ランプ加熱装置

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Publication number
JPH046389A
JPH046389A JP10536390A JP10536390A JPH046389A JP H046389 A JPH046389 A JP H046389A JP 10536390 A JP10536390 A JP 10536390A JP 10536390 A JP10536390 A JP 10536390A JP H046389 A JPH046389 A JP H046389A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
heated
stage
absorbed
heating
Prior art date
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Pending
Application number
JP10536390A
Other languages
English (en)
Inventor
Yousuke Tonami
洋介 渡並
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH046389A publication Critical patent/JPH046389A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、被加熱物を均一に加熱できるランプ加熱装置
に関する。
(従来の技術) ラングからの放射光を被加熱物に照射するランプ加熱装
置は、被加熱物に非接触で加熱でき、またランプの供給
電力により容易に加熱温度を制御できるという特長があ
る。このためラング加熱装置はウェハの表J脅を窒化ま
たは酸化するための熱処理工程や不純物拡散工程等の半
導体製造用に使用される。
従来のランプ加熱装置は、ステージに載置したウェハを
一個のランプで加熱するものであった。
(発明が解決しようとする課題) このような従来装置では、−個のランプで加熱するので
二次元的な広がりをもつ面光源を形成することができず
被加熱物の表面を均一な温度で加熱できない。特に半導
体ウェハの場合は、その周辺部の温度が熱放散により中
央部の温度に比べて低くなるので周辺部から中央部にか
けて損傷が発生することがある。
本発明は被加熱物を均一に且つ十分に加熱できるランプ
加熱装置を提供することにある。
〔発明の構成〕
(産業上の利用分野) 上記目的を達成するために本発明は、被加熱物に吸収さ
れる放射波長で被加熱物を加熱する第1の刃口熱手段と
、被刀口熱物に吸収される放射波長と異なる放射波長で
加熱される被加熱部の周辺部を支持する支持手段と、支
持手段に吸収される放射波長で支持手段を加熱する第2
の加熱手段で構成する。
(作用) このような構成において第1の別懇手段で被加熱物をガ
ロ熱し、第1の加熱手段とは放射波長の異なる第2の加
熱手段で支持手段を加熱するので、被加熱物の中央部と
周辺部に温度差が発生せず被加熱物を損傷させず均一に
加熱することができる。
(実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図面は、本発明のラング万■熱装置の外観図である。
lはウェハ加熱用ランプであり、ウェハ2に吸収されや
すくステージ5には吸収されにくい波長の元を放射する
。この放射光は反射板3で反射サレウエパ2を加熱する
。このとき、反射板3はウェハ加熱用ランプ1の放射光
がウエノ・2に最も照射されるように反射角度が調整さ
れている。
4はステージ加熱用ランプで、ステージ5に吸収されや
丁くウェノ・2には吸収されにくい波長の光を放射し、
ステージ5を刀a熱する。ステージ光にほとんど影響を
受けない。また、ステージ5は、載置されるウェハ2へ
の熱の伝導を避はウェー2の中央部と周辺部の温度差?
なくすように、中央部に穴を設はウェハ2の周辺部のみ
支持しウェハ2との接触部分が小さくなるようにしてい
る。
な2、ウェー・加熱用ランプ1とステージ加熱用ランプ
5め供給電力を調整してウェハ2とステージ5をできる
だけ同一温度にした方が熱伝導が小さくなるので望まし
い。
6はステージ用反射板で、ステージ加熱用ランプ5の放
射光を反射させる。このとき、この放射光がステージ5
に最も照射されるように反射角度が調整されている。
本実施例では、ステージ5を加熱するのにステージ加熱
用ラング4を設けたが、例えば高周波誘導コイルで誘導
加熱するなど要旨を変更しない程度に変更することがで
きる。
〔発明の効果〕
このように、被加熱物を加熱する第1の加熱手段とは異
なる第2の加熱手段で支持手段を加熱し被加熱物の中央
部と周辺部で温度差をなくすようにしたので、損傷をお
こすことなく被加熱物を均一に加熱することができるラ
ンプ刀■熱装置ケ得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明のランプ加熱装置の外観図である。 1・・・ウェハ加熱用ランプ 2・・・ウェハ 4°°°ステージ那熱用ランプ 5・・・ステージ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  被加熱物に吸収される放射波長で前記被加熱物を加熱
    する第1の加熱手段と、 前記被加熱物に吸収される放射波長と異なる放射波長で
    加熱される前記被加熱物の周辺部を支持する支持手段と
    、 この支持手段に吸収される放射波長で前記支持手段を加
    熱する第2の加熱手段と を有するランプ加熱装置。
JP10536390A 1990-04-23 1990-04-23 ランプ加熱装置 Pending JPH046389A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6273883B1 (en) 1996-04-09 2001-08-14 Cynosure, Inc. Alexandrite laser system for treatment of dermatological specimens

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6273883B1 (en) 1996-04-09 2001-08-14 Cynosure, Inc. Alexandrite laser system for treatment of dermatological specimens
US6610052B2 (en) 1996-04-09 2003-08-26 Cynosure, Inc. Laser system and method for treatment of biologic targets
US7118562B2 (en) 1996-04-09 2006-10-10 Cynosure, Inc. Laser system and method for treatment of biologic targets

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