JPH046389A - ランプ加熱装置 - Google Patents
ランプ加熱装置Info
- Publication number
- JPH046389A JPH046389A JP10536390A JP10536390A JPH046389A JP H046389 A JPH046389 A JP H046389A JP 10536390 A JP10536390 A JP 10536390A JP 10536390 A JP10536390 A JP 10536390A JP H046389 A JPH046389 A JP H046389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heated
- stage
- absorbed
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、被加熱物を均一に加熱できるランプ加熱装置
に関する。
に関する。
(従来の技術)
ラングからの放射光を被加熱物に照射するランプ加熱装
置は、被加熱物に非接触で加熱でき、またランプの供給
電力により容易に加熱温度を制御できるという特長があ
る。このためラング加熱装置はウェハの表J脅を窒化ま
たは酸化するための熱処理工程や不純物拡散工程等の半
導体製造用に使用される。
置は、被加熱物に非接触で加熱でき、またランプの供給
電力により容易に加熱温度を制御できるという特長があ
る。このためラング加熱装置はウェハの表J脅を窒化ま
たは酸化するための熱処理工程や不純物拡散工程等の半
導体製造用に使用される。
従来のランプ加熱装置は、ステージに載置したウェハを
一個のランプで加熱するものであった。
一個のランプで加熱するものであった。
(発明が解決しようとする課題)
このような従来装置では、−個のランプで加熱するので
二次元的な広がりをもつ面光源を形成することができず
被加熱物の表面を均一な温度で加熱できない。特に半導
体ウェハの場合は、その周辺部の温度が熱放散により中
央部の温度に比べて低くなるので周辺部から中央部にか
けて損傷が発生することがある。
二次元的な広がりをもつ面光源を形成することができず
被加熱物の表面を均一な温度で加熱できない。特に半導
体ウェハの場合は、その周辺部の温度が熱放散により中
央部の温度に比べて低くなるので周辺部から中央部にか
けて損傷が発生することがある。
本発明は被加熱物を均一に且つ十分に加熱できるランプ
加熱装置を提供することにある。
加熱装置を提供することにある。
(産業上の利用分野)
上記目的を達成するために本発明は、被加熱物に吸収さ
れる放射波長で被加熱物を加熱する第1の刃口熱手段と
、被刀口熱物に吸収される放射波長と異なる放射波長で
加熱される被加熱部の周辺部を支持する支持手段と、支
持手段に吸収される放射波長で支持手段を加熱する第2
の加熱手段で構成する。
れる放射波長で被加熱物を加熱する第1の刃口熱手段と
、被刀口熱物に吸収される放射波長と異なる放射波長で
加熱される被加熱部の周辺部を支持する支持手段と、支
持手段に吸収される放射波長で支持手段を加熱する第2
の加熱手段で構成する。
(作用)
このような構成において第1の別懇手段で被加熱物をガ
ロ熱し、第1の加熱手段とは放射波長の異なる第2の加
熱手段で支持手段を加熱するので、被加熱物の中央部と
周辺部に温度差が発生せず被加熱物を損傷させず均一に
加熱することができる。
ロ熱し、第1の加熱手段とは放射波長の異なる第2の加
熱手段で支持手段を加熱するので、被加熱物の中央部と
周辺部に温度差が発生せず被加熱物を損傷させず均一に
加熱することができる。
(実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図面は、本発明のラング万■熱装置の外観図である。
lはウェハ加熱用ランプであり、ウェハ2に吸収されや
すくステージ5には吸収されにくい波長の元を放射する
。この放射光は反射板3で反射サレウエパ2を加熱する
。このとき、反射板3はウェハ加熱用ランプ1の放射光
がウエノ・2に最も照射されるように反射角度が調整さ
れている。
すくステージ5には吸収されにくい波長の元を放射する
。この放射光は反射板3で反射サレウエパ2を加熱する
。このとき、反射板3はウェハ加熱用ランプ1の放射光
がウエノ・2に最も照射されるように反射角度が調整さ
れている。
4はステージ加熱用ランプで、ステージ5に吸収されや
丁くウェノ・2には吸収されにくい波長の光を放射し、
ステージ5を刀a熱する。ステージ光にほとんど影響を
受けない。また、ステージ5は、載置されるウェハ2へ
の熱の伝導を避はウェー2の中央部と周辺部の温度差?
なくすように、中央部に穴を設はウェハ2の周辺部のみ
支持しウェハ2との接触部分が小さくなるようにしてい
る。
丁くウェノ・2には吸収されにくい波長の光を放射し、
ステージ5を刀a熱する。ステージ光にほとんど影響を
受けない。また、ステージ5は、載置されるウェハ2へ
の熱の伝導を避はウェー2の中央部と周辺部の温度差?
なくすように、中央部に穴を設はウェハ2の周辺部のみ
支持しウェハ2との接触部分が小さくなるようにしてい
る。
な2、ウェー・加熱用ランプ1とステージ加熱用ランプ
5め供給電力を調整してウェハ2とステージ5をできる
だけ同一温度にした方が熱伝導が小さくなるので望まし
い。
5め供給電力を調整してウェハ2とステージ5をできる
だけ同一温度にした方が熱伝導が小さくなるので望まし
い。
6はステージ用反射板で、ステージ加熱用ランプ5の放
射光を反射させる。このとき、この放射光がステージ5
に最も照射されるように反射角度が調整されている。
射光を反射させる。このとき、この放射光がステージ5
に最も照射されるように反射角度が調整されている。
本実施例では、ステージ5を加熱するのにステージ加熱
用ラング4を設けたが、例えば高周波誘導コイルで誘導
加熱するなど要旨を変更しない程度に変更することがで
きる。
用ラング4を設けたが、例えば高周波誘導コイルで誘導
加熱するなど要旨を変更しない程度に変更することがで
きる。
このように、被加熱物を加熱する第1の加熱手段とは異
なる第2の加熱手段で支持手段を加熱し被加熱物の中央
部と周辺部で温度差をなくすようにしたので、損傷をお
こすことなく被加熱物を均一に加熱することができるラ
ンプ刀■熱装置ケ得ることができる。
なる第2の加熱手段で支持手段を加熱し被加熱物の中央
部と周辺部で温度差をなくすようにしたので、損傷をお
こすことなく被加熱物を均一に加熱することができるラ
ンプ刀■熱装置ケ得ることができる。
図面は、本発明のランプ加熱装置の外観図である。
1・・・ウェハ加熱用ランプ
2・・・ウェハ
4°°°ステージ那熱用ランプ
5・・・ステージ
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被加熱物に吸収される放射波長で前記被加熱物を加熱
する第1の加熱手段と、 前記被加熱物に吸収される放射波長と異なる放射波長で
加熱される前記被加熱物の周辺部を支持する支持手段と
、 この支持手段に吸収される放射波長で前記支持手段を加
熱する第2の加熱手段と を有するランプ加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10536390A JPH046389A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ランプ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10536390A JPH046389A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ランプ加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH046389A true JPH046389A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14405646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10536390A Pending JPH046389A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ランプ加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH046389A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6273883B1 (en) | 1996-04-09 | 2001-08-14 | Cynosure, Inc. | Alexandrite laser system for treatment of dermatological specimens |
-
1990
- 1990-04-23 JP JP10536390A patent/JPH046389A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6273883B1 (en) | 1996-04-09 | 2001-08-14 | Cynosure, Inc. | Alexandrite laser system for treatment of dermatological specimens |
US6610052B2 (en) | 1996-04-09 | 2003-08-26 | Cynosure, Inc. | Laser system and method for treatment of biologic targets |
US7118562B2 (en) | 1996-04-09 | 2006-10-10 | Cynosure, Inc. | Laser system and method for treatment of biologic targets |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3215155B2 (ja) | 照射による半導体ウェーハの急速熱処理方法 | |
KR0155545B1 (ko) | 기판의 열처리 장치 | |
US4535228A (en) | Heater assembly and a heat-treatment method of semiconductor wafer using the same | |
JP4275729B2 (ja) | 急速熱処理装置及び方法 | |
US4504323A (en) | Method for annealing semiconductors with a planar source composed of flash discharge lamps | |
ATE356430T1 (de) | Blitztempering | |
JP2006303125A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
US20030068903A1 (en) | Heat treatment device of the light irradiation type and heat treatment process of the irradiation type | |
JPH046389A (ja) | ランプ加熱装置 | |
JP2000349038A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002208466A (ja) | 加熱ランプと加熱処理装置 | |
JPH036018A (ja) | 半導体装置製造用ランプアニール装置 | |
JP2003279245A (ja) | 塗布膜の乾燥方法及びその装置、デバイスの製造方法、デバイス | |
KR19980016834A (ko) | 급속 열처리 장치 | |
JPH04206141A (ja) | ランプ加熱装置 | |
JPH0720913Y2 (ja) | 光処理器 | |
US6023555A (en) | Radiant heating apparatus and method | |
TW550680B (en) | Heating device of the light irradiation type | |
KR19990071988A (ko) | 디스크형 정보 저장 매체를 코팅시키는 장치 | |
JP2000068223A5 (ja) | ||
JP3609380B2 (ja) | 熱処理装置 | |
US20230140032A1 (en) | Apparatus for thermally processing a substrate | |
JP2002075899A (ja) | 円形状平板試料の均熱装置 | |
JPS58118112A (ja) | 半導体材料の熱処理装置 | |
JPH03204618A (ja) | バックライト装置 |