JPH0463805A - 側鎖にアゾメチン基を有する高分子化合物 - Google Patents
側鎖にアゾメチン基を有する高分子化合物Info
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- JPH0463805A JPH0463805A JP17455790A JP17455790A JPH0463805A JP H0463805 A JPH0463805 A JP H0463805A JP 17455790 A JP17455790 A JP 17455790A JP 17455790 A JP17455790 A JP 17455790A JP H0463805 A JPH0463805 A JP H0463805A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、側鎖にアゾメチン基を有する高分子化合物に
関する。
関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]本発明
の高分子化合物は、文献未載の新組な高分子化合物であ
り、オプトエレクトロニクス分野に於ける各種デバイス
として有用な高分子材料を提供することを目的とする。
の高分子化合物は、文献未載の新組な高分子化合物であ
り、オプトエレクトロニクス分野に於ける各種デバイス
として有用な高分子材料を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の高分子化合物は、次式(I)
次式(I)
−+−(R2−C←
C=0 (I)0+−C11
2+TO−o−C1(=N−o−D(式中、R1は水素
原子又はメチル基を表わし、Xは1〜20の整数を表わ
し、Dは電子供与基を表わす)で示される繰り返し単位
を有し、数平均分子量が1000〜100万であること
を特徴とする。
2+TO−o−C1(=N−o−D(式中、R1は水素
原子又はメチル基を表わし、Xは1〜20の整数を表わ
し、Dは電子供与基を表わす)で示される繰り返し単位
を有し、数平均分子量が1000〜100万であること
を特徴とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の高分子化合物は、数平均分子量が1000〜l
OO万であり、好ましくは5000〜70万、さらに好
ましくは1万〜5゜万である。
OO万であり、好ましくは5000〜70万、さらに好
ましくは1万〜5゜万である。
前記式(I)中、R1は水素原子又はメチル基を表わし
、好ましくはメチル基である。
、好ましくはメチル基である。
Xは、1〜20の整数を表わし、好ましくは1〜12で
あり、さらに好ましくは1〜8である。
あり、さらに好ましくは1〜8である。
Dで表わされる電子供与基とは、ハメット則において置
換基定数Oが負の置換基をいう。中でも0が−02以下
のものが好ましい。
換基定数Oが負の置換基をいう。中でも0が−02以下
のものが好ましい。
このような電子供与基としては、例えば、アミノ基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルアミノ基、
エチルアミノ基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ
基などを挙げることができる6中でも好ましいのは、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基であり、さらに好ま
しくはジメチルアミノ基である。
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルアミノ基、
エチルアミノ基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ
基などを挙げることができる6中でも好ましいのは、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基であり、さらに好ま
しくはジメチルアミノ基である。
本発明の高分子化合物は、例えば、次の反応工程1〜4
を経て製造することができる。
を経て製造することができる。
(反応工程1)
[式(II )及び(+11 )中、Dは前記と同義で
ある1 前記式(II)で示されるアニリン化合物とこれに対し
てやや過剰のp−ヒドロキシベンズアルデヒドとをエタ
ノール等の溶媒中で酢酸を触媒とし、溶媒を留去しなが
ら反応させて前記式(Ill)で示されるアゾメチン化
合物を合成する。
ある1 前記式(II)で示されるアニリン化合物とこれに対し
てやや過剰のp−ヒドロキシベンズアルデヒドとをエタ
ノール等の溶媒中で酢酸を触媒とし、溶媒を留去しなが
ら反応させて前記式(Ill)で示されるアゾメチン化
合物を合成する。
(反応工程2)
(I■)
[式(IV)及び(Vl中、X及びDは前記と同義であ
る] アゾメチン化合物(Ill )とり四ロアルコール(I
V )とを水素化ナトリウムの存在下に不活性層媒中で
反応させて化合物(V)を合成する。
る] アゾメチン化合物(Ill )とり四ロアルコール(I
V )とを水素化ナトリウムの存在下に不活性層媒中で
反応させて化合物(V)を合成する。
不活性温媒としては、反応成分に対して不活性であれば
特に制限はないが、N、N−ジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチレンフオスホニルアミド等の極性溶媒が好まし
い。
特に制限はないが、N、N−ジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチレンフオスホニルアミド等の極性溶媒が好まし
い。
反応モル比は、アゾメチン化合物(II)1モルに対し
てクロロアルコール(IN)が10〜20倍モル量、好
ましくは、1.2〜1.5倍モル量である。
てクロロアルコール(IN)が10〜20倍モル量、好
ましくは、1.2〜1.5倍モル量である。
水素化ナトリウムの使用量は、アゾメチン化合物(I1
)と等モル量が好ましい。
)と等モル量が好ましい。
反応温度は、80〜200℃、好ましくは100〜15
0℃である。
0℃である。
反応時間は、2〜30時間である。
(反応工程3)
(Vl)
し11.=Crt
(VU)
[式(Vl)及ヒ(V[I)中、R’、D及びxは、前
記と同義である] 化合物(V)と(メタ)アクリロイルクロリド(Vl)
とをトリエチルアミンの存在下に不活性溶媒中で反応さ
せて重合活性モノマー(vn)を合成する。
記と同義である] 化合物(V)と(メタ)アクリロイルクロリド(Vl)
とをトリエチルアミンの存在下に不活性溶媒中で反応さ
せて重合活性モノマー(vn)を合成する。
不活性溶媒としては、反応成分に対して不活性であれば
特に制限はないが、ジオキサン、テトラヒドロフラン等
の環状エーテル系溶媒が好ましい。
特に制限はないが、ジオキサン、テトラヒドロフラン等
の環状エーテル系溶媒が好ましい。
反応モル比は、化合物(V)1モルに対して、(メタ)
アクリロイルクロリド(Vl)が1.0〜20倍モル量
、好ましくは、12〜15倍モル量である。
アクリロイルクロリド(Vl)が1.0〜20倍モル量
、好ましくは、12〜15倍モル量である。
トリエチルアミンの使用量は、(メタ)アクリロイルク
ロリドと等モル量が好ましい。
ロリドと等モル量が好ましい。
反応温度は、0〜so’c、好ましくは0〜40’Cで
ある。
ある。
反応時間は、2〜20時間である。
(反応工程4)
重合活性モノマー(■)を不活性溶媒中で重合開始剤の
存在下に重合させて本発明の高分子化合物を得ることが
できる。
存在下に重合させて本発明の高分子化合物を得ることが
できる。
重合開始剤としては、ベンゾイルペルオキシド、アゾビ
スイソブチロニトリル、ラウロイルペルオキシド等を挙
げることができる。
スイソブチロニトリル、ラウロイルペルオキシド等を挙
げることができる。
重合開始剤の使用量は、重合活性モノマー(Vl) 1
モルに対して、1150〜11500倍モル量、好まし
くは、1/100〜l/300倍モル量、さらに好まし
くは、1/100〜1/200倍モル量である。
モルに対して、1150〜11500倍モル量、好まし
くは、1/100〜l/300倍モル量、さらに好まし
くは、1/100〜1/200倍モル量である。
不活性温媒としては、重合活性モノマー(VI)に対し
て不活性であれば特に制限はないが、トルエン、ベンゼ
ン、ヘキサン等の炭化水素系温媒が好ましい。
て不活性であれば特に制限はないが、トルエン、ベンゼ
ン、ヘキサン等の炭化水素系温媒が好ましい。
重合温度は、0〜80°C1好ましくは40〜80°C
である。
である。
重合時間は、2〜30時間である。
得られた本発明の高分子化合物の精製には、再沈法を採
用することができる。
用することができる。
このようにして得られた本発明の高分子化合物は、数平
均分子量が、1000〜100万であり、示差走査熱量
計(DSC)による吸熱ピークは、重合体の分子量によ
って多少異なるが、80〜140℃に観測することがで
きる(昇温速度、10℃/m1n)。
均分子量が、1000〜100万であり、示差走査熱量
計(DSC)による吸熱ピークは、重合体の分子量によ
って多少異なるが、80〜140℃に観測することがで
きる(昇温速度、10℃/m1n)。
本発明の高分子化合物は、5モル%以下の前記重合活性
モノマー(VII)以外のモノマーとの共重合体であっ
ても、本高分子化合物に5モル%以下の他のポリマーを
含有する複合体であってもよい。
モノマー(VII)以外のモノマーとの共重合体であっ
ても、本高分子化合物に5モル%以下の他のポリマーを
含有する複合体であってもよい。
本発明の高分子化合物を主成分とする高分子材枳は、キ
ャストあるいはスピンコード等の方法によりフィルムあ
るいは薄膜に成形して、光情報処理や光通信などのオプ
トエレクトロニクス分野で用いられる電気光学−デバイ
ス、第二高調波発生デバイス、導波路等のデバイスの材
料として、好適に用いることができる。
ャストあるいはスピンコード等の方法によりフィルムあ
るいは薄膜に成形して、光情報処理や光通信などのオプ
トエレクトロニクス分野で用いられる電気光学−デバイ
ス、第二高調波発生デバイス、導波路等のデバイスの材
料として、好適に用いることができる。
(実施例)
以下、実施例を示し本発明の高分子化合物をさらに具体
的に説明する。なお本発明はこの実施例によってなんら
限定されるものではない。
的に説明する。なお本発明はこの実施例によってなんら
限定されるものではない。
[実施例1]
■4−ジメチルアミノーN−(4−ヒドロキシベンジリ
デン)アニリンの合成 p−ジメチルアミノアニリン(27,2g、0.2mo
i’)とp−ヒドロキシベンズアルデヒド(26,8g
、0.22mof )をエタノールII2に溶解し、触
媒として酢酸2−を加えた。次に、この溶液を常圧で加
熱しながらエタノールを留去した。留去エタノール量が
0.812程度になったときに加熱をやめ、反応混合物
を水氷で冷却し、4−ジメチルアミノ−N−(4−ヒド
ロキシベンジリデン)アニリンの結晶を析出させた。結
晶は炉別し、エタノールで充分洗浄した後、乾燥した。
デン)アニリンの合成 p−ジメチルアミノアニリン(27,2g、0.2mo
i’)とp−ヒドロキシベンズアルデヒド(26,8g
、0.22mof )をエタノールII2に溶解し、触
媒として酢酸2−を加えた。次に、この溶液を常圧で加
熱しながらエタノールを留去した。留去エタノール量が
0.812程度になったときに加熱をやめ、反応混合物
を水氷で冷却し、4−ジメチルアミノ−N−(4−ヒド
ロキシベンジリデン)アニリンの結晶を析出させた。結
晶は炉別し、エタノールで充分洗浄した後、乾燥した。
収量43.2g (90%) 、 m、p、264〜2
65°C ■4−ジメチルアミノーN−[4−(6−ヒドロキシへ
キサメチレンオキシ)ベンジリデンコアニリンの合成 得られた4−ジメチルアミノ−N−(4−ヒドロキシベ
ンジリデン)アニリン(I6,8g、0.07mof)
をN、N−ジメチルホルムアミド300−に溶解し、0
°Cまで冷却した。次に、この溶液に水素化ナトリウム
(I,76g、0.0735mo1)を撹拌しながら加
えた。
65°C ■4−ジメチルアミノーN−[4−(6−ヒドロキシへ
キサメチレンオキシ)ベンジリデンコアニリンの合成 得られた4−ジメチルアミノ−N−(4−ヒドロキシベ
ンジリデン)アニリン(I6,8g、0.07mof)
をN、N−ジメチルホルムアミド300−に溶解し、0
°Cまで冷却した。次に、この溶液に水素化ナトリウム
(I,76g、0.0735mo1)を撹拌しながら加
えた。
H2の発生が終了した後、この溶液に1−クロロヘキサ
ノール(I4,3g、0.105mofりを添加し、1
20℃で5〜8時間撹拌した。反応終了後、反応混合物
を1.5℃の水に注いだ。
ノール(I4,3g、0.105mofりを添加し、1
20℃で5〜8時間撹拌した。反応終了後、反応混合物
を1.5℃の水に注いだ。
析出した結晶をン戸別して4−ジメチルアミノ−N−[
4−(6−ヒドロキシへキサメチレンオキシ)ベンジリ
デンコアニリンの粗結晶を得た。粗結晶はエタノールで
再結晶させて精製した。
4−(6−ヒドロキシへキサメチレンオキシ)ベンジリ
デンコアニリンの粗結晶を得た。粗結晶はエタノールで
再結晶させて精製した。
収量19.5g (82%) 、 m、p、86〜87
°C■メタクリル酸6−(4−ジメチルアミノフェニル
イミノメチルフェノキシ)ヘキシルの合成得られた4−
ジメチルアミノ−N−[4−(6−ヒドロキシへキサメ
チレンオキシ)ベンジリデンコアニリン(I2,9g、
0.038mol )を溶媒ジオキサン200−に溶解
させた。
°C■メタクリル酸6−(4−ジメチルアミノフェニル
イミノメチルフェノキシ)ヘキシルの合成得られた4−
ジメチルアミノ−N−[4−(6−ヒドロキシへキサメ
チレンオキシ)ベンジリデンコアニリン(I2,9g、
0.038mol )を溶媒ジオキサン200−に溶解
させた。
次に、この溶液にトリエチルアミン(5,91−10,
042moI)と、メタクリロイルクロリド(4,10
d、0.042moI)とを加え、25℃で5時間撹拌
した。この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、有機層を
水で充分に洗浄した後に、硫酸マグネシウムで乾燥し、
次いで酢酸エチルを留去してメタクリル酸6−(4−ジ
メチルアミノフェニルイミノメチルフェノキシ)ヘキシ
ルの粗結晶を得た。粗結晶は、ヘキサン/酢酸エチル(
I1)の混合温媒で再結晶させて精製した。
042moI)と、メタクリロイルクロリド(4,10
d、0.042moI)とを加え、25℃で5時間撹拌
した。この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、有機層を
水で充分に洗浄した後に、硫酸マグネシウムで乾燥し、
次いで酢酸エチルを留去してメタクリル酸6−(4−ジ
メチルアミノフェニルイミノメチルフェノキシ)ヘキシ
ルの粗結晶を得た。粗結晶は、ヘキサン/酢酸エチル(
I1)の混合温媒で再結晶させて精製した。
収量7.0g (45%) 、 m、p、85〜86℃
■ポリ [メタクリル酸6−(4−ジメチルアミノフェ
ニルイミノメチルフェノキシ)ヘキシル]の合成 得られたメタクリル酸6−(4−ジメチルアミノフェニ
ルイミノメチルフェノキシ)ヘキシル(2,45g、6
. Ox 10−3mol’ )をトルエン(0,6m
f)中で、ラウロイルペルオキシド(I2mg、3.
Ox 10−’moりの存在下に70°Cで8時間重合
させ、次いでその反応混合物をメタノール中に注いで表
題の目的物を得た。これをクロロホルムに溶解し、次い
でメタノール中で再沈させて精製した。
■ポリ [メタクリル酸6−(4−ジメチルアミノフェ
ニルイミノメチルフェノキシ)ヘキシル]の合成 得られたメタクリル酸6−(4−ジメチルアミノフェニ
ルイミノメチルフェノキシ)ヘキシル(2,45g、6
. Ox 10−3mol’ )をトルエン(0,6m
f)中で、ラウロイルペルオキシド(I2mg、3.
Ox 10−’moりの存在下に70°Cで8時間重合
させ、次いでその反応混合物をメタノール中に注いで表
題の目的物を得た。これをクロロホルムに溶解し、次い
でメタノール中で再沈させて精製した。
この精製物の数平均分子量は7〜8万であつた6
同定は、’H−NMR(400MHz 、 CD Cβ
3)により行い、得られた重合体が側鎖にアゾメチン基
を有する表題の目的物であることを確認した。
3)により行い、得られた重合体が側鎖にアゾメチン基
を有する表題の目的物であることを確認した。
その’H−NMRスベク1−ルを第1図に示し、’II
−NMRの測定結果を以下に示す。
−NMRの測定結果を以下に示す。
ガラスセルに充填した粉末サンプルに、NdYAGレー
ザ−(Spectra Physics社製YAGレー
ザーDCR−3、ピーク出力110MW)の1.064
−線を照射したところ、緑色の発光が認められた。
ザ−(Spectra Physics社製YAGレー
ザーDCR−3、ピーク出力110MW)の1.064
−線を照射したところ、緑色の発光が認められた。
[実施例2]
値(ppm )
9〜1゜
3〜l 。
8〜4゜
6〜7゜
3〜8゜
8〜3
帰属
d
C、e
得られた目的物の第二高調波発生
ついて評価した。
積分比
(SHG)に
実施例1の■の工程で用いた1−クロロヘキサノールに
代えて、1−クロロプロパツール(99g、O,105
mof)を用いたほかは実施例1と同様にして合成した
。
代えて、1−クロロプロパツール(99g、O,105
mof)を用いたほかは実施例1と同様にして合成した
。
得られた目的精製物の数平均分子量は5〜6万であった
。
。
同定は、実施例1と同様にして行ない、得られた重合体
が側鎖にアゾメチン基を有する表題の目的物であること
を確認した。
が側鎖にアゾメチン基を有する表題の目的物であること
を確認した。
H−NM、Hの測定結果を以下に示す6C113
値(ppm )
0、9〜1. 1
1 3〜1 8
3、8〜41
6、6〜7.8
8、3〜8.4
2、8〜30
帰属 積分比
a 2.8
b、 d 3.8
c、 e 4. 1
f 7.8
g 1.O
h 5. フ
ルイミノメチルフェノキシ ヘキシル
実施例1の■の工程で用いたp−ジメチルアミノアニリ
ンに代えて、p−メトキシアニリン(27,1g、0.
22mof)を用いたほかは、実施例1と同様にしでに
して合成した。
ンに代えて、p−メトキシアニリン(27,1g、0.
22mof)を用いたほかは、実施例1と同様にしでに
して合成した。
得られた目的精製物の数平均分子量は5〜6万であった
。
。
同定は、実施例1と同様にして行ない、得られた重合体
が側鎖にアゾメチン基を有する表題の目的物であること
を確認した。
が側鎖にアゾメチン基を有する表題の目的物であること
を確認した。
同定は、実施例1と同様にして行ない、得られた重合体
が側鎖にアゾメチン基を有する表題の目的物であること
を確認した。
が側鎖にアゾメチン基を有する表題の目的物であること
を確認した。
’H−NMRの測定結果を以下に示す。
得られた目的物に実施例1と同様にしてNd:YAGレ
ーザーのx、064P#!を照射したところ、緑色の発
光が認められた。
ーザーのx、064P#!を照射したところ、緑色の発
光が認められた。
[実施例3]
ポリ メタクリル 6−4−メトキシアニリシド1□−
C′F− ■ 値(ppn+ ) 帰属 積分比0.
9〜1.2 a 2.91.3〜1
.8 b、 c 9.83.8〜4.1
c、e 3.86.4〜7.6
f 7.883〜8.4 g
1.03.6〜3.7 h
2.8ル酸6− (4−ジメチルアミノフェニルイ
ミノメチルフェノキシ)ヘキシル1の’H−NMRスペ
クトル図である。
C′F− ■ 値(ppn+ ) 帰属 積分比0.
9〜1.2 a 2.91.3〜1
.8 b、 c 9.83.8〜4.1
c、e 3.86.4〜7.6
f 7.883〜8.4 g
1.03.6〜3.7 h
2.8ル酸6− (4−ジメチルアミノフェニルイ
ミノメチルフェノキシ)ヘキシル1の’H−NMRスペ
クトル図である。
得られた目的物に実施例1と同様にしてNd:YAGL
/−ザー(7)1.os4Pmt−照射シタトコろ、緑
色の発光が認められた。
/−ザー(7)1.os4Pmt−照射シタトコろ、緑
色の発光が認められた。
[発明の効果]
本発明によると、光情報処理や光通信等のオプトエレク
トロニクス分野で用いる種々のデバイス、例えば、電気
光学−デバイス、第二高調波発生デバイス、圧電デバイ
ス、導波路、特にフィルム状デバイス、積層体又は集合
体デバイスとして有用な高分子材料を提供することがで
きる。
トロニクス分野で用いる種々のデバイス、例えば、電気
光学−デバイス、第二高調波発生デバイス、圧電デバイ
ス、導波路、特にフィルム状デバイス、積層体又は集合
体デバイスとして有用な高分子材料を提供することがで
きる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は水素原子又はメチル基を表わし、Xは
1〜20の整数を表わし、Dは電子供与基を表わす)で
示される繰り返し単位を有し、数平均分子量が1000
〜100万であることを特徴とする高分子化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17455790A JPH0463805A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 側鎖にアゾメチン基を有する高分子化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17455790A JPH0463805A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 側鎖にアゾメチン基を有する高分子化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0463805A true JPH0463805A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=15980642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17455790A Pending JPH0463805A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 側鎖にアゾメチン基を有する高分子化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0463805A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015002292A1 (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | 日産化学工業株式会社 | 偏光紫外線異方性化材料 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17455790A patent/JPH0463805A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015002292A1 (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | 日産化学工業株式会社 | 偏光紫外線異方性化材料 |
CN105518036A (zh) * | 2013-07-04 | 2016-04-20 | 日产化学工业株式会社 | 偏振紫外线各向异性化材料 |
JPWO2015002292A1 (ja) * | 2013-07-04 | 2017-02-23 | 日産化学工業株式会社 | 偏光紫外線異方性化材料 |
CN105518036B (zh) * | 2013-07-04 | 2018-01-02 | 日产化学工业株式会社 | 偏振紫外线各向异性化材料 |
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