JPH0461240A - ダイボンド装置 - Google Patents
ダイボンド装置Info
- Publication number
- JPH0461240A JPH0461240A JP2173535A JP17353590A JPH0461240A JP H0461240 A JPH0461240 A JP H0461240A JP 2173535 A JP2173535 A JP 2173535A JP 17353590 A JP17353590 A JP 17353590A JP H0461240 A JPH0461240 A JP H0461240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- semiconductor element
- alignment stage
- die bonding
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 206010008631 Cholera Diseases 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半４体の組立工程中で用いるダイボンド装
置に関するものである。
置に関するものである。
第４図は従来のダイボンド装置の一部を示す斜視図、第
５図は第４図に示すアライメントステージを示す上面図
、第６図は第４図の装置において、半導体素子をコレッ
トに吸着する状態を示す断面図である。図において、（
１）は半導体素子、（２）はダイボンド前に半導体素子
（１）を位置補正するアライメント爪、（９）は上記ア
ライメントを実施する際に半導体素子（１）を載せるア
ライメントステージ、（４）は半４Ｓ＋素子（１）を吸
着搬送するボンディングヘッド、（５）はボンディング
ヘッド（４）の一部であり半導体素子（１）と接触する
コレット、（６）はアライメントステージ（！３夕内に
設けられた真空引き用の穴、（８）はコレット（，５）
内に設けら廿１だ真空引き用バイブであω ０ 次に動作について説明する。第４図において、まず、半
導体素子（１）がアライメントステージ（９）上に仮ｆ
ａきされる。次に第６図に示される真空引き用穴（６）
による＾荒引＠をしない状纏にてアライメント爪（２）
により、半導体素子（１）の位置補正が行なわれる。次
に真空引き穴（６）による真空引きを行った後、ボンデ
１“ングヘッド（４）が位置補正された半導体素子（１
）の１１で移動し、ボンディングヘッド（４）の先端に
取付けられたコレット（５）の真空引き用パイプ（８）
によって真空吸着することにより半導体素子（１）をピ
ックアップする。ピックアップされた＃−導体素子（１
）はボンディングヘッド（４）でダイボンド点（ここで
は図示していない）まで搬送されダイボンドされる。
５図は第４図に示すアライメントステージを示す上面図
、第６図は第４図の装置において、半導体素子をコレッ
トに吸着する状態を示す断面図である。図において、（
１）は半導体素子、（２）はダイボンド前に半導体素子
（１）を位置補正するアライメント爪、（９）は上記ア
ライメントを実施する際に半導体素子（１）を載せるア
ライメントステージ、（４）は半４Ｓ＋素子（１）を吸
着搬送するボンディングヘッド、（５）はボンディング
ヘッド（４）の一部であり半導体素子（１）と接触する
コレット、（６）はアライメントステージ（！３夕内に
設けられた真空引き用の穴、（８）はコレット（，５）
内に設けら廿１だ真空引き用バイブであω ０ 次に動作について説明する。第４図において、まず、半
導体素子（１）がアライメントステージ（９）上に仮ｆ
ａきされる。次に第６図に示される真空引き用穴（６）
による＾荒引＠をしない状纏にてアライメント爪（２）
により、半導体素子（１）の位置補正が行なわれる。次
に真空引き穴（６）による真空引きを行った後、ボンデ
１“ングヘッド（４）が位置補正された半導体素子（１
）の１１で移動し、ボンディングヘッド（４）の先端に
取付けられたコレット（５）の真空引き用パイプ（８）
によって真空吸着することにより半導体素子（１）をピ
ックアップする。ピックアップされた＃−導体素子（１
）はボンディングヘッド（４）でダイボンド点（ここで
は図示していない）まで搬送されダイボンドされる。
〔発１１１１が解決しようとする課題〕従来のダイボン
ド装置は以上のように構成されているので、第６図に刀
くすようにコレットに一ζ半導体素子をピックアップす
る際、半導体素子の面積が大きくなり、アライメントス
テージとの密着力が大きくなるとピックアップできない
という問題点があった。
ド装置は以上のように構成されているので、第６図に刀
くすようにコレットに一ζ半導体素子をピックアップす
る際、半導体素子の面積が大きくなり、アライメントス
テージとの密着力が大きくなるとピックアップできない
という問題点があった。
この発明はト、記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、アライメントステージ上から半導体素子を
ピックアップしやすいダイボンド装置を得ることを目的
とする。
れたもので、アライメントステージ上から半導体素子を
ピックアップしやすいダイボンド装置を得ることを目的
とする。
この光り］に係るダイボンド装置は半導付素子をピック
アップする際アライメン）・ステージとの密着フＪをト
げる為にアライメントステージ表面に溝を設；けだもの
である。
アップする際アライメン）・ステージとの密着フＪをト
げる為にアライメントステージ表面に溝を設；けだもの
である。
この冗明におけるダイボンド装置は半導体振子をピック
アップ°する際アライメントステージとの密着力をＦげ
ることができるのでピックアップミスをおこすことなく
１王［確にピックアップ°ｔ′ることかできる。
アップ°する際アライメントステージとの密着力をＦげ
ることができるのでピックアップミスをおこすことなく
１王［確にピックアップ°ｔ′ることかできる。
以ト”、この発明の一実施す］を図によって説明する。
第１図はダイボンド装置の１部を示す斜視図、第２図は
第１図にがすアフイメントス″フ゛−ジを示すＪ−面図
、第３図は第１図の装置におい゛【半導体素子をコレッ
トに吸着する状態を丞す断面図である。図において、（
］、） 、 （２） 、 （４）〜（６）、（８）ｉま
第４図ないし第６図の従来例にパした本のと同等である
ので説明は省略する。（７）はｒライメントステージ（
３）上に設けられた切り溝であり、アライメントステー
ジ（３）内の真空引き用穴（６）のまわりに設けである
。
第１図にがすアフイメントス″フ゛−ジを示すＪ−面図
、第３図は第１図の装置におい゛【半導体素子をコレッ
トに吸着する状態を丞す断面図である。図において、（
］、） 、 （２） 、 （４）〜（６）、（８）ｉま
第４図ないし第６図の従来例にパした本のと同等である
ので説明は省略する。（７）はｒライメントステージ（
３）上に設けられた切り溝であり、アライメントステー
ジ（３）内の真空引き用穴（６）のまわりに設けである
。
次に動作について説明する。′″＋−導体素子（１）が
アライメントステージ（３）上に載せられた際、アライ
メントステージ（３）上の切り溝（７）により半導体素
子（１）とアライメントステージ（３）との接触面積が
小さくなり密着力が低下する。そのためコレット（５）
に：るピックアツプ性が向上する。
アライメントステージ（３）上に載せられた際、アライ
メントステージ（３）上の切り溝（７）により半導体素
子（１）とアライメントステージ（３）との接触面積が
小さくなり密着力が低下する。そのためコレット（５）
に：るピックアツプ性が向上する。
以上説明したとおりこの発明によれば、アライメントス
テージ表面に切り溝を設けたので、半導体素子とアライ
メントステージとの１１力を下げることができ、アライ
メントステージからの半導体素子のピックアツプ性を向
上させる効果がある。
テージ表面に切り溝を設けたので、半導体素子とアライ
メントステージとの１１力を下げることができ、アライ
メントステージからの半導体素子のピックアツプ性を向
上させる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるダイボンド装置の］
部を示す斜視図、第２図は第１図に示すアライメントス
テージの上面図、第３図は第１図の装置において半導体
素子をコレットに吸着する状態を示す断面図、第４図は
従来のダイボンド装置の一部を示す斜視図、第５図は第
４図に示す゛アライメントステージの」二面図、第６図
は第４図の装置において半導体素子をコレットに吸着す
る状態を示す断面図である。 図において、０）は半導体素子、（２）はアライメント
爪、（３）はアライメントステージ、（４）はボンディ
ングヘッド、（５）はコレラ）、（６’）は真空引き用
穴、（７）は切り溝、（８）は真空引き用パイプである
っなお、図中、圃−符号は同一 又は相当部分を示す。
部を示す斜視図、第２図は第１図に示すアライメントス
テージの上面図、第３図は第１図の装置において半導体
素子をコレットに吸着する状態を示す断面図、第４図は
従来のダイボンド装置の一部を示す斜視図、第５図は第
４図に示す゛アライメントステージの」二面図、第６図
は第４図の装置において半導体素子をコレットに吸着す
る状態を示す断面図である。 図において、０）は半導体素子、（２）はアライメント
爪、（３）はアライメントステージ、（４）はボンディ
ングヘッド、（５）はコレラ）、（６’）は真空引き用
穴、（７）は切り溝、（８）は真空引き用パイプである
っなお、図中、圃−符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- コレットにて半導体素子をアライメントステージ上よ
り吸着搬送する機能を備えたダイボンド装置において、
アライメントステージ表面に溝を設けたことを特徴とす
るダイボンド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173535A JPH0461240A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | ダイボンド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173535A JPH0461240A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | ダイボンド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461240A true JPH0461240A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15962332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173535A Pending JPH0461240A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | ダイボンド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015211191A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びボンディング方法 |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2173535A patent/JPH0461240A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015211191A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びボンディング方法 |
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