JPH0452648A - Resist pattern forming method - Google Patents
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
微細加工を実現するポジ型レジストのパターン形成方法
に関し、
残留パターン(非露光領域)の現像液に対する不溶性を
向上してパターン変形を抑制することを目的とし、
アジド化合物を含有する放射線感応性ポリマーからなる
ポジレジストを基板上に塗布する工程と、前記レジスト
を放射線によってパターン露光する工程と、前記パター
ン露光された領域のレジストを現像液中で現像し、露光
部分のレジストパターンを除去する現像工程とを有し、
前記現像工程以前の工程中で、レジストに対して紫外光
あるいは遠紫外光を照射しつつ、または照射後に、前記
レジストを加熱処理を施す工程が含まれることを特徴と
するレジストパターンの形成方法を提供するものである
。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a pattern forming method of a positive resist that realizes microfabrication, the present invention aims to suppress pattern deformation by improving the insolubility of a residual pattern (unexposed area) in a developer. A step of applying a positive resist made of a radiation-sensitive polymer containing an azide compound onto a substrate, a step of exposing the resist in a pattern to radiation, and developing the resist in the pattern-exposed area in a developer and exposing the resist to radiation. and a development step for removing the resist pattern in a portion,
A method for forming a resist pattern, comprising a step of heating the resist while or after irradiating the resist with ultraviolet light or deep ultraviolet light during a step before the developing step. This is what we provide.
本発明は、微細加工を実現するポジ型レジストのパター
ン形成方法に関する。The present invention relates to a positive resist pattern forming method for realizing microfabrication.
近年の半導体装置の高速化およびそれに伴う微細化の要
求により、非常に微細なパターンを制御性良く形成する
ことが望まれている。2. Description of the Related Art Due to the recent demands for increased speed of semiconductor devices and associated miniaturization, it is desired to form extremely fine patterns with good controllability.
微細パターンを形成するにおいては、X線或いは電子ビ
ームなどを光源として使用する露光方法が期待されてい
る。In forming fine patterns, exposure methods using X-rays, electron beams, or the like as a light source are expected.
(従来の技術〕
上記露光方法に使用されるレジストには、アシド化合物
を添加して現像液に対する不溶性を向上する手法が知ら
れている。(Prior Art) A method is known in which an acid compound is added to the resist used in the above exposure method to improve its insolubility in a developer.
アジド化合物を添加したレジストは、基板上に塗布され
た後に、例えば窒素雰囲気で加熱処理が施される。After the resist added with the azide compound is applied onto the substrate, it is subjected to heat treatment, for example, in a nitrogen atmosphere.
この際、上記レジストは添加されたアジド化合物から発
生するラジカルの作用によって架橋反応が大きくなり、
現像液に対する不溶性が高くなる。At this time, the crosslinking reaction of the above resist increases due to the action of radicals generated from the added azide compound,
Increased insolubility in developer.
このため、現像時にパターンとして残留するレジストの
膜厚減少が抑制される。Therefore, reduction in the film thickness of the resist remaining as a pattern during development is suppressed.
〔発明が解決しようとする課題]
上記レジストは、加熱処理が施されることによって現像
液に対する不溶性が向上する。[Problems to be Solved by the Invention] The resist is heat-treated to improve its insolubility in a developer.
ところで、微細パターンを得る場合には、レジストによ
る微細パターン形成後のドライエツチング工程に耐えう
る膜厚を現像後も維持する必要があるが、超微細(サブ
ミクロン)パターンになると、現像後に充分な膜厚を残
すことが困難であったため、アジド化合物の添加および
熱処理によって膜厚減少が抑制されているとは言え、充
分なものではなかった。By the way, in order to obtain a fine pattern, it is necessary to maintain a film thickness that can withstand the dry etching process after forming the fine pattern using resist, but when it comes to ultra-fine (submicron) patterns, it is necessary to maintain a sufficient film thickness after development. Since it was difficult to maintain a certain film thickness, although the reduction in film thickness was suppressed by adding an azide compound and heat treatment, it was not sufficient.
第2図は、シリコンウェハ1上にアジド化合物を含有す
るレジストを塗布し、X線照射などによってパターンの
露光を行い、次いで熱処理を施して前記レジストを熱架
橋させた後に現像処理を施した状態を示している。FIG. 2 shows a state in which a resist containing an azide compound is applied onto a silicon wafer 1, a pattern is exposed by X-ray irradiation, etc., the resist is thermally crosslinked by heat treatment, and then developed. It shows.
第2図からも明らかなように、現像後のレジストパター
ン4の膜厚は、点線で示される理想パターンに比べて大
幅に減少している。As is clear from FIG. 2, the film thickness of the resist pattern 4 after development is significantly reduced compared to the ideal pattern shown by the dotted line.
例えば、現像前のレジスト膜厚が3000人であった場
合、3分間現像後の残留レジスト膜厚は1500人であ
ったいう結果が得られている。For example, when the resist film thickness before development was 3000, the residual resist film thickness after 3 minutes of development was 1500.
現像処理によるレジストパターンの膜厚減少、或いはパ
ターン変形は、後にレジストパターンを使用して実施さ
れる種々の工程において、その工程の信軌性低下を招来
する要因となるため、これを解消することは、微細パタ
ーンを得るために必須の事項である。Reduction in film thickness or pattern deformation of a resist pattern due to development processing is a factor that causes a decrease in the reliability of various processes that are performed later using the resist pattern, so it is necessary to eliminate this problem. is an essential matter in order to obtain a fine pattern.
本発明は上記課題に鑑み、現像後もレジストパターンの
膜厚を維持することが可能なパターン形成方法を提供す
ることを目的としている。In view of the above-mentioned problems, an object of the present invention is to provide a pattern forming method that can maintain the film thickness of a resist pattern even after development.
本発明は、上記課題を解決するために、アジド化合物を
含有する放射線感応性ポリマーからなるポジレジストを
基板上に塗布する工程と、前記レジストを放射線によっ
てパターン露光する工程と、前記パターン露光された領
域のレジストを現像液中で現像し、露光部分のレジスト
パターンを除去する現像工程とを有し、前記現像工程以
前の工程中で、レジストに対して紫外光あるいは遠紫外
光を照射しつつ、または照射後に、前記レジストを加熱
処理を施す工程が含まれることを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法を提供するものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a step of applying a positive resist made of a radiation-sensitive polymer containing an azide compound onto a substrate, a step of exposing the resist to radiation in a pattern, and a step of exposing the resist to radiation. A developing step of developing the resist in the region in a developer and removing the resist pattern in the exposed portion, and in the process before the developing step, while irradiating the resist with ultraviolet light or deep ultraviolet light, Alternatively, the present invention provides a method for forming a resist pattern, which includes a step of subjecting the resist to a heat treatment after irradiation.
[作用]
本発明では、アジド化合物を含む放射線感応レジストに
対して紫外線または遠紫外線を照射しつつ、あるいは照
射後に加熱処理を施している。[Function] In the present invention, a radiation-sensitive resist containing an azide compound is subjected to heat treatment while being irradiated with ultraviolet rays or far ultraviolet rays, or after being irradiated with ultraviolet rays.
本発明者は、従来より行われている熱処理に加え、更に
紫外線あるいは遠紫外線を照射すると、熱処理のみによ
って得られる残膜率よりも大きい残膜率が得られること
を見出した。The present inventors have discovered that by irradiating ultraviolet rays or deep ultraviolet rays in addition to the conventional heat treatment, a film retention rate greater than that obtained by heat treatment alone can be obtained.
一般に、紫外光あるいは遠紫外光は露光用の光源として
良く知られており、ポジレジストでは、照射領域が現像
液によって溶解するため、アジド化合物による架橋反応
よりも分解反応が優先的に起こり、架橋による不溶化が
生しにくいと思われていた。In general, ultraviolet light or deep ultraviolet light is well known as a light source for exposure, and in positive resists, the irradiated area is dissolved by the developer, so the decomposition reaction occurs preferentially than the crosslinking reaction caused by the azide compound, resulting in crosslinking. It was thought that insolubilization due to
なお、加熱時間あるいは加熱温度を変化しても残膜率は
殆ど改善されないが、紫外光あるいは遠紫外光の照射と
組み合わせた場合は残膜率が大きく改善されるという実
験結果が得られている。Experiments have shown that changing the heating time or heating temperature hardly improves the film retention rate, but when combined with ultraviolet light or deep ultraviolet light irradiation, the film retention rate is greatly improved. .
従って、紫外光あるいは遠紫外光の照射によって発生す
るラジカルは、熱処理によって発生するラジカルとは異
なる種類のラジカルであると考えられる。Therefore, the radicals generated by irradiation with ultraviolet light or deep ultraviolet light are considered to be a different type of radical from the radicals generated by heat treatment.
実施例1
まず、下記式(1)に示されるポリ(トリメチルシリル
メチル(α−トリフルオロメチル)アクリレト)
CF。Example 1 First, poly(trimethylsilylmethyl(α-trifluoromethyl)acryleto) CF represented by the following formula (1).
からなるレジスト材料に対して、下記式(2)に示され
る4、4゛ −ジアジドカルコン
N3−[相]CH=C)I−C−◎−N3
・・・・(2)からなるアジド化合物をポリマーの7
重量%加え30 g#のMIBK (メチルイソブチル
ケトン)溶液を作成する。4,4゛-Diazidochalcone N3- [phase] CH=C)I-C-◎-N3 shown in the following formula (2) for the resist material consisting of
...... (2) is added to the polymer 7.
Add 30 g of MIBK (methyl isobutyl ketone) solution by weight.
第1図(A)参照
次に上記MIBK溶液をSiウェハ1上に塗布した後、
80°Cのホットプレート上で60秒間ヘークしてレジ
スト膜2を形成する。Refer to FIG. 1(A) Next, after coating the above MIBK solution on the Si wafer 1,
A resist film 2 is formed by baking on a hot plate at 80° C. for 60 seconds.
レジストの膜厚は約3000人である。The film thickness of the resist is approximately 3000.
上記ベータの工程は、レジスト中の有機溶剤を蒸発させ
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。The beta step is carried out for the purpose of evaporating the organic solvent in the resist, and as a result, the crosslinking reaction hardly progresses.
第1図(B)参照
上記ウェハ1上のレジスト膜2にXe−Hgランプによ
って紫外光を30秒間照射した後、そのウェハ1を18
0°Cのホントプレート上で60秒間ヘークする。Refer to FIG. 1(B) After irradiating the resist film 2 on the wafer 1 with ultraviolet light for 30 seconds using a Xe-Hg lamp, the wafer 1 was
Hake for 60 seconds on a real plate at 0°C.
この工程によって加えられる紫外光および熱が、前記レ
ジスト膜中のアンド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応が促進される。The ultraviolet light and heat applied in this step generate radicals from the and compound in the resist film, and as a result, the crosslinking reaction of the resist film is promoted.
第1図(C)参照
加速電圧を20KeVとした電子ビームを前記レジスト
膜2に照射し、パターンを描画する。FIG. 1(C) The resist film 2 is irradiated with an electron beam at a reference acceleration voltage of 20 KeV to draw a pattern.
露光パターンは、0.4μm幅のラインを0.4μm間
隔で形成した、所謂、l ine & 5paceパタ
ーンとした。The exposure pattern was a so-called line & 5 pace pattern in which lines with a width of 0.4 μm were formed at intervals of 0.4 μm.
第1図(D)参照
イソブチルアルコールよりなる現像液によって前記レジ
スト膜2を2分間現像し、電子ビームが照射された領域
のレジスト膜2を除去する。Refer to FIG. 1(D), the resist film 2 is developed for 2 minutes using a developer made of isobutyl alcohol, and the resist film 2 in the area irradiated with the electron beam is removed.
上記工程によって得られたレジスト膜2のパターン3を
観察したところ、パターン変形等を起こさないシャープ
な形状の1ine&5paceパターンが得られること
が確認された。When the pattern 3 of the resist film 2 obtained by the above process was observed, it was confirmed that a sharp 1-line & 5-pace pattern without pattern deformation was obtained.
本実施例によるレジストパターン3(未露光領域)の膜
厚は、2900Å以上であり、従来の熱のみによる架橋
時に比べて残膜率は飛躍的に向上している。The film thickness of the resist pattern 3 (unexposed area) according to this example is 2900 Å or more, and the remaining film rate is dramatically improved compared to the conventional crosslinking using only heat.
実施例2
下記式(3)で示される、[・リメチルシリルメチルメ
タクリレートとα−トリフルオロメチルアクリル酸の7
:3共重合体
からなるレジスト材料に対し、前記式(2)で示される
4、4゛−ジアジドカルコンからなるアジド化合物をポ
リマーの5重量%加え、30g/lのMrBK (メチ
ルイソブチルケトン
る。Example 2 7 of [・limethylsilylmethyl methacrylate and α-trifluoromethylacrylic acid represented by the following formula (3)]
: To a resist material consisting of a 3 copolymer, 5% by weight of an azide compound consisting of 4,4゛-diazidechalcone represented by the above formula (2) was added to the polymer, and 30 g/l of MrBK (methyl isobutyl ketone) was added. .
次に上記MIBK?S液をSiウェハ上に塗布した後、
100°Cのホットプレート上で100秒間ベークして
レジスト膜を形成する。Next is the above MIBK? After applying the S liquid onto the Si wafer,
A resist film is formed by baking on a hot plate at 100°C for 100 seconds.
レジストの膜厚は約3000人である。The film thickness of the resist is approximately 3000.
上記ベークの工程は、レジスト中の容器溶剤を蒸発させ
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。The baking step is performed for the purpose of evaporating the container solvent in the resist, and as a result, the crosslinking reaction hardly progresses.
次に、上記ウェハ上のレジスト膜にXe−Hgランプに
よって紫外光を照射しながらそのウエノ\を2 2 0
’Cのホットプレート上で6分間ベータする。Next, while irradiating the resist film on the wafer with ultraviolet light using an Xe-Hg lamp, the wafer was heated at 2 20
Beta for 6 minutes on a hot plate at 'C.
この工程によって加えられる紫外光および熱が、前記レ
ジスト膜中のアジド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応が促進される。The ultraviolet light and heat applied in this step generate radicals from the azide compound in the resist film, and as a result, the crosslinking reaction of the resist film is promoted.
次に、加速電圧を20KeVとした電子ビームを前記レ
ジスト膜に照射し、パターンを描画する。Next, the resist film is irradiated with an electron beam at an acceleration voltage of 20 KeV to draw a pattern.
露光パターンは、Q,4μmのline&spaceパ
ターンとした。The exposure pattern was a line and space pattern of Q, 4 μm.
次に、イソプロピルアルコールよりなる現像液によって
前記レジスト膜を3分間現像し、電子ビームが照射され
た領域のレジスト膜を除去する。Next, the resist film is developed for 3 minutes using a developer made of isopropyl alcohol, and the resist film in the area irradiated with the electron beam is removed.
上記工程によって得られたレジスト膜のパターンを検査
したところ、実施例1と同様に、パターン変形等を起こ
さないシャープな形状のline&spaceパターン
が得られた。When the pattern of the resist film obtained through the above steps was inspected, it was found that, as in Example 1, a sharp line and space pattern without pattern deformation was obtained.
実施例3
下記式(4)で示されるトリメチルシリルメチル(α−
トリフルオロメチル)アクリレートとターシャリブチル
(α−トリフルオロメチル)アクリレートの6=4共重
合体
を前記実施例2の式(3)に示されるレジスト材料に代
えて使用しても、同様の効果が得られた。Example 3 Trimethylsilylmethyl (α-
Even if a 6=4 copolymer of trifluoromethyl) acrylate and tert-butyl (α-trifluoromethyl) acrylate is used in place of the resist material represented by formula (3) in Example 2, similar effects can be obtained. was gotten.
実施例4
下記式(5)で示されるトリメチルシリルメチルメタク
リレートと2.2.2−1リフルオロエチル(α−トリ
フルオロメチル)アクリレートの7:3共重合体
からなるレジスト材料に対し、前記式(2)で示される
4 4゛−ジアジドカルコンからなるアジド化合物をポ
リマーの5重量%加え、30g/j2のトルエン溶液を
作成する。Example 4 The above formula ( An azide compound consisting of 44'-diazidechalcone represented by 2) was added in an amount of 5% by weight based on the polymer to prepare a 30 g/j2 toluene solution.
次に上記トルエン溶液をSiウェハ上に塗布した後、1
00°Cのホットプレート上で100秒間ベークしてレ
ジスト膜を形成する。Next, after applying the above toluene solution onto the Si wafer, 1
A resist film is formed by baking on a hot plate at 00°C for 100 seconds.
レジストの膜厚は約3000人である。The film thickness of the resist is approximately 3000.
上記ベークの工程は、レジスト中の有機溶剤を蒸発させ
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。The baking step is performed for the purpose of evaporating the organic solvent in the resist, and as a result, the crosslinking reaction hardly progresses.
次に、加速電圧を20KeVとした電子ビームを前記レ
ジスト膜に照射し、l ine & spaceパター
ンを描画する。Next, the resist film is irradiated with an electron beam with an acceleration voltage of 20 KeV to draw a line & space pattern.
次に、上記ウェハ上のレジスト膜にXe−Hgランプに
よって紫外光を照射しながら、そのウェハを200°C
のホットプレート上で100秒間加熱した。Next, the wafer was heated to 200°C while irradiating the resist film on the wafer with ultraviolet light using a Xe-Hg lamp.
was heated on a hot plate for 100 seconds.
この工程によって加えられる紫外光および熱が、前記レ
ジスト膜中のアジド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応か促進される。The ultraviolet light and heat applied in this step generate radicals from the azide compound in the resist film, and as a result, the crosslinking reaction of the resist film is promoted.
次に、シクロヘキサンよりなる現像液によって前記レジ
スト膜を2分間現像し、電子ビームが照射された領域の
レジスト膜を除去する。Next, the resist film is developed for 2 minutes using a developer made of cyclohexane, and the resist film in the area irradiated with the electron beam is removed.
上記工程によって得られたレジスト膜のパターンを検査
したところ、前記実施例1と同様に、パターン変形等を
起こさないシャープな形状のline& spaceパ
ターンが得られた。When the pattern of the resist film obtained by the above process was inspected, it was found that, as in Example 1, a sharp line and space pattern without pattern deformation was obtained.
アジド化合物としては、前記式(2)で示されるものの
他、下記式(6)〜01)に示される如きアジド化合物
を使用しても同様の効果を得ることができる。As the azide compound, in addition to the azide compound shown by the above formula (2), similar effects can be obtained by using azide compounds shown by the following formulas (6) to 01).
N3−◎−0−◎−N3 ・・・・(6
)N3−◎−(CHz)z−◎−N3 ・
・ ・ ・(7)N3−◎−CH2−◎−N:l
・・・・(8)N3−◎−CH※CH−
C’・−N3 ・・・・(9)N3−◎−CH
?C)I <Q>−N:l ・・・・GO)CI(
。N3-◎-0-◎-N3...(6
)N3-◎-(CHz)z-◎-N3 ・
・ ・ ・(7) N3-◎-CH2-◎-N:l
...(8) N3-◎-CH*CH-
C'・-N3...(9)N3-◎-CH
? C) I <Q>-N:l ...GO) CI(
.
N11−@−CH=CH−C−CH=Cト◎−N3
−−−−Ol)(発明の効果)
以上説明したとおり、本発明によれば、単に熱処理によ
る熱架橋だけでなく、紫外光による架橋がなされるため
、現像液に対する不溶性が向上し、シャープな露光パタ
ーンを得ることができる。N11-@-CH=CH-C-CH=C◎-N3
---Ol) (Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, not only thermal crosslinking by heat treatment but also crosslinking by ultraviolet light is performed, so that insolubility in developing solutions is improved and sharp An exposure pattern can be obtained.
は従来の問題点を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional problem.
図において、 1・・・・ 2・・・・ 3・・・・ である。In the figure, 1... 2... 3... It is.
・・・・・ウェハ ・・・・・レジスト膜 ・・・・・レジストパターン...Wafer ...Resist film ...Resist pattern
第1図は本発明の詳細な説明する図、第2図本発明の詳
細な説明する図
第1図(その2)
本発明の詳細な説明する図
第1図(その1)Figure 1 is a detailed diagram of the present invention, Figure 2 is a detailed diagram of the present invention Figure 1 (part 2) Figure 1 is a detailed diagram of the present invention (part 1)
Claims (3)
らなるポジレジストを基板上に塗布する工程と、次いで
前記レジストの露光領域全面に紫外光あるいは遠紫外光
を照射しつつ、または照射後に、前記レジストを加熱処
理する工程と、 次いで、前記レジストを放射線によってパターン露光す
る工程と、 次いで、前記パターン露光されたレジストを現像液中で
現像し、露光部分のレジストパターンを除去する工程と
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。(1) A step of applying a positive resist made of a radiation-sensitive polymer containing an azide compound onto a substrate, and then irradiating the entire exposed area of the resist with ultraviolet light or deep ultraviolet light, or after irradiating the resist. a step of heat-treating the resist, a step of pattern-exposing the resist with radiation, and a step of developing the pattern-exposed resist in a developer to remove the exposed portions of the resist pattern. Characteristic resist pattern formation method.
らなるポジレジストを基板上に塗布する工程と、次いで
、前記レジストを放射線によってパターン露光する工程
と、 次いで前記レジストの露光領域全面に紫外光あるいは遠
紫外光を照射しつつ、または照射後に、前記レジストを
加熱処理する工程と、 次いで、前記パターン露光されたレジストを現像液中で
現像し、露光部分のレジストパターンを除去する工程と
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。(2) A step of applying a positive resist made of a radiation-sensitive polymer containing an azide compound onto a substrate, a step of exposing the resist in a pattern to radiation, and then exposing the entire exposed area of the resist to ultraviolet light or a long distance. A step of heat-treating the resist while or after irradiation with ultraviolet light, and a step of developing the pattern-exposed resist in a developer to remove the exposed portion of the resist pattern. Characteristic resist pattern formation method.
であることを特徴とする請求項(1)あるいは(2)記
載のレジストパターン形成方法。(3) The resist pattern forming method according to claim (1) or (2), wherein the radiation-sensitive polymer is an acrylic polymer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16203490A JPH0452648A (en) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Resist pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16203490A JPH0452648A (en) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Resist pattern forming method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0452648A true JPH0452648A (en) | 1992-02-20 |
Family
ID=15746827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16203490A Pending JPH0452648A (en) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Resist pattern forming method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0452648A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6683202B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-01-27 | Tokyo Ohka, Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
WO2004012012A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Hitachi, Ltd. | Method for producing electronic device |
WO2007145711A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-21 | Dow Corning Corporation | Electronic package and method of preparing same |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP16203490A patent/JPH0452648A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6683202B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-01-27 | Tokyo Ohka, Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
US6846949B2 (en) | 2001-02-22 | 2005-01-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
WO2004012012A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Hitachi, Ltd. | Method for producing electronic device |
WO2007145711A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-21 | Dow Corning Corporation | Electronic package and method of preparing same |
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