JPH0450171A - AlN焼結体の製造方法 - Google Patents
AlN焼結体の製造方法Info
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- JPH0450171A JPH0450171A JP2157542A JP15754290A JPH0450171A JP H0450171 A JPH0450171 A JP H0450171A JP 2157542 A JP2157542 A JP 2157542A JP 15754290 A JP15754290 A JP 15754290A JP H0450171 A JPH0450171 A JP H0450171A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野J
本発明は、室温3点曲げ強度が50kgf/mm”以上
の強度と、高熱伝導率とを有するAβN焼結体の製造方
法に関する。
の強度と、高熱伝導率とを有するAβN焼結体の製造方
法に関する。
[従来の技術]
近年、LSIなどの半導体素子の集積度が上がるにした
がってLSIなどの発熱量が増大するために、その発熱
した熱を速やかに外部へ伝熱、放熱する必要が生じた。
がってLSIなどの発熱量が増大するために、その発熱
した熱を速やかに外部へ伝熱、放熱する必要が生じた。
また、パワートランジスタ、レーザダイオードなどの高
出力素子を実装するための基板及びパッケージにおいて
も、素子の動作時に発生する熱を短時間の内に素子外へ
放出しなければならない。
出力素子を実装するための基板及びパッケージにおいて
も、素子の動作時に発生する熱を短時間の内に素子外へ
放出しなければならない。
このような発熱量の多い半導体素子を実装するために熱
伝導率の高い基板材料が必要とされ、従来このような熱
伝導率の高い絶縁性基板として酸化ベリリウム(Bed
)系焼結体が用いられてきたが毒性があるため使用範囲
が限定されてきた。
伝導率の高い基板材料が必要とされ、従来このような熱
伝導率の高い絶縁性基板として酸化ベリリウム(Bed
)系焼結体が用いられてきたが毒性があるため使用範囲
が限定されてきた。
最近、AlNは毒性がな(、高い熱伝導率をもち、その
熱膨張率が八β203より低くシリコンと同程度である
ため、高熱伝導性基板として注目を集めている。
熱膨張率が八β203より低くシリコンと同程度である
ため、高熱伝導性基板として注目を集めている。
AlNを工業的に使用する場合、以下の最低限特性項目
を満たす必要がある。すなわち、■ 焼結体が均一で緻
密で、機械的強度が太きしλ。
を満たす必要がある。すなわち、■ 焼結体が均一で緻
密で、機械的強度が太きしλ。
■ 熱伝導率ができるだけ大きい。
■ 体積抵抗が大きい(>1012Ωcm)。
■ 焼土がりの焼結体表面が平滑平坦である。
■ 焼結体の外観は、色むら、着色がなく均一な色調で
ある。
ある。
AβN焼結体に銅板を接合した基板は、高出力素子から
発生する熱を除去するために非常に有益な材料である。
発生する熱を除去するために非常に有益な材料である。
しかし、銅板接合基板にはAlN側に繰返し熱応力が発
生する。このため繰返し使用するとAJ2N基板と銅板
がはがれるといった問題が発生し易い。
生する。このため繰返し使用するとAJ2N基板と銅板
がはがれるといった問題が発生し易い。
この問題を解決するには、熱応力を緩和するために銅と
AlNの間に活性金属を挿入し中間相を設けることが提
案されている(特開昭60−32648号公報)。この
場合においてもAjZN側に引張応力が発生する。銅板
接合基板の信頼性を高めるためにはAlN基板自身が引
張応力に耐えつるほど強度が大きいことが当然好ましい
。このため熱伝導率が高く、強度の大きな基板が求めら
れていた。
AlNの間に活性金属を挿入し中間相を設けることが提
案されている(特開昭60−32648号公報)。この
場合においてもAjZN側に引張応力が発生する。銅板
接合基板の信頼性を高めるためにはAlN基板自身が引
張応力に耐えつるほど強度が大きいことが当然好ましい
。このため熱伝導率が高く、強度の大きな基板が求めら
れていた。
往来の技術では、AlNは本来難焼結性であるため、Y
2O3などの焼結助剤を添加する製造方法が検討されて
きた(特開昭60−127267号公報)。しかし、そ
の室温3点曲げ強度は30〜50 k g f /mr
n”程度であった。
2O3などの焼結助剤を添加する製造方法が検討されて
きた(特開昭60−127267号公報)。しかし、そ
の室温3点曲げ強度は30〜50 k g f /mr
n”程度であった。
[発明が解決しようとする課題1
本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、生産性に優
れる常圧焼成を用いて、室温3点曲げ強度が50kgf
/mrn”を越える高強度と高熱伝導率とを有するAβ
N焼結体を製造する方法を提供するものである。
れる常圧焼成を用いて、室温3点曲げ強度が50kgf
/mrn”を越える高強度と高熱伝導率とを有するAβ
N焼結体を製造する方法を提供するものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は前記課題を解決するために、主成分のAlNに
、焼結助剤としてY 2030.5〜10重量%を添加
した混合物を、成形脱脂した後、窒素気流中で、150
0℃以上での線収縮速度を0.2%/時間以上として昇
温し、1750〜1950℃にて常圧焼成することを特
徴とするAβN焼結体の製造方法、及び、焼結助剤とし
て、さらに、炭素または焼成により炭素を生成する化合
物を炭素換算で0.01〜0.1重量%未満添加する請
求項1記載のAlN焼結体の製造方法を提供するもので
ある。
、焼結助剤としてY 2030.5〜10重量%を添加
した混合物を、成形脱脂した後、窒素気流中で、150
0℃以上での線収縮速度を0.2%/時間以上として昇
温し、1750〜1950℃にて常圧焼成することを特
徴とするAβN焼結体の製造方法、及び、焼結助剤とし
て、さらに、炭素または焼成により炭素を生成する化合
物を炭素換算で0.01〜0.1重量%未満添加する請
求項1記載のAlN焼結体の製造方法を提供するもので
ある。
[作用]
本発明者らは前記課題を解決するため鋭意検討を行った
結果、AβN焼結体の破壊の起点はほとんどが直径30
um以上の異常粒成長粒子であることがわかった。従っ
てAlN焼結体の強度を上げるためには、微細な粒子か
ら構成され、気孔のない焼結体が望ましい。
結果、AβN焼結体の破壊の起点はほとんどが直径30
um以上の異常粒成長粒子であることがわかった。従っ
てAlN焼結体の強度を上げるためには、微細な粒子か
ら構成され、気孔のない焼結体が望ましい。
種々検討の結果、焼成中1500℃以上での線収縮速度
を0.2%/時間以上として昇温することより、平均粒
径3〜5μm程度のきわめて微細な焼結体が得られるこ
とがわかった。線収縮速度とは線収縮率の時間変化率で
ある。このため焼結体の破壊は表面の加工傷からしか進
行しないようになり、室温3点曲げ強度が50kgf/
mrn”以上の強度を有するようになった。
を0.2%/時間以上として昇温することより、平均粒
径3〜5μm程度のきわめて微細な焼結体が得られるこ
とがわかった。線収縮速度とは線収縮率の時間変化率で
ある。このため焼結体の破壊は表面の加工傷からしか進
行しないようになり、室温3点曲げ強度が50kgf/
mrn”以上の強度を有するようになった。
以下、本発明の詳細な説明する。
主成分のAlNに、焼結助剤としてY2O3を0.5〜
10重量%添加する。Y2O3が0.5重量%未満では
焼結中に生成する液相量が少ないため十分に緻密化せず
、焼結体の熱伝導率が低下する。添加量が10重量%を
越えると液相量が多すぎるためかえって熱伝導率が低下
することが多くなり、同時に基板の一部に黄色い着色が
起こりやすくなる。
10重量%添加する。Y2O3が0.5重量%未満では
焼結中に生成する液相量が少ないため十分に緻密化せず
、焼結体の熱伝導率が低下する。添加量が10重量%を
越えると液相量が多すぎるためかえって熱伝導率が低下
することが多くなり、同時に基板の一部に黄色い着色が
起こりやすくなる。
焼結助剤として、Y2O3に加えて炭素又は焼成により
炭素を生成する化合物を、炭素換算で0、O1〜0.1
重量%未満添加することができる。
炭素を生成する化合物を、炭素換算で0、O1〜0.1
重量%未満添加することができる。
Y2O3に炭素を0.01〜0.1重量%未満添加する
ことにより、170W/mK以上の高熱伝導率が容易に
得られる。
ことにより、170W/mK以上の高熱伝導率が容易に
得られる。
炭素の添加量が0.01重量%未満では実質上添加した
効果が認められない。また、炭素の添加量が0.1重量
%以上になると、焼結後に焼結体中に炭素が残留し、焼
結体が黒く変色すると同時に、熱伝導率もかえって低下
し商品価値がなくなる。
効果が認められない。また、炭素の添加量が0.1重量
%以上になると、焼結後に焼結体中に炭素が残留し、焼
結体が黒く変色すると同時に、熱伝導率もかえって低下
し商品価値がなくなる。
焼成中の雰囲気は窒素気流中でよいが、炭素を遮断した
雰囲気、例えばAj2N製の坩堝で焼成することなどが
好適である。炭素製坩堝中で焼成することに代表される
還元性雰囲気では完全な緻密体が得られない。
雰囲気、例えばAj2N製の坩堝で焼成することなどが
好適である。炭素製坩堝中で焼成することに代表される
還元性雰囲気では完全な緻密体が得られない。
焼成中1500℃以上での線収縮速度を0.2%/時間
以上となるように昇温速度を制御しながら昇温する。こ
の場合AffN焼結体は平均粒径3〜5μm程度のきわ
めて微細な焼結体が得られ、室温3点曲げ強度50がk
gf/mrn”以上の強度を有する。線収縮速度が0.
2%/時間未満では、低温で粒成長が進行すると同時に
大きな残留気孔が生成するし、この気孔が焼結中になく
ならないので、緻密な焼結体が得られない。このため低
強度のAj2N焼結体しか得られない。
以上となるように昇温速度を制御しながら昇温する。こ
の場合AffN焼結体は平均粒径3〜5μm程度のきわ
めて微細な焼結体が得られ、室温3点曲げ強度50がk
gf/mrn”以上の強度を有する。線収縮速度が0.
2%/時間未満では、低温で粒成長が進行すると同時に
大きな残留気孔が生成するし、この気孔が焼結中になく
ならないので、緻密な焼結体が得られない。このため低
強度のAj2N焼結体しか得られない。
線収縮速度の上限は特に限定されるものではないが、大
きな線収縮速度で昇温すると、炉内位置により成形体の
昇温速度が異なりやす(、同一焼成ロット内での焼結体
の強度のばらつきが生じやすいので好ましく、また焼成
炉の加熱電力も太き(なり経済的でない。線収縮速度は
、ロットの大きさ、焼成炉の大きさ、要求される品質特
性等を勘案して、0,2%/時間以上の適切な値が用い
られる。
きな線収縮速度で昇温すると、炉内位置により成形体の
昇温速度が異なりやす(、同一焼成ロット内での焼結体
の強度のばらつきが生じやすいので好ましく、また焼成
炉の加熱電力も太き(なり経済的でない。線収縮速度は
、ロットの大きさ、焼成炉の大きさ、要求される品質特
性等を勘案して、0,2%/時間以上の適切な値が用い
られる。
昇温中線収縮速度が所定の値になるように昇温速度を決
定する方法について述べる。熱膨張計を内装した焼結炉
を用いて、収縮率の変化を連続的に測定し、測定した収
縮率の時間変化を求めながら、設定した収縮速度より小
さい場合は加熱電力を大きくし、逆に設定した収縮速度
より大きい場合は加熱電力を小さくするようなPID制
御を行いながら加熱すればよい。
定する方法について述べる。熱膨張計を内装した焼結炉
を用いて、収縮率の変化を連続的に測定し、測定した収
縮率の時間変化を求めながら、設定した収縮速度より小
さい場合は加熱電力を大きくし、逆に設定した収縮速度
より大きい場合は加熱電力を小さくするようなPID制
御を行いながら加熱すればよい。
線収縮速度が一定になるように昇温すると、焼結体の結
晶粒径が揃い、焼結体の強度のばらつきが小さくなるの
で好ましい。
晶粒径が揃い、焼結体の強度のばらつきが小さくなるの
で好ましい。
焼結温度は1750〜1950℃とする。
1750℃未満では完全な緻密体が得られない。
1950℃を越えると焼結体の粒子径が大きくなり強度
が劣化する。
が劣化する。
焼結体の粒界組成はY4Aj2209とY2O3が共存
することが好ましい。粒界相にY4/1209とY2O
3とが共存する時は、高熱伝導化と共に外観の異常発生
率がきわめて小さい。
することが好ましい。粒界相にY4/1209とY2O
3とが共存する時は、高熱伝導化と共に外観の異常発生
率がきわめて小さい。
粒界相がAl2203 、YAG相あるいはYAJ20
3相を含有する場合は、熱伝導率が低下する。
3相を含有する場合は、熱伝導率が低下する。
また網目状の模様や基板の一部に着色が発生しやす(な
る。
る。
炭素としてはカーボンブラック、グラファイト等、焼成
中炭素を生成する物質としてはフェノールレジン等が好
ましい。
中炭素を生成する物質としてはフェノールレジン等が好
ましい。
使用するAlN粉末は、平均粒径が1〜2μm程度、粉
末に含有される酸素量は2%未満が好ましい。またY2
03は、純度99.9%以上、平均粒径5μm以下が好
ましい。
末に含有される酸素量は2%未満が好ましい。またY2
03は、純度99.9%以上、平均粒径5μm以下が好
ましい。
実施例1
平均粒径0.8μm、酸素含有量0.6%、純度98%
のAlN粉末を主成分とし、これに平均粒径1.OLL
mのY2O3粉末を3重量%添加した。
のAlN粉末を主成分とし、これに平均粒径1.OLL
mのY2O3粉末を3重量%添加した。
バインダとしてポリビニルブチラール(PVB)を適量
添加、成形し、この成形体を窒素中で脱脂した。
添加、成形し、この成形体を窒素中で脱脂した。
次に、得られた成形体をAj2N坩堝に充填し常圧のも
と1500℃までは500℃/時間の昇温速度で昇温し
、1500℃を越えてからは種々の一定の線収縮速度と
なるように昇温し、窒素気流中、1820℃で4時間焼
成した。
と1500℃までは500℃/時間の昇温速度で昇温し
、1500℃を越えてからは種々の一定の線収縮速度と
なるように昇温し、窒素気流中、1820℃で4時間焼
成した。
得られた焼結体を3X4X40mmの大きさの試験片5
0本に研削加工し、JISR1601に準拠し3点曲げ
試験を行い、焼結体の強度ばらつきをワイブル係数で示
した。また、レーザフラッシュ法で熱伝導率を測定した
。第1表に焼結体の熱伝導率、強度、ワイブル係数をま
とめて示した。また、レーザフラッシュ法で熱伝導率を
測定した6第1表に焼結体の熱伝導率、強度、ワイブル
係数をまとめて示した。
0本に研削加工し、JISR1601に準拠し3点曲げ
試験を行い、焼結体の強度ばらつきをワイブル係数で示
した。また、レーザフラッシュ法で熱伝導率を測定した
。第1表に焼結体の熱伝導率、強度、ワイブル係数をま
とめて示した。また、レーザフラッシュ法で熱伝導率を
測定した6第1表に焼結体の熱伝導率、強度、ワイブル
係数をまとめて示した。
No、 1では、線収縮速度が、0.2%/時間未満の
ため、低温で粒成長が進行すると同時に大きな残留気孔
が生成するので、緻密な焼結体が得られず強度が小さい
。
ため、低温で粒成長が進行すると同時に大きな残留気孔
が生成するので、緻密な焼結体が得られず強度が小さい
。
−2〜6では、焼成中1500℃以上での線収縮速度を
0.2%/時間以上、8%/時間以下の範囲で一定とす
れば熱伝4率が高く、焼結体の強度が50kgf/mr
r1″以上となり、そのばらつきも小さいことがわかる
。
0.2%/時間以上、8%/時間以下の範囲で一定とす
れば熱伝4率が高く、焼結体の強度が50kgf/mr
r1″以上となり、そのばらつきも小さいことがわかる
。
No、 7.8では線収縮速度が8%/時間をこえると
昇温速度が太き(なるので焼成炉内の温度分布が大きく
なり、このため同一ロット内での品質のばらつきが生じ
易く、強度は50kgf/mm”以上あるが、ワイブル
係数が5〜6と小さく強度のばらつきが大きかった。
昇温速度が太き(なるので焼成炉内の温度分布が大きく
なり、このため同一ロット内での品質のばらつきが生じ
易く、強度は50kgf/mm”以上あるが、ワイブル
係数が5〜6と小さく強度のばらつきが大きかった。
実施例2
平均粒径0.8μm、酸素含有量0.6%、純度98%
のAlN粉末を主成分とし、これに平均粒径1.04t
mのY203粉末、カーボンブラックを第2表に示すヤ
合で添加した。バインダとしてボJビニルブチラール(
PVB)を適量添加し形成し、この成形体を窒素中で脱
脂した。
のAlN粉末を主成分とし、これに平均粒径1.04t
mのY203粉末、カーボンブラックを第2表に示すヤ
合で添加した。バインダとしてボJビニルブチラール(
PVB)を適量添加し形成し、この成形体を窒素中で脱
脂した。
得られた成形体をAffN坩堝に充填し、常圧のもと1
500°Cまでは500℃/時間の昇温速度で昇温し、
1500℃を越えてからは、種々の一定の線収縮速度と
なるように昇温し、窒素気流中1820℃4時間昇温焼
成した。
500°Cまでは500℃/時間の昇温速度で昇温し、
1500℃を越えてからは、種々の一定の線収縮速度と
なるように昇温し、窒素気流中1820℃4時間昇温焼
成した。
得られた焼結体を3X4X40mmの大きさの試験片に
研削加工し、J I SRl 601に準拠し3点曲げ
試験を行った。またレーザフラッシュ法で熱伝導率を測
定した。
研削加工し、J I SRl 601に準拠し3点曲げ
試験を行った。またレーザフラッシュ法で熱伝導率を測
定した。
第2表に原料配合割合、焼結体の熱伝導率、強度、粒界
相、外観等をまとめて示した。また、同じ条件で20回
焼成した場合、焼結体外観異常の発生する割合も合わせ
て示した。
相、外観等をまとめて示した。また、同じ条件で20回
焼成した場合、焼結体外観異常の発生する割合も合わせ
て示した。
述1〜19では、主成分のAlNに焼結助剤としてY2
O30,5〜IO重量%、またはY2O30,5〜10
重量%とともに、炭素または焼成により炭素を生成する
化合物を炭素換算で0.01〜0、1%未満添加し、成
形脱脂した後、焼成中1500℃以上での線収縮速度を
0.2%/時間以上の一定となるように昇温すれば、焼
結体の強度が50kgf/mrn’以上で165W/m
K以上の高熱伝導化が達成される。また、AβN焼結体
の粒界相がY4AJ2209とY2O3からなる場合は
あみめや着色といった焼結体表面の外観の異常の発生率
が非常に小さくなることをあわせて示している。また、
この助剤配合であれば粒界相がY4AJ2209とYA
氾03となっても外観異常発生率は10%以下と小さく
なる。
O30,5〜IO重量%、またはY2O30,5〜10
重量%とともに、炭素または焼成により炭素を生成する
化合物を炭素換算で0.01〜0、1%未満添加し、成
形脱脂した後、焼成中1500℃以上での線収縮速度を
0.2%/時間以上の一定となるように昇温すれば、焼
結体の強度が50kgf/mrn’以上で165W/m
K以上の高熱伝導化が達成される。また、AβN焼結体
の粒界相がY4AJ2209とY2O3からなる場合は
あみめや着色といった焼結体表面の外観の異常の発生率
が非常に小さくなることをあわせて示している。また、
この助剤配合であれば粒界相がY4AJ2209とYA
氾03となっても外観異常発生率は10%以下と小さく
なる。
No、20.21では、Y2O3の配合量が0.5重量
%以下では焼結中に生成する液相量が小ないため充分に
緻密化しないので強度が小さい。このため熱伝導率も低
(、粒界相がYAG+YAff03となり、あみめ状の
焼結体の表面の外観異常の発生率が大きい。
%以下では焼結中に生成する液相量が小ないため充分に
緻密化しないので強度が小さい。このため熱伝導率も低
(、粒界相がYAG+YAff03となり、あみめ状の
焼結体の表面の外観異常の発生率が大きい。
N022〜26では、炭素の配合量が0.1重量%以上
では焼結体の強度は大きいが、焼結後に焼結体に炭素が
残留し焼結体が黒っぽく変色し易(なり、熱伝導率もか
えって低下し商品価値がなくなる。また、外観異常発生
率も多大である。
では焼結体の強度は大きいが、焼結後に焼結体に炭素が
残留し焼結体が黒っぽく変色し易(なり、熱伝導率もか
えって低下し商品価値がなくなる。また、外観異常発生
率も多大である。
陥、27では、Y2O3が10重量%を越えると焼結体
中の液相量が多すぎるためかえって熱伝導率が低下し、
同時に基板の一部に黄色い着色が起こりやすくなる。ま
た、外観異常発生率も多大である。
中の液相量が多すぎるためかえって熱伝導率が低下し、
同時に基板の一部に黄色い着色が起こりやすくなる。ま
た、外観異常発生率も多大である。
[発明の効果]
本発明により、生産性に優れる常圧焼結を用いて、強度
が大きく、高熱伝導性で、外観の良好なAj2N基板を
容易に製造することができる。
が大きく、高熱伝導性で、外観の良好なAj2N基板を
容易に製造することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 主成分のAlNに、焼結助剤として Y_2O_30.5〜10重量%を添加した混合物を、
成形脱脂した後、窒素気流中で、 1500℃以上での線収縮速度を0.2%/時間以上と
して昇温し、1750〜1950℃にて常圧焼成するこ
とを特徴とするAlN焼結体の製造方法。 2 焼結助剤として、さらに、炭素または焼成により炭
素を生成する化合物を炭素換算で0.01〜0.1重量
%未満添加する請求項1記載のAlN焼結体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2157542A JPH0450171A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | AlN焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2157542A JPH0450171A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | AlN焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0450171A true JPH0450171A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15651958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2157542A Pending JPH0450171A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | AlN焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0450171A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000327425A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-28 | Asahi Techno Glass Corp | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
JP2018184316A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社Maruwa | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
JP2019195036A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-11-07 | 株式会社Maruwa | 複合基板、及び、複合基板の製造方法 |
WO2021125351A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | クラレノリタケデンタル株式会社 | ジルコニア焼結体の製造方法 |
US11319254B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-05-03 | Maruwa Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered body and method for producing same |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2157542A patent/JPH0450171A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000327425A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-28 | Asahi Techno Glass Corp | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
JP2018184316A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社Maruwa | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
JP2019195036A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-11-07 | 株式会社Maruwa | 複合基板、及び、複合基板の製造方法 |
US11319254B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-05-03 | Maruwa Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered body and method for producing same |
WO2021125351A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | クラレノリタケデンタル株式会社 | ジルコニア焼結体の製造方法 |
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