JPH0447603Y2 - - Google Patents
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- JPH0447603Y2 JPH0447603Y2 JP1985036540U JP3654085U JPH0447603Y2 JP H0447603 Y2 JPH0447603 Y2 JP H0447603Y2 JP 1985036540 U JP1985036540 U JP 1985036540U JP 3654085 U JP3654085 U JP 3654085U JP H0447603 Y2 JPH0447603 Y2 JP H0447603Y2
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- JP
- Japan
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- blade
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Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、定温媒体の熱をリニアスケールに
伝達しリニアスケールを定温に保持してリニアス
ケールの熱変形を最小に抑えるリニアスケール定
温保持装置を内蔵しているダイシング装置に関す
る。
伝達しリニアスケールを定温に保持してリニアス
ケールの熱変形を最小に抑えるリニアスケール定
温保持装置を内蔵しているダイシング装置に関す
る。
精密加工を行う専用機や工作機械において、カ
ツター等の加工手段に対する被加工物の位置決め
のために、リニアスケールが広く使用されてい
る。リニアスケールは、被加工物の位置を検出す
る基礎となるものであり、リニアスケールの精度
がそのまま加工精度に影響する。そして、リニア
スケールを一定に作動させることが基本的に必要
とされている。
ツター等の加工手段に対する被加工物の位置決め
のために、リニアスケールが広く使用されてい
る。リニアスケールは、被加工物の位置を検出す
る基礎となるものであり、リニアスケールの精度
がそのまま加工精度に影響する。そして、リニア
スケールを一定に作動させることが基本的に必要
とされている。
そのため、リニアスケールはリニアスケールケ
ースに収納されて破損等から保護されている。ま
た、線膨張率の小さな材料からリニアスケールを
形成することによつて、リニアスケールの伸縮を
防止して熱変形の影響を排除している。しかし、
熱変形の影響を完全に排除することはできず、温
度変化により、リニアスケールに僅かな熱変形が
生じている。
ースに収納されて破損等から保護されている。ま
た、線膨張率の小さな材料からリニアスケールを
形成することによつて、リニアスケールの伸縮を
防止して熱変形の影響を排除している。しかし、
熱変形の影響を完全に排除することはできず、温
度変化により、リニアスケールに僅かな熱変形が
生じている。
しかし、産業分野のいわゆるハイテク化に伴つ
て、電子部品、精密機械部品は、複雑化するとと
もに、それらの小型化が要請されている。そのた
め、電子部品等の加工において、数年前とは比較
にならないほどの加工精度が一般に要求されてい
る。そして、従来は無視できたリニアスケールの
僅かな熱変形も無視できなくなりつつある。
て、電子部品、精密機械部品は、複雑化するとと
もに、それらの小型化が要請されている。そのた
め、電子部品等の加工において、数年前とは比較
にならないほどの加工精度が一般に要求されてい
る。そして、従来は無視できたリニアスケールの
僅かな熱変形も無視できなくなりつつある。
たとえば、ダイシング装置(ダイシングソー)
によるシリコンウエーハの切断加工では、数mm間
隔で離間した幅数十μmのいわゆるストリートに
沿つてX軸およびY軸方向にウエーハを切断しチ
ツプ化している。
によるシリコンウエーハの切断加工では、数mm間
隔で離間した幅数十μmのいわゆるストリートに
沿つてX軸およびY軸方向にウエーハを切断しチ
ツプ化している。
そして、たとえば、直径5インチのウエーハに
おいては、X軸、Y軸のそれぞれについて切断加
工が24回ほど繰り返されている。ここで、ストリ
ートに囲まれた領域にIC,LSI等のパターンが隣
接して形成されている。そのため、ストリート以
外の切断は、ICパターン等を破損し不良品を生
じることとなり好ましくない。
おいては、X軸、Y軸のそれぞれについて切断加
工が24回ほど繰り返されている。ここで、ストリ
ートに囲まれた領域にIC,LSI等のパターンが隣
接して形成されている。そのため、ストリート以
外の切断は、ICパターン等を破損し不良品を生
じることとなり好ましくない。
ところで、ダイシング装置においては、ウエー
ハの積載されたチヤツクテーブルが割り出し方向
に移動し、ブレードは、割り出し方向に対して、
固定されている。そして、ストリートに沿つたウ
エーハの切断は、極めて薄いダイヤモンドブレー
ドでなされている。そして、ブレードがストリー
トの中心を通過するように、ブレードに対するチ
ヤツクテーブルの相対的位置がリニアスケールに
よつて制御されている。
ハの積載されたチヤツクテーブルが割り出し方向
に移動し、ブレードは、割り出し方向に対して、
固定されている。そして、ストリートに沿つたウ
エーハの切断は、極めて薄いダイヤモンドブレー
ドでなされている。そして、ブレードがストリー
トの中心を通過するように、ブレードに対するチ
ヤツクテーブルの相対的位置がリニアスケールに
よつて制御されている。
たとえば、厚さ18μmのブレードでウエーハを
切断する際、ブレードがウエーハのストリートの
中心に正しく位置していると仮定する。この場
合、チツピング代として各サイドに5μm程度が
必要であるため、切断後、ストリートの各サイズ
に6μm(40−18−10)÷2=6)がそれぞれ残る
にすぎない。つまり、ブレードの位置がストリー
トの中心から6μm以上ずれれば、ストリートを
越せてICパターン等を破損してしまうことにな
る。従つて、ICパターン等の破損を避けるため、
加工中、ブレードの位置決めをミクロンオーダー
で正確に行う必要がある。
切断する際、ブレードがウエーハのストリートの
中心に正しく位置していると仮定する。この場
合、チツピング代として各サイドに5μm程度が
必要であるため、切断後、ストリートの各サイズ
に6μm(40−18−10)÷2=6)がそれぞれ残る
にすぎない。つまり、ブレードの位置がストリー
トの中心から6μm以上ずれれば、ストリートを
越せてICパターン等を破損してしまうことにな
る。従つて、ICパターン等の破損を避けるため、
加工中、ブレードの位置決めをミクロンオーダー
で正確に行う必要がある。
そしてこのような精密加工を行うダイシング装
置においては、リニアスケールの僅かな熱変形す
ら無視できない現状にある。
置においては、リニアスケールの僅かな熱変形す
ら無視できない現状にある。
この発明は、リニアスケールの熱変形を最小に
抑えたリニアスケール定温保持装置を内蔵するダ
イシング装置の提供を目的としている。
抑えたリニアスケール定温保持装置を内蔵するダ
イシング装置の提供を目的としている。
この目的を達成するために、この発明によれ
ば、リニアスケールの収納されたリニアスケール
ケースに隣接して、定温保持ケースが配設されて
いる。この低温保持ケースに、一対の導管をそれ
ぞれ連結させ、定温保持ケースを介して、空気、
水、油等の定温媒体を流している。
ば、リニアスケールの収納されたリニアスケール
ケースに隣接して、定温保持ケースが配設されて
いる。この低温保持ケースに、一対の導管をそれ
ぞれ連結させ、定温保持ケースを介して、空気、
水、油等の定温媒体を流している。
このような構成では、定温保持ケース内を流れ
る定温媒体とリニアスケールケースとの間の熱伝
達によつて、リニアスケールケース内の空気の温
度を一定に保持できる。そのため、リニアスケー
ルケース内のリニアスケールが一定の温度に保た
れ、リニアスケールの熱変形が抑制される。
る定温媒体とリニアスケールケースとの間の熱伝
達によつて、リニアスケールケース内の空気の温
度を一定に保持できる。そのため、リニアスケー
ルケース内のリニアスケールが一定の温度に保た
れ、リニアスケールの熱変形が抑制される。
以下、図面を参照しながらこの考案の実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
この考案に係るダイシング装置は、第1図に示
すリニアスケール定温保持装置10を内蔵し、リ
ニアスケール定温保持装置は、リニアスケールケ
ース12に隣接し実施例では背後にボルト止めに
よつて密着して配設された定温保持装置14を備
えている。
すリニアスケール定温保持装置10を内蔵し、リ
ニアスケール定温保持装置は、リニアスケールケ
ース12に隣接し実施例では背後にボルト止めに
よつて密着して配設された定温保持装置14を備
えている。
ダイシング装置が、チヤツクテーブル、ブレー
ドを具備し、IC,LSI等のパターンの形成された
ウエーハがチヤツクテーブルに積載され、ブレー
ドがストリートに沿つてチヤツクテーブル上のウ
エーハを切削することはいうまでもない。
ドを具備し、IC,LSI等のパターンの形成された
ウエーハがチヤツクテーブルに積載され、ブレー
ドがストリートに沿つてチヤツクテーブル上のウ
エーハを切削することはいうまでもない。
そして、チヤツクテーブルとブレードの割り出
し方向の相対的位置がリニアスケール16によつ
て制御されている。
し方向の相対的位置がリニアスケール16によつ
て制御されている。
リニアスケールケース12の内部に、リニアス
ケール16が収納されてリニアスケールケースの
長手方向にのびている。また、定温保持ケース1
4の端部に、一対の導管18,19がそれぞれ連
通され、空気、水、油等の媒体が、導管18から
定温保持ケース14に流入し、導管19から流出
している。
ケール16が収納されてリニアスケールケースの
長手方向にのびている。また、定温保持ケース1
4の端部に、一対の導管18,19がそれぞれ連
通され、空気、水、油等の媒体が、導管18から
定温保持ケース14に流入し、導管19から流出
している。
媒体は、ほぼ一定温度の保たれ、定温保持ケー
ス14を流れるとき、媒体とリニアスケールケー
ス12との間で熱交換が行われている。そして、
熱交換によつて、リニアスケールケース12内の
空気を冷却または加熱(一般には冷却)して、リ
ニアスケールケースの線膨張を防止している。熱
交換を容易にするため、比熱の大きな媒体を選ぶ
ことが好ましい。また、リニアスケール12と定
温保持ケース14との接触面積が大きければ大き
いほど、熱交換が容易に行われる。
ス14を流れるとき、媒体とリニアスケールケー
ス12との間で熱交換が行われている。そして、
熱交換によつて、リニアスケールケース12内の
空気を冷却または加熱(一般には冷却)して、リ
ニアスケールケースの線膨張を防止している。熱
交換を容易にするため、比熱の大きな媒体を選ぶ
ことが好ましい。また、リニアスケール12と定
温保持ケース14との接触面積が大きければ大き
いほど、熱交換が容易に行われる。
実施例では、定温保持ケース14が密封形に形
成され、定温保持ケースの壁を介して定温媒体と
リニアスケールケース12との間で熱交換がなさ
れている。しかし、リニアスケールケースサイド
の定温保持ケース14の壁を除けば、定温媒体と
リニアスケールケース12との間の熱交換が効果
的になされて好ましい。
成され、定温保持ケースの壁を介して定温媒体と
リニアスケールケース12との間で熱交換がなさ
れている。しかし、リニアスケールケースサイド
の定温保持ケース14の壁を除けば、定温媒体と
リニアスケールケース12との間の熱交換が効果
的になされて好ましい。
また、接触面積を増加させるため、リニアスケ
ールケース12を定温保持ケースに内蔵させても
よい。この場合、リニアスケール16に対向する
スライダーのために、リニアスケールケース12
の一部が開口されることはいうまでもない。
ールケース12を定温保持ケースに内蔵させても
よい。この場合、リニアスケール16に対向する
スライダーのために、リニアスケールケース12
の一部が開口されることはいうまでもない。
第2図にこの考案に係るダイシング装置のリニ
アスケール定温保持装置10の実験結果を示し、
縦軸にずれがμmで、横軸がストリートの番号が
それぞれ表示されている。実験は、直径5インチ
のシリコンウエーハについて、X軸およびY軸方
向の幅40μmのストリートを、厚さ18μmのダイ
ヤモンドブレードで24回または25回それぞれ切断
している。なお、実線はX軸方向の、破線はY軸
方向のストリートの切断における結果をそれぞれ
示す。
アスケール定温保持装置10の実験結果を示し、
縦軸にずれがμmで、横軸がストリートの番号が
それぞれ表示されている。実験は、直径5インチ
のシリコンウエーハについて、X軸およびY軸方
向の幅40μmのストリートを、厚さ18μmのダイ
ヤモンドブレードで24回または25回それぞれ切断
している。なお、実線はX軸方向の、破線はY軸
方向のストリートの切断における結果をそれぞれ
示す。
第2図のA−1ないしA−4は、リニアスケー
ル定温保持装置10を装着しない場合での結果を
それぞれ示している。そして、第2図のA−1な
いしA−4は、10時15分、13時15分(3時間後)、
16時15分(6時間後)、19時00分(8時間45分後)
に、ウエーハの切断が開始されている。
ル定温保持装置10を装着しない場合での結果を
それぞれ示している。そして、第2図のA−1な
いしA−4は、10時15分、13時15分(3時間後)、
16時15分(6時間後)、19時00分(8時間45分後)
に、ウエーハの切断が開始されている。
第2図A−1からわかるように、ストリートの
中心からのブレードのずれΔは、X軸、Y軸方向
のストリートについて、0〜4μm、−1〜2μmと
なつている。そして、最大のずれ(絶対値)
Δmaxは4μmおよび2μmにすぎない。ここで、許
容値(絶対値)は、上記のように6μm((40−18
−10)÷2=6)であるため、リニアスケールの
熱変形は無視できる。
中心からのブレードのずれΔは、X軸、Y軸方向
のストリートについて、0〜4μm、−1〜2μmと
なつている。そして、最大のずれ(絶対値)
Δmaxは4μmおよび2μmにすぎない。ここで、許
容値(絶対値)は、上記のように6μm((40−18
−10)÷2=6)であるため、リニアスケールの
熱変形は無視できる。
それから3時間後においては、第2図A−2に
示すように、Δは0〜5μm、−3〜2μmとなり、
ずれの幅は拡大しているが、Δmaxは5μm、3μm
であり、許容範囲内にある。
示すように、Δは0〜5μm、−3〜2μmとなり、
ずれの幅は拡大しているが、Δmaxは5μm、3μm
であり、許容範囲内にある。
6時間後の加工では、第2図A−3に示すよう
に、Δは0〜5μm、−3〜3μm、Δmaxは5μm、
3μmであり、リニアスケールの熱変形がなおも
無視できる。
に、Δは0〜5μm、−3〜3μm、Δmaxは5μm、
3μmであり、リニアスケールの熱変形がなおも
無視できる。
しかし、8時間45分後の加工では、第2図A−
4に示すように、Δは0〜8μm、−1〜7μm、
Δmaxは8μm、7μmとなり、いずれも許容値の6μ
mを越えている。つまりこのような加工では、ス
トリートを越えてICパターン等を破損させ、チ
ツプを不良化している。
4に示すように、Δは0〜8μm、−1〜7μm、
Δmaxは8μm、7μmとなり、いずれも許容値の6μ
mを越えている。つまりこのような加工では、ス
トリートを越えてICパターン等を破損させ、チ
ツプを不良化している。
ここで、詳細に検討すると、X軸では、5μm
以上のずれは18番目のストリートで初めて生じ、
それ以後、25番目のストリートまで8回連続して
生じている。また、Y軸については、5μm以上
のずれは、11番目のストリートで生じた後、一旦
とだえ、15番目のストリートから3回の例外を除
き、7回生じている。5μ目のずれは許容範囲内
とはいえ、不良品を生じる虞れがあり、避けるこ
とが望まれる。
以上のずれは18番目のストリートで初めて生じ、
それ以後、25番目のストリートまで8回連続して
生じている。また、Y軸については、5μm以上
のずれは、11番目のストリートで生じた後、一旦
とだえ、15番目のストリートから3回の例外を除
き、7回生じている。5μ目のずれは許容範囲内
とはいえ、不良品を生じる虞れがあり、避けるこ
とが望まれる。
そして、X軸、Y軸のいずれのストリートに対
しても、ずれは、中盤から後半にかけて増加する
傾向にあり、リニアスケールの線膨張による熱変
形が、許容範囲を越え、もはや無視でき難いこと
を示している。そのため、ウエーハの切断を継続
すれば、チツプの不良化率の激増が予想され、も
はや継続できない。従つて、ダイシング装置が高
価であり稼働率を高めることが要請されているに
も拘らず、この要請を満たすことができない。
しても、ずれは、中盤から後半にかけて増加する
傾向にあり、リニアスケールの線膨張による熱変
形が、許容範囲を越え、もはや無視でき難いこと
を示している。そのため、ウエーハの切断を継続
すれば、チツプの不良化率の激増が予想され、も
はや継続できない。従つて、ダイシング装置が高
価であり稼働率を高めることが要請されているに
も拘らず、この要請を満たすことができない。
第2図B−1およびB−2は、リニアスケール
定温保持装置10を利用し、導管18から媒体と
して、冷却水を定温保持ケース14内に流入させ
た本願におけるダイシング装置での実験結果を示
す。
定温保持装置10を利用し、導管18から媒体と
して、冷却水を定温保持ケース14内に流入させ
た本願におけるダイシング装置での実験結果を示
す。
室温が22度であるのに対して、リニアスケール
ケースが9.2度に冷却された場合の切断では、第
2図B−1からわかるように、リニアスケールを
収縮させる冷却効果が、明らかに認識される。
ケースが9.2度に冷却された場合の切断では、第
2図B−1からわかるように、リニアスケールを
収縮させる冷却効果が、明らかに認識される。
また、2時間後、リニアスケールケースが9.8
度の場合には、第2図B−2からわかるように、
リニアスケールの温度が少し増加しているのに対
して、ずれの大きさは減少している。このよう
に、いずれのウエーハの切断においても、冷却効
果が認められる。
度の場合には、第2図B−2からわかるように、
リニアスケールの温度が少し増加しているのに対
して、ずれの大きさは減少している。このよう
に、いずれのウエーハの切断においても、冷却効
果が認められる。
更に、リニアスケールケースが20度の定温を維
持するように、20度の定温水を媒体として利用し
た実験結果を第2図Cに示す。この場合には、X
軸、Y軸のそれぞれについて、Δは0−2〜2μ
m、−1〜1μm、Δmaxは2μm、1μmであり、
Δmaxは完全に許容範囲内にあり、リニアスケー
ルの熱変形が最小に抑えられていることがわか
る。
持するように、20度の定温水を媒体として利用し
た実験結果を第2図Cに示す。この場合には、X
軸、Y軸のそれぞれについて、Δは0−2〜2μ
m、−1〜1μm、Δmaxは2μm、1μmであり、
Δmaxは完全に許容範囲内にあり、リニアスケー
ルの熱変形が最小に抑えられていることがわか
る。
つまり、リニアスケール定温保持装置10を内
蔵するダイシング装置を利用すれば、リニアスケ
ール16の熱変形を完全に無視して精密加工が継
続できる。そのため、ダイシング装置によるウエ
ーハの切断を長時間継続しても支障なく、ダイシ
ング装置の稼働率向上という要請が満たされる。
蔵するダイシング装置を利用すれば、リニアスケ
ール16の熱変形を完全に無視して精密加工が継
続できる。そのため、ダイシング装置によるウエ
ーハの切断を長時間継続しても支障なく、ダイシ
ング装置の稼働率向上という要請が満たされる。
上述した実施例はこの考案を説明するためのも
のであり、この考案を何ら限定するものでなく、
この考案の技術範囲内で屁計、改造等の施された
ものも全てこの考案に包含されることはいうまで
もない。
のであり、この考案を何ら限定するものでなく、
この考案の技術範囲内で屁計、改造等の施された
ものも全てこの考案に包含されることはいうまで
もない。
上記のように、この考案によれば、リニアスケ
ールの収納されたリニアスケールケースに隣接し
て定温保持ケースが配設されている。そして、定
温保持ケースに一対の導管がそれぞれ連結され、
定温保持ケースを介して、空気、水、油等の定温
媒体を流している。
ールの収納されたリニアスケールケースに隣接し
て定温保持ケースが配設されている。そして、定
温保持ケースに一対の導管がそれぞれ連結され、
定温保持ケースを介して、空気、水、油等の定温
媒体を流している。
このような構成では、定温保持ケース内を流れ
る定温媒体とリニアスケールケースとの間の熱伝
達によつて、リニアスケールケース内の空気の温
度を一定に保持できる。そのため、リニアスケー
ルケース内のリニアスケールが一定の温度に保た
れ、リニアスケールの熱変形が抑制される。従つ
て、ダイシング装置によるウエーハの切断が長時
間継続して行え、高い稼働率が確保される。
る定温媒体とリニアスケールケースとの間の熱伝
達によつて、リニアスケールケース内の空気の温
度を一定に保持できる。そのため、リニアスケー
ルケース内のリニアスケールが一定の温度に保た
れ、リニアスケールの熱変形が抑制される。従つ
て、ダイシング装置によるウエーハの切断が長時
間継続して行え、高い稼働率が確保される。
第1図は、この考案に係るダイシング装置に内
蔵されたリニアスケール装置の概略斜視図、第2
図A−1ないしCは、ダイシング装置によるウエ
ーハの切断におけるブレードのずれを示す図表で
ある。 10……リニアスケール定温保持装置、12…
…リニアスケールケース、14……定温保持ケー
ス、16……リニアスケール、18,19……導
管。
蔵されたリニアスケール装置の概略斜視図、第2
図A−1ないしCは、ダイシング装置によるウエ
ーハの切断におけるブレードのずれを示す図表で
ある。 10……リニアスケール定温保持装置、12…
…リニアスケールケース、14……定温保持ケー
ス、16……リニアスケール、18,19……導
管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 IC,LSI等のパターンの形成されたウエーハを
積載するチヤツクテーブルと、チヤツクテーブル
に積載されたウエーハのストリートを切削するブ
レードと、を具備し、チヤツクテーブルとブレー
ドの割り出し方向の相対的位置がリニアスケール
によつて制御されるダイシング装置において、 ダイシング装置がリニアスケール定温保持装置
を内蔵し、 リニアスケール定温保持装置が、リニアスケー
ルの収納されたリニアスケールケースに隣接して
配設された定温保持ケースと、定温保持ケースに
それぞれ連結されて定温媒体を流入または流出さ
せる導管とを備え、定温保持ケース内を流れる定
温媒体とリニアスケールケースとの間の熱伝達に
よつてリニアスケールケース内のリニアスケール
を定温に保持することを特徴とするダイシング装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985036540U JPH0447603Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985036540U JPH0447603Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61152909U JPS61152909U (ja) | 1986-09-22 |
JPH0447603Y2 true JPH0447603Y2 (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=30541818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985036540U Expired JPH0447603Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0447603Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5291403B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-09-18 | 株式会社ディスコ | 切削加工装置 |
JP6215660B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2017-10-18 | 株式会社ジェイテクト | 研削盤 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342322Y2 (ja) * | 1978-12-30 | 1988-11-07 | ||
JPS59144408U (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-27 | 株式会社日立製作所 | レ−ザ−ビ−ム保護機構 |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP1985036540U patent/JPH0447603Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61152909U (ja) | 1986-09-22 |
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