JPH0446567U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0446567U JPH0446567U JP8904790U JP8904790U JPH0446567U JP H0446567 U JPH0446567 U JP H0446567U JP 8904790 U JP8904790 U JP 8904790U JP 8904790 U JP8904790 U JP 8904790U JP H0446567 U JPH0446567 U JP H0446567U
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
Description
第１図は本考案に係る半導体レーザダイオード
の一実施例を示す断面図である。第２図は半導体
レーザダイオードの従来例を示す断面図である。 １１……基板、１２……ガイド層、１２ａ……
活性層側界面、１４……活性層、１５……クラツ
ド層。
の一実施例を示す断面図である。第２図は半導体
レーザダイオードの従来例を示す断面図である。 １１……基板、１２……ガイド層、１２ａ……
活性層側界面、１４……活性層、１５……クラツ
ド層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ＩｎＰの化合物単結晶からなる基板上に、Ｉｎ
ＧａＡｓＰの四元化合物からなるガイド層及び活
性層、並びにＩｎＰの化合物単結晶からなるクラ
ツド層を順次積層し、基板上のガイド層とクラツ
ド層間で活性層を挾み込んだものにおいて、 上記ガイド層の活性層側界面を軸方向に沿つて
連続な凹凸形状にした回折格子を形成したことを
特徴とする半導体レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8904790U JPH0446567U (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8904790U JPH0446567U (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0446567U true JPH0446567U (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=31822752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8904790U Pending JPH0446567U (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0446567U (ja) |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP8904790U patent/JPH0446567U/ja active Pending