JPH0445985A

JPH0445985A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPH0445985A
Application number: JP2156336A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Sato; 威佐藤
Original assignee: Toyo Ink Mfg Co Ltd
Current assignee: Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Priority date: 1990-06-14
Filing date: 1990-06-14
Publication date: 1992-02-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、レーザー光線によって、情報を書込んだり２
読み取ったりすることか可能な光学記録媒体に関する。

（従来の技術）従来、レーザー光線を用いて、情報を記録し読み取る光
学記録媒体としては２種々のものか知られている。その
一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照射して、照
射部分に融解、蒸発９分解なとの変化を生じさせて記録
を行なうものかある。

このような光学記録媒体の記録層としては、△ＳＴｅ、
Ｓｅ、Ｔｉなとの金属や合金の薄膜層か用いられてきた
。これら金属や合金の薄膜層を記録層とする光学記録媒
体は、一般に、書込み感度か高く、記録再生光学系を小
型化できる半導体レーザーを適用できると言う特長かあ
るか、熱伝導率か犬であるなとの理由により、記録時に
レーザー光線のエネルギーを効率よく利用てきないとい
う欠点があった。また、これらの記録層は、化学約に不
安定であり、劣化することがあった。

このため、特開昭５７−８２０９３号公転、特開昭５８
　５６８９２号公報、特開昭６０−８９８４２号公報、
特開昭６０−１５０２４３号公報などにより、記録層と
して有機薄膜層を用い、比較的長波長の例えば７８０ｎ
ｍ以上のレーザー光線により情報の書込みや読取りを行
なう光学記録媒体が提案された。このような光学記録媒
体ては記録再生光学系の小型化か可能な半導体レーサー
による融解、蒸発９分解なとによって、有機薄膜層に容
易に微小な凹部（ピット）を形成させることがてきるも
のの１半導体レーザー光線に対する吸光係数が小さ（、
記録感度か十分てはないなどの欠点かあった。

（発明か解決しようとする課題）本発明は、従来の有機薄膜記録層を有する光学記録媒体
の種々の欠点をを改良し、化学的・物理的に安定て、レ
ーザー光線により高感度て記録・再生かてきる。特定の
フタロシアニン系化合物を用いた光学記録媒体を提供す
るものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明は、基板上に、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で示
されるフタロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を
含有する有機薄膜層を設けてなる光学記録媒体である。

一般式〔■〕一般式（ＩＦ）一般式〔式中１Ｍは、Ａ、ｆｆ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、　
　またはＳｎを表わす。

Ｑは、互いに同一てもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基。

スルホン酸基、　−ＯＲ’　、　−３Ｒ’　、　−ＣＯ
ＯＲ”−ＮＨＣＯＲ１２−Ｎ＝ＮＲ１３，または−Ｎ＝
Ｃ）（Ｒｌ　４を表わす。

Ｒ’、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ’、Ｒ７Ｒ８、Ｒ９
，ＲｌＯおよびＲ”は、互いに同一であっても異なって
いてもよく、水素原子、置換基を有していてもよいアル
キル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基
を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよ
いシクロアルキル基、または置換基を有していてもよい
ポリエーテル基を表わし、または　Ｒ６とＲ７とてｌ　
　Ｒ８とＲ９とて、あるいはＲＩＱとＲ”とで、４〜７
員環を形成していてもよく、これらの４〜７員環は。

さらに窒素原子、酸素原子２　またはいおう原子を含む
複素環てあってもよい。

Ｒ１２１Ｒ１３およびＲ１４は、互いに同一てあっても
異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよいシクロアルキル基、または置換
基を有してもよいアリール基を表わす。

Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
ニトロ基２　シアノ基スルホン酸基、−〇Ｒ１５，−３
Ｒ”、−ＣＯＯＲＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ２Ｎ−Ｒ２４ＮＨＣＯＲ”　　−Ｎ＝ＮＲ”、　　または−Ｎ＝ＣＨ
Ｒ２Ｂを表わす。

Ｒ１５１Ｒ１６１Ｒ１７１Ｒ１８１Ｒ１９１Ｒ２０１Ｒ
２Ｒ２２＋　Ｒ”、Ｒ”およびＲ２ｆｉは、互いに同一
てあっても異なっていてもよく、水素原子１置換基を有
していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい
アリール基、置換基を有していてもよいアシル基、置換
基を有していてもよいシクロアルキル基、または置換基
を有していてもよいポリエーテル基を表わし、または、
Ｒ２０とＲ”とて、Ｒ２２とＲ２３とて、あるいはＲ”
とＲ２５とて、４〜７員環を形成していてもよく、これ
らの４〜７員環は、さらに窒素原子、酸素原子１　また
はいおう原子を含む複素環てあってもよい。

Ｒ２６１Ｒ”およびＲ”は、互いに同一てあっても異な
っていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基、置
換基を有してもよいシクロアルギル基、または置換基を
有してもよいアリール基を表わす。

Ｙは、　−０−８−Ｒ２９，−０−８−Ｒ”、　　また
はＺは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有
してもよいアルキル基、−０−３−Ｒ３２Ｗ　　　　　
　　　　　　　　ＷＲ２９１Ｒ”’ｌ　　Ｒ”ｌ　　Ｒ３２１Ｒ３３および
Ｒ３４は互いに同一であっても異なっていてもよく、置
換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有してい
てもよいアリール基、置換基を有していてもよいアシル
基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換
基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有してい
てもよいアリロキシ基置換基を有していてもよいポリエ
ーテル基、置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基
、またはハロゲン基を表わす。

Ｗは、　　Ｏ，Ｓ、　　ＳｅまたはＴｅを表わす。

ｇ、　　ｈ、　　ｉ、　　ｊは、それぞれ独立に０〜２
の整数を表わす。

ｋ、　　ｌ、　ｍ、　　ｎ、はそれぞれ独立に０〜４の
整数を表わす。

ｐは、０または１を表わす。〕本発明にかかわる一般式〔Ｉ〕で示される化合物におい
て、　Ｘ、　　Ｚ、およびＲ１ないしＲ３４を構成する
原子および基の代表例として、ハロゲン原子としては、
塩素原子、臭素原子、よう素原子。

およびふっ素原子を、置換基を有してもよいアルキル基
としては、メチル基、ｎ−ブチル基、　　ｔｅｒｔブチ
ル基、ステアリル基、トリクロロメチル基２−メトキシ
エチル基などを、置換基を有してもよいアリール基とし
ては、フェニル基　クロロフェニル基、トルイル基、ナ
フチル基、アントリル基、ジメチルアミノフェニル基、
ヒドロキシフェニル基、ジエチルアミノナフチル基、ヒ
ドロキシナフチル基などを、置換基を有してもよいアル
コキシ基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基。

ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基などを置換基を
有してもよいアリロキシ基としては、フェノキシ基、ニ
トロフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、クロロフェ
ノギシ基、ジエチルアミノフェノキシ基、ナフトキシ基
、アトロキシ基、ジｎ−ブチルアミノナフトキシ基など
を、置換基を有してもよいシクロアルキル基としては２
　シフ０ヘキシル基、シクロブチル基などを、置換基を
有してもよいアシル基としては、アセチル基１トリフル
オロアセチル基などを、置換基を有してもよいポリエー
テル基としては、ジエチレングリコールモノエチル基、
トリエチレングリコールモノブチル基などを、置換基を
有してもよい複素環基としては、ピリジル基、フリル基
、チアゾリル基ピペラジニル基２モルボリル基などを、
また、置換基を有してもよいフタルイミドメチル基とし
ては、フタルイミドメチル基、ニトロフタルイミドメチ
ル基、　　ｔｅｒｔ−ブチルフタルイミドメチル基メト
キシフタルイミドメチル基、ジクロロフタルイミドメチ
ル基などを、それぞれあげることかできるか、これらの
基に限定されるものではない。

本発明において、一般式（Ｉ１１〜［ＩＶ）で示される
化合物は２例えば、以下の方法により製造することかで
きる。

すなわち、下記一般式〔■〕で示されるイソインドリン
化合物と各種金属塩とから、あるいはカルボン酸無水物
類、イミド類、またはニトリル類を出発原料として常法
により、一般式（Ｖｌ［）〜〔■〕で示されるフタロシ
アニン系化合物を製造する。

一般式〔■〕〔式中、Ｑ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、に、１．ｍｎは一般
式（Ｉ）〜（ＩＶ）における意味と同じ意味を表わす。

〕（以下余白）一般式（ＶＩ）一般式一般式（ＩＸ）＝２０〔式中、Ｑ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、Ｌ　　ｋ、ｌ、ｍ。

ｎは一般式（Ｉ）〜〔■〕における意味と同じ意味を表
わす。〕次に、得られた一般式〔■〕〜〔■〕で示されるフタロ
シアニン系化合物に２種々のイ才つ化合物を反応させる
ことにより、一般式〔■〕〜〔■〕て示されるフタロシ
アニン系化合物を製造することがてきる。

本発明において用いられる一般式ＣＩ）〜（ＩＶ）て示
されるフタロシアニン系化合物の代表例としては、下記
のフタロンアニン系化合物（ａ、）〜（ｉ４）をあげる
ことができる。

（以下余白）（ａ（ａ２（ａ３　）（ａ４（ｂ２（ｂ３（ｂ４ＣＪ（、Ｃ）（３（Ｃ（Ｃ２（Ｃ３（ｃ。

（ｄ（ｃＬ（ｄ３（ｄ４＝　３０　＝（ｅ（ｅａ（ｅ４（ｆ（ｆ２）（ｆ３）（ｆ、）（ｈ（ｈ２（ｈａ（ｈ４（ｉ贈（ｉ、）（ｉ４）本発明において用いられる基板としては、信号の書き込
みや読み出しを行なうための光の透過率か、好ましくは
８５％以上てあり、かつ光学異方性の小さいものか望ま
しい。例えば、ガラス、またはアクリル樹脂２　ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、
塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系
樹脂、ポリ第１ノフイン樹脂（ポリ−４−メチルペンテ
ンなと）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性樹
脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂なとの熱硬化樹脂からな
る基板かあげられる。これらの中で、成形のしやすさ、
案内溝やアト１ノス信号などの付与のしやすさなどから
熱可塑性樹脂からなるものが好ましく、さらに光学特性
や機械的特性からアクリル樹脂やポリカーボネーＩ・樹
脂からなるものか特に望ましい。

本発明において、これらの透明な基板の厚さは特に制限
がなく、板状でもフィルム状でもよい。

また、その形状は２円形状やカード状でもよくその大き
さには特に制限はない。

−４０＝また、基板には２通常、記録および読み出しの際の位置
制御のための案内溝やアドレス信号や各種マークなとの
プリフォーマット用の凹凸かあるか、これらの凹凸は前
記したような熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成形
など）する際にスタンバ−なとを用いて付与することか
、好ましい。

本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する有機薄膜層を基板上に形成する方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法
およびＬＢ法（ラングミュアブロジェット法）なとの方
法かあるか、これらの方法は、操作か煩雑であり、生産
性が低く、また、一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）て示されるフ
タロシアニン系化合物は、従来の有機薄膜層を有する光
学記録媒体に用いられている有機色素に較へ２通常の有
機溶媒に対する溶解性がはるかに高いのてスピンコータ
ーなとを用いる塗布法か最も有利である。塗布法によっ
て記録層である有機薄膜層を形成する場合には、フタロ
シアニン系化合物をアルコール類、ケトン類、アミド類
、スルホキシド類、エーテル類１エステル類２脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類なと通常の有機
溶媒に分散または溶解して塗布する。このとき、必要に
応じて、高分子バインダーを加えてもよい。

高分子バインダーとしては、塩化ビニル系樹脂アクリル
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニ
ル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂なとかあ
けられる。高分子バインダーを用いる場合、フタロシア
ニン系化合物に対する高分子バインダーの比率は１０重
量９６以下が好ましい。

また９本発明において、フタロシアニン系化合物に、他
の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用することも
てきる。混合して使用できる色素としては、すてに公知
の２例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体、ナフタロシアニン系錐体、ス
クアリウム系色素、ナフトキノン系錯体、アントラキノ
ン系色素やポリメチン系色素なとかあげられる。

基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有する記
録層の厚さは、１０μｍ以下、好ましくは５００人〜２
μｍである。また、塗布した後クロロホルム　テトラヒ
ドロフラン　トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさらすこ
とによって２有機薄膜層の吸収波長か長波長側にシフト
し、半導体レーザーの発振波長域の光に対する感度をい
ちじるしく向上させることができる場合もある。

また、これらの記録層を保護するために、Ａｌ２Ｏ３、
ＳｉＣ２，ｓｉｏ、ＳｎＯなとの無機化合物を蒸着して
保護層としてもよい。また、保護層として、高分子を塗
布してもよい。

また、記録層の反射レベルを高くするために記録層の上
に、金、銀、銅、白金、アルミニウムコバルト、スズ等
の金属、ＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｓｎ○２等の金属酸化物、　
Ｓ　Ｉ　Ｎ、＋　、　Ａ　］　Ｎ、Ｔ　ｉ　Ｎ等の窒化
物、および、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓなどを含むカルコゲン化合
物等の反射膜を設けてもよい。

上記のようにして得られた記録媒体−＼の記録は基板上
に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光、好
ましくは半導体レーザー光を照射することにより行なわ
れる。記録層のレーザー光の照射された部分は、レーザ
ーエネルギーの吸収による分解、蒸発、溶融などの熱的
な状態変化が生じる。再生は、熱的な変化を生じた部分
と生じていない部分との反射率の差を読み取ることによ
って行なわれる。一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニ
ン系化合物は、従来の有機薄膜層を有する光学記録媒体
に用いられている有機色素に較べ、記録前後の反射率の
差かきわめて大きいので、きわめて有利である。

また、レーザーとしてはＨｅ−Ｎｅレーザー。

Ａｒレーザー、半導体レーザーなどの各種レーザーを用
いることかできるが２価格、大きさの点て半導体レーザ
ーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、中心波長
８３０部ｍ、　　７８０部ｍおよびそれより短波長のレ
ーザーを使用することができる。

（実　施　例）つぎに２本発明を実施例によりさらに具体的に説明する
。なお１例中９部とは重量部を表わす。

製　造　例　１　フタロシアニン系化合物（ａ〜（ａ４
）の製造キノリン５０部に１下記構造式て示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１８０〜２００’Ｃて３時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドて洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン系化合物７゜０部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、２．４−ジニトロベンゼンスルフェニルクロ
リド５０部、トリーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン
３００部を１１５°Ｃて２時間加熱撹拌した後、冷却し
、５９６塩酸１０００部にて希釈し１口過し、メタノー
ル洗浄し、８０°Ｃて乾燥してフタロンアニン系化合物
（ａｌ）〜（Ｃ４の混合物２．８部を得た。

製　造　例　２　フタロシアニン系化合物（ｂｌ）〜（
ｂ４）の製造キノリン５０部に、下記構造式て示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、　　１８０〜２００’Ｃテ３時
間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒドロキシシ
リコンフタロシアニン系化合物６゜５部を得た。

得られたジヒドロキンシリコンフタロンアニン系化合物
５．０部、ｎ−プロパンスルフェニルクロリド５０部、
トリーｎ−ブチルアミン５０部、ピリシン３００部を１
１５°Ｃて２時間加熱撹拌した後、冷却し、５９６塩酸
１０００部にて希釈し９口過し、メタノール洗浄し、８
０’Ｃて乾燥してフタロンアニン系化合物（ｂ、）〜（
ｂ４）の混合物２．６部を得た。

製　造　例　３・フタロシアニン系化合物（ｃｌ）〜（
Ｃ３）の製造て示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドて洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコ
ンフタロンアニン系化合物７゜３部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、フェニルスルフィン酸クロリド５０部、トリ
ーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３０！］部を１＋
５°Ｃて２時間加熱撹拌した後冷却し、５９６塩酸１０
００部て希釈し１口過し。

メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物（Ｃ１）〜（Ｃ４）の混合物２．９部を得た。

製　造　例　４　フタロシアニン系化合物（ｄ、　）〜
（Ｃ４）の製造キノリン５０部に、下記構造式て示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドて洗浄し、乾燥して。

ジヒドロキシシリコンフタロンアニン系化合物６゜６部
を得た。

得られたジヒ１くロキシシリコンフタロシアニン系化合
物５．０部、ペンセンスルホニルクロリド５０部、トリ
ーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１５
°Ｃて２時間加熱撹拌した後、冷却し、５０６塩酸１０
００部で希釈し１口過し、メタノール洗浄し、８０℃で
乾燥してフタロシアニン系化合物（ｄｌ）〜（Ｃ４）の
混合物２．５部を得た。

製　造　例　５　フタロシアニン系化合物（ｅｌ）〜（
Ｃ４）の製造て示されるイソインドリン化合物７８８部および四塩化
ゲルマニウム５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３
時間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し２　メタノールおよ
びジメチルホルムアミドて洗浄し、乾燥して、ジヒドロ
キノケルマニウムフタロンアニン系化合物６．０部を得
た。

得られたジヒトロキシケルマニウムフタロンアニン系化
合物５．０部、ｎ−ブチルスルフェン酸りロリド５０部
２　トリーｎ−ブチルアミン５０部ピリジン３００部を
１１５°Ｃて２時間加熱撹拌した後、冷却し５５％塩酸
１．０００部で希釈し１　口過し、メタノール洗浄し、
８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｅｌ）〜（
ｅ４）の混合物２．５部を得た。

製　造　例　６：フタロシアニン系化合物（ｆｌ）〜（
ｆ、）の製造ばで示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
スズ（ＩＶ）５．０部を加え　１８０〜２００°Ｃて３
時間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよび
ジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥して、ジヒドロキ
スズフタロシアニン系化合物６゜６部を得た。

得られたジヒドロキスズフタロシアニン系化合物５，０
部、シクロヘキサンスルフェニルクロリＦ５０部、１〜
リーη−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１
５°Ｃて２時間加熱撹拌した後冷却し、５％塩酸１００
０部で希釈し１口過し。

メタノール洗浄し、８０°Ｃて乾燥してフタロシアニン
系化合物（ｆｌ）〜（ｆ４）の混合物２．７部を得ノこ
。

製　造　例　７：フタロシアニン系化合物（ｇｌ）〜（
ｇ４）の製造キノリン５０部に、下記構造式て示されるイソインドリン化合物７．８部および塩化ア
ルミニウム５．０部を加え　１８０〜２００°Ｃて３時
間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドで洗浄し、乾燥して、ジヒドロキア
ルミニウムフタロシアニン系化合物６．９部を得た。

得られたジヒドロキアルミニウムフタロシアニン系化合
物部５．０．ジエチルアミンスルホニルクロリド２５部
１トリーローブチルアミン５０部ピリジン３００部を１
１５°Ｃて２時間加熱撹拌した後、冷却し、５％塩酸１
０００部で希釈し９口過し、メタノール洗浄し、８０°
Ｃて乾燥してフタロシアニン系化合物（ｇｌ）〜（ｇ、
）の混合物３．０部を得た。

製　造　例　８・フタロシアニン系化合物（ｈｌ）〜（
ｈ、ｌ’）の製造て示されるイソインドリン化合物７．８部および＝塩化
ガリウム５．０部を加え２１８０〜２００°Ｃて３時間
加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメ
チルホルムアミドて洗浄し、乾燥して　ヒドロキガリウ
ムフタロンアニン系化合物６．５部を得た。

得られたヒドロキガリウムフタロシアニン系化合物５．
０部、クロロスルフィン酸２５部、　　ｌ−リｎ−ブチ
ルアミン５０部、ピリジン３００部を１１５°Ｃて２時
間加熱撹拌した後、冷却し２５％塩酸１０００部て希釈
し１口過し、メタノール洗浄し、８０°Ｃて乾燥してフ
タロシアニン系化合物（ｈｌ）〜（ｈ４）の混合物２．
４部を得た。

製　造　例　９：フタロシアニン系化合物（１，）〜（
ｉ、）の製造キノリン５０部に、下記構造式て示されるイソインドリン化合物７．８部および＝塩化
インジウム５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３時
間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドて洗浄し、乾燥して、ヒドロキシイ
ンジウムフタロシアニン系化合物６．５部を得た。

得られたヒＩ・ロギシインジウムフタロシアニン系化合
物５．０部、アセチルスルフェニルクロリド２５部、　
　ｌ−ソーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部
を１１５°Ｃで２時間加熱撹拌した後冷却し、５％塩酸
１０００部で希釈し１口過しメタノール洗浄し、８０℃
で乾燥してフタロシアニン系化合物（１１）〜（１４）
の混合物２．３部を得た。

実施例１ガラス製基板上に、スピンコータにて、フタロシアニン
系化合物（ａｌ）〜（ａｌ）の混合物３゜０部とクロロ
ホルム９７．０部とからなる溶液を滴下した後、１２０
Ｏｒｐｍの速度で２０秒間回転させ、８０°Ｃて２０分
間乾燥させて光学記録媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層は２厚さ７８０人、最大
吸収波長が７１５ｎｍ、波長７８０ｎｍの光に対する反
射率か３８％であった。

得られた光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、
ターンテーブルを１．８００ｒｐｍて回転させながら、
１．０μｍに集束した７８０ｎｍのレーザー光を５ｍＷ
、８ＭＨｚで照射して記録を行なった。

記録後の光学記録媒体の表面を走査型電子顕微鏡で観察
したところ、鮮明なピットの形成か認められた。また、
得られた光学記録媒体に７８０ｎｍＯ，４ｍＷのＩノ−
サー光を照射し９反射光の検出を行なったところ、Ｃ／
Ｎ比か４２ｄＢであった。

実施例２ポリカーボネート樹脂製基板」二に、スピンコータにて
、フタロシアニン系化合物（ｂｌ）〜（ｂ４）の混合物
２．５部とメチルセロソルブ９７．５部とからなる溶液
を滴下した後、８００ｒｐｍの速度て３０秒間回転させ
、減圧下８０°Ｃて１５分間乾燥させて光学記録媒体を
得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ８５０人、最大
吸収波長か７２０　ｎｍ、波長７８０ｎｍの光に対する
反射率か４０９６であった。

また、得られた光学記録媒体に、実施例１ど同様にして
記録を行なったところ、記録層表面に鮮明なピット形成
が認められ、また、Ｃ／Ｎ比は４３ｄＢてあ　っ　ノこ
。

実施例３〜９ガラス製基板上に１表１に示すフタロシアニン系化合物
を、実施例１と同様にして塗布し、乾燥させて光学記録
媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層の最大吸収波長および波
長７８０ｎｍの光に対する反射率、および得られた光学
記録媒体に実施例１と同様な記録再生を行なったときの
Ｃ／Ｎ比を表１に示す。

（以下余白）表実施例１Ｏ厚さ］、、１８ｍｍ、外径］、２０ｍｍ、内径１５ｍｍ
のアクリル基板上にフォトポリマーを厚さｏ、０２ｍｍ
で塗布し、これにスタンパ−を押しっけ高圧水銀灯によ
り硬化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範囲に０
．８μｍピッチのスパイラルグ＝５８ループを形成した。

このディスク基板上に、スピンコータにて、フタロシア
ニン系化合物（ａ、）〜（ａ、）の混合物２．０部とク
ロロホルム９８．０部とからなる溶液を滴下した後、６
００ｒｐｍの速度で３０秒間回転させ、７０°Ｃて３０
分間乾燥させて、記録膜厚み１２００人の光学記録媒体
を得た。

ついで、塗布した記録膜上に、スパッタリングにより、
膜厚８００人の金を成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。

このようにして作成した光ディスクを用い７８０ｎｍの
半導体レーザーを使用して、線速１．２〜１．４ｍ／ｓ
ｅｃで８．０ｍＷの記録パワーでＥＦＭ−ＣＤフォーマ
ツＩ・信号で記録したところ記録が可能てあった。記録
されたピット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔０．
９〜３．３μｍである。

次に、この信号をＣＤプレーヤーにより、線速１、２〜
１．４ｍ／　ｓ　ｅ　ｃ、再生レーザー信号０．５ｍＷ
で再生を行ったところ得られた再生信号は良好てあり、
市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった。

実施例１１厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｒｎｍの
アクリル基板上にフォトポリマーを厚さ０．０２ｍｍで
塗布し、これにスタンパ−を押しつけ高圧水銀灯により
硬化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範囲に０．
８μｍピッチのスパイラルグループを形成した。

このディスク基板上に、スピンコータにて、フタロシア
ニン系化合物（ｄｊ）〜（ｄ、）の混合物１．２部とジ
クロルエタン９８．８部とからなる溶液を滴下した後、
１２００ｒｐｍの速度て２０秒間回転させ、８０℃で２
０分間乾燥させて、記録膜厚み１０００人の光学記録媒
体を得た。

このようにして作成した光ディスクを用い６３３ｎｍの
Ｈｅ−Ｎｅレーザーを使用して、線速ｌ。

２〜１．４ｍ／ｓ　ｅ　ｃで７．０ｍＷの記録パワーて
ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号で記録したところ記録が
可能であった。記録されたピット列は、長さ０．９〜３
．３μｍ、間隔０．９〜３．３μｍである。

次に、この信号をＣＤプレーヤーにより、線速１．２〜
１．４ｍ／ｓｅｃ、再生レーザー信号０．５ｍＷで再生
を行ったところ得られた再生信号は良好であり、市販の
ＣＤプレーヤーに十分かかるレベルてあった。

〔発明の効果〕

本発明の光学記録媒体に用いられるフタロシアニン系化
合物は、前記のような通常の有機溶媒への溶解性が、き
わめて高いのて、これらの有機溶媒に溶解させて、生産
性や作業性のよい塗布法により基板」二に有機薄膜層と
して設けることかでき本発明の光学記録媒体は、レーザ
ー光線による記録前後の反射率の差がきわめて大きいた
め感度が高く、高感度の記録再生が可能であり、また、
化学的、物理的にも安定でである。

６■

Claims

【特許請求の範囲】１、基板上に、下記一般式〔Ｉ〕〜〔IV〕で示されるフ
タロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を含有する
有機薄膜層を設けてなる光学記録媒体。一般式〔Ｉ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、または
Ｓｎを表わす。Ｑは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ＾１、−Ｓ
Ｒ＾２、−ＣＯＯＲ＾３、▲数式、化学式、表等があり
ます▼ −ＮＨＣＯＲ＾１＾２、−Ｎ＝ＮＲ＾１＾３、または−
Ｎ＝ＣＨＲ＾１＾４を表わす。Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ
＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０およびＲ＾１＾１は
、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子
、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有し
ていてもよいアリール基、置換基を有していてもよいア
シル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
または置換基を有していてもよいポリエーテル基を表わ
し、または、Ｒ＾６とＲ＾７とで、Ｒ＾８とＲ＾９とで
、あるいはＲ＾１＾０とＲ＾１＾１とで、４〜７員環を
形成していてもよく、これらの４〜７員環は、さらに窒
素原子、酸素原子、またはいおう原子を含む複素環であ
ってもよい。Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３およびＲ＾１＾４は、互いに同
一であっても異なっていてもよく、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
、または置換基を有してもよいアリール基を表わす。Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ＾１＾５、
−ＳＲ＾１＾６、−ＣＯＯＲ＾１＾７、▲数式、化学式
、表等があります▼ −ＮＨＣＯＲ＾２＾６、−Ｎ＝ＮＲ＾２＾７、または−
Ｎ＝ＣＨＲ＾２＾８を表わす。Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８．Ｒ
＾１＾９、Ｒ＾２＾０、Ｒ＾２＾１、Ｒ＾２＾２、Ｒ＾
２＾３、Ｒ＾２＾４およびＲ＾２＾５は、互いに同一で
あっても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有し
ていてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいア
リール基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基
を有していてもよいシクロアルキル基、または置換基を
有していてもよいポリエーテル基を表わし、または、Ｒ
＾２＾０とＲ＾２＾１とで、Ｒ＾２＾２とＲ＾２＾３と
で、あるいはＲ＾２＾４とＲ＾２＾５とで、４〜７員環
を形成していてもよく、これらの４〜７員環は、さらに
窒素原子、酸素原子、またはいおう原子を含む複素環で
あってもよい。Ｒ＾２＾６、Ｒ＾２＾７およびＲ＾２＾８は、互いに同
一であっても異なっていてもよく、置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
、または置換基を有してもよいアリール基を表わす。Ｙは、▲数式、化学式、表等があります▼、または ▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。Ｚは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有し
てもよいアルキル基、−Ｏ−Ｓ−Ｒ＾３＾２、▲数式、
化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
があります▼を表わす。Ｒ＾２＾９、Ｒ＾３＾０、Ｒ＾３＾１、Ｒ＾３＾２、Ｒ
＾３＾３およびＲ＾３＾４は、互いに同一であっても異
なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキル
基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有
していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいシ
クロアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ
基、置換基を有していてもよいアリロキシ基、置換基を
有していてもよいポリエーテル基、置換基を有していて
もよいアミノ基、水酸基、またはハロゲン基を表わす。Ｗは、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＴｅを表わす。ｇ、ｈ、ｉ、ｊは、それぞれ独立に０〜２の整数を表わ
す。ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、はそれぞれ独立に０〜４の整数を表わ
す。ｐは、０または１を表わす。〕