JPH0437129A - Etching and device thereof - Google Patents
Etching and device thereofInfo
- Publication number
- JPH0437129A JPH0437129A JP14361390A JP14361390A JPH0437129A JP H0437129 A JPH0437129 A JP H0437129A JP 14361390 A JP14361390 A JP 14361390A JP 14361390 A JP14361390 A JP 14361390A JP H0437129 A JPH0437129 A JP H0437129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etched
- chamber
- etching
- reaction gas
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- WHBHBVVOGNECLV-OBQKJFGGSA-N 11-deoxycortisol Chemical compound O=C1CC[C@]2(C)[C@H]3CC[C@](C)([C@@](CC4)(O)C(=O)CO)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 WHBHBVVOGNECLV-OBQKJFGGSA-N 0.000 abstract 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 43
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造などに用いられるドライエツチングに
関し、
エツチング量の細かい制御を可能にさせるエツチング方
法及びそれを行うエツチング装置の捷供を目的とし、
方法においては、被エツチング体に解離吸着する反応ガ
スを用い、被エツチング体の温度を反応ガスが解離吸着
し且つ該解離吸着による反応生成物が離脱しない温度に
保持して、被エツチング体の雰囲気として反応ガスを導
入する工程と、該反応ガスを除去して被エツチング体に
パルス状の電子線を照射する工程とを、交互に繰り返す
ように構成し、また、前記電子線の照射は、被エツチン
グ体のエツチングするべき領域に選択的に行うように構
成し、装置においては、エツチング室となるチャンバと
、該チャンバ内を真空に排気する排気手段と、該チャン
バ内に反応ガスを導入するガス供給手段と、該チャンバ
内にあって被エツチング体を載置し且つ該エツチング体
の温度を制御可能なステージと、該ステージ上の被エツ
チング体にパルス状の電子線を照射する電子銃とを有す
るように構成し、また、前記電子銃は、電子線の照射が
被エツチング体の選択された領域に限定可能なものであ
るように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to dry etching used in the manufacture of semiconductor devices, etc., and aims to provide an etching method that enables fine control of the amount of etching, and an etching apparatus for performing the same. , using a reaction gas that dissociates and adsorbs to the object to be etched, and maintaining the temperature of the object to be etched at a temperature at which the reaction gas dissociates and adsorbs and does not release the reaction product due to the dissociation and adsorption, and uses the reaction gas as the atmosphere of the object to be etched. The step of introducing the reaction gas and the step of removing the reaction gas and irradiating the object to be etched with a pulsed electron beam are alternately repeated, and the irradiation with the electron beam The apparatus is configured to perform etching selectively on areas to be etched, and includes a chamber serving as an etching chamber, an exhaust means for evacuating the inside of the chamber, and a gas supply means for introducing a reaction gas into the chamber. , a stage disposed in the chamber on which an object to be etched is placed and the temperature of the object to be etched can be controlled; and an electron gun for irradiating the object to be etched on the stage with a pulsed electron beam. The electron gun is configured such that the electron beam irradiation can be limited to a selected region of the object to be etched.
本発明は、エツチング方法及びそれを行うエツチング装
置に係り、特に、半導体装置の製造などに用いられるド
ライエツチングに関する。The present invention relates to an etching method and an etching apparatus for performing the same, and particularly to dry etching used in the manufacture of semiconductor devices.
半導体装置の製造におけるウェーハプロセスでは、パタ
ーン形成などにエツチングが多用され、近年はドライエ
ツチングが主流となっている。そして、半導体装置の高
集積化や高性能化に伴い、そのエツチングは高精度に制
御されることが望まれてきている。In the wafer process for manufacturing semiconductor devices, etching is often used for pattern formation, and in recent years dry etching has become mainstream. As semiconductor devices become more highly integrated and performant, it is desired that their etching be controlled with high precision.
（従来の技術〕
従来のドライエツチングでは、Ｆ、 Ｃ／！系の反応
ガスを用いたＲＩＥ （反応性イオンエツチング）が冨
用されている。(Prior Art) In conventional dry etching, RIE (reactive ion etching) using F, C/!-based reactive gases is widely used.
このエンチングは、被エツチング体となる基板の雰囲気
として反応ガスを導入し、そのガスをプラズマ化して基
板をエツチングするものである。This etching involves introducing a reactive gas into the atmosphere of the substrate to be etched, turning the gas into plasma, and etching the substrate.
そして、抜きパターンを設けたマスクを基板にかけてお
くことにより、基板の露出領域を選択的にエツチングし
て基板にパターンを形成することができる。By applying a mask provided with a punched pattern to the substrate, exposed areas of the substrate can be selectively etched to form a pattern on the substrate.
（発明が解決しようとする課題〕
しかしながら上記エツチングは、プラズマの発生に伴い
基板にダメージを与え、然も、エンチング量の高精度な
制御が困難である。更に、そのエツチング量は、ローデ
ィング効果（パターンで決まるエツチング面積の大小に
よる効果）によっても影響される。(Problems to be Solved by the Invention) However, the above etching damages the substrate due to the generation of plasma, and it is difficult to control the amount of etching with high precision.Furthermore, the amount of etching is affected by the loading effect ( It is also affected by the size of the etching area determined by the pattern.
これは、エツチング過程として考えられている素過程、
即ち、反応種の基板への吸着→基板との反応→反応生成
物の基板からの離脱、が制御されない状態でエツチング
が進行するためである。This is an elementary process considered as an etching process.
That is, etching progresses in an uncontrolled manner in which the adsorption of reactive species to the substrate→reaction with the substrate→detachment of reaction products from the substrate is uncontrolled.
そこで本発明は、半導体装置の製造などに用いられるド
ライエツチングに関して、エツチング量の高精度な制御
を可能にさせるエツチング方法及びそれを行うエツチン
グ装置の提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an etching method and an etching apparatus for performing the dry etching method that enables highly accurate control of the etching amount in dry etching used in the manufacture of semiconductor devices.
上記目的を達成するために、本発明のエツチング方法は
、被エツチング体に解離吸着する反応ガスを用い、被エ
ツチング体の温度を反応ガスが解離吸着し且つ該解離吸
着による反応生成物が離脱しない温度に保持して、被エ
ツチング体の雰囲気として反応ガスを導入する工程と、
該反応ガスを除去して被エツチング体にパルス状の電子
線を照射する工程とを、交互に繰り返すことを特徴とし
ている。前記電子線の照射は、被エツチング体のエツチ
ングするべき領域に選択的に行うようにしても良い。In order to achieve the above object, the etching method of the present invention uses a reaction gas that dissociates and adsorbs to the object to be etched, and the reaction gas dissociates and adsorbs the temperature of the object to be etched, and the reaction product due to the dissociative adsorption does not leave. a step of maintaining the temperature and introducing a reactive gas as an atmosphere of the object to be etched;
The method is characterized in that the steps of removing the reaction gas and irradiating the object to be etched with a pulsed electron beam are alternately repeated. The electron beam irradiation may be selectively applied to a region of the object to be etched.
また、本発明のエツチング装置は、エツチング室となる
チャンバと、該チャンバ内を真空に排気する排気手段と
、該チャンバ内に反応ガスを導入するガス供給手段と、
該チャンバ内にあって被エツチング体を載置し且つ該エ
ツチング体の温度を制御可能なステージと、該ステージ
上の被エツチング体にパルス状の電子線を照射する電子
銃と、を有することを特徴としている。前記電子銃は、
電子線の照射が被エツチング体の選択された領域に限定
可能なものであるようにしても良い。Further, the etching apparatus of the present invention includes a chamber serving as an etching chamber, an exhaust means for evacuating the inside of the chamber, and a gas supply means for introducing a reaction gas into the chamber.
The method includes a stage located in the chamber on which an object to be etched is placed and the temperature of the object to be etched can be controlled, and an electron gun that irradiates the object to be etched on the stage with a pulsed electron beam. It is a feature. The electron gun is
The electron beam irradiation may be limited to selected areas of the object to be etched.
このエツチング方法は、反応ガスがプラズマ化すること
なく被エツチング体に吸着して被エツチング体と反応し
、且つその反応生成物が被エツチング体から離脱しない
でいる工程と、その反応生成物を電子線の照射により被
エツチング体から離脱させる工程とに分離されているの
で、エツチング量の高精度な制御が可能である。然も、
その制御ではローデイグ効果を勘案する必要がない。This etching method consists of a step in which the reaction gas is adsorbed onto the object to be etched and reacts with the object to be etched without turning into plasma, and the reaction product is not separated from the object to be etched; Since the step of removing the etching object from the object to be etched by irradiating the beam is separated, the amount of etching can be controlled with high accuracy. Of course,
In this control, there is no need to take into account the loading effect.
反応生成物の離脱は、照射された電子線の作用によるも
のであり、電子線の照射が引き起こす加熱によるもので
はない、むしろその加熱による被エツチング体の昇温か
望ましくないので、電子線の照射をパルス状にしてその
昇温を抑えている。The separation of reaction products is due to the action of the irradiated electron beam, and is not due to the heating caused by the irradiation of the electron beam.In fact, the heating causes the object to be etched to rise, which is undesirable. The temperature rise is suppressed by pulsing.
また、電子線を被エツチング体のエツチングするべき領
域に選択的に照射するようにすれば、反応生成物の離脱
が該領域に限られて、被エツチング体にマスクをかける
ことなくパターンを形成することかできる。Furthermore, if the electron beam is selectively irradiated to the region of the object to be etched, the reaction products will be separated only from the region, and a pattern can be formed without masking the object. I can do it.
そしてエツチング装置は、ステージが被エツチング体を
所定の温度に保持し、ガス供給手段が被エツチング体の
雰囲気とする反応ガスを導入し、排気手段が該反応ガス
を除去し、電子銃が上記のように電子線を照射すること
ができるので、上述のエツチング方法を行うことができ
る。In the etching apparatus, the stage holds the object to be etched at a predetermined temperature, the gas supply means introduces a reaction gas to create an atmosphere of the object to be etched, the exhaust means removes the reaction gas, and the electron gun performs the above-mentioned process. Since the electron beam can be irradiated in this manner, the above-described etching method can be performed.
以下本発明の実施例について第１図及び第２図を用いて
説明する。第１図は方法第１実施例を行う装置第１実施
例の構成図、第２図は方法第２実施例を行う装置第２実
施例の構成図、である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of an apparatus for carrying out the first embodiment of the method, and FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the apparatus for carrying out the second embodiment of the method.
装置第１実施例を示す第１図において、１はチャンバ、
２は排気手段、３はガス供給手段、４はステージ、５は
電子銃、６はゲートパルプ、Ｓは被エツチング体となる
基板、である。In FIG. 1 showing the first embodiment of the apparatus, 1 is a chamber;
2 is an exhaust means, 3 is a gas supply means, 4 is a stage, 5 is an electron gun, 6 is a gate pulp, and S is a substrate to be etched.
チャンバ１は、エツチング室となるものである。Chamber 1 serves as an etching chamber.
排気手段２は、チャンバ１内を１０−’Ｔｏｒｒ程度の
高真空に排気する真空ポンプ系である。The evacuation means 2 is a vacuum pump system that evacuates the chamber 1 to a high vacuum of about 10-' Torr.
ガス供給手段３は、チャンバ１内に反応ガスを所定の圧
力に随時に導入することができるガス供給系である０反
応ガスには基板Ｓに解離吸着して基板Ｓと反応するガス
（ここではＦ、）を用い、上記圧力は１０−’〜１０−
”Ｔｏｒｒ程度である。The gas supply means 3 is a gas supply system that can introduce a reaction gas into the chamber 1 at a predetermined pressure at any time. F,), and the above pressure is 10-' to 10-
“It is about Torr.
ステージ４は、チャンバｌ内にあって基板Ｓを載置し且
つ基板１の温度を所定の温度に保持するものである。こ
の温度は、反応ガス（Ｆ２）が基板Ｓに解離吸着し且つ
その吸着による反応生成物が基板Ｓから離脱しない温度
（ここでは−１００℃）である。The stage 4 is located inside the chamber 1, and is used to place the substrate S and maintain the temperature of the substrate 1 at a predetermined temperature. This temperature is the temperature at which the reaction gas (F2) is dissociated and adsorbed onto the substrate S, and the reaction product resulting from the adsorption does not leave the substrate S (herein -100°C).
電子銃５は、チャンバ１外からチャンバ１の窓（ゲート
パルプ６の部分）を通してステージ４上の基板Ｓの全面
にパルス状の電子線を照射するものである。電子線をパ
ルス状にするのは、電子銃５の電子引出し電極に印加す
る電圧の制御によってなされ、パルス幅は０．１μ秒、
パルス周期は０．１秒である。また、電子線の強度は１
０−’ Ａ ／ｌｄである。The electron gun 5 irradiates the entire surface of the substrate S on the stage 4 with a pulsed electron beam from outside the chamber 1 through the window of the chamber 1 (portion of the gate pulp 6). The electron beam is made into a pulse by controlling the voltage applied to the electron extraction electrode of the electron gun 5, and the pulse width is 0.1 μsec.
The pulse period is 0.1 seconds. Also, the intensity of the electron beam is 1
0-'A/ld.
ゲートパルプ６は、前記窓を開閉するものであり、チャ
ンバ１に反応ガスを導入する際に閉じて電子銃５を反応
ガスから保護する。The gate pulp 6 opens and closes the window, and closes when a reactive gas is introduced into the chamber 1 to protect the electron gun 5 from the reactive gas.
方法第１実施例による基板Ｓのエツチングは、上記エツ
チング装置を用いて次のように行う。Etching of the substrate S according to the first embodiment of the method is carried out as follows using the above-mentioned etching apparatus.
■ マスクをかけた基板Ｓをステージ４上に載置する。■ Place the masked substrate S on the stage 4.
基板１は一１００°Ｃになりその温度に維持される。ゲ
ートパルプ６は閉じておく。The substrate 1 is brought to -100°C and maintained at that temperature. Gate pulp 6 is kept closed.
■ 排気手段２を作動させてチャンバ１内を１０−’Ｔ
ｏｒｒ程度の高真空にする。■ Operate the exhaust means 2 to make the inside of the chamber 1 10-'T.
Create a high vacuum of about orr.
■ ガス供給手段３により反応ガスのＦ２をチャンバ１
内に１０−Ｓ〜１０− ”Ｔｏｒｒ程度の圧力となるよ
うに導入する。導入時間は１秒程度とする。これにより
、反応ガスが基板Ｓに解離吸着し、基板Ｓの表面に反応
生成物の薄層が形成される。■ Reactant gas F2 is supplied to chamber 1 by gas supply means 3.
The reaction gas is introduced so that the pressure is about 10-S to 10-'' Torr.The introduction time is about 1 second.As a result, the reaction gas is dissociated and adsorbed onto the substrate S, and reaction products are formed on the surface of the substrate S. A thin layer of is formed.
■ チャンバ１内の圧力が再度１０”’丁ｏｒｒ程度に
なったところで（所要時間は数〜数１０秒）、ゲートパ
ルプ６を開き、電子銃５からパルス状の電子線を基板１
に照射する。照射時間は５秒程度とする。これにより、
本実験の電流強度では、上記反応生成物が基板Ｓから離
脱する。基板Ｓ本体から見れば、マスクの抜きパターン
で露出している領域が上記薄層の一層分だけエツチング
された状態となる。そのエツチング量は、基板ＳがＳｉ
の場合約５人である。■ When the pressure inside the chamber 1 becomes about 10"' orr again (the required time is several to tens of seconds), the gate pulp 6 is opened and a pulsed electron beam is sent from the electron gun 5 to the substrate 1.
irradiate. The irradiation time is about 5 seconds. This results in
At the current intensity of this experiment, the reaction product detaches from the substrate S. When viewed from the main body of the substrate S, the area exposed by the punched pattern of the mask is etched by one layer of the thin layer. The amount of etching is such that the substrate S is Si.
In the case of , it is about 5 people.
以下、エツチング量が所望に達するまで■と■の工程を
繰り返す、その後は、チャンバ１内を常圧に戻して基板
Ｓを取り出し、マスクを除去すれば良い。Thereafter, steps 1 and 2 are repeated until the desired amount of etching is reached. After that, the pressure inside the chamber 1 is returned to normal pressure, the substrate S is taken out, and the mask is removed.
このようにして、方法第１実施例では、基板Ｓにマスク
の抜きパターンを基にしたパターンを形成するエツチン
グにおいて、エツチング量の高精度な制御が可能となる
。いうまでもなく、マスクを用いないで基板Ｓの全面を
エツチングする場合にも、エツチング量の制御は同様で
ある。In this way, in the first embodiment of the method, in etching to form a pattern on the substrate S based on the punched pattern of the mask, it is possible to control the amount of etching with high precision. Needless to say, the etching amount can be controlled in the same way even when the entire surface of the substrate S is etched without using a mask.
なおこのエツチング装置は、基板Ｓの出し入れの際にチ
ャンバ１内を常圧に戻すものであるが、周知のロードロ
ツタを設ければ真空のままで基板Ｓの出し入れが可能と
なる。Note that this etching apparatus returns the inside of the chamber 1 to normal pressure when the substrate S is taken in and taken out, but if a well-known load rotor is provided, the substrate S can be taken in and taken out in a vacuum state.
次に、装置第２実施例を示す第２図において、このエツ
チング装置は、上述したエツチング装置の電子銃５を電
子銃７に変えたものである。Next, in FIG. 2 showing a second embodiment of the apparatus, this etching apparatus is obtained by replacing the electron gun 5 of the above-mentioned etching apparatus with an electron gun 7.
電子銃７は、電子銃５に電子線制御系７ａを付加したも
のであり、チャンバ１外からチャンバ１の窓（ゲートバ
ルブ６０部分）を通してステージ４上の基板Ｓにパルス
状の電子線を照射し、その照射が基板Ｓの選択された領
域に限定可能である。The electron gun 7 is an electron beam control system 7a added to the electron gun 5, and irradiates the substrate S on the stage 4 with a pulsed electron beam from outside the chamber 1 through the window (gate valve 60 part) of the chamber 1. However, the irradiation can be limited to selected areas of the substrate S.
即ち、電子線制御系７ａは、電子銃５に相当する部分か
ら出射する電子線を基板Ｓ上に集束させ、且つ、その集
束した照射点が基板Ｓ上で任意に描画する偏向と基板Ｓ
上から外れるブランキングとを行わせるものである。こ
の電子線制御系７ａは、電子ビーム露光装置などに用い
られて周知である。That is, the electron beam control system 7a focuses the electron beam emitted from the part corresponding to the electron gun 5 onto the substrate S, and also controls the deflection and the substrate S so that the focused irradiation point is arbitrarily drawn on the substrate S.
This allows blanking to be performed from above. This electron beam control system 7a is used in an electron beam exposure apparatus and is well known.
電子線のパルス幅及びパルス周期は電子銃５と同様であ
り、電子線の強度は１０−’Ａ／ｃ−である。The pulse width and pulse period of the electron beam are the same as those of the electron gun 5, and the intensity of the electron beam is 10-'A/c-.
方法第２実施例による基板Ｓのエツチングは、上記エツ
チング装置を用いて行い、方法第１実施例と比較して、
基板Ｓにパターンを形成するのにマスクを必要としない
点と、方法第１実施例で述べた■の詳細の点とが異なる
。The etching of the substrate S according to the second method example was performed using the above-mentioned etching apparatus, and compared with the first method example,
This method differs in that no mask is required to form a pattern on the substrate S, and in the details of (2) described in the first embodiment of the method.
その■の詳細は次のようである。The details of ■ are as follows.
即ち、チャンバ１内の圧力が再度ＬＯ−’Ｔｏｒｒ程度
になったところで、ゲートバルブ６を開き、電子銃７か
ら例えば１μ−角に集束させたパルス状の電子線を基板
１に照射する。その際、電子線制御系７ａの制御により
電子線を偏向ないしブランキングさせて、電子線の照射
点が第１実施例の場合にマスクの抜きパターンで露出す
るべき領域を描画で塗り潰すようにする。描画速度は、
本実験で用いた電流条件では０．２μＩＩ／秒程度とす
る。That is, when the pressure within the chamber 1 becomes approximately LO-'Torr again, the gate valve 6 is opened, and the substrate 1 is irradiated with a pulsed electron beam focused at, for example, 1 μ-angle from the electron gun 7. At this time, the electron beam is deflected or blanked under the control of the electron beam control system 7a, so that when the electron beam irradiation point is in the first embodiment, the area that should be exposed by the mask punching pattern is filled in by drawing. do. The drawing speed is
The current conditions used in this experiment are approximately 0.2 μII/sec.
これにより、先に述べた■で薄層に形成された反応生成
物の上記描画領域のみが基板Ｓから離脱する。基板Ｓか
ら見れば、上記マスクの抜きパターンで露出するべき領
域が上記薄層の一層分だけエツチングされた状態となる
。そのエツチング量は、第１実施例の場合と同じである
。As a result, only the drawing area of the reaction product formed in a thin layer in the above-mentioned step (2) is separated from the substrate S. When viewed from the substrate S, the region to be exposed by the punching pattern of the mask is etched by one layer of the thin layer. The amount of etching is the same as in the first embodiment.
そして、次に繰り返す■では、先にエツチングされた領
域のみに新たな反応生成物の薄層が形成される。Then, in the next step (2), a new thin layer of reaction product is formed only in the previously etched area.
このようにして、方法第２実施例では、基板Ｓにパター
ンを形成するエツチングにおいて、マスクが不要となり
、然もエツチング量の高精度な制御が可能となる。In this way, in the second embodiment of the method, a mask is not required during etching to form a pattern on the substrate S, and the amount of etching can be controlled with high precision.
上述の実施例では反応ガスをＦ２にしたが、その反応ガ
スとしては、ＣＬ 、ＨＦ、 ｃＩｚ Ｐｇなどを用
いることができる。また、基板Ｓの温度は使用する反応
ガスに合わせれば良く、電子線の照射条件や各工程のタ
イミングは実施例に限定されることなく適宜に選定すれ
ば良い。In the above embodiment, F2 was used as the reactive gas, but CL, HF, cIz Pg, etc. can be used as the reactive gas. Further, the temperature of the substrate S may be adjusted to the reaction gas used, and the electron beam irradiation conditions and timing of each step may be appropriately selected without being limited to the embodiments.
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の製造
などに用いられるドライエツチングに関して、エツチン
グ量の高精度な制御を可能にさせるエツチング方法及び
それを行うエツチング装置が提供されて、半導体装置の
高集積化や高性能化に伴う高精度エツチングの要請に対
する対応を可能にさせる効果がある。As explained above, according to the present invention, an etching method and an etching apparatus for performing the same are provided, which enable highly accurate control of the amount of etching in dry etching used in the manufacture of semiconductor devices. This has the effect of making it possible to meet the demands for high-precision etching accompanying higher integration and higher performance.
第１図は方法第１実施例を行う装置第１実施例の構成図
、
第２図は方法第２実施例を行う装置第２実施例の構成図
、
である。
図において、
１はチャンバ、
２は排気手段、
３はガス供給手段、
４はステージ、
５．７は電子銃、
６はゲートバルブ、
７ａは電子線制御系、
Ｓは基板（被エツチング体）、
である。
：チャンバ ２：排気手段
：ガス供給手段 ４：ステージ
：電子銃 ６：ゲートバルブ二基板（被エツ
チング体）
方法第１実施例を行う装置第１実施例の構成国策 １
図FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of an apparatus for carrying out the first embodiment of the method, and FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the apparatus for carrying out the second embodiment of the method. In the figure, 1 is a chamber, 2 is an exhaust means, 3 is a gas supply means, 4 is a stage, 5.7 is an electron gun, 6 is a gate valve, 7a is an electron beam control system, S is a substrate (object to be etched), It is. : Chamber 2: Exhaust means: Gas supply means 4: Stage: Electron gun 6: Gate valve 2 substrates (object to be etched) Equipment for carrying out the method 1st embodiment Constituent national policies of the 1st embodiment 1
figure
Claims (1)
離吸着による反応生成物が離脱しない温度に保持して、 被エッチング体の雰囲気として反応ガスを導入する工程
と、 該反応ガスを除去して被エッチング体にパルス状の電子
線を照射する工程とを、 交互に繰り返すことを特徴とするエッチング方法。 ２）前記電子線の照射は、被エッチング体のエッチング
するべき領域に選択的に行うことを特徴とする請求項１
または２に記載のエッチング方法。 ３）エッチング室となるチャンバと、 該チャンバ内を真空に排気する排気手段と、該チャンバ
内に反応ガスを導入するガス供給手段と、 該チャンバ内にあって被エッチング体を載置し且つ該エ
ッチング体の温度を制御可能なステージと、 該ステージ上の被エッチング体にパルス状の電子線を照
射する電子銃と、 を有することを特徴とするエッチング装置。 ４）前記電子銃は、電子線の照射が被エッチング体の選
択された領域に限定可能なものであることを特徴とする
請求項３に記載のエッチング装置。[Scope of Claims] 1) Using a reaction gas that dissociates and adsorbs to the object to be etched, and maintaining the temperature of the object to be etched at a temperature at which the reaction gas dissociates and adsorbs and the reaction product due to the dissociative adsorption does not leave; An etching method characterized by alternately repeating a step of introducing a reactive gas as an atmosphere of an etched object, and a step of removing the reactive gas and irradiating the object to be etched with a pulsed electron beam. 2) The electron beam irradiation is performed selectively on a region of the object to be etched that is to be etched.
Or the etching method described in 2. 3) a chamber serving as an etching chamber; an evacuation means for evacuating the inside of the chamber; a gas supply means for introducing a reaction gas into the chamber; An etching apparatus comprising: a stage capable of controlling the temperature of an etched object; and an electron gun that irradiates a pulsed electron beam onto an etched object on the stage. 4) The etching apparatus according to claim 3, wherein the electron gun is capable of limiting irradiation of the electron beam to a selected region of the object to be etched.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14361390A JPH0437129A (en) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | Etching and device thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14361390A JPH0437129A (en) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | Etching and device thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437129A true JPH0437129A (en) | 1992-02-07 |
Family
ID=15342813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14361390A Pending JPH0437129A (en) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | Etching and device thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437129A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0484429A (en) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Nec Corp | Electron beam excitation dry etching and its device |
| JPH04215433A (en) * | 1990-12-13 | 1992-08-06 | Nec Corp | Formation of micropattern |
| US5352330A (en) * | 1992-09-30 | 1994-10-04 | Texas Instruments Incorporated | Process for producing nanometer-size structures on surfaces using electron beam induced chemistry through electron stimulated desorption |
| US5700628A (en) * | 1994-05-31 | 1997-12-23 | Texas Instruments Incorporated | Dry microlithography process |
| JP2015029072A (en) * | 2013-06-10 | 2015-02-12 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | Electron beam-induced etching |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14361390A patent/JPH0437129A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0484429A (en) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Nec Corp | Electron beam excitation dry etching and its device |
| JPH04215433A (en) * | 1990-12-13 | 1992-08-06 | Nec Corp | Formation of micropattern |
| US5352330A (en) * | 1992-09-30 | 1994-10-04 | Texas Instruments Incorporated | Process for producing nanometer-size structures on surfaces using electron beam induced chemistry through electron stimulated desorption |
| US5700628A (en) * | 1994-05-31 | 1997-12-23 | Texas Instruments Incorporated | Dry microlithography process |
| JP2015029072A (en) * | 2013-06-10 | 2015-02-12 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | Electron beam-induced etching |
| US10304658B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-05-28 | Fei Company | Electron beam-induced etching |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS631097B2 (en) | ||
| US4601778A (en) | Maskless etching of polysilicon | |
| JPH0437129A (en) | Etching and device thereof | |
| JPH01207930A (en) | Surface modification | |
| JPH05190517A (en) | Microscopic pattern forming method | |
| JP3184988B2 (en) | Crystal plane anisotropic dry etching method | |
| JP2694625B2 (en) | Method for etching compound semiconductor substrate and method for manufacturing the same | |
| JPS59165422A (en) | Dry process apparatus | |
| JPH0484429A (en) | Electron beam excitation dry etching and its device | |
| JPS62237733A (en) | Oxidation and apparatus therefor | |
| JP2615070B2 (en) | Etching method | |
| JP2883918B2 (en) | Compound semiconductor pattern formation method | |
| JPH0573052B2 (en) | ||
| JPH04718A (en) | Surface treatment apparatus | |
| JPS63273321A (en) | Removal of resist | |
| JP2728483B2 (en) | Sample post-treatment method and device | |
| JPH03131024A (en) | Semiconductor etching | |
| JPH05136097A (en) | Method and apparatus for fine processing | |
| JPS614224A (en) | Patterned film forming apparatus | |
| JPH04272640A (en) | Focused ion beam etching device | |
| JPS60165723A (en) | Forming method for fine pattern | |
| JPH03107480A (en) | Plasma treating device | |
| JPH02183530A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
| JP3132963B2 (en) | Method of forming silicon oxide film | |
| JPH0472723A (en) | Formation of fine pattern |