JPH04370727A - Manufacture of semiconductor pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、自動車のガソリンタン
ク内のガソリン蒸気圧力、油圧機械の油圧力、各種の水
圧等の測定に用いられる半導体圧力センサの製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor pressure sensor used for measuring gasoline vapor pressure in a gasoline tank of an automobile, hydraulic pressure of a hydraulic machine, various water pressures, and the like.
【０００２】0002
【従来の技術】一般に、半導体圧力センサは、圧力に応
じて変形するダイヤフラム部を形成した感圧チップの表
面にＩＣ（集積回路）の製造と同様の方法でピエゾ抵抗
ゲージを形成したものを用い、この感圧チップに例えば
測定媒体による圧力を印加して、圧力測定を行う。[Prior Art] Semiconductor pressure sensors generally use a pressure-sensitive chip with a diaphragm formed thereon that deforms in response to pressure, and a piezoresistance gauge formed on the surface using a method similar to that used in the manufacture of ICs (integrated circuits). Pressure measurement is performed by applying, for example, pressure from a measurement medium to this pressure-sensitive chip.
【０００３】この半導体圧力センサの前記感圧チップの
ピエゾ抵抗ゲージ部分は、汚染に弱く、汚損により性能
が劣化する可能性がある。このため、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等のように、前記感圧チップのピエゾ抵抗ゲージを汚
染し易い媒体の圧力を測定するための半導体圧力センサ
として、従来は、次のようなものが用いられていた。[0003] The piezoresistive gauge portion of the pressure-sensitive chip of this semiconductor pressure sensor is susceptible to contamination, and contamination may deteriorate its performance. Because of this, contaminated liquid,
Conventionally, as a semiconductor pressure sensor for measuring the pressure of a medium that tends to contaminate the piezoresistive gauge of the pressure sensitive chip, such as a liquid that may itself contaminate the piezoresistive gauge, the following method is used. something was being used.
【０００４】図３に示すものは、ゲージ圧型の正圧型と
称されるタイプの半導体圧力センサであり、金属ベース
１１上に台座１２を介して感圧チップ１３が設けられ、
この感圧チップ１３にリードワイヤ１４を介して外部接
続端子となるリードピン１５が接続されている。感圧チ
ップ１３は、先に述べたように圧力に応じて変形する第
１のダイヤフラム部を形成しており、その表面にピエゾ
抵抗ゲージが形成されている。金属ベース１１および台
座１２には、大気に連通して大気解放路を形成する貫通
孔が形成されている。The one shown in FIG. 3 is a type of semiconductor pressure sensor called a gauge pressure type positive pressure type, in which a pressure sensitive chip 13 is provided on a metal base 11 via a pedestal 12.
A lead pin 15 serving as an external connection terminal is connected to this pressure sensitive chip 13 via a lead wire 14. As described above, the pressure sensitive chip 13 forms a first diaphragm portion that deforms in response to pressure, and a piezoresistance gauge is formed on the surface of the first diaphragm portion. A through hole is formed in the metal base 11 and the pedestal 12 to communicate with the atmosphere and form an atmosphere release path.
【０００５】金属ベース１１の上面側には、台座１２、
感圧チップ１３、およびリードワイヤ１４を収容する凹
部が形成され、この凹部を覆って、台座１２、感圧チッ
プ１３、およびリードワイヤ１４を封入し且つ測定圧力
を直接受ける第２のダイヤフラム部である金属製の受圧
ダイヤフラム１６が設けられる。この受圧ダイヤフラム
１６と金属ベース１１、台座１２および感圧チップ１３
で形成される室内には、受圧ダイヤフラム１６で受けた
圧力を感圧チップ１３へ伝達する圧力媒体、例えば高純
度の油１７が充填される。[0005] On the upper surface side of the metal base 11, a pedestal 12,
A recess for accommodating the pressure-sensitive chip 13 and the lead wire 14 is formed, and a second diaphragm portion that covers this recess encapsulates the pedestal 12, the pressure-sensitive chip 13, and the lead wire 14 and directly receives the measurement pressure. A certain metal pressure receiving diaphragm 16 is provided. This pressure receiving diaphragm 16, metal base 11, pedestal 12 and pressure sensitive chip 13
The chamber formed by the pressure receiving diaphragm 16 is filled with a pressure medium, such as high-purity oil 17, for transmitting the pressure received by the pressure receiving diaphragm 16 to the pressure sensitive chip 13.
【０００６】金属ベース１１は、切削加工あるいはロス
トワックス法により所要の形状に成型され、受圧ダイヤ
フラム１６は、金属ベース１１に溶接され前記凹部の内
部に油１７が封入される。この半導体圧力センサの構造
は、シールダイヤフラム構造と称され、２重のダイヤフ
ラム構造により感圧チップ１３には、間接的に圧力が加
わり、感圧チップ１３が測定媒体に直接接することがな
い。[0006] The metal base 11 is formed into a desired shape by cutting or the lost wax method, the pressure receiving diaphragm 16 is welded to the metal base 11, and oil 17 is sealed inside the recess. The structure of this semiconductor pressure sensor is called a sealed diaphragm structure, and pressure is indirectly applied to the pressure sensitive chip 13 due to the double diaphragm structure, so that the pressure sensitive chip 13 does not come into direct contact with the measurement medium.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３の
ようなシールダイヤフラム構造の半導体圧力センサは、
その構造自体が持つ欠点として、２重のダイヤフラムを
有する構造であり且つ油を充填するために部品点数が増
え、製造コストが高くなり、全体として大型化しがちで
ある。特に、この構造は、金属ベースがハウジングを兼
ねており、形状が複雑であるために、金属ベースの加工
コストが高価になるという問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, a semiconductor pressure sensor with a sealed diaphragm structure as shown in FIG.
The disadvantages of this structure itself are that it has a double diaphragm structure and is filled with oil, which increases the number of parts, increases manufacturing costs, and tends to increase the overall size. In particular, this structure has a problem in that the metal base also serves as a housing and has a complicated shape, resulting in high processing costs for the metal base.
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、汚染された液体、それ自体がピエゾ抵抗ゲー
ジを汚染する可能性がある液体等を圧力媒体とする圧力
の測定に用いて、高い信頼性が得られ、小型で且つ安価
に製造することが可能な半導体圧力センサの製造方法を
提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a method for measuring pressure using a contaminated liquid, a liquid that itself may contaminate a piezoresistive gauge, as a pressure medium. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor that can obtain high reliability, be small in size, and be manufactured at low cost.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
センサの製造方法は、金属ベースに設けられた凹部に、
歪みゲージを備えた感圧チップを収容し、前記感圧チッ
プに接続された接続導体を、前記金属ベースの挿通孔に
挿通して外部に導出し、且つ前記金属ベースの前記凹部
の開口を受圧ダイヤフラムで閉塞するとともに、前記受
圧ダイヤフラムと前記金属ベースの凹部とで形成される
室内に、受圧ダイヤフラムで受けた圧力を感圧チップへ
伝達する圧力媒体液を充填した半導体圧力センサの製造
方法において、前記金属ベースを、樹脂バインダが混合
された金属の粉末を射出成型して、さらに焼結して成型
する金属射出成型法を用いることを特徴としている。[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a semiconductor pressure sensor according to the present invention includes a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor in which a recess provided in a metal base is
A pressure-sensitive chip equipped with a strain gauge is housed, a connecting conductor connected to the pressure-sensitive chip is inserted through an insertion hole in the metal base and led out, and the opening of the recess in the metal base receives pressure. In a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor, the chamber is closed by a diaphragm and is filled with a pressure medium liquid that transmits the pressure received by the pressure diaphragm to a pressure sensitive chip in a chamber formed by the pressure diaphragm and the recess of the metal base, The metal base is characterized by using a metal injection molding method in which metal powder mixed with a resin binder is injection molded, and the metal base is further sintered and molded.
【００１０】0010
【作用】本発明の半導体圧力センサの製造方法において
は、ハウジングを兼ねた金属製のベースを、金属射出成
型法により、樹脂バインダが混合された金属の粉末を加
熱し射出成型して、さらに焼結して成型することにより
、シールダイヤフラム式半導体圧力センサを製造するの
で、汚染された液体、それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚
染する可能性がある液体等を圧力媒体とする圧力の測定
に用いて、高い信頼性が得られる半導体圧力センサを、
小型で且つ安価に製造することができる。[Operation] In the method for manufacturing a semiconductor pressure sensor of the present invention, a metal base that also serves as a housing is molded by heating metal powder mixed with a resin binder using a metal injection molding method, and then sintered. Since the sealed diaphragm type semiconductor pressure sensor is manufactured by bonding and molding, it can be used to measure pressure using contaminated liquids, liquids that may themselves contaminate piezoresistive gauges, as a pressure medium. , a semiconductor pressure sensor that provides high reliability.
It is small and can be manufactured at low cost.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係るシールダ
イヤフラム式半導体圧力センサの構造を示している。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows the structure of a sealed diaphragm type semiconductor pressure sensor according to a first embodiment of the present invention.
【００１２】図１に示す半導体圧力センサは、金属ベー
ス２１、台座２２、感圧チップ２３、リードワイヤ２４
、リードピン２５、受圧ダイヤフラム２６、および油２
７を有しており、これらは、金属ベース２１を除いて、
図３に示した台座１２、感圧チップ１３、リードワイヤ
１４、リードピン１５、受圧ダイヤフラム１６、および
油１７と基本的に同様である。The semiconductor pressure sensor shown in FIG. 1 includes a metal base 21, a pedestal 22, a pressure sensitive chip 23, and a lead wire 24.
, lead pin 25, pressure receiving diaphragm 26, and oil 2
7, which, except for the metal base 21,
It is basically the same as the pedestal 12, pressure sensitive chip 13, lead wire 14, lead pin 15, pressure receiving diaphragm 16, and oil 17 shown in FIG.
【００１３】すなわち、金属ベース２１上に台座２２を
介して感圧チップ２３が設けられ、この感圧チップ２３
にリードワイヤ２４を介してリードピン２５が接続され
ている。リードピン２５は、金属ベース２１に形成され
た挿通孔に挿通され、このリードピン２５が挿通された
挿通孔部分は例えばガラスを用いたハーメチックシール
２８によりシールされている。感圧チップ２３は、先に
述べたように圧力に応じて変形する第１のダイヤフラム
部を形成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成
されている。金属ベース２１および台座２２には、大気
に連通して大気解放路を形成する貫通孔が形成されてい
る。That is, a pressure sensitive chip 23 is provided on a metal base 21 via a pedestal 22, and this pressure sensitive chip 23
A lead pin 25 is connected to via a lead wire 24. The lead pin 25 is inserted into an insertion hole formed in the metal base 21, and the insertion hole portion into which the lead pin 25 is inserted is sealed with a hermetic seal 28 made of glass, for example. As described above, the pressure sensitive chip 23 forms a first diaphragm portion that deforms in response to pressure, and a piezoresistance gauge is formed on the surface of the first diaphragm portion. A through hole is formed in the metal base 21 and the pedestal 22 to communicate with the atmosphere and form an atmosphere release path.
【００１４】金属ベース２１の上面側には、台座２２、
感圧チップ２３、およびリードワイヤ２４を収容する凹
部が形成され、この凹部を覆って、台座２２、感圧チッ
プ２３、およびリードワイヤ２４を封入し且つ測定圧力
を直接受ける第２のダイヤフラム部である金属製の受圧
ダイヤフラム２６が設けられる。この受圧ダイヤフラム
２６と金属ベース２１、台座２２および感圧チップ２３
で形成される室内には、受圧ダイヤフラム２６で受けた
圧力を感圧チップ２３へ伝達する圧力媒体、例えば高純
度の油２７が充填される。On the upper surface side of the metal base 21, a pedestal 22,
A recess for accommodating the pressure-sensitive chip 23 and lead wire 24 is formed, and a second diaphragm portion that covers this recess encapsulates the pedestal 22, pressure-sensitive chip 23, and lead wire 24 and directly receives the measurement pressure. A certain metal pressure receiving diaphragm 26 is provided. This pressure receiving diaphragm 26, metal base 21, pedestal 22 and pressure sensitive chip 23
The chamber formed by is filled with a pressure medium, such as high-purity oil 27, which transmits the pressure received by the pressure receiving diaphragm 26 to the pressure sensitive chip 23.
【００１５】金属ベース２１は、金属射出成型法により
、所要の形状に成型される。金属射出成型法は、成型用
の金型を用い、樹脂バインダが混合された金属の微粉末
を加熱射出成型し、さらに焼結して成型する加工法であ
り、この加工法を用いれば、複雑な３次元形状品を大量
生産することが可能である。このような金属ベース２１
に、受圧ダイヤフラム２６が溶接されるとともに、前記
凹部の内部に油２７が封入される。The metal base 21 is molded into a desired shape by metal injection molding. The metal injection molding method is a processing method that uses a mold for heating injection molding of fine metal powder mixed with a resin binder, and then sintering and molding it. It is possible to mass produce products with three-dimensional shapes. Such a metal base 21
A pressure receiving diaphragm 26 is welded to the recess, and oil 27 is sealed inside the recess.
【００１６】ちなみに、金属ベース２１を金属射出成型
法で作製した場合、金属ベース１１を切削加工で加工し
た場合に比して、加工費用が約７０％削減される。この
ように、加工費用が削減できるので、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等を圧力媒体とする圧力の測定に用いて、高い信頼性
が得られるシールダイヤフラム式半導体圧力センサを、
極めて安価に提供することができる。Incidentally, when the metal base 21 is manufactured by metal injection molding, the processing cost is reduced by about 70% compared to when the metal base 11 is manufactured by cutting. In this way, processing costs can be reduced and contaminated liquids,
Sealed diaphragm semiconductor pressure sensors are highly reliable and can be used to measure pressure using liquids or other pressure media that may themselves contaminate piezoresistive gauges.
It can be provided at an extremely low cost.
【００１７】図２は、本発明の第２の実施例に係るシー
ルダイヤフラム式半導体圧力センサの構造を示している
。図２に示す半導体圧力センサは、金属ベース３１、台
座３２、感圧チップ３３、リードワイヤ３４、リードピ
ン３５、受圧ダイヤフラム３６、油３７、およびハーメ
チックシール３８を有している。さらに、金属ベース３
１の基端部には、回路ハウジング部３１ａ（詳細は後述
する）が形成されている。FIG. 2 shows the structure of a sealed diaphragm type semiconductor pressure sensor according to a second embodiment of the present invention. The semiconductor pressure sensor shown in FIG. 2 includes a metal base 31, a pedestal 32, a pressure sensitive chip 33, a lead wire 34, a lead pin 35, a pressure receiving diaphragm 36, an oil 37, and a hermetic seal 38. Furthermore, metal base 3
A circuit housing portion 31a (details will be described later) is formed at the base end of the circuit housing 1.
【００１８】台座３２、感圧チップ３３、リードワイヤ
３４、リードピン３５、受圧ダイヤフラム３６、油３７
、ハーメチックシール３８、および金属ベース３１の回
路ハウジング部３１ａ以外の部分は、図１の台座２２、
感圧チップ２３、リードワイヤ２４、リードピン２５、
受圧ダイヤフラム２６、油２７、ハーメチックシール２
８、および金属ベース２１とほぼ同様の構成である。Pedestal 32, pressure sensitive chip 33, lead wire 34, lead pin 35, pressure receiving diaphragm 36, oil 37
, the hermetic seal 38, and the parts of the metal base 31 other than the circuit housing part 31a are the pedestal 22 in FIG.
pressure sensitive chip 23, lead wire 24, lead pin 25,
Pressure receiving diaphragm 26, oil 27, hermetic seal 2
8 and the metal base 21.
【００１９】金属ベース３１の回路ハウジング部３１ａ
は、回路基板３９およびシールド板４０を収容する。こ
の回路ハウジング部３１ａの開口端のカシメ部３１ｂに
は、他の回路装置等に結合するためのカプラ４１がカシ
メ固定され、カプラ４１により回路ハウジング部３１ａ
の開口端を閉塞している。Circuit housing portion 31a of metal base 31
houses a circuit board 39 and a shield plate 40. A coupler 41 for coupling to other circuit devices is fixed to the caulking portion 31b at the open end of the circuit housing portion 31a.
The open end of the tube is closed.
【００２０】回路基板３９は、例えば厚膜ハイブリッド
ＩＣ回路基板であり、この圧力センサ本体部の感圧チッ
プ３３の駆動および調整用の回路を構成している。リー
ドワイヤ３４を介して感圧チップ３３に接続されたリー
ドピン３５は、この回路基板３９に直接結合されている
。The circuit board 39 is, for example, a thick film hybrid IC circuit board, and constitutes a circuit for driving and adjusting the pressure sensitive chip 33 of the pressure sensor main body. Lead pins 35 connected to pressure sensitive chip 33 via lead wires 34 are directly coupled to this circuit board 39.
【００２１】シールド板４０は、回路基板３９部分を電
磁シールドする。シールド板４０は、はんだＳにより金
属ベース３１の回路ハウジング部３１ａの内面に固定さ
れている。回路基板３９に接続されたリード導体４２は
シールド板４０を貫通し、カプラ４１の導電部材４３に
、はんだＳにより接続されている。リード導体４２のシ
ールド板４０貫通部は絶縁部材４４により絶縁されてい
る。The shield plate 40 electromagnetically shields the circuit board 39 portion. The shield plate 40 is fixed to the inner surface of the circuit housing portion 31a of the metal base 31 with solder S. A lead conductor 42 connected to the circuit board 39 passes through the shield plate 40 and is connected to the conductive member 43 of the coupler 41 by solder S. The portion of the lead conductor 42 that passes through the shield plate 40 is insulated by an insulating member 44 .
【００２２】このような構成とすれば、圧力センサの駆
動および調整用の付加回路を別途に設ける必要がなく、
半導体圧力センサを用いる装置の構成の小型化および簡
略化することができる。この場合、センサの駆動および
調整用の外部回路を収めるハウジングまでも、上記金属
射出成型法により、圧力センサ本体の金属ベースと一体
に製作している。従来は、このような製品は、図３のよ
うな半導体圧力センサを、別途に作製したハウジングに
、外部回路等と一緒に組み込んでいたが、金属射出成型
法を用いることにより、センサの駆動および調整用の外
部回路を収めるハウジングと、圧力センサ本体の金属ベ
ースとを、一体に成型加工することが可能となった。With such a configuration, there is no need to separately provide an additional circuit for driving and adjusting the pressure sensor.
The configuration of a device using a semiconductor pressure sensor can be downsized and simplified. In this case, even the housing that houses the external circuit for driving and adjusting the sensor is manufactured integrally with the metal base of the pressure sensor body using the metal injection molding method described above. Conventionally, such products have incorporated a semiconductor pressure sensor as shown in Figure 3 into a separately manufactured housing together with external circuits, etc., but by using metal injection molding, the sensor drive and It is now possible to integrally mold the housing that houses the external circuit for adjustment and the metal base of the pressure sensor body.
【００２３】このように、加工費用を削減することがで
きるので、安価にシールダイヤフラム式半導体圧力セン
サを製造することができる。なお、金属射出成型法を用
いて製造される金属ベースの形状は、上述し且つ図面に
示す実施例に限らず、種々変形して実施することができ
る。[0023] Since processing costs can be reduced in this way, a sealed diaphragm type semiconductor pressure sensor can be manufactured at low cost. Note that the shape of the metal base manufactured using the metal injection molding method is not limited to the embodiments described above and shown in the drawings, but can be modified in various ways.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ハ
ウジングを兼ねた金属製のベースを、金属射出成型法に
より、樹脂バインダが混合された金属の粉末を射出成型
し、さらに焼結して成型することにより、汚染された液
体、それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性があ
る液体等を圧力媒体とする圧力の測定に用いて、高い信
頼性が得られ、小型で且つ安価に製造することが可能な
半導体圧力センサの製造方法を提供することができる。As described above, according to the present invention, a metal base that also serves as a housing is injection molded with metal powder mixed with a resin binder using a metal injection molding method, and then sintered. By molding it into a piezoresistive gauge, it can be used to measure pressure using contaminated liquids, liquids that may themselves contaminate piezoresistive gauges, as a pressure medium, and is highly reliable, small, and inexpensive. It is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor that can be manufactured in the following manner.
【図１】 本発明の第１の実施例に係るシールダイヤ
フラム式半導体圧力センサの構成を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the configuration of a sealed diaphragm type semiconductor pressure sensor according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第２の実施例に係るシールダイヤ
フラム式半導体圧力センサの構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of a sealed diaphragm type semiconductor pressure sensor according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 従来のシールダイヤフラム式半導体圧力セ
ンサの一例の構成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing the configuration of an example of a conventional sealed diaphragm type semiconductor pressure sensor.
２１，３１…ベース、２２，３２…台座、２３，３３…
感圧チップ、２４，３４…リードワイヤ、２５，３５…
リードピン、２６，３６…受圧ダイヤフラム、２７，３
７…油、２８，３８…ハーメチックシール、３９…回路
基板、４０…シールド板、４１…カプラ、４２…リード
導体、４３…導電部材、４４…絶縁部材。21,31...base, 22,32...pedestal, 23,33...
Pressure sensitive chip, 24, 34... Lead wire, 25, 35...
Lead pin, 26, 36...Pressure diaphragm, 27, 3
7... Oil, 28, 38... Hermetic seal, 39... Circuit board, 40... Shield plate, 41... Coupler, 42... Lead conductor, 43... Conductive member, 44... Insulating member.
Claims (1)
ゲージを備えた感圧チップを収容し、前記感圧チップに
接続された接続導体を、前記金属ベースの挿通孔に挿通
して外部に導出し、且つ前記金属ベースの前記凹部の開
口を受圧ダイヤフラムで閉塞するとともに、前記受圧ダ
イヤフラムと前記金属ベースの凹部とで形成される室内
に、受圧ダイヤフラムで受けた圧力を感圧チップへ伝達
する圧力媒体液を充填した半導体圧力センサの製造方法
において、前記金属ベースを、樹脂バインダが混合され
た金属の粉末を射出成型して、さらに焼結して成型する
金属射出成型法を用いることを特徴とする半導体圧力セ
ンサの製造方法。1. A pressure-sensitive chip equipped with a strain gauge is accommodated in a recess provided in a metal base, and a connecting conductor connected to the pressure-sensitive chip is inserted into an insertion hole in the metal base to be externally exposed. and closing the opening of the recess of the metal base with a pressure-receiving diaphragm, and transmitting the pressure received by the pressure-receiving diaphragm to the pressure-sensitive chip in a chamber formed by the pressure-receiving diaphragm and the recess of the metal base. A method for manufacturing a semiconductor pressure sensor filled with a pressure medium liquid, characterized by using a metal injection molding method in which the metal base is injection molded with metal powder mixed with a resin binder, and further sintered and molded. A method for manufacturing a semiconductor pressure sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431691A JPH04370727A (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Manufacture of semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431691A JPH04370727A (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Manufacture of semiconductor pressure sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370727A true JPH04370727A (en) | 1992-12-24 |
Family
ID=15976522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17431691A Pending JPH04370727A (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Manufacture of semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04370727A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1991
- 1991-06-19 JP JP17431691A patent/JPH04370727A/en active Pending
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