JPH04369250A - 半導体素子の実装構造 - Google Patents
半導体素子の実装構造Info
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- JPH04369250A JPH04369250A JP3171693A JP17169391A JPH04369250A JP H04369250 A JPH04369250 A JP H04369250A JP 3171693 A JP3171693 A JP 3171693A JP 17169391 A JP17169391 A JP 17169391A JP H04369250 A JPH04369250 A JP H04369250A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に固着した半導
体素子と基板上の配線間をボンディングワイヤにて接続
し、全体を樹脂材等により封止するチップオンボードタ
イプの半導体素子の実装構造に関する。
体素子と基板上の配線間をボンディングワイヤにて接続
し、全体を樹脂材等により封止するチップオンボードタ
イプの半導体素子の実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体素子の実装構造と
しては、図１１および図１２に示すものが知られている
。同図において、１１はセラミック，ガラスエポキシ，
紙・フェノール等からなる基板であり、基板１１の上面
には部品実装のための配線１２ａ〜１２ｃが形成されて
いる。また、半導体素子１３の配線との接合部分および
ワイヤボンディング部分などを除く基板１１上の非半田
付け領域は、ソルダーレジストと称するコーティング層
１５により保護されている。半導体素子１３は配線１２
ａに連なる素子取付部１２ａ１に半田１４によって接合
される。さらに半導体素子１３の上面に設けた電極１３
ａ，１３ｂは、配線１２ｂ，１２ｃに半田１６により接
合したボンディングパッド１７ａ，１７ｂにワイヤ１８
ａ，１８ｂによって接合される。基板１１上には、半導
体素子１３およびボンディングパッド１７ａ，１７ｂを
取り囲むように配置した合成樹脂性のダムリング１９が
接着剤により固着されている。ダムリング１９の内側に
は、エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ウレタン樹脂，シ
リコン樹脂などの比較的粘度の高い樹脂材２０が充填さ
れ、これにより半導体素子１３を封止する。
しては、図１１および図１２に示すものが知られている
。同図において、１１はセラミック，ガラスエポキシ，
紙・フェノール等からなる基板であり、基板１１の上面
には部品実装のための配線１２ａ〜１２ｃが形成されて
いる。また、半導体素子１３の配線との接合部分および
ワイヤボンディング部分などを除く基板１１上の非半田
付け領域は、ソルダーレジストと称するコーティング層
１５により保護されている。半導体素子１３は配線１２
ａに連なる素子取付部１２ａ１に半田１４によって接合
される。さらに半導体素子１３の上面に設けた電極１３
ａ，１３ｂは、配線１２ｂ，１２ｃに半田１６により接
合したボンディングパッド１７ａ，１７ｂにワイヤ１８
ａ，１８ｂによって接合される。基板１１上には、半導
体素子１３およびボンディングパッド１７ａ，１７ｂを
取り囲むように配置した合成樹脂性のダムリング１９が
接着剤により固着されている。ダムリング１９の内側に
は、エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ウレタン樹脂，シ
リコン樹脂などの比較的粘度の高い樹脂材２０が充填さ
れ、これにより半導体素子１３を封止する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体素子の実装構造では、半導体素子と配
線間の電気的導通をとるボンディングパッドを半導体素
子の周囲に配設する構造になっているため、以下に述べ
る問題点がある。 （ａ）ダムリングを含めた半導体素子全体の実装面積が
大きくなり、基板の実装密度を上げることが困難である
。 （ｂ）ダムリングの放熱性が悪く、素子温度が上昇し、
加熱し易い。 （ｃ）温度上昇に伴い封止用樹脂材から半導体素子に特
性劣化などのダメージを与えるおそれがある。 （ｄ）ボンディングパッド等の部品数が多くなり、実装
工数も増加する。 （ｅ）ワイヤの方向が制限される。
うな従来の半導体素子の実装構造では、半導体素子と配
線間の電気的導通をとるボンディングパッドを半導体素
子の周囲に配設する構造になっているため、以下に述べ
る問題点がある。 （ａ）ダムリングを含めた半導体素子全体の実装面積が
大きくなり、基板の実装密度を上げることが困難である
。 （ｂ）ダムリングの放熱性が悪く、素子温度が上昇し、
加熱し易い。 （ｃ）温度上昇に伴い封止用樹脂材から半導体素子に特
性劣化などのダメージを与えるおそれがある。 （ｄ）ボンディングパッド等の部品数が多くなり、実装
工数も増加する。 （ｅ）ワイヤの方向が制限される。
【０００４】本発明の目的は、半導体素子の占有実装面
積を小さくできるとともに、放熱性を向上し、実装の低
コスト化を可能にした半導体素子の実装構造を提供する
ことにある。
積を小さくできるとともに、放熱性を向上し、実装の低
コスト化を可能にした半導体素子の実装構造を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】実施例である図１および
図９に対応づけて本発明の半導体素子の実装構造を説明
すると、本発明は、基板１１上に半導体素子１３を固着
し、この半導体素子１３の電極１３ａ，１３ｂと基板１
１上の配線１２ａ〜１２ｃ間を電気的に接続した後封止
する半導体素子の実装構造に適用される。そして、上記
目的は、基板１１上の一部の配線１２ａと電気的に接続
され、かつ封止用ダムリングおよびワイヤボンディング
パッド機能を兼ねた導電部材２５を半導体素子１１の外
周囲を取り囲むようにして基板上に固着することにより
、達成できる。また、本発明は、導電部材３０を半導体
素子１１の電極に対応した数に電気的に分離することに
より、上記目的を達成できる。
図９に対応づけて本発明の半導体素子の実装構造を説明
すると、本発明は、基板１１上に半導体素子１３を固着
し、この半導体素子１３の電極１３ａ，１３ｂと基板１
１上の配線１２ａ〜１２ｃ間を電気的に接続した後封止
する半導体素子の実装構造に適用される。そして、上記
目的は、基板１１上の一部の配線１２ａと電気的に接続
され、かつ封止用ダムリングおよびワイヤボンディング
パッド機能を兼ねた導電部材２５を半導体素子１１の外
周囲を取り囲むようにして基板上に固着することにより
、達成できる。また、本発明は、導電部材３０を半導体
素子１１の電極に対応した数に電気的に分離することに
より、上記目的を達成できる。
【０００６】
【作用】導電部材２５，３０が素子封止用のダムリング
およびワイヤボンディングパッドを兼ねるから、ボンデ
ィングパッドを別に設ける必要がなくなり、占有実装面
積の縮小化，実装の低コスト化が可能になる。また、導
電部材３０を半導体素子の電極数に応じて電気的に分離
することにより、占有実装面積の縮小化，低コスト化を
さらに向上できる。
およびワイヤボンディングパッドを兼ねるから、ボンデ
ィングパッドを別に設ける必要がなくなり、占有実装面
積の縮小化，実装の低コスト化が可能になる。また、導
電部材３０を半導体素子の電極数に応じて電気的に分離
することにより、占有実装面積の縮小化，低コスト化を
さらに向上できる。
【０００７】
【実施例】−第１の実施例−
図１〜図４は、本発明による半導体素子の実装構造の第
一の実施例を示すもので、図１は全体の縦断面図、図２
は封止樹脂およびコーティング材を取り除いた上面図、
図３はその外観図、図４は配線パターンとコーティング
層により形成される半田付け部のパターン図である。
一の実施例を示すもので、図１は全体の縦断面図、図２
は封止樹脂およびコーティング材を取り除いた上面図、
図３はその外観図、図４は配線パターンとコーティング
層により形成される半田付け部のパターン図である。
【０００８】図１〜図３において、図１１および図１２
と同一の部分には同一符号を付して説明する。１１は基
板、１２ａ〜１２ｃは基板１１上に形成された配線、１
３は基板１１に実装される半導体素子、１５は基板１１
の非半田付け領域を保護するソルダーレジストからなる
コーティング層であり、このコーティング層により、半
導体素子１３の実装に必要な半田付けパターンを形成す
る。例えば、図４に示すように配線１２ａの素子接合部
１２ａ１上に矩形の半田付けパターン２１を，配線１２
ｂのボンディングパッド接合部１２ｂ１上に矩形の半田
付けパターン２２を，配線１２ｃの導電部材接合部１２
ｃ１上には半田付けパターン２１，２２を外周から取り
囲むように配線１２ａと１２ｃを結ぶ線を中心にして対
称に配列した凹状の半田付けパターン２３ａ，２３ｂを
それぞれ形成する。
と同一の部分には同一符号を付して説明する。１１は基
板、１２ａ〜１２ｃは基板１１上に形成された配線、１
３は基板１１に実装される半導体素子、１５は基板１１
の非半田付け領域を保護するソルダーレジストからなる
コーティング層であり、このコーティング層により、半
導体素子１３の実装に必要な半田付けパターンを形成す
る。例えば、図４に示すように配線１２ａの素子接合部
１２ａ１上に矩形の半田付けパターン２１を，配線１２
ｂのボンディングパッド接合部１２ｂ１上に矩形の半田
付けパターン２２を，配線１２ｃの導電部材接合部１２
ｃ１上には半田付けパターン２１，２２を外周から取り
囲むように配線１２ａと１２ｃを結ぶ線を中心にして対
称に配列した凹状の半田付けパターン２３ａ，２３ｂを
それぞれ形成する。
【０００９】このようにした基板１１の半田付けパター
ン２１上、すなわち配線１２ａの素子接合部１２ａ１上
には半導体素子１３が半田１４により接合され、半田付
けパターン２２上，すなわち配線１２ｂのボンディング
パッド接合部１２ｂ１上にはボンディングパッド１７ａ
が半田１６により接合され、さらに半田付けパターン２
３ａ，２３ｂ上、すなわち導電部材接合部１２ｃには半
田２４により四角筒状の導電部材２５が接合される。
ン２１上、すなわち配線１２ａの素子接合部１２ａ１上
には半導体素子１３が半田１４により接合され、半田付
けパターン２２上，すなわち配線１２ｂのボンディング
パッド接合部１２ｂ１上にはボンディングパッド１７ａ
が半田１６により接合され、さらに半田付けパターン２
３ａ，２３ｂ上、すなわち導電部材接合部１２ｃには半
田２４により四角筒状の導電部材２５が接合される。
【００１０】導電部材２５は、半導体素子１３を樹脂封
止するためのダムリングと、半導体素子１３のワイヤボ
ンディングに用いられるボンディングパッドの両方の機
能を備えるもので、アルミニウム，鉄，銅等の金属材か
らなり、そして半導体素子１３およびボンディングパッ
ド１７ａを外周囲から包囲する大きさの四角筒状に成形
される。また、導電部材２５の内面側上縁にはワイヤボ
ンディング用の段部２５ａが形成されており、この段部
２５ａと半導体素子１３の他方の電極１３ｂ間はワイヤ
１８ｂにより接続される。さらに半導体素子１３の一方
の電極１３ａとボンディングパッド１７ａ間はワイヤ１
８ａにより接続される。
止するためのダムリングと、半導体素子１３のワイヤボ
ンディングに用いられるボンディングパッドの両方の機
能を備えるもので、アルミニウム，鉄，銅等の金属材か
らなり、そして半導体素子１３およびボンディングパッ
ド１７ａを外周囲から包囲する大きさの四角筒状に成形
される。また、導電部材２５の内面側上縁にはワイヤボ
ンディング用の段部２５ａが形成されており、この段部
２５ａと半導体素子１３の他方の電極１３ｂ間はワイヤ
１８ｂにより接続される。さらに半導体素子１３の一方
の電極１３ａとボンディングパッド１７ａ間はワイヤ１
８ａにより接続される。
【００１１】半導体素子のワイヤボンディングが完了し
たあとの導電部材２５の内側には、図１に示すように封
止用の樹脂材２０を充填して半導体素子１３を完全に封
止する。このとき、充填される樹脂材２０は粘度が高い
ため、導電部材２５の半田付けされない部分２６（図２
参照）から流れ出すことがなく、その部分２６も樹脂材
２０によって密封されるから、半導体素子の封止は確実
になる。
たあとの導電部材２５の内側には、図１に示すように封
止用の樹脂材２０を充填して半導体素子１３を完全に封
止する。このとき、充填される樹脂材２０は粘度が高い
ため、導電部材２５の半田付けされない部分２６（図２
参照）から流れ出すことがなく、その部分２６も樹脂材
２０によって密封されるから、半導体素子の封止は確実
になる。
【００１２】このように本実施例の半導体素子の実装構
造においては、半導体素子１３を樹脂封止する導電部材
２５が半導体素子の一方のボンディングパッドを兼ねる
から、図１１，図１２に示す従来の実装構造に比較して
一方のボンディングパッドを省略できる。これに伴い一
方のボンディングパッドの設置エリアが不要になるから
、図２および図１２からも明らかなように従来と同じ実
装設計ルールであっても、導電部材２５の大きさが一方
のボンディングパッドを省略したことにより得られる面
積に相当する分小さくなり、半導体素子全体の実装面積
を縮小できる。これにより基板上への半導体素子の実装
密度を向上できる。
造においては、半導体素子１３を樹脂封止する導電部材
２５が半導体素子の一方のボンディングパッドを兼ねる
から、図１１，図１２に示す従来の実装構造に比較して
一方のボンディングパッドを省略できる。これに伴い一
方のボンディングパッドの設置エリアが不要になるから
、図２および図１２からも明らかなように従来と同じ実
装設計ルールであっても、導電部材２５の大きさが一方
のボンディングパッドを省略したことにより得られる面
積に相当する分小さくなり、半導体素子全体の実装面積
を縮小できる。これにより基板上への半導体素子の実装
密度を向上できる。
【００１３】導電部材２５は、アルミニウム等の熱伝導
率の高い金属から成形されているため、半導体素子１３
で発生した熱を効率良く放射することが出来る。また、
封止樹脂２０は熱膨張係数が大きく、外部環境の温度変
化により大きな熱応力を発生するが、封止樹脂２０を取
り囲む導電部材２５は機械的強度が大きく（変形しにく
く）、かつ樹脂に比し熱膨張係数が小さいため、封止樹
脂２０の横方向の延びを制限し、その熱応力を抑制でき
る。その結果、半導体素子等への熱応力による影響を低
減できる。
率の高い金属から成形されているため、半導体素子１３
で発生した熱を効率良く放射することが出来る。また、
封止樹脂２０は熱膨張係数が大きく、外部環境の温度変
化により大きな熱応力を発生するが、封止樹脂２０を取
り囲む導電部材２５は機械的強度が大きく（変形しにく
く）、かつ樹脂に比し熱膨張係数が小さいため、封止樹
脂２０の横方向の延びを制限し、その熱応力を抑制でき
る。その結果、半導体素子等への熱応力による影響を低
減できる。
【００１４】導電部材２５はダムリングとボンディング
パッドの両方の機能を備えることにより、専用のボンデ
ィングパッドなどの部品数および実装工数を低減できる
。また、導電部材２５は半導体素子１３の周囲のいずれ
の位置からでもボンディングパッドとして機能するから
、半導体素子とのワイヤボンディングの自由度が大きく
なり、実装設計および製造工程が容易になる。さらに、
導電部材２５は、アルミニウム，鉄，銅等の金属材から
簡単に加工できるため、安価に製造できる。
パッドの両方の機能を備えることにより、専用のボンデ
ィングパッドなどの部品数および実装工数を低減できる
。また、導電部材２５は半導体素子１３の周囲のいずれ
の位置からでもボンディングパッドとして機能するから
、半導体素子とのワイヤボンディングの自由度が大きく
なり、実装設計および製造工程が容易になる。さらに、
導電部材２５は、アルミニウム，鉄，銅等の金属材から
簡単に加工できるため、安価に製造できる。
【００１５】図２から明らかなように一方のボンディン
グパッドが省略されることにより、ダムリングとしての
導電部材の容積を従来のものより小さくできるから、半
導体素子を封止する樹脂量を削減できる。特に封止樹脂
量の削減は、イオン含有率の低いエポキシ，シリコン樹
脂などの高価な樹脂を用いた場合、コスト面からも有効
となる。さらに、半導体素子がトランジスタの場合、そ
のエミッタなどがワイヤボンディングされる導電部材の
電位は接地電位となるため、トランジスタ周囲を外来ノ
イズ等からシールドすることができる。
グパッドが省略されることにより、ダムリングとしての
導電部材の容積を従来のものより小さくできるから、半
導体素子を封止する樹脂量を削減できる。特に封止樹脂
量の削減は、イオン含有率の低いエポキシ，シリコン樹
脂などの高価な樹脂を用いた場合、コスト面からも有効
となる。さらに、半導体素子がトランジスタの場合、そ
のエミッタなどがワイヤボンディングされる導電部材の
電位は接地電位となるため、トランジスタ周囲を外来ノ
イズ等からシールドすることができる。
【００１６】−第２の実施例−
図５および図６は、本発明の第２の実施例を示すもので
、図５は全体の縦断面図、図６は半導体素子実装部分の
配線パターンの平面図である。図５および図６において
、第１の実施例で示す図１および図４と同一の部分には
同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分を重
点的に述べる。第１の実施例と異なる点は、図６に示す
ように基板表面をコーティングするソルダーレジスト用
のコーティング層１５により、配線１２ａの素子接合用
半田付けパターン２１，配線１２ｂのボンディングパッ
ド接合用半田付けパターン２２、配線１２ｃ導電部材接
合用半田付けパターン２３ａ，２３ｂを形成した後、半
田付けパターン２３ａ，２３ｂおよび配線１２ａ，１２
ｂと直交する部分Ａ，Ｂのコーティング層１５上に導電
性の印刷ペーストにより接合パターン２６をエンドレス
に形成し、そして、接合パターン２６上には、図５に示
すように半田２７によって導電部材２５を接合したとこ
ろにある。なお、接合パターン２６と導電部材２５との
接合は半田のみに限らず、導電性の接着剤などでも良い
。
、図５は全体の縦断面図、図６は半導体素子実装部分の
配線パターンの平面図である。図５および図６において
、第１の実施例で示す図１および図４と同一の部分には
同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分を重
点的に述べる。第１の実施例と異なる点は、図６に示す
ように基板表面をコーティングするソルダーレジスト用
のコーティング層１５により、配線１２ａの素子接合用
半田付けパターン２１，配線１２ｂのボンディングパッ
ド接合用半田付けパターン２２、配線１２ｃ導電部材接
合用半田付けパターン２３ａ，２３ｂを形成した後、半
田付けパターン２３ａ，２３ｂおよび配線１２ａ，１２
ｂと直交する部分Ａ，Ｂのコーティング層１５上に導電
性の印刷ペーストにより接合パターン２６をエンドレス
に形成し、そして、接合パターン２６上には、図５に示
すように半田２７によって導電部材２５を接合したとこ
ろにある。なお、接合パターン２６と導電部材２５との
接合は半田のみに限らず、導電性の接着剤などでも良い
。
【００１７】このような第２の実施例においては、接合
パターン２６によって導電部材２５の下端縁を基板表面
に隙間なく完全に接合することが出来る。これに伴い封
止用樹脂２０に粘度の低い樹脂材を用いても樹脂が導電
部材から外部へ流出することがないほか、基板表面と導
電部材との接合部分から水分が侵入したり、不純物や塵
埃等が侵入したりするのを完全に防止できる。
パターン２６によって導電部材２５の下端縁を基板表面
に隙間なく完全に接合することが出来る。これに伴い封
止用樹脂２０に粘度の低い樹脂材を用いても樹脂が導電
部材から外部へ流出することがないほか、基板表面と導
電部材との接合部分から水分が侵入したり、不純物や塵
埃等が侵入したりするのを完全に防止できる。
【００１８】−第３の実施例−
図７は、本発明の第３の実施例を示す縦断面図である。
図７において、図５と同一符号は同一部分を表わし、同
一構成になっている。そして、図５と異なる点は、半導
体素子を樹脂封止に代えて気密封止構造にしたところに
ある。すなわち、基板１１の表面に接合パターン２６お
よび半田２７により接合した導電部材２５の開口端には
、平板状のリッド２８が半田２９等により接合され、こ
れによって導電部材２５内の半導体素子１３を気密封止
している。
一構成になっている。そして、図５と異なる点は、半導
体素子を樹脂封止に代えて気密封止構造にしたところに
ある。すなわち、基板１１の表面に接合パターン２６お
よび半田２７により接合した導電部材２５の開口端には
、平板状のリッド２８が半田２９等により接合され、こ
れによって導電部材２５内の半導体素子１３を気密封止
している。
【００１９】このような第３の実施例においては、リッ
ド２８を導電部材２５の開口端面に接合することで簡単
に気密封止することができるほか、封止用樹脂がないた
め、半導体素子への熱応力の問題がなくなり、水分等の
侵入を防止できる。また、半導体素子の周囲および上部
を導電部材とリッドにより完全にシールドすることによ
り、外来ノイズの侵入を防止するシールド効果をより向
上できる。
ド２８を導電部材２５の開口端面に接合することで簡単
に気密封止することができるほか、封止用樹脂がないた
め、半導体素子への熱応力の問題がなくなり、水分等の
侵入を防止できる。また、半導体素子の周囲および上部
を導電部材とリッドにより完全にシールドすることによ
り、外来ノイズの侵入を防止するシールド効果をより向
上できる。
【００２０】−第４の実施例−
図８および図９は、本発明の第４の実施例を示す縦断面
図および全体の外観図である。図８および図９において
、第１の実施例に示す場合と同様に基板１１に形成した
配線１２ａの素子接合部１２ａ１上には半導体素子１３
が半田１４により接合されている。また、ダムリングと
ボンディングパッドを兼ねる導電部材３０は、基板１１
上の半導体素子１３の外周囲を取り囲む四角筒状に成形
されている。この導電部材３０は、絶縁材３０ｃ，３０
ｄにより半導体素子１３の電極１３ａ，１３ｂに対応し
た２つの導電部分３０ａ，３０ｂに電気的に分離されて
いる。
図および全体の外観図である。図８および図９において
、第１の実施例に示す場合と同様に基板１１に形成した
配線１２ａの素子接合部１２ａ１上には半導体素子１３
が半田１４により接合されている。また、ダムリングと
ボンディングパッドを兼ねる導電部材３０は、基板１１
上の半導体素子１３の外周囲を取り囲む四角筒状に成形
されている。この導電部材３０は、絶縁材３０ｃ，３０
ｄにより半導体素子１３の電極１３ａ，１３ｂに対応し
た２つの導電部分３０ａ，３０ｂに電気的に分離されて
いる。
【００２１】基板１１の表面には、導電部分３０ａ，３
０ｂの下面形状と同一の接合パターン３２ａ，３２ｂが
導電性の印刷ペーストにより形成されており、このうち
接合パターン３２ａは基板１１上の配線１２ｂと電気的
に接続され、接合パターン３２ｂは基板１１上の配線１
２ｃと電気的に接続される。また、接合パターン３２ａ
上には一方の導電部分３０ａが半田３３等により接続さ
れ、接合パターン３２ｂ上には他方の導電部分３０ｂが
半田３３等により接合される。そして、半導体素子１３
の電極１３ａと導電部分３０ａ間はワイヤ１８ａにより
接続され、半導体素子１３の電極１３ｂと導電部分３０
ｂ間はワイヤ１８ｂにより接続される。
０ｂの下面形状と同一の接合パターン３２ａ，３２ｂが
導電性の印刷ペーストにより形成されており、このうち
接合パターン３２ａは基板１１上の配線１２ｂと電気的
に接続され、接合パターン３２ｂは基板１１上の配線１
２ｃと電気的に接続される。また、接合パターン３２ａ
上には一方の導電部分３０ａが半田３３等により接続さ
れ、接合パターン３２ｂ上には他方の導電部分３０ｂが
半田３３等により接合される。そして、半導体素子１３
の電極１３ａと導電部分３０ａ間はワイヤ１８ａにより
接続され、半導体素子１３の電極１３ｂと導電部分３０
ｂ間はワイヤ１８ｂにより接続される。
【００２２】このような第４の実施例においては、第１
の実施例と同様な作用効果が得られるほか、導電部材３
０が半導体素子の全ての電極をワイヤにて接続できるボ
ンディングパッドの機能を有するから、従来のようにボ
ンディングパッドを別に設ける必要がなくなる。これに
伴い導電部材の容積がさらに小さくなり、半導体素子の
実装面積もさらに減少し、半導体素子の実装密度を向上
できる。
の実施例と同様な作用効果が得られるほか、導電部材３
０が半導体素子の全ての電極をワイヤにて接続できるボ
ンディングパッドの機能を有するから、従来のようにボ
ンディングパッドを別に設ける必要がなくなる。これに
伴い導電部材の容積がさらに小さくなり、半導体素子の
実装面積もさらに減少し、半導体素子の実装密度を向上
できる。
【００２３】−第５の実施例−
図１０は、本発明の第５の実施例を示す縦断面図である
。図１０において、第５図と同一の部分には同一符号を
付してその説明を省略し、第５図と異なる部分を重点的
に述べる。図１０からも明らかなように、この実施例に
おける特徴部分は、導電部材２５Ａの外周面に基板１１
上の他の配線へのワイヤボンディング用段部２５ｂを形
成し、この段部２５ｂを利用して、基板１１上の他の配
線１２ｄに接合したボンディングパッド３４との間をワ
イヤ３５により接続できるようにしたところにある。
。図１０において、第５図と同一の部分には同一符号を
付してその説明を省略し、第５図と異なる部分を重点的
に述べる。図１０からも明らかなように、この実施例に
おける特徴部分は、導電部材２５Ａの外周面に基板１１
上の他の配線へのワイヤボンディング用段部２５ｂを形
成し、この段部２５ｂを利用して、基板１１上の他の配
線１２ｄに接合したボンディングパッド３４との間をワ
イヤ３５により接続できるようにしたところにある。
【００２４】したがって、第５の実施例においては、第
２の実施例に示す場合と同様な作用効果が得られるほか
、導電部材２５Ａを基板上の他の素子用配線へのボンデ
ィングパッドとしても使用できる。つまり、ワイヤボン
ディングによる他配線へのワイヤ結線が可能になること
によって、空中配線によるジャッパ線あるいは素子への
接続配線に利用することができる。
２の実施例に示す場合と同様な作用効果が得られるほか
、導電部材２５Ａを基板上の他の素子用配線へのボンデ
ィングパッドとしても使用できる。つまり、ワイヤボン
ディングによる他配線へのワイヤ結線が可能になること
によって、空中配線によるジャッパ線あるいは素子への
接続配線に利用することができる。
【００２５】なお、上記各実施例では、ダムリングおよ
びボンディングパッドを兼ねる導電部材を金属で成形す
る場合について述べたが、これに限定されない。例えば
絶縁材からなる母材表面にカーボンフィラー，Ａｇフィ
ラー，メッキなどの導電層を形成する構造のものでも良
い。特にボンディングパッドに相当する必要部分にメッ
キなどの導電層を施してボンディングパッド兼用のダム
リングを成形することは容易であり、導電部材の低コス
ト化が図れる。また、第４の実施例では、導電部材を電
気的に２つに分離する場合について述べたが、その電気
的分離数は実施例のものに限定されない。
びボンディングパッドを兼ねる導電部材を金属で成形す
る場合について述べたが、これに限定されない。例えば
絶縁材からなる母材表面にカーボンフィラー，Ａｇフィ
ラー，メッキなどの導電層を形成する構造のものでも良
い。特にボンディングパッドに相当する必要部分にメッ
キなどの導電層を施してボンディングパッド兼用のダム
リングを成形することは容易であり、導電部材の低コス
ト化が図れる。また、第４の実施例では、導電部材を電
気的に２つに分離する場合について述べたが、その電気
的分離数は実施例のものに限定されない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、素
子の封止用ダムリングとワイヤボンディングパッドの両
方の機能を有する導電部材を利用して半導体素子を実装
できるようにしたので、別構造のボンディングパッドが
不要もしくは削減することができ、このことによって占
有実装面積の小さい高密度実装が可能になるとともに、
ボンディングパッドなどの実装部品数および実装工数が
削減され大幅なコスト低減ができる。また、導電部材の
放熱性が良好となり、半導体素子の信頼性が向上し、樹
脂封止タイプのものであっても半導体素子に加わる熱応
力を低減できる。さらに、導電部材は半導体素子の外周
囲を包囲する構造になっているから、ワイヤボンディン
グの自由度が広がり、実装設計が容易になる。また、導
電部材を半導体素子の電極数に対応して電気的に複数に
分離することにより、半導体素子用のワイヤボンディン
グパッドが不要になり、実装面積の縮小化および高密度
実装をさらに向上できる。
子の封止用ダムリングとワイヤボンディングパッドの両
方の機能を有する導電部材を利用して半導体素子を実装
できるようにしたので、別構造のボンディングパッドが
不要もしくは削減することができ、このことによって占
有実装面積の小さい高密度実装が可能になるとともに、
ボンディングパッドなどの実装部品数および実装工数が
削減され大幅なコスト低減ができる。また、導電部材の
放熱性が良好となり、半導体素子の信頼性が向上し、樹
脂封止タイプのものであっても半導体素子に加わる熱応
力を低減できる。さらに、導電部材は半導体素子の外周
囲を包囲する構造になっているから、ワイヤボンディン
グの自由度が広がり、実装設計が容易になる。また、導
電部材を半導体素子の電極数に対応して電気的に複数に
分離することにより、半導体素子用のワイヤボンディン
グパッドが不要になり、実装面積の縮小化および高密度
実装をさらに向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す縦断面図である。
【図２】第１の実施例における実装構造の一部を取り除
いて示す上面図である。
いて示す上面図である。
【図３】第１の実施例における実装構造の外観図である
。
。
【図４】第１の実施例における配線パターンとコーティ
ング層により形成される半田付け部のパターン図である
。
ング層により形成される半田付け部のパターン図である
。
【図５】本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。
【図６】第２の実施例における実装部分の配線パターン
図である。
図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す縦断面図である。
【図８】本発明の第４の実施例を示す縦断面図である。
【図９】第４の実施例における実装構造の外観図である
。
。
【図１０】本発明の第５の実施例を示す縦断面図である
。
。
【図１１】従来の半導体素子の実装構造を示す縦断面図
である。
である。
【図１２】従来の実装構造の一部を取り除いて示す上面
図である。
図である。
１１ 基板
１２ａ〜１２ｃ 配線
１３ 半導体素子
１３ａ，１３ｂ 電極
１７ａ，１７ｂ ボンディングパッド１８ａ，１８ｂ
ワイヤ ２０ 封止樹脂 ２５，３０ 導電部材 ３０ｃ，３０ｄ 絶縁材
ワイヤ ２０ 封止樹脂 ２５，３０ 導電部材 ３０ｃ，３０ｄ 絶縁材
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に半導体素子を固着し、この半
導体素子の電極と前記基板上の配線間を電気的に接続し
た後封止する半導体素子の実装構造において、前記基板
上の一部の配線と電気的に接続され、かつ封止用ダムリ
ングおよびワイヤボンディングパッド機能を兼ねた導電
部材を前記半導体素子の外周囲を取り囲むようにして前
記基板上に固着したことを特徴とする半導体素子の実装
構造。 - 【請求項２】 導電部材が半導体素子の電極に対応し
た数に電気的に分離されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体素子の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171693A JPH04369250A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171693A JPH04369250A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体素子の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369250A true JPH04369250A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15927941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3171693A Pending JPH04369250A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体素子の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04369250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621242A (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having support film formed on inner leads |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266650A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPS6251748B2 (ja) * | 1983-01-25 | 1987-10-31 | Meiwa Sangyo |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP3171693A patent/JPH04369250A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251748B2 (ja) * | 1983-01-25 | 1987-10-31 | Meiwa Sangyo | |
| JPS6266650A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621242A (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having support film formed on inner leads |
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