JPH04369250A - 半導体素子の実装構造 - Google Patents
半導体素子の実装構造Info
- Publication number
- JPH04369250A JPH04369250A JP3171693A JP17169391A JPH04369250A JP H04369250 A JPH04369250 A JP H04369250A JP 3171693 A JP3171693 A JP 3171693A JP 17169391 A JP17169391 A JP 17169391A JP H04369250 A JPH04369250 A JP H04369250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- conductive member
- wiring
- substrate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48491—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being an additional member attached to the bonding area through an adhesive or solder, e.g. buffer pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に固着した半導
体素子と基板上の配線間をボンディングワイヤにて接続
し、全体を樹脂材等により封止するチップオンボードタ
イプの半導体素子の実装構造に関する。
体素子と基板上の配線間をボンディングワイヤにて接続
し、全体を樹脂材等により封止するチップオンボードタ
イプの半導体素子の実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体素子の実装構造と
しては、図11および図12に示すものが知られている
。同図において、11はセラミック,ガラスエポキシ,
紙・フェノール等からなる基板であり、基板11の上面
には部品実装のための配線12a〜12cが形成されて
いる。また、半導体素子13の配線との接合部分および
ワイヤボンディング部分などを除く基板11上の非半田
付け領域は、ソルダーレジストと称するコーティング層
15により保護されている。半導体素子13は配線12
aに連なる素子取付部12a1に半田14によって接合
される。さらに半導体素子13の上面に設けた電極13
a,13bは、配線12b,12cに半田16により接
合したボンディングパッド17a,17bにワイヤ18
a,18bによって接合される。基板11上には、半導
体素子13およびボンディングパッド17a,17bを
取り囲むように配置した合成樹脂性のダムリング19が
接着剤により固着されている。ダムリング19の内側に
は、エポキシ樹脂,フェノール樹脂,ウレタン樹脂,シ
リコン樹脂などの比較的粘度の高い樹脂材20が充填さ
れ、これにより半導体素子13を封止する。
しては、図11および図12に示すものが知られている
。同図において、11はセラミック,ガラスエポキシ,
紙・フェノール等からなる基板であり、基板11の上面
には部品実装のための配線12a〜12cが形成されて
いる。また、半導体素子13の配線との接合部分および
ワイヤボンディング部分などを除く基板11上の非半田
付け領域は、ソルダーレジストと称するコーティング層
15により保護されている。半導体素子13は配線12
aに連なる素子取付部12a1に半田14によって接合
される。さらに半導体素子13の上面に設けた電極13
a,13bは、配線12b,12cに半田16により接
合したボンディングパッド17a,17bにワイヤ18
a,18bによって接合される。基板11上には、半導
体素子13およびボンディングパッド17a,17bを
取り囲むように配置した合成樹脂性のダムリング19が
接着剤により固着されている。ダムリング19の内側に
は、エポキシ樹脂,フェノール樹脂,ウレタン樹脂,シ
リコン樹脂などの比較的粘度の高い樹脂材20が充填さ
れ、これにより半導体素子13を封止する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体素子の実装構造では、半導体素子と配
線間の電気的導通をとるボンディングパッドを半導体素
子の周囲に配設する構造になっているため、以下に述べ
る問題点がある。 (a)ダムリングを含めた半導体素子全体の実装面積が
大きくなり、基板の実装密度を上げることが困難である
。 (b)ダムリングの放熱性が悪く、素子温度が上昇し、
加熱し易い。 (c)温度上昇に伴い封止用樹脂材から半導体素子に特
性劣化などのダメージを与えるおそれがある。 (d)ボンディングパッド等の部品数が多くなり、実装
工数も増加する。 (e)ワイヤの方向が制限される。
うな従来の半導体素子の実装構造では、半導体素子と配
線間の電気的導通をとるボンディングパッドを半導体素
子の周囲に配設する構造になっているため、以下に述べ
る問題点がある。 (a)ダムリングを含めた半導体素子全体の実装面積が
大きくなり、基板の実装密度を上げることが困難である
。 (b)ダムリングの放熱性が悪く、素子温度が上昇し、
加熱し易い。 (c)温度上昇に伴い封止用樹脂材から半導体素子に特
性劣化などのダメージを与えるおそれがある。 (d)ボンディングパッド等の部品数が多くなり、実装
工数も増加する。 (e)ワイヤの方向が制限される。
【0004】本発明の目的は、半導体素子の占有実装面
積を小さくできるとともに、放熱性を向上し、実装の低
コスト化を可能にした半導体素子の実装構造を提供する
ことにある。
積を小さくできるとともに、放熱性を向上し、実装の低
コスト化を可能にした半導体素子の実装構造を提供する
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】実施例である図1および
図9に対応づけて本発明の半導体素子の実装構造を説明
すると、本発明は、基板11上に半導体素子13を固着
し、この半導体素子13の電極13a,13bと基板1
1上の配線12a〜12c間を電気的に接続した後封止
する半導体素子の実装構造に適用される。そして、上記
目的は、基板11上の一部の配線12aと電気的に接続
され、かつ封止用ダムリングおよびワイヤボンディング
パッド機能を兼ねた導電部材25を半導体素子11の外
周囲を取り囲むようにして基板上に固着することにより
、達成できる。また、本発明は、導電部材30を半導体
素子11の電極に対応した数に電気的に分離することに
より、上記目的を達成できる。
図9に対応づけて本発明の半導体素子の実装構造を説明
すると、本発明は、基板11上に半導体素子13を固着
し、この半導体素子13の電極13a,13bと基板1
1上の配線12a〜12c間を電気的に接続した後封止
する半導体素子の実装構造に適用される。そして、上記
目的は、基板11上の一部の配線12aと電気的に接続
され、かつ封止用ダムリングおよびワイヤボンディング
パッド機能を兼ねた導電部材25を半導体素子11の外
周囲を取り囲むようにして基板上に固着することにより
、達成できる。また、本発明は、導電部材30を半導体
素子11の電極に対応した数に電気的に分離することに
より、上記目的を達成できる。
【0006】
【作用】導電部材25,30が素子封止用のダムリング
およびワイヤボンディングパッドを兼ねるから、ボンデ
ィングパッドを別に設ける必要がなくなり、占有実装面
積の縮小化,実装の低コスト化が可能になる。また、導
電部材30を半導体素子の電極数に応じて電気的に分離
することにより、占有実装面積の縮小化,低コスト化を
さらに向上できる。
およびワイヤボンディングパッドを兼ねるから、ボンデ
ィングパッドを別に設ける必要がなくなり、占有実装面
積の縮小化,実装の低コスト化が可能になる。また、導
電部材30を半導体素子の電極数に応じて電気的に分離
することにより、占有実装面積の縮小化,低コスト化を
さらに向上できる。
【0007】
【実施例】−第1の実施例−
図1〜図4は、本発明による半導体素子の実装構造の第
一の実施例を示すもので、図1は全体の縦断面図、図2
は封止樹脂およびコーティング材を取り除いた上面図、
図3はその外観図、図4は配線パターンとコーティング
層により形成される半田付け部のパターン図である。
一の実施例を示すもので、図1は全体の縦断面図、図2
は封止樹脂およびコーティング材を取り除いた上面図、
図3はその外観図、図4は配線パターンとコーティング
層により形成される半田付け部のパターン図である。
【0008】図1〜図3において、図11および図12
と同一の部分には同一符号を付して説明する。11は基
板、12a〜12cは基板11上に形成された配線、1
3は基板11に実装される半導体素子、15は基板11
の非半田付け領域を保護するソルダーレジストからなる
コーティング層であり、このコーティング層により、半
導体素子13の実装に必要な半田付けパターンを形成す
る。例えば、図4に示すように配線12aの素子接合部
12a1上に矩形の半田付けパターン21を,配線12
bのボンディングパッド接合部12b1上に矩形の半田
付けパターン22を,配線12cの導電部材接合部12
c1上には半田付けパターン21,22を外周から取り
囲むように配線12aと12cを結ぶ線を中心にして対
称に配列した凹状の半田付けパターン23a,23bを
それぞれ形成する。
と同一の部分には同一符号を付して説明する。11は基
板、12a〜12cは基板11上に形成された配線、1
3は基板11に実装される半導体素子、15は基板11
の非半田付け領域を保護するソルダーレジストからなる
コーティング層であり、このコーティング層により、半
導体素子13の実装に必要な半田付けパターンを形成す
る。例えば、図4に示すように配線12aの素子接合部
12a1上に矩形の半田付けパターン21を,配線12
bのボンディングパッド接合部12b1上に矩形の半田
付けパターン22を,配線12cの導電部材接合部12
c1上には半田付けパターン21,22を外周から取り
囲むように配線12aと12cを結ぶ線を中心にして対
称に配列した凹状の半田付けパターン23a,23bを
それぞれ形成する。
【0009】このようにした基板11の半田付けパター
ン21上、すなわち配線12aの素子接合部12a1上
には半導体素子13が半田14により接合され、半田付
けパターン22上,すなわち配線12bのボンディング
パッド接合部12b1上にはボンディングパッド17a
が半田16により接合され、さらに半田付けパターン2
3a,23b上、すなわち導電部材接合部12cには半
田24により四角筒状の導電部材25が接合される。
ン21上、すなわち配線12aの素子接合部12a1上
には半導体素子13が半田14により接合され、半田付
けパターン22上,すなわち配線12bのボンディング
パッド接合部12b1上にはボンディングパッド17a
が半田16により接合され、さらに半田付けパターン2
3a,23b上、すなわち導電部材接合部12cには半
田24により四角筒状の導電部材25が接合される。
【0010】導電部材25は、半導体素子13を樹脂封
止するためのダムリングと、半導体素子13のワイヤボ
ンディングに用いられるボンディングパッドの両方の機
能を備えるもので、アルミニウム,鉄,銅等の金属材か
らなり、そして半導体素子13およびボンディングパッ
ド17aを外周囲から包囲する大きさの四角筒状に成形
される。また、導電部材25の内面側上縁にはワイヤボ
ンディング用の段部25aが形成されており、この段部
25aと半導体素子13の他方の電極13b間はワイヤ
18bにより接続される。さらに半導体素子13の一方
の電極13aとボンディングパッド17a間はワイヤ1
8aにより接続される。
止するためのダムリングと、半導体素子13のワイヤボ
ンディングに用いられるボンディングパッドの両方の機
能を備えるもので、アルミニウム,鉄,銅等の金属材か
らなり、そして半導体素子13およびボンディングパッ
ド17aを外周囲から包囲する大きさの四角筒状に成形
される。また、導電部材25の内面側上縁にはワイヤボ
ンディング用の段部25aが形成されており、この段部
25aと半導体素子13の他方の電極13b間はワイヤ
18bにより接続される。さらに半導体素子13の一方
の電極13aとボンディングパッド17a間はワイヤ1
8aにより接続される。
【0011】半導体素子のワイヤボンディングが完了し
たあとの導電部材25の内側には、図1に示すように封
止用の樹脂材20を充填して半導体素子13を完全に封
止する。このとき、充填される樹脂材20は粘度が高い
ため、導電部材25の半田付けされない部分26(図2
参照)から流れ出すことがなく、その部分26も樹脂材
20によって密封されるから、半導体素子の封止は確実
になる。
たあとの導電部材25の内側には、図1に示すように封
止用の樹脂材20を充填して半導体素子13を完全に封
止する。このとき、充填される樹脂材20は粘度が高い
ため、導電部材25の半田付けされない部分26(図2
参照)から流れ出すことがなく、その部分26も樹脂材
20によって密封されるから、半導体素子の封止は確実
になる。
【0012】このように本実施例の半導体素子の実装構
造においては、半導体素子13を樹脂封止する導電部材
25が半導体素子の一方のボンディングパッドを兼ねる
から、図11,図12に示す従来の実装構造に比較して
一方のボンディングパッドを省略できる。これに伴い一
方のボンディングパッドの設置エリアが不要になるから
、図2および図12からも明らかなように従来と同じ実
装設計ルールであっても、導電部材25の大きさが一方
のボンディングパッドを省略したことにより得られる面
積に相当する分小さくなり、半導体素子全体の実装面積
を縮小できる。これにより基板上への半導体素子の実装
密度を向上できる。
造においては、半導体素子13を樹脂封止する導電部材
25が半導体素子の一方のボンディングパッドを兼ねる
から、図11,図12に示す従来の実装構造に比較して
一方のボンディングパッドを省略できる。これに伴い一
方のボンディングパッドの設置エリアが不要になるから
、図2および図12からも明らかなように従来と同じ実
装設計ルールであっても、導電部材25の大きさが一方
のボンディングパッドを省略したことにより得られる面
積に相当する分小さくなり、半導体素子全体の実装面積
を縮小できる。これにより基板上への半導体素子の実装
密度を向上できる。
【0013】導電部材25は、アルミニウム等の熱伝導
率の高い金属から成形されているため、半導体素子13
で発生した熱を効率良く放射することが出来る。また、
封止樹脂20は熱膨張係数が大きく、外部環境の温度変
化により大きな熱応力を発生するが、封止樹脂20を取
り囲む導電部材25は機械的強度が大きく(変形しにく
く)、かつ樹脂に比し熱膨張係数が小さいため、封止樹
脂20の横方向の延びを制限し、その熱応力を抑制でき
る。その結果、半導体素子等への熱応力による影響を低
減できる。
率の高い金属から成形されているため、半導体素子13
で発生した熱を効率良く放射することが出来る。また、
封止樹脂20は熱膨張係数が大きく、外部環境の温度変
化により大きな熱応力を発生するが、封止樹脂20を取
り囲む導電部材25は機械的強度が大きく(変形しにく
く)、かつ樹脂に比し熱膨張係数が小さいため、封止樹
脂20の横方向の延びを制限し、その熱応力を抑制でき
る。その結果、半導体素子等への熱応力による影響を低
減できる。
【0014】導電部材25はダムリングとボンディング
パッドの両方の機能を備えることにより、専用のボンデ
ィングパッドなどの部品数および実装工数を低減できる
。また、導電部材25は半導体素子13の周囲のいずれ
の位置からでもボンディングパッドとして機能するから
、半導体素子とのワイヤボンディングの自由度が大きく
なり、実装設計および製造工程が容易になる。さらに、
導電部材25は、アルミニウム,鉄,銅等の金属材から
簡単に加工できるため、安価に製造できる。
パッドの両方の機能を備えることにより、専用のボンデ
ィングパッドなどの部品数および実装工数を低減できる
。また、導電部材25は半導体素子13の周囲のいずれ
の位置からでもボンディングパッドとして機能するから
、半導体素子とのワイヤボンディングの自由度が大きく
なり、実装設計および製造工程が容易になる。さらに、
導電部材25は、アルミニウム,鉄,銅等の金属材から
簡単に加工できるため、安価に製造できる。
【0015】図2から明らかなように一方のボンディン
グパッドが省略されることにより、ダムリングとしての
導電部材の容積を従来のものより小さくできるから、半
導体素子を封止する樹脂量を削減できる。特に封止樹脂
量の削減は、イオン含有率の低いエポキシ,シリコン樹
脂などの高価な樹脂を用いた場合、コスト面からも有効
となる。さらに、半導体素子がトランジスタの場合、そ
のエミッタなどがワイヤボンディングされる導電部材の
電位は接地電位となるため、トランジスタ周囲を外来ノ
イズ等からシールドすることができる。
グパッドが省略されることにより、ダムリングとしての
導電部材の容積を従来のものより小さくできるから、半
導体素子を封止する樹脂量を削減できる。特に封止樹脂
量の削減は、イオン含有率の低いエポキシ,シリコン樹
脂などの高価な樹脂を用いた場合、コスト面からも有効
となる。さらに、半導体素子がトランジスタの場合、そ
のエミッタなどがワイヤボンディングされる導電部材の
電位は接地電位となるため、トランジスタ周囲を外来ノ
イズ等からシールドすることができる。
【0016】−第2の実施例−
図5および図6は、本発明の第2の実施例を示すもので
、図5は全体の縦断面図、図6は半導体素子実装部分の
配線パターンの平面図である。図5および図6において
、第1の実施例で示す図1および図4と同一の部分には
同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分を重
点的に述べる。第1の実施例と異なる点は、図6に示す
ように基板表面をコーティングするソルダーレジスト用
のコーティング層15により、配線12aの素子接合用
半田付けパターン21,配線12bのボンディングパッ
ド接合用半田付けパターン22、配線12c導電部材接
合用半田付けパターン23a,23bを形成した後、半
田付けパターン23a,23bおよび配線12a,12
bと直交する部分A,Bのコーティング層15上に導電
性の印刷ペーストにより接合パターン26をエンドレス
に形成し、そして、接合パターン26上には、図5に示
すように半田27によって導電部材25を接合したとこ
ろにある。なお、接合パターン26と導電部材25との
接合は半田のみに限らず、導電性の接着剤などでも良い
。
、図5は全体の縦断面図、図6は半導体素子実装部分の
配線パターンの平面図である。図5および図6において
、第1の実施例で示す図1および図4と同一の部分には
同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分を重
点的に述べる。第1の実施例と異なる点は、図6に示す
ように基板表面をコーティングするソルダーレジスト用
のコーティング層15により、配線12aの素子接合用
半田付けパターン21,配線12bのボンディングパッ
ド接合用半田付けパターン22、配線12c導電部材接
合用半田付けパターン23a,23bを形成した後、半
田付けパターン23a,23bおよび配線12a,12
bと直交する部分A,Bのコーティング層15上に導電
性の印刷ペーストにより接合パターン26をエンドレス
に形成し、そして、接合パターン26上には、図5に示
すように半田27によって導電部材25を接合したとこ
ろにある。なお、接合パターン26と導電部材25との
接合は半田のみに限らず、導電性の接着剤などでも良い
。
【0017】このような第2の実施例においては、接合
パターン26によって導電部材25の下端縁を基板表面
に隙間なく完全に接合することが出来る。これに伴い封
止用樹脂20に粘度の低い樹脂材を用いても樹脂が導電
部材から外部へ流出することがないほか、基板表面と導
電部材との接合部分から水分が侵入したり、不純物や塵
埃等が侵入したりするのを完全に防止できる。
パターン26によって導電部材25の下端縁を基板表面
に隙間なく完全に接合することが出来る。これに伴い封
止用樹脂20に粘度の低い樹脂材を用いても樹脂が導電
部材から外部へ流出することがないほか、基板表面と導
電部材との接合部分から水分が侵入したり、不純物や塵
埃等が侵入したりするのを完全に防止できる。
【0018】−第3の実施例−
図7は、本発明の第3の実施例を示す縦断面図である。
図7において、図5と同一符号は同一部分を表わし、同
一構成になっている。そして、図5と異なる点は、半導
体素子を樹脂封止に代えて気密封止構造にしたところに
ある。すなわち、基板11の表面に接合パターン26お
よび半田27により接合した導電部材25の開口端には
、平板状のリッド28が半田29等により接合され、こ
れによって導電部材25内の半導体素子13を気密封止
している。
一構成になっている。そして、図5と異なる点は、半導
体素子を樹脂封止に代えて気密封止構造にしたところに
ある。すなわち、基板11の表面に接合パターン26お
よび半田27により接合した導電部材25の開口端には
、平板状のリッド28が半田29等により接合され、こ
れによって導電部材25内の半導体素子13を気密封止
している。
【0019】このような第3の実施例においては、リッ
ド28を導電部材25の開口端面に接合することで簡単
に気密封止することができるほか、封止用樹脂がないた
め、半導体素子への熱応力の問題がなくなり、水分等の
侵入を防止できる。また、半導体素子の周囲および上部
を導電部材とリッドにより完全にシールドすることによ
り、外来ノイズの侵入を防止するシールド効果をより向
上できる。
ド28を導電部材25の開口端面に接合することで簡単
に気密封止することができるほか、封止用樹脂がないた
め、半導体素子への熱応力の問題がなくなり、水分等の
侵入を防止できる。また、半導体素子の周囲および上部
を導電部材とリッドにより完全にシールドすることによ
り、外来ノイズの侵入を防止するシールド効果をより向
上できる。
【0020】−第4の実施例−
図8および図9は、本発明の第4の実施例を示す縦断面
図および全体の外観図である。図8および図9において
、第1の実施例に示す場合と同様に基板11に形成した
配線12aの素子接合部12a1上には半導体素子13
が半田14により接合されている。また、ダムリングと
ボンディングパッドを兼ねる導電部材30は、基板11
上の半導体素子13の外周囲を取り囲む四角筒状に成形
されている。この導電部材30は、絶縁材30c,30
dにより半導体素子13の電極13a,13bに対応し
た2つの導電部分30a,30bに電気的に分離されて
いる。
図および全体の外観図である。図8および図9において
、第1の実施例に示す場合と同様に基板11に形成した
配線12aの素子接合部12a1上には半導体素子13
が半田14により接合されている。また、ダムリングと
ボンディングパッドを兼ねる導電部材30は、基板11
上の半導体素子13の外周囲を取り囲む四角筒状に成形
されている。この導電部材30は、絶縁材30c,30
dにより半導体素子13の電極13a,13bに対応し
た2つの導電部分30a,30bに電気的に分離されて
いる。
【0021】基板11の表面には、導電部分30a,3
0bの下面形状と同一の接合パターン32a,32bが
導電性の印刷ペーストにより形成されており、このうち
接合パターン32aは基板11上の配線12bと電気的
に接続され、接合パターン32bは基板11上の配線1
2cと電気的に接続される。また、接合パターン32a
上には一方の導電部分30aが半田33等により接続さ
れ、接合パターン32b上には他方の導電部分30bが
半田33等により接合される。そして、半導体素子13
の電極13aと導電部分30a間はワイヤ18aにより
接続され、半導体素子13の電極13bと導電部分30
b間はワイヤ18bにより接続される。
0bの下面形状と同一の接合パターン32a,32bが
導電性の印刷ペーストにより形成されており、このうち
接合パターン32aは基板11上の配線12bと電気的
に接続され、接合パターン32bは基板11上の配線1
2cと電気的に接続される。また、接合パターン32a
上には一方の導電部分30aが半田33等により接続さ
れ、接合パターン32b上には他方の導電部分30bが
半田33等により接合される。そして、半導体素子13
の電極13aと導電部分30a間はワイヤ18aにより
接続され、半導体素子13の電極13bと導電部分30
b間はワイヤ18bにより接続される。
【0022】このような第4の実施例においては、第1
の実施例と同様な作用効果が得られるほか、導電部材3
0が半導体素子の全ての電極をワイヤにて接続できるボ
ンディングパッドの機能を有するから、従来のようにボ
ンディングパッドを別に設ける必要がなくなる。これに
伴い導電部材の容積がさらに小さくなり、半導体素子の
実装面積もさらに減少し、半導体素子の実装密度を向上
できる。
の実施例と同様な作用効果が得られるほか、導電部材3
0が半導体素子の全ての電極をワイヤにて接続できるボ
ンディングパッドの機能を有するから、従来のようにボ
ンディングパッドを別に設ける必要がなくなる。これに
伴い導電部材の容積がさらに小さくなり、半導体素子の
実装面積もさらに減少し、半導体素子の実装密度を向上
できる。
【0023】−第5の実施例−
図10は、本発明の第5の実施例を示す縦断面図である
。図10において、第5図と同一の部分には同一符号を
付してその説明を省略し、第5図と異なる部分を重点的
に述べる。図10からも明らかなように、この実施例に
おける特徴部分は、導電部材25Aの外周面に基板11
上の他の配線へのワイヤボンディング用段部25bを形
成し、この段部25bを利用して、基板11上の他の配
線12dに接合したボンディングパッド34との間をワ
イヤ35により接続できるようにしたところにある。
。図10において、第5図と同一の部分には同一符号を
付してその説明を省略し、第5図と異なる部分を重点的
に述べる。図10からも明らかなように、この実施例に
おける特徴部分は、導電部材25Aの外周面に基板11
上の他の配線へのワイヤボンディング用段部25bを形
成し、この段部25bを利用して、基板11上の他の配
線12dに接合したボンディングパッド34との間をワ
イヤ35により接続できるようにしたところにある。
【0024】したがって、第5の実施例においては、第
2の実施例に示す場合と同様な作用効果が得られるほか
、導電部材25Aを基板上の他の素子用配線へのボンデ
ィングパッドとしても使用できる。つまり、ワイヤボン
ディングによる他配線へのワイヤ結線が可能になること
によって、空中配線によるジャッパ線あるいは素子への
接続配線に利用することができる。
2の実施例に示す場合と同様な作用効果が得られるほか
、導電部材25Aを基板上の他の素子用配線へのボンデ
ィングパッドとしても使用できる。つまり、ワイヤボン
ディングによる他配線へのワイヤ結線が可能になること
によって、空中配線によるジャッパ線あるいは素子への
接続配線に利用することができる。
【0025】なお、上記各実施例では、ダムリングおよ
びボンディングパッドを兼ねる導電部材を金属で成形す
る場合について述べたが、これに限定されない。例えば
絶縁材からなる母材表面にカーボンフィラー,Agフィ
ラー,メッキなどの導電層を形成する構造のものでも良
い。特にボンディングパッドに相当する必要部分にメッ
キなどの導電層を施してボンディングパッド兼用のダム
リングを成形することは容易であり、導電部材の低コス
ト化が図れる。また、第4の実施例では、導電部材を電
気的に2つに分離する場合について述べたが、その電気
的分離数は実施例のものに限定されない。
びボンディングパッドを兼ねる導電部材を金属で成形す
る場合について述べたが、これに限定されない。例えば
絶縁材からなる母材表面にカーボンフィラー,Agフィ
ラー,メッキなどの導電層を形成する構造のものでも良
い。特にボンディングパッドに相当する必要部分にメッ
キなどの導電層を施してボンディングパッド兼用のダム
リングを成形することは容易であり、導電部材の低コス
ト化が図れる。また、第4の実施例では、導電部材を電
気的に2つに分離する場合について述べたが、その電気
的分離数は実施例のものに限定されない。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、素
子の封止用ダムリングとワイヤボンディングパッドの両
方の機能を有する導電部材を利用して半導体素子を実装
できるようにしたので、別構造のボンディングパッドが
不要もしくは削減することができ、このことによって占
有実装面積の小さい高密度実装が可能になるとともに、
ボンディングパッドなどの実装部品数および実装工数が
削減され大幅なコスト低減ができる。また、導電部材の
放熱性が良好となり、半導体素子の信頼性が向上し、樹
脂封止タイプのものであっても半導体素子に加わる熱応
力を低減できる。さらに、導電部材は半導体素子の外周
囲を包囲する構造になっているから、ワイヤボンディン
グの自由度が広がり、実装設計が容易になる。また、導
電部材を半導体素子の電極数に対応して電気的に複数に
分離することにより、半導体素子用のワイヤボンディン
グパッドが不要になり、実装面積の縮小化および高密度
実装をさらに向上できる。
子の封止用ダムリングとワイヤボンディングパッドの両
方の機能を有する導電部材を利用して半導体素子を実装
できるようにしたので、別構造のボンディングパッドが
不要もしくは削減することができ、このことによって占
有実装面積の小さい高密度実装が可能になるとともに、
ボンディングパッドなどの実装部品数および実装工数が
削減され大幅なコスト低減ができる。また、導電部材の
放熱性が良好となり、半導体素子の信頼性が向上し、樹
脂封止タイプのものであっても半導体素子に加わる熱応
力を低減できる。さらに、導電部材は半導体素子の外周
囲を包囲する構造になっているから、ワイヤボンディン
グの自由度が広がり、実装設計が容易になる。また、導
電部材を半導体素子の電極数に対応して電気的に複数に
分離することにより、半導体素子用のワイヤボンディン
グパッドが不要になり、実装面積の縮小化および高密度
実装をさらに向上できる。
【図1】本発明の第1の実施例を示す縦断面図である。
【図2】第1の実施例における実装構造の一部を取り除
いて示す上面図である。
いて示す上面図である。
【図3】第1の実施例における実装構造の外観図である
。
。
【図4】第1の実施例における配線パターンとコーティ
ング層により形成される半田付け部のパターン図である
。
ング層により形成される半田付け部のパターン図である
。
【図5】本発明の第2の実施例を示す縦断面図である。
【図6】第2の実施例における実装部分の配線パターン
図である。
図である。
【図7】本発明の第3の実施例を示す縦断面図である。
【図8】本発明の第4の実施例を示す縦断面図である。
【図9】第4の実施例における実装構造の外観図である
。
。
【図10】本発明の第5の実施例を示す縦断面図である
。
。
【図11】従来の半導体素子の実装構造を示す縦断面図
である。
である。
【図12】従来の実装構造の一部を取り除いて示す上面
図である。
図である。
11 基板
12a〜12c 配線
13 半導体素子
13a,13b 電極
17a,17b ボンディングパッド18a,18b
ワイヤ 20 封止樹脂 25,30 導電部材 30c,30d 絶縁材
ワイヤ 20 封止樹脂 25,30 導電部材 30c,30d 絶縁材
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に半導体素子を固着し、この半
導体素子の電極と前記基板上の配線間を電気的に接続し
た後封止する半導体素子の実装構造において、前記基板
上の一部の配線と電気的に接続され、かつ封止用ダムリ
ングおよびワイヤボンディングパッド機能を兼ねた導電
部材を前記半導体素子の外周囲を取り囲むようにして前
記基板上に固着したことを特徴とする半導体素子の実装
構造。 - 【請求項2】 導電部材が半導体素子の電極に対応し
た数に電気的に分離されていることを特徴とする請求項
1記載の半導体素子の実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3171693A JPH04369250A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3171693A JPH04369250A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体素子の実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04369250A true JPH04369250A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15927941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3171693A Pending JPH04369250A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体素子の実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04369250A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5621242A (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having support film formed on inner leads |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6266650A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
JPS6251748B2 (ja) * | 1983-01-25 | 1987-10-31 | Meiwa Sangyo |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP3171693A patent/JPH04369250A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6251748B2 (ja) * | 1983-01-25 | 1987-10-31 | Meiwa Sangyo | |
JPS6266650A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5621242A (en) * | 1994-05-16 | 1997-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having support film formed on inner leads |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5293301A (en) | Semiconductor device and lead frame used therein | |
US5399903A (en) | Semiconductor device having an universal die size inner lead layout | |
US5436203A (en) | Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same | |
EP1374305B1 (en) | Enhanced die-down ball grid array and method for making the same | |
KR100404159B1 (ko) | 반도체장치 | |
US5668406A (en) | Semiconductor device having shielding structure made of electrically conductive paste | |
JPH06209054A (ja) | 半導体装置 | |
KR100194747B1 (ko) | 반도체장치 | |
JPH07283341A (ja) | 表面取り付け型周辺リード及びボール・グリッド・アレー・パッケージ | |
JPH10214923A (ja) | チップ・オン・ボード遮蔽構造およびその製造方法 | |
JP2825084B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US5168345A (en) | Semiconductor device having a universal die size inner lead layout | |
KR930004248B1 (ko) | 반도체소자패키지 및 반도체소자패키지 탑재배선회로기판 | |
US6166435A (en) | Flip-chip ball grid array package with a heat slug | |
US6037656A (en) | Semiconductor integrated circuit device having short signal paths to terminals and process of fabrication thereof | |
JPS5992556A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04369250A (ja) | 半導体素子の実装構造 | |
JPH02278752A (ja) | 半導体装置 | |
JP2691352B2 (ja) | 電子部品塔載装置 | |
JP6494723B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP3078773B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JP2677213B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR100324633B1 (ko) | 반도체장치 | |
US20220201865A1 (en) | Electric component | |
JP2544272Y2 (ja) | 混成集積回路 |