JPH04366319A - 電波シール装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波電波を遮蔽する
電波シール装置に関し、特に電子レンジの如く、開閉自
在のドアを有する機器の電波シール装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の電波シール装置の１例を
図８に示す。６は電子レンジの加熱庫であり、この加熱
庫６の開口部７を開閉自在に覆う取手８を有するドア９
が設けられている。このドア９の周縁部には加熱庫６側
に向いて開口した隙間部１０を有する空洞のチョーク部
１１が形成されている。このチョーク部１１の奥行１２
は、使用される高周波の波長の実質的に４分の１波長に
設計されている。この場合ドア９の厚みも４分の１波長
である。すなわち従来電子レンジで使用されている電磁
波の周波数は、２４５０ＭＨｚであるので、４分の１波
長は約３０ｃｍとなる。この長さのチョーク部１１と対
向させるために、加熱庫６の開口部７に形成した周縁部
１３の厚さｄ０　は４分の１波長より大きい値となる。 したがって加熱庫６の開口部７の有効大きさは周縁部１
３の分だけひとまわり小さい（例えば、米国特許３１８
２１６４号明細書）。

【０００３】上述のごとく従来のチョーク部は４分の１
波長の深さとして高周波を減衰させるという技術思想に
基づいている。

【０００４】すなわち、チョーク部の特性インピーダン
スをＺ０　、奥行きに相当する深さをＬとし、終端部を
短絡したときにチョーク部開口部でのインピーダンスＺ
ＩＮは、（１）式に示されるようになる。

【０００５】 　　ＺＩＮ＝ｊＺ０　ｔａｎ（２πＬ／λ０　）　　　
　　　　　　　　　　　　　（１）（λ０　は自由空間
波長）チョーク方式の電波減衰手段は、チョーク部の深
さＬを４分の１波長に選定することにより、（２）式に
示すように、インピーダンスＺＩＮを無限大にして達成
するという原理に基づいている。

【０００６】 　　｜ＺＩＮ｜＝Ｚ０　ｔａｎ（π／２）＝∞　　　　
　　　　　　　　　　　　（２）以下、図９を用いて理
論的に説明する。ここで説明の都合上、図９のようにチ
ョーク溝の深さ方向をＺ軸、庫内からドアの隙間を通っ
て庫外へ向かう方向をＹ軸溝の長て方向にＸ軸を取るこ
ととする。

【０００７】チョーク方式は周知の４分の１波長インピ
ーダンス変換原理に基づくものである。即ち、チョーク
溝の特性インピーダンスをＺｏｃ、溝の深さを１ｃ　と
し加熱室からチョーク溝に至る漏波路１５の特性インピ
ーダンスをＺＤＰ、漏波路１５の長さを１Ｐ　、使用波
長をλとしたときに、図９の如くチョーク溝１６の底Ｃ
の短絡インピーダンスＺＣは、零であるのでチョーク溝
１６の開孔部Ｂから底Ｃを見たインピーダンスＺＢ　は
、（３）式に示すようになる。

【０００８】 　　ＺＤ　＝ｊＺ０Ｃｔａｎ（２π１Ｃ　／λ）　　　
　　　　　　　　　　　　　（３）１７は電子レンジの
加熱庫、１８はドアである。ここで（４）式と選ぶこと
により、（５）式と変換できる。

【０００９】 　　１Ｃ　＝λ／４　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（４）
　　｜ＺＢ　｜＝∞　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（５）
この開口部ＢのインピーダンスＺｎ　を線路始点Ａ部で
みたときのインピーダンスＺＡ　は（６）式となる。

【００１０】 　　ＺＡ　＝−ｊＺＯＰ／ｔａｎ（２π１Ｐ　／λ）　
　　　　　　　　　　　（６）ここで、（７）式と選ぶ
ことにより（８）式と変換できる。

【００１１】 　　１Ｐ　＝λ／４　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（７）
　　｜ＺＡ　｜＝０　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（８）
チョーク溝１８の底部Ｃでの短絡状態が４分の１波長イ
ンピーダンス変換原理をたくみに利用することで線路始
点に現出することにより電波シール装置として実用化し
ているものである。

【００１２】漏波路１５やチョーク溝１６に誘電率εｒ
　の誘電体を装荷することにより誘電体内での波長λ′
は自由空間波長λの（εｒ　）１／２　倍になり、誘電
率εｒ　、透磁率μｒ　の磁性体を装荷することにより
磁性体内での波長λ′は自由空間波長λの（εｒ　μｒ
　）１／２　倍になのが４分の１波長（λ′／４）イン
ピーダンス原理を用いることにより同様の効果を得られ
る。

【００１３】図９で説明すると、Ｚ軸方向に溝の深さを
４分の１波長にするとＹ軸方向への電波漏洩が抑えられ
るというものである。

【００１４】また、従来、チョーク溝の外側壁面にスリ
ットを設け、Ｘ方向の電波伝搬成分を低減する方法もあ
った。

【００１５】次に従来の他の一例（従来例２）として、
図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示したものがある。これ
は４分の１波長チョーク溝１９と電波吸収体２０を組合
せたドアシール装置である。但し、この場合にはチョー
ク構造の長て方向（Ｘ方向）に伝搬する電波は規制され
ておらず、電波吸収体で吸収されている。

【００１６】さらに従来の他の一例（従来例４）として
、図１１に示すようにチョーク溝２１が設けられ、チョ
ーク溝２１の外側に電波吸収体２２が設けられている。 これも４分の１波長を達成して電波を減衰させ、さらに
電波吸収体２２で溝２１より外部に漏れ出た電波を吸収
するようになっている。（例えば、実公昭５６−１６０
６８号）

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、電波の伝搬を考
えるとＸ方向の成分は規制されておらず電波吸収体に吸
収させて電波漏洩を抑えているので電波吸収体の負荷が
大きい。

【００１８】また、上記従来の構成図１１では、チョー
ク溝２１が設けられ、これも実質的に４分の１波長を達
成して電波を減衰させている。さらに、電波吸収体２２
を溝２１の外部に設け、溝２１から外に漏洩する電波を
吸収させて電子レンジの外部へ漏洩する電波を抑えてい
る。

【００１９】以上のように、従来は電波吸収体は４分の
１波長チョーク溝で減衰させた電波のＸ方向成分または
Ｙ方向成分の減衰のために用いているか、または、電波
吸収体をチョーク構造の外に置いてチョーク溝より漏洩
した電波を吸収しているためチョーク構造の大きさには
電波の４分の１波長の空間が必要となる。例えば、２４
５０ＭＨｚの場合には、約３０．６ｍｍである。

【００２０】また、従来図１０（ａ）、図１０（ｂ）、
図１１に示したようにチョーク構造を板金で達成するに
は複雑な折曲げやスポット溶接が必要であるという課題
があった。

【００２１】本発明は上記課題を解決するもので、従来
よりも小さくより簡単な構造の電波シール装置を提供す
ることを目的としたものである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、本発明の電波シール装置は、被加熱物を出
し入れする開口部を有し電波が内部に供給される加熱庫
を有する本体と、この本体の前面に設けられた前記開口
面を開閉自在に覆うドアと、前記本体と前記ドアとが対
向する部分の少なくとも一方に設けた凹状溝、前記凹状
溝の少なくとも１つの壁面に壁面に沿って周期的に設け
られたスリット群に前記溝の凹状部に電波吸収体を設け
た構成としてある。

【００２３】

【作用】本発明は上記構成によって、電波漏洩を抑える
ことができる。

【００２４】前記溝の少なくとも１つの壁面に壁面に沿
って設けられたスリット群で構成されているので、溝の
長て方向に伝搬する電波のＸ成分が伝搬しないようにし
、チョーク溝によりＹ方向の漏洩波を減衰させている。 さらにチョーク溝内に設けた電波吸収体の誘電性および
透磁性による電波圧縮効果により溝の深さを４分の１波
長より短くし、電波吸収体の電波減衰効果により漏洩電
波をより小さくする。

【００２５】

【実施例】以下本発明の実施例を添付図面に基づいて説
明する。図１、図２、図３において、１は、電子レンジ
本体で、この電子レンジ本体に対向するドア２に凹状の
チョーク溝３をもうけ前記溝３の外側の壁面にスリット
部５を設けてあり、壁面の長て方向に導体幅ａよりもピ
ッチＰが大きくなるような線路群で構成した壁面群、す
なわち、壁面に沿って設けられた巾ｐ−ａのスリット群
よりなっている。電波吸収体４は凹状のチョーク溝の開
口部を閉塞する位置にあり、チョーク部分に外部から、
異物が侵入するのを防ぐカバーの役目もしている。厚み
を１１　とし、電波吸収体４の下の深さを１２　とし、
溝の深さを１とすると（９）式となる。

【００２６】 １＝１１　＋１２　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　（９）１１　を変化させたと
きの漏波が最小になる１２　を測定すると（表１）のよ
うになった。

【００２７】

【表１】

【００２８】ここでは、フェライトを樹脂に分散した、
吸収率約８０％の電波吸収体を用いて測定した。厚みを
変えることによってトータルの溝の深さ１が小さくて済
む。これは電波吸収体の誘電性および透磁性による電波
圧縮効果によるものであり、厚みをさらに増すと１はも
っと小さくて済む。

【００２９】電波吸収体の誘電率をεｒ　透磁率μｒ　
を、電波吸収体内での電波の波長をλ′、自由空間での
電波の波長をλとすると（１０）式となる。

【００３０】 λ′＝λ／（εｒ　×μｒ　）１／２　　　　　　　　
　　　（１０）従って、（１１）式が成り立ち（表１）
に示したように、εｒ　×μｒ　が求まる。（１１）式
より、誘電率εｒ　や透磁率μｒのさらに大きい吸収体
を用いると１はさらに小さくて済む。

【００３１】 １１　×（εｒ　×μｒ　）１／２　＋１２　＝λ／４
　　　　（１１）図４は、凹状の溝の外壁にスリット（
巾２ｍｍ、または巾１０ｍｍ）を入れ、そのピッチを変
化させた時の漏洩値を測定した図である。ピッチ３００
ｍｍのときが、スリットの無いときに相当する。スリッ
トの大きさを変えてもピッチを３０ｍｍ程度にしたとき
が漏洩値が最小になっている。

【００３２】スリットの効果をみるために、スリットの
有無によって電波漏洩値がどう変化するかを比較したの
が、図５である。縦軸は漏洩値、横軸はドアと本体との
隙間（ギャップ）である。図５をみて分かるようにスリ
ットのある場合の方が無い場合に比べて１ケタ前後漏洩
値が低いことが分かる。

【００３３】また、電波吸収体の効果をみるために、電
波吸収体の有無によって電波漏洩値がどう変化するかを
比較したのが、図６である。縦軸は漏洩値、横軸はドア
と本体との隙間（ギャップ）である。図６をみて分かる
ように電波吸収体のある場合の方が無い場合に比べて１
ケタ前後漏洩値が低いことが分かる。

【００３４】以上のように、スリットだけがなくても、
吸収体だけがなくても漏波が大きいことが分かる。つま
り、スリットと電波吸収体は相互に影響しあって漏波を
低減する効果を有することが分かる。

【００３５】また、図７はフェライト樹脂体の有無およ
び厚みの変化について示した図である。フェライト樹脂
体の無い場合よりある場合のほうが漏洩値が小さいこと
が分かる。また、厚みが厚くなるほど漏洩値が小さいこ
とが分かる。

【００３６】図１に示すように、従来の構造のように板
金を複雑に曲げたり、スポット溶接したりすることがな
く、板金を折り曲げる構造であるので、製造工程が少な
くて済むので作りやすい。

【００３７】次に導電性のチタン酸カリウムウィスカー
を樹脂に分散した、吸収率約５０％、誘電率約４０の電
波吸収体を用いて測定したところ、（表２）のようにな
った。

【００３８】

【表２】

【００３９】この場合、（１０）式および（１１）式に
おいて、（１２）式とすれば、同じ式が成り立つ。

【００４０】 μｒ　＝１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（１２）この電波吸収体を凹状のチョーク溝に設置して
測定した場合にも、フェライト樹脂体の場合と同様の効
果が得られた。

【００４１】なお、以上述べたのは凹状溝の一面にスリ
ットを設けた場合につき述べたが、スリットは他の面に
設けてもよく、さらに同時に２面または３面に設けても
同様の電波遮蔽効果を得ることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本発明の電波シール装置に
よれば、次の効果が得られる。 （１）凹状のチョーク溝の少なくとも一つの壁面が長て
方向に導体幅よりもピッチが大きくなるようにした線路
群で構成した壁面群とし、凹状の溝に電波吸収体を設け
ることにより電波漏洩を低減する電波シール装置とする
ことができる。 （２）従来の構造のように板金を複雑に曲げたり、スポ
ット溶接したりすることがなく、板金を折り曲げる構造
であるので、製造工程が少なくて済むので作りやすい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における概要を示した断面図

【図２】上記図１の要部の断面図

【図３】上記図１の凹状溝の要部の断面斜視図

【図４】
上記図１の実施例におけるスリットピッチの影響を示し
た図

【図５】上記図１の実施例におけるスリットの効果を示
した図

【図６】上記図１の実施例にける電波吸収体の効果を示
した図

【図７】上記図１の実施例における電波吸収体の有無お
よび厚みの効果を示した図

【図８】従来例１の概要を示した断面図

【図９】従来例
１のドア部分の概要を示した断面図

【図１０】（ａ）従
来例２のドアのチョーク部分の概要を示した断面図（ｂ
）従来例２のドアのチョーク部分の概要を示した断面斜
視図

【図１１】従来例３のドア部分の概要を示した断面図

【符号の説明】

１　　本体 ２　　ドア ３　　凹状溝 ４　　電波吸収体 ５　　スリット部 ６　　加熱庫 ７　　開口部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被加熱物を出し入れする開口部を有し電波
   が内部に供給される加熱庫を有する本体と、この本体前
   面に設けられ前記開口面を開閉自在に覆うドアと、前記
   本体と前記ドアとが対向する部分の少なくとも一方に設
   けた凹状溝と、前記凹状溝の少なくとも１つの壁面に壁
   面に沿って設けられたスリット群と、前記凹状溝に設け
   た電波吸収体とからなる電波シール装置。