JPH04366319A - 電波シール装置 - Google Patents
電波シール装置Info
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- JPH04366319A JPH04366319A JP13989791A JP13989791A JPH04366319A JP H04366319 A JPH04366319 A JP H04366319A JP 13989791 A JP13989791 A JP 13989791A JP 13989791 A JP13989791 A JP 13989791A JP H04366319 A JPH04366319 A JP H04366319A
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- Electric Ovens (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電波を遮蔽する
電波シール装置に関し、特に電子レンジの如く、開閉自
在のドアを有する機器の電波シール装置に関するもので
ある。
電波シール装置に関し、特に電子レンジの如く、開閉自
在のドアを有する機器の電波シール装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の電波シール装置の1例を
図8に示す。6は電子レンジの加熱庫であり、この加熱
庫6の開口部7を開閉自在に覆う取手8を有するドア9
が設けられている。このドア9の周縁部には加熱庫6側
に向いて開口した隙間部10を有する空洞のチョーク部
11が形成されている。このチョーク部11の奥行12
は、使用される高周波の波長の実質的に4分の1波長に
設計されている。この場合ドア9の厚みも4分の1波長
である。すなわち従来電子レンジで使用されている電磁
波の周波数は、2450MHzであるので、4分の1波
長は約30cmとなる。この長さのチョーク部11と対
向させるために、加熱庫6の開口部7に形成した周縁部
13の厚さd0 は4分の1波長より大きい値となる。 したがって加熱庫6の開口部7の有効大きさは周縁部1
3の分だけひとまわり小さい(例えば、米国特許318
2164号明細書)。
図8に示す。6は電子レンジの加熱庫であり、この加熱
庫6の開口部7を開閉自在に覆う取手8を有するドア9
が設けられている。このドア9の周縁部には加熱庫6側
に向いて開口した隙間部10を有する空洞のチョーク部
11が形成されている。このチョーク部11の奥行12
は、使用される高周波の波長の実質的に4分の1波長に
設計されている。この場合ドア9の厚みも4分の1波長
である。すなわち従来電子レンジで使用されている電磁
波の周波数は、2450MHzであるので、4分の1波
長は約30cmとなる。この長さのチョーク部11と対
向させるために、加熱庫6の開口部7に形成した周縁部
13の厚さd0 は4分の1波長より大きい値となる。 したがって加熱庫6の開口部7の有効大きさは周縁部1
3の分だけひとまわり小さい(例えば、米国特許318
2164号明細書)。
【0003】上述のごとく従来のチョーク部は4分の1
波長の深さとして高周波を減衰させるという技術思想に
基づいている。
波長の深さとして高周波を減衰させるという技術思想に
基づいている。
【0004】すなわち、チョーク部の特性インピーダン
スをZ0 、奥行きに相当する深さをLとし、終端部を
短絡したときにチョーク部開口部でのインピーダンスZ
INは、(1)式に示されるようになる。
スをZ0 、奥行きに相当する深さをLとし、終端部を
短絡したときにチョーク部開口部でのインピーダンスZ
INは、(1)式に示されるようになる。
【0005】
ZIN=jZ0 tan(2πL/λ0 )
(1)(λ0 は自由空間
波長)チョーク方式の電波減衰手段は、チョーク部の深
さLを4分の1波長に選定することにより、(2)式に
示すように、インピーダンスZINを無限大にして達成
するという原理に基づいている。
(1)(λ0 は自由空間
波長)チョーク方式の電波減衰手段は、チョーク部の深
さLを4分の1波長に選定することにより、(2)式に
示すように、インピーダンスZINを無限大にして達成
するという原理に基づいている。
【0006】
|ZIN|=Z0 tan(π/2)=∞
(2)以下、図9を用いて理
論的に説明する。ここで説明の都合上、図9のようにチ
ョーク溝の深さ方向をZ軸、庫内からドアの隙間を通っ
て庫外へ向かう方向をY軸溝の長て方向にX軸を取るこ
ととする。
(2)以下、図9を用いて理
論的に説明する。ここで説明の都合上、図9のようにチ
ョーク溝の深さ方向をZ軸、庫内からドアの隙間を通っ
て庫外へ向かう方向をY軸溝の長て方向にX軸を取るこ
ととする。
【0007】チョーク方式は周知の4分の1波長インピ
ーダンス変換原理に基づくものである。即ち、チョーク
溝の特性インピーダンスをZoc、溝の深さを1c と
し加熱室からチョーク溝に至る漏波路15の特性インピ
ーダンスをZDP、漏波路15の長さを1P 、使用波
長をλとしたときに、図9の如くチョーク溝16の底C
の短絡インピーダンスZCは、零であるのでチョーク溝
16の開孔部Bから底Cを見たインピーダンスZB は
、(3)式に示すようになる。
ーダンス変換原理に基づくものである。即ち、チョーク
溝の特性インピーダンスをZoc、溝の深さを1c と
し加熱室からチョーク溝に至る漏波路15の特性インピ
ーダンスをZDP、漏波路15の長さを1P 、使用波
長をλとしたときに、図9の如くチョーク溝16の底C
の短絡インピーダンスZCは、零であるのでチョーク溝
16の開孔部Bから底Cを見たインピーダンスZB は
、(3)式に示すようになる。
【0008】
ZD =jZ0Ctan(2π1C /λ)
(3)17は電子レンジの
加熱庫、18はドアである。ここで(4)式と選ぶこと
により、(5)式と変換できる。
(3)17は電子レンジの
加熱庫、18はドアである。ここで(4)式と選ぶこと
により、(5)式と変換できる。
【0009】
1C =λ/4
(4)
|ZB |=∞
(5)
この開口部BのインピーダンスZn を線路始点A部で
みたときのインピーダンスZA は(6)式となる。
(4)
|ZB |=∞
(5)
この開口部BのインピーダンスZn を線路始点A部で
みたときのインピーダンスZA は(6)式となる。
【0010】
ZA =−jZOP/tan(2π1P /λ)
(6)ここで、(7)式と選ぶ
ことにより(8)式と変換できる。
(6)ここで、(7)式と選ぶ
ことにより(8)式と変換できる。
【0011】
1P =λ/4
(7)
|ZA |=0
(8)
チョーク溝18の底部Cでの短絡状態が4分の1波長イ
ンピーダンス変換原理をたくみに利用することで線路始
点に現出することにより電波シール装置として実用化し
ているものである。
(7)
|ZA |=0
(8)
チョーク溝18の底部Cでの短絡状態が4分の1波長イ
ンピーダンス変換原理をたくみに利用することで線路始
点に現出することにより電波シール装置として実用化し
ているものである。
【0012】漏波路15やチョーク溝16に誘電率εr
の誘電体を装荷することにより誘電体内での波長λ′
は自由空間波長λの(εr )1/2 倍になり、誘電
率εr 、透磁率μr の磁性体を装荷することにより
磁性体内での波長λ′は自由空間波長λの(εr μr
)1/2 倍になのが4分の1波長(λ′/4)イン
ピーダンス原理を用いることにより同様の効果を得られ
る。
の誘電体を装荷することにより誘電体内での波長λ′
は自由空間波長λの(εr )1/2 倍になり、誘電
率εr 、透磁率μr の磁性体を装荷することにより
磁性体内での波長λ′は自由空間波長λの(εr μr
)1/2 倍になのが4分の1波長(λ′/4)イン
ピーダンス原理を用いることにより同様の効果を得られ
る。
【0013】図9で説明すると、Z軸方向に溝の深さを
4分の1波長にするとY軸方向への電波漏洩が抑えられ
るというものである。
4分の1波長にするとY軸方向への電波漏洩が抑えられ
るというものである。
【0014】また、従来、チョーク溝の外側壁面にスリ
ットを設け、X方向の電波伝搬成分を低減する方法もあ
った。
ットを設け、X方向の電波伝搬成分を低減する方法もあ
った。
【0015】次に従来の他の一例(従来例2)として、
図10(a)、図10(b)に示したものがある。これ
は4分の1波長チョーク溝19と電波吸収体20を組合
せたドアシール装置である。但し、この場合にはチョー
ク構造の長て方向(X方向)に伝搬する電波は規制され
ておらず、電波吸収体で吸収されている。
図10(a)、図10(b)に示したものがある。これ
は4分の1波長チョーク溝19と電波吸収体20を組合
せたドアシール装置である。但し、この場合にはチョー
ク構造の長て方向(X方向)に伝搬する電波は規制され
ておらず、電波吸収体で吸収されている。
【0016】さらに従来の他の一例(従来例4)として
、図11に示すようにチョーク溝21が設けられ、チョ
ーク溝21の外側に電波吸収体22が設けられている。 これも4分の1波長を達成して電波を減衰させ、さらに
電波吸収体22で溝21より外部に漏れ出た電波を吸収
するようになっている。(例えば、実公昭56−160
68号)
、図11に示すようにチョーク溝21が設けられ、チョ
ーク溝21の外側に電波吸収体22が設けられている。 これも4分の1波長を達成して電波を減衰させ、さらに
電波吸収体22で溝21より外部に漏れ出た電波を吸収
するようになっている。(例えば、実公昭56−160
68号)
【0017】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成図10(a)、図10(b)は、電波の伝搬を考
えるとX方向の成分は規制されておらず電波吸収体に吸
収させて電波漏洩を抑えているので電波吸収体の負荷が
大きい。
の構成図10(a)、図10(b)は、電波の伝搬を考
えるとX方向の成分は規制されておらず電波吸収体に吸
収させて電波漏洩を抑えているので電波吸収体の負荷が
大きい。
【0018】また、上記従来の構成図11では、チョー
ク溝21が設けられ、これも実質的に4分の1波長を達
成して電波を減衰させている。さらに、電波吸収体22
を溝21の外部に設け、溝21から外に漏洩する電波を
吸収させて電子レンジの外部へ漏洩する電波を抑えてい
る。
ク溝21が設けられ、これも実質的に4分の1波長を達
成して電波を減衰させている。さらに、電波吸収体22
を溝21の外部に設け、溝21から外に漏洩する電波を
吸収させて電子レンジの外部へ漏洩する電波を抑えてい
る。
【0019】以上のように、従来は電波吸収体は4分の
1波長チョーク溝で減衰させた電波のX方向成分または
Y方向成分の減衰のために用いているか、または、電波
吸収体をチョーク構造の外に置いてチョーク溝より漏洩
した電波を吸収しているためチョーク構造の大きさには
電波の4分の1波長の空間が必要となる。例えば、24
50MHzの場合には、約30.6mmである。
1波長チョーク溝で減衰させた電波のX方向成分または
Y方向成分の減衰のために用いているか、または、電波
吸収体をチョーク構造の外に置いてチョーク溝より漏洩
した電波を吸収しているためチョーク構造の大きさには
電波の4分の1波長の空間が必要となる。例えば、24
50MHzの場合には、約30.6mmである。
【0020】また、従来図10(a)、図10(b)、
図11に示したようにチョーク構造を板金で達成するに
は複雑な折曲げやスポット溶接が必要であるという課題
があった。
図11に示したようにチョーク構造を板金で達成するに
は複雑な折曲げやスポット溶接が必要であるという課題
があった。
【0021】本発明は上記課題を解決するもので、従来
よりも小さくより簡単な構造の電波シール装置を提供す
ることを目的としたものである。
よりも小さくより簡単な構造の電波シール装置を提供す
ることを目的としたものである。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、本発明の電波シール装置は、被加熱物を出
し入れする開口部を有し電波が内部に供給される加熱庫
を有する本体と、この本体の前面に設けられた前記開口
面を開閉自在に覆うドアと、前記本体と前記ドアとが対
向する部分の少なくとも一方に設けた凹状溝、前記凹状
溝の少なくとも1つの壁面に壁面に沿って周期的に設け
られたスリット群に前記溝の凹状部に電波吸収体を設け
た構成としてある。
するために、本発明の電波シール装置は、被加熱物を出
し入れする開口部を有し電波が内部に供給される加熱庫
を有する本体と、この本体の前面に設けられた前記開口
面を開閉自在に覆うドアと、前記本体と前記ドアとが対
向する部分の少なくとも一方に設けた凹状溝、前記凹状
溝の少なくとも1つの壁面に壁面に沿って周期的に設け
られたスリット群に前記溝の凹状部に電波吸収体を設け
た構成としてある。
【0023】
【作用】本発明は上記構成によって、電波漏洩を抑える
ことができる。
ことができる。
【0024】前記溝の少なくとも1つの壁面に壁面に沿
って設けられたスリット群で構成されているので、溝の
長て方向に伝搬する電波のX成分が伝搬しないようにし
、チョーク溝によりY方向の漏洩波を減衰させている。 さらにチョーク溝内に設けた電波吸収体の誘電性および
透磁性による電波圧縮効果により溝の深さを4分の1波
長より短くし、電波吸収体の電波減衰効果により漏洩電
波をより小さくする。
って設けられたスリット群で構成されているので、溝の
長て方向に伝搬する電波のX成分が伝搬しないようにし
、チョーク溝によりY方向の漏洩波を減衰させている。 さらにチョーク溝内に設けた電波吸収体の誘電性および
透磁性による電波圧縮効果により溝の深さを4分の1波
長より短くし、電波吸収体の電波減衰効果により漏洩電
波をより小さくする。
【0025】
【実施例】以下本発明の実施例を添付図面に基づいて説
明する。図1、図2、図3において、1は、電子レンジ
本体で、この電子レンジ本体に対向するドア2に凹状の
チョーク溝3をもうけ前記溝3の外側の壁面にスリット
部5を設けてあり、壁面の長て方向に導体幅aよりもピ
ッチPが大きくなるような線路群で構成した壁面群、す
なわち、壁面に沿って設けられた巾p−aのスリット群
よりなっている。電波吸収体4は凹状のチョーク溝の開
口部を閉塞する位置にあり、チョーク部分に外部から、
異物が侵入するのを防ぐカバーの役目もしている。厚み
を11 とし、電波吸収体4の下の深さを12 とし、
溝の深さを1とすると(9)式となる。
明する。図1、図2、図3において、1は、電子レンジ
本体で、この電子レンジ本体に対向するドア2に凹状の
チョーク溝3をもうけ前記溝3の外側の壁面にスリット
部5を設けてあり、壁面の長て方向に導体幅aよりもピ
ッチPが大きくなるような線路群で構成した壁面群、す
なわち、壁面に沿って設けられた巾p−aのスリット群
よりなっている。電波吸収体4は凹状のチョーク溝の開
口部を閉塞する位置にあり、チョーク部分に外部から、
異物が侵入するのを防ぐカバーの役目もしている。厚み
を11 とし、電波吸収体4の下の深さを12 とし、
溝の深さを1とすると(9)式となる。
【0026】
1=11 +12
(9)11 を変化させたと
きの漏波が最小になる12 を測定すると(表1)のよ
うになった。
(9)11 を変化させたと
きの漏波が最小になる12 を測定すると(表1)のよ
うになった。
【0027】
【表1】
【0028】ここでは、フェライトを樹脂に分散した、
吸収率約80%の電波吸収体を用いて測定した。厚みを
変えることによってトータルの溝の深さ1が小さくて済
む。これは電波吸収体の誘電性および透磁性による電波
圧縮効果によるものであり、厚みをさらに増すと1はも
っと小さくて済む。
吸収率約80%の電波吸収体を用いて測定した。厚みを
変えることによってトータルの溝の深さ1が小さくて済
む。これは電波吸収体の誘電性および透磁性による電波
圧縮効果によるものであり、厚みをさらに増すと1はも
っと小さくて済む。
【0029】電波吸収体の誘電率をεr 透磁率μr
を、電波吸収体内での電波の波長をλ′、自由空間での
電波の波長をλとすると(10)式となる。
を、電波吸収体内での電波の波長をλ′、自由空間での
電波の波長をλとすると(10)式となる。
【0030】
λ′=λ/(εr ×μr )1/2
(10)従って、(11)式が成り立ち(表1)
に示したように、εr ×μr が求まる。(11)式
より、誘電率εr や透磁率μrのさらに大きい吸収体
を用いると1はさらに小さくて済む。
(10)従って、(11)式が成り立ち(表1)
に示したように、εr ×μr が求まる。(11)式
より、誘電率εr や透磁率μrのさらに大きい吸収体
を用いると1はさらに小さくて済む。
【0031】
11 ×(εr ×μr )1/2 +12 =λ/4
(11)図4は、凹状の溝の外壁にスリット(
巾2mm、または巾10mm)を入れ、そのピッチを変
化させた時の漏洩値を測定した図である。ピッチ300
mmのときが、スリットの無いときに相当する。スリッ
トの大きさを変えてもピッチを30mm程度にしたとき
が漏洩値が最小になっている。
(11)図4は、凹状の溝の外壁にスリット(
巾2mm、または巾10mm)を入れ、そのピッチを変
化させた時の漏洩値を測定した図である。ピッチ300
mmのときが、スリットの無いときに相当する。スリッ
トの大きさを変えてもピッチを30mm程度にしたとき
が漏洩値が最小になっている。
【0032】スリットの効果をみるために、スリットの
有無によって電波漏洩値がどう変化するかを比較したの
が、図5である。縦軸は漏洩値、横軸はドアと本体との
隙間(ギャップ)である。図5をみて分かるようにスリ
ットのある場合の方が無い場合に比べて1ケタ前後漏洩
値が低いことが分かる。
有無によって電波漏洩値がどう変化するかを比較したの
が、図5である。縦軸は漏洩値、横軸はドアと本体との
隙間(ギャップ)である。図5をみて分かるようにスリ
ットのある場合の方が無い場合に比べて1ケタ前後漏洩
値が低いことが分かる。
【0033】また、電波吸収体の効果をみるために、電
波吸収体の有無によって電波漏洩値がどう変化するかを
比較したのが、図6である。縦軸は漏洩値、横軸はドア
と本体との隙間(ギャップ)である。図6をみて分かる
ように電波吸収体のある場合の方が無い場合に比べて1
ケタ前後漏洩値が低いことが分かる。
波吸収体の有無によって電波漏洩値がどう変化するかを
比較したのが、図6である。縦軸は漏洩値、横軸はドア
と本体との隙間(ギャップ)である。図6をみて分かる
ように電波吸収体のある場合の方が無い場合に比べて1
ケタ前後漏洩値が低いことが分かる。
【0034】以上のように、スリットだけがなくても、
吸収体だけがなくても漏波が大きいことが分かる。つま
り、スリットと電波吸収体は相互に影響しあって漏波を
低減する効果を有することが分かる。
吸収体だけがなくても漏波が大きいことが分かる。つま
り、スリットと電波吸収体は相互に影響しあって漏波を
低減する効果を有することが分かる。
【0035】また、図7はフェライト樹脂体の有無およ
び厚みの変化について示した図である。フェライト樹脂
体の無い場合よりある場合のほうが漏洩値が小さいこと
が分かる。また、厚みが厚くなるほど漏洩値が小さいこ
とが分かる。
び厚みの変化について示した図である。フェライト樹脂
体の無い場合よりある場合のほうが漏洩値が小さいこと
が分かる。また、厚みが厚くなるほど漏洩値が小さいこ
とが分かる。
【0036】図1に示すように、従来の構造のように板
金を複雑に曲げたり、スポット溶接したりすることがな
く、板金を折り曲げる構造であるので、製造工程が少な
くて済むので作りやすい。
金を複雑に曲げたり、スポット溶接したりすることがな
く、板金を折り曲げる構造であるので、製造工程が少な
くて済むので作りやすい。
【0037】次に導電性のチタン酸カリウムウィスカー
を樹脂に分散した、吸収率約50%、誘電率約40の電
波吸収体を用いて測定したところ、(表2)のようにな
った。
を樹脂に分散した、吸収率約50%、誘電率約40の電
波吸収体を用いて測定したところ、(表2)のようにな
った。
【0038】
【表2】
【0039】この場合、(10)式および(11)式に
おいて、(12)式とすれば、同じ式が成り立つ。
おいて、(12)式とすれば、同じ式が成り立つ。
【0040】
μr =1
(12)この電波吸収体を凹状のチョーク溝に設置して
測定した場合にも、フェライト樹脂体の場合と同様の効
果が得られた。
(12)この電波吸収体を凹状のチョーク溝に設置して
測定した場合にも、フェライト樹脂体の場合と同様の効
果が得られた。
【0041】なお、以上述べたのは凹状溝の一面にスリ
ットを設けた場合につき述べたが、スリットは他の面に
設けてもよく、さらに同時に2面または3面に設けても
同様の電波遮蔽効果を得ることができる。
ットを設けた場合につき述べたが、スリットは他の面に
設けてもよく、さらに同時に2面または3面に設けても
同様の電波遮蔽効果を得ることができる。
【0042】
【発明の効果】以上のように本発明の電波シール装置に
よれば、次の効果が得られる。 (1)凹状のチョーク溝の少なくとも一つの壁面が長て
方向に導体幅よりもピッチが大きくなるようにした線路
群で構成した壁面群とし、凹状の溝に電波吸収体を設け
ることにより電波漏洩を低減する電波シール装置とする
ことができる。 (2)従来の構造のように板金を複雑に曲げたり、スポ
ット溶接したりすることがなく、板金を折り曲げる構造
であるので、製造工程が少なくて済むので作りやすい。
よれば、次の効果が得られる。 (1)凹状のチョーク溝の少なくとも一つの壁面が長て
方向に導体幅よりもピッチが大きくなるようにした線路
群で構成した壁面群とし、凹状の溝に電波吸収体を設け
ることにより電波漏洩を低減する電波シール装置とする
ことができる。 (2)従来の構造のように板金を複雑に曲げたり、スポ
ット溶接したりすることがなく、板金を折り曲げる構造
であるので、製造工程が少なくて済むので作りやすい。
【図1】本発明の一実施例における概要を示した断面図
【図2】上記図1の要部の断面図
【図3】上記図1の凹状溝の要部の断面斜視図
【図4】
上記図1の実施例におけるスリットピッチの影響を示し
た図
上記図1の実施例におけるスリットピッチの影響を示し
た図
【図5】上記図1の実施例におけるスリットの効果を示
した図
した図
【図6】上記図1の実施例にける電波吸収体の効果を示
した図
した図
【図7】上記図1の実施例における電波吸収体の有無お
よび厚みの効果を示した図
よび厚みの効果を示した図
【図8】従来例1の概要を示した断面図
【図9】従来例
1のドア部分の概要を示した断面図
1のドア部分の概要を示した断面図
【図10】(a)従
来例2のドアのチョーク部分の概要を示した断面図(b
)従来例2のドアのチョーク部分の概要を示した断面斜
視図
来例2のドアのチョーク部分の概要を示した断面図(b
)従来例2のドアのチョーク部分の概要を示した断面斜
視図
【図11】従来例3のドア部分の概要を示した断面図
1 本体
2 ドア
3 凹状溝
4 電波吸収体
5 スリット部
6 加熱庫
7 開口部
Claims (1)
- 【請求項1】被加熱物を出し入れする開口部を有し電波
が内部に供給される加熱庫を有する本体と、この本体前
面に設けられ前記開口面を開閉自在に覆うドアと、前記
本体と前記ドアとが対向する部分の少なくとも一方に設
けた凹状溝と、前記凹状溝の少なくとも1つの壁面に壁
面に沿って設けられたスリット群と、前記凹状溝に設け
た電波吸収体とからなる電波シール装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13989791A JPH04366319A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 電波シール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13989791A JPH04366319A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 電波シール装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04366319A true JPH04366319A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15256164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13989791A Pending JPH04366319A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 電波シール装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04366319A (ja) |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP13989791A patent/JPH04366319A/ja active Pending
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