JPH04365348A - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatusInfo
- Publication number
- JPH04365348A JPH04365348A JP14178491A JP14178491A JPH04365348A JP H04365348 A JPH04365348 A JP H04365348A JP 14178491 A JP14178491 A JP 14178491A JP 14178491 A JP14178491 A JP 14178491A JP H04365348 A JPH04365348 A JP H04365348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- transfer unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 115
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ移載ユニットの
周囲にプロセスチャンバーが複数並べられた半導体製造
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of process chambers are arranged around a wafer transfer unit.
【０００２】0002
【従来の技術】従来のこの種の半導体製造装置は、多関
節型ウエハハンドリングロボットによって各プロセスチ
ャンバーに半導体ウエハを移載していた。従来の半導体
製造装置を図３によって説明する。2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor manufacturing apparatus of this type, semiconductor wafers were transferred to each process chamber by an articulated wafer handling robot. A conventional semiconductor manufacturing apparatus will be explained with reference to FIG.
【０００３】図３は従来の半導体製造装置の概略構成を
示す平面図である。同図において、１ないし５はプロセ
スチャンバーで、１は第１チャンバー、２は第２チャン
バー、３は第３チャンバー、４は第４チャンバー、５は
第５チャンバーである。６は前記各プロセスチャンバー
１〜５間でシリコンウエハ（以下、単にウエハという）
７を移載させるウエハ移載ユニットとしてのウエハハン
ドリングロボットである。前記第１〜第５チャンバーは
、ウエハ出し入れ口をウエハハンドリングロボット６側
に向けた状態でウエハハンドリングロボット６を囲むよ
うにして並べられている。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus. In the figure, 1 to 5 are process chambers, 1 is a first chamber, 2 is a second chamber, 3 is a third chamber, 4 is a fourth chamber, and 5 is a fifth chamber. 6 is a silicon wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) between each of the process chambers 1 to 5.
This is a wafer handling robot that serves as a wafer transfer unit that transfers 7 wafers. The first to fifth chambers are arranged so as to surround the wafer handling robot 6 with the wafer inlet/outlet facing the wafer handling robot 6 side.
【０００４】次に、このように構成された従来の半導体
製造装置の動作について説明する。ここで、仮に第１チ
ャンバー１をウエハ７の受け入れのチャンバーとし、第
２チャンバー２を層間絶縁膜の一種であるシリコン酸化
膜を堆積するチャンバーとし、第３チャンバー３を前記
第２チャンバー２で堆積した酸化膜に熱処理を施すため
のチャンバーとし、第４チャンバー４を前記第３チャン
バー３で熱処理した酸化膜をエッチバックするチャンバ
ーとし、第５チャンバー５をウエハ払い出し用のチャン
バーとする。Next, the operation of the conventional semiconductor manufacturing apparatus configured as described above will be explained. Here, it is assumed that the first chamber 1 is a chamber for receiving the wafer 7, the second chamber 2 is a chamber for depositing a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film, and the third chamber 3 is a chamber for depositing a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film. The fourth chamber 4 is used as a chamber to etch back the oxide film heat-treated in the third chamber 3, and the fifth chamber 5 is used as a chamber for discharging the wafer.
【０００５】第１チャンバー１にセットされたウエハ７
は、ウエハハンドリングロボット６によって第２チャン
バー２に移載される。この第２チャンバー２では、層間
絶縁膜の一種であるシリコン酸化膜がウエハ７上に堆積
される。そして、シリコン酸化膜が堆積されたウエハ７
は、ウエハハンドリングロボット６によって第３チャン
バー３に移載される。第３チャンバー３では、前記第２
チャンバー２で堆積されたシリコン酸化膜に熱処理が施
される。熱処理終了後、ウエハ７はウエハハンドリング
ロボット６によって第４チャンバー４へ移載される。第
４チャンバー４では、熱処理されたシリコン酸化膜を反
応性ガスによってエッチバックを行う。エッチバック終
了後は、ウエハ７は、ウエハハンドリングロボット６に
よって第５チャンバー５へ移載されてこの第５チャンバ
ー５から払い出される。従来の半導体製造装置では、こ
れらの一連の動作によってウエハ７が処理されていた。Wafer 7 set in first chamber 1
is transferred to the second chamber 2 by the wafer handling robot 6. In this second chamber 2, a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film, is deposited on the wafer 7. Then, a wafer 7 on which a silicon oxide film is deposited
is transferred to the third chamber 3 by the wafer handling robot 6. In the third chamber 3, the second
The silicon oxide film deposited in chamber 2 is subjected to heat treatment. After the heat treatment is completed, the wafer 7 is transferred to the fourth chamber 4 by the wafer handling robot 6. In the fourth chamber 4, the heat-treated silicon oxide film is etched back using a reactive gas. After the etch-back is completed, the wafer 7 is transferred to the fifth chamber 5 by the wafer handling robot 6 and discharged from the fifth chamber 5. In conventional semiconductor manufacturing equipment, the wafer 7 is processed through a series of these operations.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述したよ
うに構成された従来の半導体製造装置では、ウエハ７の
受け取り工程から払い出し工程にわたり各プロセスチャ
ンバー間でウエハ７を移載するには全て一つのウエハハ
ンドリングロボット６で行わなければならない。このウ
エハハンドリングロボット６は位置決め精度が低い関係
から搬送動作の信頼性が低くウエハ７をチャンバー内の
正しい位置に装着できないことがあった。ウエハ７の装
着位置が不正確であると、所定の処理をウエハ７に施す
ことができなくなってしまう。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus configured as described above, the transfer of the wafer 7 between each process chamber from the receiving process to the discharging process requires only one process. This must be done by the wafer handling robot 6. Since the wafer handling robot 6 has low positioning accuracy, the reliability of the transfer operation is low, and the wafer 7 may not be placed in the correct position within the chamber. If the mounting position of the wafer 7 is inaccurate, it becomes impossible to perform a predetermined process on the wafer 7.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバーの数
と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウエハ
移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁と平
行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ出し
入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると共に
、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と平行
な中心線回りに回転自在に設けたものである。Means for Solving the Problems In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, a wafer transfer unit is formed into a regular polygonal column shape having the same number of side walls as the number of process chambers, and each side wall of the wafer transfer unit has a A wafer holding stage is provided that supports the semiconductor wafer parallel to this side wall and closes the wafer inlet/outlet of each process chamber, and the wafer transfer unit is rotated around a center line parallel to the longitudinal direction of the regular polygonal prism. It can be set freely.
【０００８】[0008]
【作用】ウエハ保持用ステージに半導体ウエハを装着さ
せた状態でウエハ移載ユニットを回転させることで、半
導体ウエハはウエハ移載ユニットから一度も外されるこ
となく各プロセスチャンバーに搬送される。[Operation] By rotating the wafer transfer unit with the semiconductor wafer mounted on the wafer holding stage, the semiconductor wafer is transferred to each process chamber without ever being removed from the wafer transfer unit.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
よって詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体製造
装置の概略構成を示す平面図、図２は同じく側面図であ
る。これらの図において前記図３で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。これらの図において、１１は本発明に係
るウエハ移載ユニットとしてのウエハ支持ユニットで、
このウエハ支持ユニット１１は、本実施例では正５角柱
状に形成されており、正５角柱の長手方向と平行な（鉛
直な）中心線回りに回転自在に設けられている。その中
心線を図中一点鎖線Ａで示し、ウエハ支持ユニット１１
の回転軸を１２で示す。なお、このウエハ支持ユニット
１１は、不図示の駆動装置が連結され、図に示す矢印方
向へ回転するように構成されている。そして、このウエ
ハ支持ユニット１１の周囲に各プロセスチャンバー（第
１〜第５チャンバー１〜５）が配置されている。Embodiment An embodiment of the present invention will be explained in detail below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a side view. In these figures, the same or equivalent members as those explained in FIG. 3 are given the same reference numerals and detailed explanations will be omitted. In these figures, 11 is a wafer support unit as a wafer transfer unit according to the present invention,
In this embodiment, the wafer support unit 11 is formed in the shape of a regular pentagonal column, and is rotatably provided around a center line parallel (perpendicular) to the longitudinal direction of the regular pentagonal column. The center line is indicated by a dashed line A in the figure, and the wafer support unit 11
The rotation axis of is indicated by 12. The wafer support unit 11 is connected to a drive device (not shown) and is configured to rotate in the direction of the arrow shown in the figure. Each process chamber (first to fifth chambers 1 to 5) is arranged around this wafer support unit 11.
【００１０】前記ウエハ支持ユニット１１の５つの側壁
には、ウエハ７を例えば真空吸着などによって側壁と平
行にして保持するウエハステージ１３がそれぞれ設けら
れている。このウエハステージ１３はウエハ７を上下方
向に複数枚並べて保持するように構成されている。また
、このウエハステージ１３は、ウエハ支持ユニット１１
を囲むように配置された各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するように構成されている。Each of the five side walls of the wafer support unit 11 is provided with a wafer stage 13 that holds the wafer 7 parallel to the side wall by, for example, vacuum suction. The wafer stage 13 is configured to hold a plurality of wafers 7 arranged vertically. Further, this wafer stage 13 includes a wafer support unit 11
The wafer inlet/outlet port of each process chamber arranged so as to surround the process chamber is closed.
【００１１】次に、上述したように構成された本発明に
係る半導体製造装置の動作について説明する。ウエハ７
は、先ず第１チャンバー１にてウエハステージ１３に装
着される。次に、ウエハ７が装着されたウエハ支持ユニ
ット１１を図１において右回りに回し、ウエハ７を有す
るウエハステージ１３を第２チャンバー２に向ける。こ
のときにはウエハ支持ユニット１１は７２度（３６０／
５度）回転し、ウエハ７は第２チャンバー２に搬送され
ることになる。これと同時に、第１チャンバー１には前
記ウエハステージ１３の左隣に位置するウエハステージ
１３が位置づけられることになる。Next, the operation of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention configured as described above will be explained. wafer 7
is first mounted on the wafer stage 13 in the first chamber 1. Next, the wafer support unit 11 with the wafer 7 mounted thereon is turned clockwise in FIG. 1 to direct the wafer stage 13 having the wafer 7 toward the second chamber 2. At this time, the wafer support unit 11 is tilted at 72 degrees (360/
5 degrees), and the wafer 7 is transferred to the second chamber 2. At the same time, the wafer stage 13 located to the left of the wafer stage 13 is positioned in the first chamber 1.
【００１２】第２チャンバー２では層間絶縁膜の一種で
あるシリコン酸化膜をウエハ上に堆積させる。堆積中、
第１チャンバー１では次のウエハ７をウエハステージ１
３に装着させる。堆積後、ウエハ支持ユニット１１を再
び右回りに７２度回転させ、シリコン酸化膜が堆積され
たウエハ７を第３チャンバー３に搬送する。第３チャン
バー３ではシリコン酸化膜の熱処理を行う。熱処理中に
は、前記第１および第２チャンバー１，２では上述した
作業が繰り返して行われる。In the second chamber 2, a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film, is deposited on the wafer. During deposition,
In the first chamber 1, the next wafer 7 is placed on the wafer stage 1.
Install it on 3. After the deposition, the wafer support unit 11 is again rotated clockwise by 72 degrees, and the wafer 7 on which the silicon oxide film has been deposited is transferred to the third chamber 3. In the third chamber 3, heat treatment of the silicon oxide film is performed. During the heat treatment, the above-described operations are repeatedly performed in the first and second chambers 1 and 2.
【００１３】熱処理終了後、ウエハ支持ユニット１１が
右回りに７２度回転し、第４チャンバー４にウエハ７を
搬送させる。第４チャンバー４では、熱処理したシリコ
ン酸化膜のエッチバックが行われる。そして、その処理
が終了した後は、ウエハ支持ユニット１１を再び回転さ
せてウエハ７を第５チャンバー５へ搬送し、そこでウエ
ハ７の払い出しを行う。その後、引き続きウエハ支持ユ
ニット１１を回転させてウエハステージ１３を第１チャ
ンバー１に位置づけ、再びウエハ７をウエハステージ１
３に装着させる。After the heat treatment is completed, the wafer support unit 11 is rotated clockwise by 72 degrees, and the wafer 7 is transferred to the fourth chamber 4. In the fourth chamber 4, the heat-treated silicon oxide film is etched back. After the processing is completed, the wafer support unit 11 is rotated again to transport the wafer 7 to the fifth chamber 5, where it is discharged. Thereafter, the wafer support unit 11 is rotated to position the wafer stage 13 in the first chamber 1, and the wafer 7 is placed on the wafer stage 1 again.
Install it on 3.
【００１４】本発明に係る半導体製造装置では、上述し
たような一連の作業を繰り返してウエハ７を処理する。
すなわち、ウエハ支持ユニット１１の５側部に各々装着
されたウエハ７は、順次プロセスチャンバーに搬送され
て所定の処理が施されることになる。In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the wafer 7 is processed by repeating the above-described series of operations. That is, the wafers 7 mounted on each of the five sides of the wafer support unit 11 are sequentially transferred to the process chamber and subjected to predetermined processing.
【００１５】したがって、ウエハ支持ユニット１１にウ
エハ７を装着させた状態でウエハ支持ユニット１１を回
転させることで、ウエハ７はウエハ支持ユニット１１か
ら一度も外されることなく各プロセスチャンバーに搬送
される。Therefore, by rotating the wafer support unit 11 with the wafer 7 attached to the wafer support unit 11, the wafer 7 is transferred to each process chamber without being removed from the wafer support unit 11. .
【００１６】なお、本実施例ではウエハ支持ユニット１
１を正５角柱とした例を示したが、本発明はこのような
限定にとらわれることなく、角数が３以上の正多角柱で
あればどのようなものでも本実施例と同様の効果が得ら
れる。Note that in this embodiment, the wafer support unit 1
Although an example is shown in which 1 is a regular pentagonal prism, the present invention is not limited to such a limitation, and any regular polygonal prism with the number of angles of 3 or more can have the same effect as this embodiment. can get.
【００１７】また、本実施例ではウエハ支持ユニット１
１を鉛直軸回りに回転させた例を示したが、水平軸回り
に回転するように構成することもできる。そのようにす
るときにも各プロセスチャンバーをウエハ支持ユニット
を囲むように配置することはいうまでもない。Furthermore, in this embodiment, the wafer support unit 1
1 is rotated around the vertical axis, but it can also be configured to rotate around the horizontal axis. Needless to say, when doing so, each process chamber is arranged so as to surround the wafer support unit.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
製造装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバー
の数と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウ
エハ移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁
と平行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると
共に、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と
平行な中心線回りに回転自在に設けたため、ウエハ保持
用ステージに半導体ウエハを装着させた状態でウエハ移
載ユニットを回転させることで、半導体ウエハはウエハ
移載ユニットから一度も外されることなく各プロセスチ
ャンバーに搬送される。したがって、半導体ウエハの受
け渡しを行うウエハハンドリングロボットが不要になり
、半導体ウエハの搬送トラブルを防ぐことができるから
、半導体製造作業を安定した状態で行うことができる。As explained above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the wafer transfer unit is formed into a regular polygonal column shape having the same number of side walls as the number of process chambers, and each side wall of the wafer transfer unit has a A wafer holding stage is provided that supports the semiconductor wafer parallel to this side wall and closes the wafer inlet/outlet of each process chamber, and the wafer transfer unit is rotated around the center line parallel to the longitudinal direction of the regular polygonal prism. Because it is rotatable, by rotating the wafer transfer unit with the semiconductor wafer mounted on the wafer holding stage, the semiconductor wafer can be transferred to each process chamber without ever being removed from the wafer transfer unit. Ru. Therefore, there is no need for a wafer handling robot that transfers semiconductor wafers, and troubles in transporting semiconductor wafers can be prevented, so that semiconductor manufacturing operations can be performed in a stable state.
【図１】本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
側面図である。FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図３】従来の半導体製造装置の概略構成を示す平面図
である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
１ 第１チャンバー ２ 第２チャンバー ３ 第３チャンバー ４ 第４チャンバー ５ 第５チャンバー ７ 半導体ウエハ １１ ウエハ支持ユニット １２ 回転軸 １３ ウエハステージ 1 First chamber 2 Second chamber 3 Third chamber 4 4th chamber 5 5th chamber 7 Semiconductor wafer 11 Wafer support unit 12 Rotation axis 13 Wafer stage
Claims (1)
スチャンバーがウエハ出し入れ口を前記ウエハ移載ユニ
ット側へ向けて複数並べられた半導体製造装置において
、前記ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバーの数と
同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウエハ移
載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁と平行
にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ出し入
れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると共に、
このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と平行な
中心線回りに回転自在に設けたことを特徴とする半導体
製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of process chambers are arranged around a wafer transfer unit with wafer loading/unloading ports facing the wafer transfer unit, wherein the number of wafer transfer units is the same as the number of process chambers. A wafer holding stage is provided on each side wall of the wafer transfer unit to support the semiconductor wafer parallel to the side wall and to close the wafer loading/unloading port of each process chamber. ,
A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that the wafer transfer unit is rotatably provided around a center line parallel to the longitudinal direction of a regular polygonal prism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14178491A JPH04365348A (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14178491A JPH04365348A (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365348A true JPH04365348A (en) | 1992-12-17 |
Family
ID=15300085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14178491A Pending JPH04365348A (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04365348A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161632A (en) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | Heat treatment module for substrate coating / developing system |
| US6338409B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Reticle SMIF pod in situ orientation |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14178491A patent/JPH04365348A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161632A (en) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | Heat treatment module for substrate coating / developing system |
| US6338409B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Reticle SMIF pod in situ orientation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0170411B1 (en) | Processing system | |
| US5445491A (en) | Method for multichamber sheet-after-sheet type treatment | |
| JP2987148B1 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR100230697B1 (en) | Reduced-pressure processing | |
| US20080138176A1 (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| US20050220576A1 (en) | Substrate manufacturing apparatus and substrate transfer module used therein | |
| JPH05304112A (en) | Vacuum processor | |
| JPH0372649A (en) | Processing equipment | |
| JPH0533529B2 (en) | ||
| US5915957A (en) | Method of transferring target substrates in semiconductor processing system | |
| US5213118A (en) | Treatment apparatus | |
| JP2545591B2 (en) | Wafer processing equipment | |
| JPH1030183A (en) | Treating device for substrate having load locking chamber | |
| JPH01251734A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JPH05304197A (en) | Multi-chamber system | |
| JPH04365348A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP3380570B2 (en) | Transfer device | |
| JPH11102951A (en) | Processor | |
| JP3603189B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JPS6098628A (en) | Conveyor in vacuum | |
| JPH02271643A (en) | Wafer carrying device | |
| JP3420712B2 (en) | Processing system | |
| JP3438826B2 (en) | Processing device and method of using the same | |
| JP3050284B2 (en) | Semiconductor wafer etching equipment | |
| JP2022521860A (en) | Thin film adhesion system for automatic batch production and how to use it |