JPH04365348A - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatusInfo
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- JPH04365348A JPH04365348A JP14178491A JP14178491A JPH04365348A JP H04365348 A JPH04365348 A JP H04365348A JP 14178491 A JP14178491 A JP 14178491A JP 14178491 A JP14178491 A JP 14178491A JP H04365348 A JPH04365348 A JP H04365348A
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ移載ユニットの
周囲にプロセスチャンバーが複数並べられた半導体製造
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of process chambers are arranged around a wafer transfer unit.
【0002】0002
【従来の技術】従来のこの種の半導体製造装置は、多関
節型ウエハハンドリングロボットによって各プロセスチ
ャンバーに半導体ウエハを移載していた。従来の半導体
製造装置を図3によって説明する。2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor manufacturing apparatus of this type, semiconductor wafers were transferred to each process chamber by an articulated wafer handling robot. A conventional semiconductor manufacturing apparatus will be explained with reference to FIG.
【0003】図3は従来の半導体製造装置の概略構成を
示す平面図である。同図において、1ないし5はプロセ
スチャンバーで、1は第1チャンバー、2は第2チャン
バー、3は第3チャンバー、4は第4チャンバー、5は
第5チャンバーである。6は前記各プロセスチャンバー
1〜5間でシリコンウエハ(以下、単にウエハという)
7を移載させるウエハ移載ユニットとしてのウエハハン
ドリングロボットである。前記第1〜第5チャンバーは
、ウエハ出し入れ口をウエハハンドリングロボット6側
に向けた状態でウエハハンドリングロボット6を囲むよ
うにして並べられている。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus. In the figure, 1 to 5 are process chambers, 1 is a first chamber, 2 is a second chamber, 3 is a third chamber, 4 is a fourth chamber, and 5 is a fifth chamber. 6 is a silicon wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) between each of the process chambers 1 to 5.
This is a wafer handling robot that serves as a wafer transfer unit that transfers 7 wafers. The first to fifth chambers are arranged so as to surround the wafer handling robot 6 with the wafer inlet/outlet facing the wafer handling robot 6 side.
【0004】次に、このように構成された従来の半導体
製造装置の動作について説明する。ここで、仮に第1チ
ャンバー1をウエハ7の受け入れのチャンバーとし、第
2チャンバー2を層間絶縁膜の一種であるシリコン酸化
膜を堆積するチャンバーとし、第3チャンバー3を前記
第2チャンバー2で堆積した酸化膜に熱処理を施すため
のチャンバーとし、第4チャンバー4を前記第3チャン
バー3で熱処理した酸化膜をエッチバックするチャンバ
ーとし、第5チャンバー5をウエハ払い出し用のチャン
バーとする。Next, the operation of the conventional semiconductor manufacturing apparatus configured as described above will be explained. Here, it is assumed that the first chamber 1 is a chamber for receiving the wafer 7, the second chamber 2 is a chamber for depositing a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film, and the third chamber 3 is a chamber for depositing a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film. The fourth chamber 4 is used as a chamber to etch back the oxide film heat-treated in the third chamber 3, and the fifth chamber 5 is used as a chamber for discharging the wafer.
【0005】第1チャンバー1にセットされたウエハ7
は、ウエハハンドリングロボット6によって第2チャン
バー2に移載される。この第2チャンバー2では、層間
絶縁膜の一種であるシリコン酸化膜がウエハ7上に堆積
される。そして、シリコン酸化膜が堆積されたウエハ7
は、ウエハハンドリングロボット6によって第3チャン
バー3に移載される。第3チャンバー3では、前記第2
チャンバー2で堆積されたシリコン酸化膜に熱処理が施
される。熱処理終了後、ウエハ7はウエハハンドリング
ロボット6によって第4チャンバー4へ移載される。第
4チャンバー4では、熱処理されたシリコン酸化膜を反
応性ガスによってエッチバックを行う。エッチバック終
了後は、ウエハ7は、ウエハハンドリングロボット6に
よって第5チャンバー5へ移載されてこの第5チャンバ
ー5から払い出される。従来の半導体製造装置では、こ
れらの一連の動作によってウエハ7が処理されていた。Wafer 7 set in first chamber 1
is transferred to the second chamber 2 by the wafer handling robot 6. In this second chamber 2, a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film, is deposited on the wafer 7. Then, a wafer 7 on which a silicon oxide film is deposited
is transferred to the third chamber 3 by the wafer handling robot 6. In the third chamber 3, the second
The silicon oxide film deposited in chamber 2 is subjected to heat treatment. After the heat treatment is completed, the wafer 7 is transferred to the fourth chamber 4 by the wafer handling robot 6. In the fourth chamber 4, the heat-treated silicon oxide film is etched back using a reactive gas. After the etch-back is completed, the wafer 7 is transferred to the fifth chamber 5 by the wafer handling robot 6 and discharged from the fifth chamber 5. In conventional semiconductor manufacturing equipment, the wafer 7 is processed through a series of these operations.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述したよ
うに構成された従来の半導体製造装置では、ウエハ7の
受け取り工程から払い出し工程にわたり各プロセスチャ
ンバー間でウエハ7を移載するには全て一つのウエハハ
ンドリングロボット6で行わなければならない。このウ
エハハンドリングロボット6は位置決め精度が低い関係
から搬送動作の信頼性が低くウエハ7をチャンバー内の
正しい位置に装着できないことがあった。ウエハ7の装
着位置が不正確であると、所定の処理をウエハ7に施す
ことができなくなってしまう。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus configured as described above, the transfer of the wafer 7 between each process chamber from the receiving process to the discharging process requires only one process. This must be done by the wafer handling robot 6. Since the wafer handling robot 6 has low positioning accuracy, the reliability of the transfer operation is low, and the wafer 7 may not be placed in the correct position within the chamber. If the mounting position of the wafer 7 is inaccurate, it becomes impossible to perform a predetermined process on the wafer 7.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバーの数
と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウエハ
移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁と平
行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ出し
入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると共に
、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と平行
な中心線回りに回転自在に設けたものである。Means for Solving the Problems In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, a wafer transfer unit is formed into a regular polygonal column shape having the same number of side walls as the number of process chambers, and each side wall of the wafer transfer unit has a A wafer holding stage is provided that supports the semiconductor wafer parallel to this side wall and closes the wafer inlet/outlet of each process chamber, and the wafer transfer unit is rotated around a center line parallel to the longitudinal direction of the regular polygonal prism. It can be set freely.
【0008】[0008]
【作用】ウエハ保持用ステージに半導体ウエハを装着さ
せた状態でウエハ移載ユニットを回転させることで、半
導体ウエハはウエハ移載ユニットから一度も外されるこ
となく各プロセスチャンバーに搬送される。[Operation] By rotating the wafer transfer unit with the semiconductor wafer mounted on the wafer holding stage, the semiconductor wafer is transferred to each process chamber without ever being removed from the wafer transfer unit.
【0009】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1および図2に
よって詳細に説明する。図1は本発明に係る半導体製造
装置の概略構成を示す平面図、図2は同じく側面図であ
る。これらの図において前記図3で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。これらの図において、11は本発明に係
るウエハ移載ユニットとしてのウエハ支持ユニットで、
このウエハ支持ユニット11は、本実施例では正5角柱
状に形成されており、正5角柱の長手方向と平行な(鉛
直な)中心線回りに回転自在に設けられている。その中
心線を図中一点鎖線Aで示し、ウエハ支持ユニット11
の回転軸を12で示す。なお、このウエハ支持ユニット
11は、不図示の駆動装置が連結され、図に示す矢印方
向へ回転するように構成されている。そして、このウエ
ハ支持ユニット11の周囲に各プロセスチャンバー(第
1〜第5チャンバー1〜5)が配置されている。Embodiment An embodiment of the present invention will be explained in detail below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a side view. In these figures, the same or equivalent members as those explained in FIG. 3 are given the same reference numerals and detailed explanations will be omitted. In these figures, 11 is a wafer support unit as a wafer transfer unit according to the present invention,
In this embodiment, the wafer support unit 11 is formed in the shape of a regular pentagonal column, and is rotatably provided around a center line parallel (perpendicular) to the longitudinal direction of the regular pentagonal column. The center line is indicated by a dashed line A in the figure, and the wafer support unit 11
The rotation axis of is indicated by 12. The wafer support unit 11 is connected to a drive device (not shown) and is configured to rotate in the direction of the arrow shown in the figure. Each process chamber (first to fifth chambers 1 to 5) is arranged around this wafer support unit 11.
【0010】前記ウエハ支持ユニット11の5つの側壁
には、ウエハ7を例えば真空吸着などによって側壁と平
行にして保持するウエハステージ13がそれぞれ設けら
れている。このウエハステージ13はウエハ7を上下方
向に複数枚並べて保持するように構成されている。また
、このウエハステージ13は、ウエハ支持ユニット11
を囲むように配置された各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するように構成されている。Each of the five side walls of the wafer support unit 11 is provided with a wafer stage 13 that holds the wafer 7 parallel to the side wall by, for example, vacuum suction. The wafer stage 13 is configured to hold a plurality of wafers 7 arranged vertically. Further, this wafer stage 13 includes a wafer support unit 11
The wafer inlet/outlet port of each process chamber arranged so as to surround the process chamber is closed.
【0011】次に、上述したように構成された本発明に
係る半導体製造装置の動作について説明する。ウエハ7
は、先ず第1チャンバー1にてウエハステージ13に装
着される。次に、ウエハ7が装着されたウエハ支持ユニ
ット11を図1において右回りに回し、ウエハ7を有す
るウエハステージ13を第2チャンバー2に向ける。こ
のときにはウエハ支持ユニット11は72度(360/
5度)回転し、ウエハ7は第2チャンバー2に搬送され
ることになる。これと同時に、第1チャンバー1には前
記ウエハステージ13の左隣に位置するウエハステージ
13が位置づけられることになる。Next, the operation of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention configured as described above will be explained. wafer 7
is first mounted on the wafer stage 13 in the first chamber 1. Next, the wafer support unit 11 with the wafer 7 mounted thereon is turned clockwise in FIG. 1 to direct the wafer stage 13 having the wafer 7 toward the second chamber 2. At this time, the wafer support unit 11 is tilted at 72 degrees (360/
5 degrees), and the wafer 7 is transferred to the second chamber 2. At the same time, the wafer stage 13 located to the left of the wafer stage 13 is positioned in the first chamber 1.
【0012】第2チャンバー2では層間絶縁膜の一種で
あるシリコン酸化膜をウエハ上に堆積させる。堆積中、
第1チャンバー1では次のウエハ7をウエハステージ1
3に装着させる。堆積後、ウエハ支持ユニット11を再
び右回りに72度回転させ、シリコン酸化膜が堆積され
たウエハ7を第3チャンバー3に搬送する。第3チャン
バー3ではシリコン酸化膜の熱処理を行う。熱処理中に
は、前記第1および第2チャンバー1,2では上述した
作業が繰り返して行われる。In the second chamber 2, a silicon oxide film, which is a type of interlayer insulating film, is deposited on the wafer. During deposition,
In the first chamber 1, the next wafer 7 is placed on the wafer stage 1.
Install it on 3. After the deposition, the wafer support unit 11 is again rotated clockwise by 72 degrees, and the wafer 7 on which the silicon oxide film has been deposited is transferred to the third chamber 3. In the third chamber 3, heat treatment of the silicon oxide film is performed. During the heat treatment, the above-described operations are repeatedly performed in the first and second chambers 1 and 2.
【0013】熱処理終了後、ウエハ支持ユニット11が
右回りに72度回転し、第4チャンバー4にウエハ7を
搬送させる。第4チャンバー4では、熱処理したシリコ
ン酸化膜のエッチバックが行われる。そして、その処理
が終了した後は、ウエハ支持ユニット11を再び回転さ
せてウエハ7を第5チャンバー5へ搬送し、そこでウエ
ハ7の払い出しを行う。その後、引き続きウエハ支持ユ
ニット11を回転させてウエハステージ13を第1チャ
ンバー1に位置づけ、再びウエハ7をウエハステージ1
3に装着させる。After the heat treatment is completed, the wafer support unit 11 is rotated clockwise by 72 degrees, and the wafer 7 is transferred to the fourth chamber 4. In the fourth chamber 4, the heat-treated silicon oxide film is etched back. After the processing is completed, the wafer support unit 11 is rotated again to transport the wafer 7 to the fifth chamber 5, where it is discharged. Thereafter, the wafer support unit 11 is rotated to position the wafer stage 13 in the first chamber 1, and the wafer 7 is placed on the wafer stage 1 again.
Install it on 3.
【0014】本発明に係る半導体製造装置では、上述し
たような一連の作業を繰り返してウエハ7を処理する。
すなわち、ウエハ支持ユニット11の5側部に各々装着
されたウエハ7は、順次プロセスチャンバーに搬送され
て所定の処理が施されることになる。In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the wafer 7 is processed by repeating the above-described series of operations. That is, the wafers 7 mounted on each of the five sides of the wafer support unit 11 are sequentially transferred to the process chamber and subjected to predetermined processing.
【0015】したがって、ウエハ支持ユニット11にウ
エハ7を装着させた状態でウエハ支持ユニット11を回
転させることで、ウエハ7はウエハ支持ユニット11か
ら一度も外されることなく各プロセスチャンバーに搬送
される。Therefore, by rotating the wafer support unit 11 with the wafer 7 attached to the wafer support unit 11, the wafer 7 is transferred to each process chamber without being removed from the wafer support unit 11. .
【0016】なお、本実施例ではウエハ支持ユニット1
1を正5角柱とした例を示したが、本発明はこのような
限定にとらわれることなく、角数が3以上の正多角柱で
あればどのようなものでも本実施例と同様の効果が得ら
れる。Note that in this embodiment, the wafer support unit 1
Although an example is shown in which 1 is a regular pentagonal prism, the present invention is not limited to such a limitation, and any regular polygonal prism with the number of angles of 3 or more can have the same effect as this embodiment. can get.
【0017】また、本実施例ではウエハ支持ユニット1
1を鉛直軸回りに回転させた例を示したが、水平軸回り
に回転するように構成することもできる。そのようにす
るときにも各プロセスチャンバーをウエハ支持ユニット
を囲むように配置することはいうまでもない。Furthermore, in this embodiment, the wafer support unit 1
1 is rotated around the vertical axis, but it can also be configured to rotate around the horizontal axis. Needless to say, when doing so, each process chamber is arranged so as to surround the wafer support unit.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
製造装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバー
の数と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウ
エハ移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁
と平行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると
共に、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と
平行な中心線回りに回転自在に設けたため、ウエハ保持
用ステージに半導体ウエハを装着させた状態でウエハ移
載ユニットを回転させることで、半導体ウエハはウエハ
移載ユニットから一度も外されることなく各プロセスチ
ャンバーに搬送される。したがって、半導体ウエハの受
け渡しを行うウエハハンドリングロボットが不要になり
、半導体ウエハの搬送トラブルを防ぐことができるから
、半導体製造作業を安定した状態で行うことができる。As explained above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the wafer transfer unit is formed into a regular polygonal column shape having the same number of side walls as the number of process chambers, and each side wall of the wafer transfer unit has a A wafer holding stage is provided that supports the semiconductor wafer parallel to this side wall and closes the wafer inlet/outlet of each process chamber, and the wafer transfer unit is rotated around the center line parallel to the longitudinal direction of the regular polygonal prism. Because it is rotatable, by rotating the wafer transfer unit with the semiconductor wafer mounted on the wafer holding stage, the semiconductor wafer can be transferred to each process chamber without ever being removed from the wafer transfer unit. Ru. Therefore, there is no need for a wafer handling robot that transfers semiconductor wafers, and troubles in transporting semiconductor wafers can be prevented, so that semiconductor manufacturing operations can be performed in a stable state.
【図1】本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図2】本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
側面図である。FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図3】従来の半導体製造装置の概略構成を示す平面図
である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
1 第1チャンバー 2 第2チャンバー 3 第3チャンバー 4 第4チャンバー 5 第5チャンバー 7 半導体ウエハ 11 ウエハ支持ユニット 12 回転軸 13 ウエハステージ 1 First chamber 2 Second chamber 3 Third chamber 4 4th chamber 5 5th chamber 7 Semiconductor wafer 11 Wafer support unit 12 Rotation axis 13 Wafer stage
Claims (1)
スチャンバーがウエハ出し入れ口を前記ウエハ移載ユニ
ット側へ向けて複数並べられた半導体製造装置において
、前記ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバーの数と
同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウエハ移
載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁と平行
にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ出し入
れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると共に、
このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と平行な
中心線回りに回転自在に設けたことを特徴とする半導体
製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of process chambers are arranged around a wafer transfer unit with wafer loading/unloading ports facing the wafer transfer unit, wherein the number of wafer transfer units is the same as the number of process chambers. A wafer holding stage is provided on each side wall of the wafer transfer unit to support the semiconductor wafer parallel to the side wall and to close the wafer loading/unloading port of each process chamber. ,
A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that the wafer transfer unit is rotatably provided around a center line parallel to the longitudinal direction of a regular polygonal prism.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14178491A JPH04365348A (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14178491A JPH04365348A (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04365348A true JPH04365348A (en) | 1992-12-17 |
Family
ID=15300085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14178491A Pending JPH04365348A (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04365348A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161632A (en) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | Heat treatment module for substrate coating / developing system |
US6338409B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Reticle SMIF pod in situ orientation |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14178491A patent/JPH04365348A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161632A (en) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | Heat treatment module for substrate coating / developing system |
US6338409B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Reticle SMIF pod in situ orientation |
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