JPH04362925A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH04362925A JPH04362925A JP3458891A JP3458891A JPH04362925A JP H04362925 A JPH04362925 A JP H04362925A JP 3458891 A JP3458891 A JP 3458891A JP 3458891 A JP3458891 A JP 3458891A JP H04362925 A JPH04362925 A JP H04362925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent electrode
- conductor
- glass substrate
- aluminum layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 37
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 36
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 33
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 18
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば液晶表示装置
におけるガラス基板などの配線基板に関する。
におけるガラス基板などの配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、典型的な従来例の液晶表示装
置１の断面図である。液晶表示装置１は、一対のガラス
基板２，３を備え、各ガラス基板２，３上には、相互に
直交する方向に延びるＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）
から成る複数の透明電極４，５が形成され、表示領域６
が設定される。ガラス基板２上の透明電極４は、ガラス
基板２上の表示領域６の外方に延びて形成され、この部
分には抵抗値の抑制の目的でクロム層７およびアルミニ
ウム層８が積層して形成され、回路配線９として構成さ
れる。クロム層７は透明電極４，５とアルミニウム層８
との密着性の向上のために用いられる。
置１の断面図である。液晶表示装置１は、一対のガラス
基板２，３を備え、各ガラス基板２，３上には、相互に
直交する方向に延びるＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）
から成る複数の透明電極４，５が形成され、表示領域６
が設定される。ガラス基板２上の透明電極４は、ガラス
基板２上の表示領域６の外方に延びて形成され、この部
分には抵抗値の抑制の目的でクロム層７およびアルミニ
ウム層８が積層して形成され、回路配線９として構成さ
れる。クロム層７は透明電極４，５とアルミニウム層８
との密着性の向上のために用いられる。
【０００３】回路配線９の接続領域１０には、樹脂材料
から成る支持フィルム１１上に回路配線１２が形成され
て成る可撓性配線基板１３が、異方性導電層１４で接続
される。前記接続領域１０付近はガラス基板２の両面で
固定用樹脂層１６で被覆され固定される。
から成る支持フィルム１１上に回路配線１２が形成され
て成る可撓性配線基板１３が、異方性導電層１４で接続
される。前記接続領域１０付近はガラス基板２の両面で
固定用樹脂層１６で被覆され固定される。
【０００４】図１１は、ガラス基板２上の回路配線９の
平面図であり、図１２は図１１の切断面線Ｘ１２−Ｘ１
２から見た断面図である。前記回路配線９を構成する透
明電極４，５、クロム層７およびアルミニウム層８は、
図１１および図１２に示すように同一幅Ｗ１に形成され
る。
平面図であり、図１２は図１１の切断面線Ｘ１２−Ｘ１
２から見た断面図である。前記回路配線９を構成する透
明電極４，５、クロム層７およびアルミニウム層８は、
図１１および図１２に示すように同一幅Ｗ１に形成され
る。
【０００５】前記異方性導電層１４は、合成樹脂材料中
に導電性微粒子を拡散し、前記可撓性配線基板１３と回
路配線９との間で圧接することにより、前記導電性微粒
子を相互に接触させ、図１０の上下方向のみに電気的導
通を実現させる構成を有している。
に導電性微粒子を拡散し、前記可撓性配線基板１３と回
路配線９との間で圧接することにより、前記導電性微粒
子を相互に接触させ、図１０の上下方向のみに電気的導
通を実現させる構成を有している。
【０００６】従来では、この合成樹脂材料として、熱可
塑性の合成樹脂材料を用いているが、このような合成樹
脂材料は加熱により軟化するため、液晶表示装置１が比
較的温度の高い使用条件のもとで用いられると、ガラス
基板２と可撓性配線基板１３との電気的および機械的な
接続に関して信頼性が低いという課題を有している。し
たがって可撓性配線基板１３を液晶表示装置１の近くで
屈曲させる使用法が困難になり、使用性が低いという課
題を有している。
塑性の合成樹脂材料を用いているが、このような合成樹
脂材料は加熱により軟化するため、液晶表示装置１が比
較的温度の高い使用条件のもとで用いられると、ガラス
基板２と可撓性配線基板１３との電気的および機械的な
接続に関して信頼性が低いという課題を有している。し
たがって可撓性配線基板１３を液晶表示装置１の近くで
屈曲させる使用法が困難になり、使用性が低いという課
題を有している。
【０００７】すなわち、熱硬化性の合成樹脂材料から成
る異方性導電樹脂を用いる方が、前記電気的および機械
的な接続の信頼性の点で優れているが、このような熱硬
化性樹脂材料は硬化時の収縮応力が大きいという特性を
有している。このため下記の問題点を有している。
る異方性導電樹脂を用いる方が、前記電気的および機械
的な接続の信頼性の点で優れているが、このような熱硬
化性樹脂材料は硬化時の収縮応力が大きいという特性を
有している。このため下記の問題点を有している。
【０００８】図１３は従来例の問題点を説明する断面図
である。前述したようにガラス基板２上に積層されたア
ルミニウム層８の上に、熱硬化性合成樹脂材料から成る
異方性導電層１４を塗布し加熱して硬化させると、前述
したように異方性導電層１４に図１３に矢符Ｆ１で示す
比較的大きな収縮応力が作用する。アルミニウム層８は
、スパッタリングにより成膜されるが、この成膜時に比
較的大粒のグレーン状で成長し、成膜完了後の表面には
微細な凹凸が多数存在することが知られている。したが
って前記異方性導電層１４は、アルミニウム層８と強く
接着することになる。
である。前述したようにガラス基板２上に積層されたア
ルミニウム層８の上に、熱硬化性合成樹脂材料から成る
異方性導電層１４を塗布し加熱して硬化させると、前述
したように異方性導電層１４に図１３に矢符Ｆ１で示す
比較的大きな収縮応力が作用する。アルミニウム層８は
、スパッタリングにより成膜されるが、この成膜時に比
較的大粒のグレーン状で成長し、成膜完了後の表面には
微細な凹凸が多数存在することが知られている。したが
って前記異方性導電層１４は、アルミニウム層８と強く
接着することになる。
【０００９】このような表面性状はクロム層７も同様で
あり、したがって透明電極４、クロム層７、アルミニウ
ム層８および異方性導電層１４は相互に強く接着されて
いる。一方、透明電極４を構成するＩＴＯの表面性状は
、アルミニウム層８などと比較し極めて平滑であること
が知られており、したがって透明電極４はたとえば隣接
するクロム層７との間の剥離強度よりも、ガラス基板２
に対する剥離強度が比較的小さいことになる。
あり、したがって透明電極４、クロム層７、アルミニウ
ム層８および異方性導電層１４は相互に強く接着されて
いる。一方、透明電極４を構成するＩＴＯの表面性状は
、アルミニウム層８などと比較し極めて平滑であること
が知られており、したがって透明電極４はたとえば隣接
するクロム層７との間の剥離強度よりも、ガラス基板２
に対する剥離強度が比較的小さいことになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】したがって、前記異方
性導電層１４の収縮応力Ｆ１によりクロム層７の図１３
左右両端に矢符Ｆ２で示す力が生じ、この力により透明
電極４はその端部１５においてガラス基板２から剥離し
、断線する場合がある。またクロム層７は、透明電極４
，５のエッチング時に側面をエッチングされ、図示のよ
うに凹溝となり、異方性導電層１４がこの凹溝に引掛か
り、前記透明電極４，５の剥離作用が増大する。
性導電層１４の収縮応力Ｆ１によりクロム層７の図１３
左右両端に矢符Ｆ２で示す力が生じ、この力により透明
電極４はその端部１５においてガラス基板２から剥離し
、断線する場合がある。またクロム層７は、透明電極４
，５のエッチング時に側面をエッチングされ、図示のよ
うに凹溝となり、異方性導電層１４がこの凹溝に引掛か
り、前記透明電極４，５の剥離作用が増大する。
【００１１】このような事態を防ぐために、回路配線９
を透明電極４のみで構成する技術が考えられる。この場
合、ＩＴＯの表面は平滑であるため、熱硬化性樹脂から
成る異方性導電層１４を用いる熱圧着時に前記収縮応力
Ｆ１が生じても、異方性導電層１４は透明電極４上を滑
り、前記剥離の発生が防がれる。しかしながら透明電極
４を構成するＩＴＯは、比較的電気抵抗値が大きいこと
が知られており、接続抵抗が高くなり表示品質が低下す
るという新たな問題を生じる。
を透明電極４のみで構成する技術が考えられる。この場
合、ＩＴＯの表面は平滑であるため、熱硬化性樹脂から
成る異方性導電層１４を用いる熱圧着時に前記収縮応力
Ｆ１が生じても、異方性導電層１４は透明電極４上を滑
り、前記剥離の発生が防がれる。しかしながら透明電極
４を構成するＩＴＯは、比較的電気抵抗値が大きいこと
が知られており、接続抵抗が高くなり表示品質が低下す
るという新たな問題を生じる。
【００１２】本発明の目的は、上述の技術的課題を解消
し、電気的、機械的接続に関する信頼性を向上すること
ができると共に、接続抵抗を可及的に抑制することがで
きる配線基板を提供することである。
し、電気的、機械的接続に関する信頼性を向上すること
ができると共に、接続抵抗を可及的に抑制することがで
きる配線基板を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、基材上に形成
された第１導体上に、該第１導体の外周部の少なくとも
一部分を露出するようにして、第１導体より樹脂材料と
の接着力が大きい第２導体を形成し、かつ前記第１導体
および第２導体を、硬化時に収縮性を有する樹脂層で被
覆したことを特徴とする配線基板である。
された第１導体上に、該第１導体の外周部の少なくとも
一部分を露出するようにして、第１導体より樹脂材料と
の接着力が大きい第２導体を形成し、かつ前記第１導体
および第２導体を、硬化時に収縮性を有する樹脂層で被
覆したことを特徴とする配線基板である。
【００１４】
【作用】本発明によれば、基材上の第１導体の外周部の
少なくとも一部分を露出し、その第１導体の内方寄りに
、第１導体より樹脂材料との接着力が大きい第２導体を
形成する。基材上の第１導体を含む領域は、硬化時に収
縮性を有する樹脂層で被覆される。
少なくとも一部分を露出し、その第１導体の内方寄りに
、第１導体より樹脂材料との接着力が大きい第２導体を
形成する。基材上の第１導体を含む領域は、硬化時に収
縮性を有する樹脂層で被覆される。
【００１５】したがって、樹脂層が硬化時に収縮する場
合であっても、前記第１導体の外周部の露出している部
分において、樹脂層は第１導体上を滑り、前記収縮によ
り第１導体が外周部から剥離する事態を防止できる。し
かも第１導体上には第２導体が形成されており、第１導
体および第２導体から成る積層体の電気抵抗を第１導体
のみの場合よりも格段に低下することができる。
合であっても、前記第１導体の外周部の露出している部
分において、樹脂層は第１導体上を滑り、前記収縮によ
り第１導体が外周部から剥離する事態を防止できる。し
かも第１導体上には第２導体が形成されており、第１導
体および第２導体から成る積層体の電気抵抗を第１導体
のみの場合よりも格段に低下することができる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の一実施例に従う液晶表示装置
２１の一部分の平面図であり、図２は液晶表示装置２１
の平面図であり、図３は図２の切断面線Ｘ３−Ｘ３から
見た断面図である。液晶表示装置２１は、一対のガラス
基板２２，２３を備え、各ガラス基板２２，２３上には
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）から帯状に形成され、
相互に直交する方向に延びるそれぞれ複数の透明電極２
４，２５が形成され、表示領域２６が設定される。各ガ
ラス基板２２，２３上には配向膜２７，２８がそれぞれ
形成され、間に液晶層２９が注入され、周囲はシール材
３０で封止される。
２１の一部分の平面図であり、図２は液晶表示装置２１
の平面図であり、図３は図２の切断面線Ｘ３−Ｘ３から
見た断面図である。液晶表示装置２１は、一対のガラス
基板２２，２３を備え、各ガラス基板２２，２３上には
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）から帯状に形成され、
相互に直交する方向に延びるそれぞれ複数の透明電極２
４，２５が形成され、表示領域２６が設定される。各ガ
ラス基板２２，２３上には配向膜２７，２８がそれぞれ
形成され、間に液晶層２９が注入され、周囲はシール材
３０で封止される。
【００１７】ガラス基板２２上の透明電極２４はガラス
基板２２上の表示領域２６の外方に延びて形成され、こ
の部分には抵抗値の抑制の目的でクロム層３２およびア
ルミニウム層３３が形成され、接続配線３１として構成
される。クロム層３２は透明電極２４，２５とアルミニ
ウム層３３との密着強度の向上のために用いられる。
基板２２上の表示領域２６の外方に延びて形成され、こ
の部分には抵抗値の抑制の目的でクロム層３２およびア
ルミニウム層３３が形成され、接続配線３１として構成
される。クロム層３２は透明電極２４，２５とアルミニ
ウム層３３との密着強度の向上のために用いられる。
【００１８】回路配線３６の接続領域３４には、樹脂材
料から成る支持フィルム３５上に回路配線３６が形成さ
れて成る可撓性配線基板３７が異方性導電層３８で接続
される。前記接続配線３１を構成する透明電極２４は幅
Ｗ２に形成され、クロム層３２およびアルミニウム層３
３は、前記幅Ｗ２より小さな幅Ｗ３に形成される。
料から成る支持フィルム３５上に回路配線３６が形成さ
れて成る可撓性配線基板３７が異方性導電層３８で接続
される。前記接続配線３１を構成する透明電極２４は幅
Ｗ２に形成され、クロム層３２およびアルミニウム層３
３は、前記幅Ｗ２より小さな幅Ｗ３に形成される。
【００１９】図４は接続配線３１の前記接続領域３４付
近の平面図であり、図５は図４の切断面線Ｘ５−Ｘ５か
ら見た断面図である。本実施例では、前述したように接
続配線３１において透明電極２４の幅Ｗ２に対し、クロ
ム層３２およびアルミニウム層３３の幅Ｗ３は小さく選
ばれる。すなわちクロム層３２とアルミニウム層３３は
、透明電極２４の幅方向両端部がクロム層３２およびア
ルミニウム層３３によっては被覆されない露出領域３９
を有するように、透明電極２４の内方寄りに形成される
。
近の平面図であり、図５は図４の切断面線Ｘ５−Ｘ５か
ら見た断面図である。本実施例では、前述したように接
続配線３１において透明電極２４の幅Ｗ２に対し、クロ
ム層３２およびアルミニウム層３３の幅Ｗ３は小さく選
ばれる。すなわちクロム層３２とアルミニウム層３３は
、透明電極２４の幅方向両端部がクロム層３２およびア
ルミニウム層３３によっては被覆されない露出領域３９
を有するように、透明電極２４の内方寄りに形成される
。
【００２０】接続配線３１をこのような構造とすること
により、異方性導電層３８を構成する合成樹脂材料を熱
硬化性樹脂材料として、後述するように紫外線硬化性樹
脂材料など硬化時に収縮する材料を選択することができ
る。
により、異方性導電層３８を構成する合成樹脂材料を熱
硬化性樹脂材料として、後述するように紫外線硬化性樹
脂材料など硬化時に収縮する材料を選択することができ
る。
【００２１】すなわち従来技術の項で説明したようにＩ
ＴＯから成る透明電極２４は、その表面性状が極めて平
滑であり、一方、クロム層３２およびアルミニウム層３
３をスパッタリングで成膜して得られる表面性状は、そ
の成膜過程が比較的大粒のグレーン状での成長のため、
その表面では微細な凹凸が多数存在することが知られて
いる。したがって、たとえば図６に示すように接続配線
３１を熱硬化型樹脂を含んで成る異方性導電層３８で被
覆し、加熱して硬化させるとき、異方性導電層３８には
図６に矢符Ｆ１１に示す収縮応力が生じる。
ＴＯから成る透明電極２４は、その表面性状が極めて平
滑であり、一方、クロム層３２およびアルミニウム層３
３をスパッタリングで成膜して得られる表面性状は、そ
の成膜過程が比較的大粒のグレーン状での成長のため、
その表面では微細な凹凸が多数存在することが知られて
いる。したがって、たとえば図６に示すように接続配線
３１を熱硬化型樹脂を含んで成る異方性導電層３８で被
覆し、加熱して硬化させるとき、異方性導電層３８には
図６に矢符Ｆ１１に示す収縮応力が生じる。
【００２２】異方性導電層３８は、上記アルミニウム層
３３の表面性状によりアルミニウム層３３には強固に接
着されている。したがってクロム層３２の透明電極２４
との端部には、矢符Ｆ１２で示す力が生じる。この力Ｆ
１２によってクロム層３２およびアルミニウム層３３は
透明電極２４から剥離する場合があるけれども、透明電
極２４の露出領域３９付近に作用する圧縮応力Ｆ１１は
、異方性導電層３８が透明電極２４に対しては、前記透
明電極２４の表面性状により比較的弱く接着されている
のみであることに基づき、収縮する異方性導電層３８は
露出領域３９上を滑り、透明電極２４にガラス基板２２
から剥離させる力を生じることが防がれている。
３３の表面性状によりアルミニウム層３３には強固に接
着されている。したがってクロム層３２の透明電極２４
との端部には、矢符Ｆ１２で示す力が生じる。この力Ｆ
１２によってクロム層３２およびアルミニウム層３３は
透明電極２４から剥離する場合があるけれども、透明電
極２４の露出領域３９付近に作用する圧縮応力Ｆ１１は
、異方性導電層３８が透明電極２４に対しては、前記透
明電極２４の表面性状により比較的弱く接着されている
のみであることに基づき、収縮する異方性導電層３８は
露出領域３９上を滑り、透明電極２４にガラス基板２２
から剥離させる力を生じることが防がれている。
【００２３】したがって図４および図５に示すように、
ガラス基板２２上の接続配線３１に異方性導電層３８を
介して可撓性配線基板３７を熱圧着する場合に、前記収
縮応力Ｆ１１によってクロム層３２およびアルミニウム
層３３が剥離する場合があっても、少なくとも透明電極
２４はガラス基板２２上に残存する。したがって可撓性
配線基板３７と表示領域２６における透明電極２４とが
電気的に機械的に接続不良となる事態や、遮断される事
態が防がれる。
ガラス基板２２上の接続配線３１に異方性導電層３８を
介して可撓性配線基板３７を熱圧着する場合に、前記収
縮応力Ｆ１１によってクロム層３２およびアルミニウム
層３３が剥離する場合があっても、少なくとも透明電極
２４はガラス基板２２上に残存する。したがって可撓性
配線基板３７と表示領域２６における透明電極２４とが
電気的に機械的に接続不良となる事態や、遮断される事
態が防がれる。
【００２４】また前述したように、ガラス基板２２上に
は少なくとも透明電極２４は残ることになり、これによ
り異方性導電層３８が良好にガラス基板２２に固着する
。これにより可撓性配線基板３７とガラス基板２２との
電気的および機械的接続に関する信頼性が格段に向上さ
れる。また接続配線３１は、透明電極２４とクロム層３
２とアルミニウム層３３とから構成されるので、透明電
極２４のみから構成する場合と比較し電気抵抗値を抑制
することができ、表示品質を向上することができる。
は少なくとも透明電極２４は残ることになり、これによ
り異方性導電層３８が良好にガラス基板２２に固着する
。これにより可撓性配線基板３７とガラス基板２２との
電気的および機械的接続に関する信頼性が格段に向上さ
れる。また接続配線３１は、透明電極２４とクロム層３
２とアルミニウム層３３とから構成されるので、透明電
極２４のみから構成する場合と比較し電気抵抗値を抑制
することができ、表示品質を向上することができる。
【００２５】図７は液晶表示装置２１の製造工程を説明
する工程図である。工程ａ１では比較的大面積のガラス
基板２２上にＩＴＯ層２４、クロム層３２およびアルミ
ニウム層３３をスパッタリングなどの薄膜技術で形成す
る。工程ａ２では周知のフォトレジストなどを用いるフ
ォトプロセスを用いて、ガラス基板２２の全面に亘り前
記３層の積層体を前記幅Ｗ２の帯状にパターン形成する
。
する工程図である。工程ａ１では比較的大面積のガラス
基板２２上にＩＴＯ層２４、クロム層３２およびアルミ
ニウム層３３をスパッタリングなどの薄膜技術で形成す
る。工程ａ２では周知のフォトレジストなどを用いるフ
ォトプロセスを用いて、ガラス基板２２の全面に亘り前
記３層の積層体を前記幅Ｗ２の帯状にパターン形成する
。
【００２６】工程ａ３では前記３層の帯状積層体におい
て、表示領域２６の範囲内のクロム層３２およびアルミ
ニウム層３３を、選択的にエッチングして除去するとと
もに、表示領域２６の外部の接続配線３１において、前
記露出領域３９が形成されるように、クロム層３２およ
びアルミニウム層３３を幅Ｗ３となるようにパターン形
成する。工程ａ４では、前記工程ａ１〜ａ３と同様な工
程で製造されたガラス基板２３と貼り合わせ、工程ａ５
で相互に圧着し、工程ａ６では個々の液晶表示装置２１
を得るように分断する。工程ａ７では、液晶層２９を注
入し、工程ａ８では異方性導電層３８を熱圧着して硬化
させ、可撓性配線基板３７とガラス基板２２とを固着す
る。
て、表示領域２６の範囲内のクロム層３２およびアルミ
ニウム層３３を、選択的にエッチングして除去するとと
もに、表示領域２６の外部の接続配線３１において、前
記露出領域３９が形成されるように、クロム層３２およ
びアルミニウム層３３を幅Ｗ３となるようにパターン形
成する。工程ａ４では、前記工程ａ１〜ａ３と同様な工
程で製造されたガラス基板２３と貼り合わせ、工程ａ５
で相互に圧着し、工程ａ６では個々の液晶表示装置２１
を得るように分断する。工程ａ７では、液晶層２９を注
入し、工程ａ８では異方性導電層３８を熱圧着して硬化
させ、可撓性配線基板３７とガラス基板２２とを固着す
る。
【００２７】図８は本発明の他の実施例の接続配線３１
ａを示す平面図である。本実施例は前述の実施例に類似
し、対応する部分には同一の参照符号を付す。本実施例
の注目すべき点は、透明電極２４上のクロム層３２とア
ルミニウム層３３とを選択的に除去し、斜線を付して示
す露出領域３９を相互に独立した個別領域４０として、
千鳥状に配置したことである。
ａを示す平面図である。本実施例は前述の実施例に類似
し、対応する部分には同一の参照符号を付す。本実施例
の注目すべき点は、透明電極２４上のクロム層３２とア
ルミニウム層３３とを選択的に除去し、斜線を付して示
す露出領域３９を相互に独立した個別領域４０として、
千鳥状に配置したことである。
【００２８】すなわち、透明電極２４に異方性導電層３
４による収縮応力Ｆ１１が作用する場合に、クロム層３
２およびアルミニウム層３３が剥離しても、幅方向に隣
接する透明電極２４は残存することになり、クロム層３
２およびアルミニウム層３３の全てが剥離した場合であ
っても、接続配線３１ａは、透明電極２４により電気的
導通が達成されかつ、異方性導電層３８のガラス基板２
２への固着が達成される。
４による収縮応力Ｆ１１が作用する場合に、クロム層３
２およびアルミニウム層３３が剥離しても、幅方向に隣
接する透明電極２４は残存することになり、クロム層３
２およびアルミニウム層３３の全てが剥離した場合であ
っても、接続配線３１ａは、透明電極２４により電気的
導通が達成されかつ、異方性導電層３８のガラス基板２
２への固着が達成される。
【００２９】このような実施例によっても、前述の実施
例で述べた効果と同様な効果を達成することができる。
例で述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【００３０】図９は本発明の更に他の実施例の構造を示
す断面図である。本実施例は前述の実施例に類似し、対
応する部分には同一の参照符を付す。本実施例はたとえ
ば図２に示される液晶表示装置２１において、ガラス基
板２２上に駆動回路素子４１を、いわゆるベアチップの
状態で、フェイスダウンボンディングにて接続する例で
ある。駆動回路素子４１はたとえば、シリコンなどの半
導体結晶からなる回路素子本体４２に接続用のバンプ４
３が形成されてなる。
す断面図である。本実施例は前述の実施例に類似し、対
応する部分には同一の参照符を付す。本実施例はたとえ
ば図２に示される液晶表示装置２１において、ガラス基
板２２上に駆動回路素子４１を、いわゆるベアチップの
状態で、フェイスダウンボンディングにて接続する例で
ある。駆動回路素子４１はたとえば、シリコンなどの半
導体結晶からなる回路素子本体４２に接続用のバンプ４
３が形成されてなる。
【００３１】ガラス基板２２上の接続配線３１は、一例
として前述の実施例と同様に透明電極２４上にクロム層
３２およびアルミニウム層３３が積層されてなり、クロ
ム層３２およびアルミニウム層３３の幅Ｗ３は、透明電
極２４の幅Ｗ２より小さく形成される。このような接続
配線３１と駆動回路素子４１のバンプ４３との間に導電
粒子４４を介在して相互に当接され、駆動回路素子４１
とガラス基板２２との間は、たとえば紫外線硬化樹脂（
ＵＶ樹脂）４５によって充填される。
として前述の実施例と同様に透明電極２４上にクロム層
３２およびアルミニウム層３３が積層されてなり、クロ
ム層３２およびアルミニウム層３３の幅Ｗ３は、透明電
極２４の幅Ｗ２より小さく形成される。このような接続
配線３１と駆動回路素子４１のバンプ４３との間に導電
粒子４４を介在して相互に当接され、駆動回路素子４１
とガラス基板２２との間は、たとえば紫外線硬化樹脂（
ＵＶ樹脂）４５によって充填される。
【００３２】紫外線硬化樹脂４５は、紫外線の照射によ
って硬化すると収縮性を有する材料である。したがって
駆動回路素子４１は、ガラス基板２２に常に押圧された
状態で保持され、バンプ４３と接続配線３１との電気的
導通が確実に達成される。このような構成例において透
明電極２４の幅Ｗ２とクロム層３２およびアルミニウム
層３３の幅Ｗ３と前述のように設定したので、前述の実
施例で述べた効果と同様な効果を達成することができる
。
って硬化すると収縮性を有する材料である。したがって
駆動回路素子４１は、ガラス基板２２に常に押圧された
状態で保持され、バンプ４３と接続配線３１との電気的
導通が確実に達成される。このような構成例において透
明電極２４の幅Ｗ２とクロム層３２およびアルミニウム
層３３の幅Ｗ３と前述のように設定したので、前述の実
施例で述べた効果と同様な効果を達成することができる
。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明に従えば、基材上の
第１導体の外周部の少なくとも一部分を露出し、その第
１導体の内方よりに、第１導体より樹脂材料との接着力
が大きい表面性状に選ばれる第２導体を形成する。基材
上の第１導体を含む範囲は、接着完了時に収縮性を有す
る接着剤で被覆される。
第１導体の外周部の少なくとも一部分を露出し、その第
１導体の内方よりに、第１導体より樹脂材料との接着力
が大きい表面性状に選ばれる第２導体を形成する。基材
上の第１導体を含む範囲は、接着完了時に収縮性を有す
る接着剤で被覆される。
【００３４】したがって、接着剤が接着作用時に収縮す
る場合であっても、前記第１導体の外周部の露出してい
る部分において、接着剤は第１導体上を滑り、前記収縮
により第１導体が外周部から剥離する事態を防止できる
。しかも第１導体上には、第２導体が形成されており、
第１導体および第２導体から成る構成の電気抵抗を第１
導体のみの場合よりも格段に低下することができる。
る場合であっても、前記第１導体の外周部の露出してい
る部分において、接着剤は第１導体上を滑り、前記収縮
により第１導体が外周部から剥離する事態を防止できる
。しかも第１導体上には、第２導体が形成されており、
第１導体および第２導体から成る構成の電気抵抗を第１
導体のみの場合よりも格段に低下することができる。
【図１】本発明の一実施例の液晶表示装置２１の部分平
面図である。
面図である。
【図２】液晶表示装置２１の平面図である。
【図３】液晶表示装置２１の断面図である。
【図４】接続配線３１の接続領域３４付近の平面図であ
る。
る。
【図５】図４の切断面線Ｘ５−Ｘ５から見た断面図であ
る。
る。
【図６】接続配線３１の拡大断面図である。
【図７】液晶表示装置２１の製造工程を説明する工程図
である。
である。
【図８】本発明の他の実施例の接続配線３１ａを示す平
面図である。
面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施例の構造を示す断面図
である。
である。
【図１０】典型的な従来例の液晶表示装置１の断面図で
ある。
ある。
【図１１】ガラス基板２上の回路配線９の平面図である
。
。
【図１２】図１０の切断面線Ｘ１１−Ｘ１１から見た断
面図である。
面図である。
【図１３】従来例の問題点を説明する断面図である。
２１ 液晶表示装置
２２，２３ ガラス基板
２４，２５ 透明電極
３１，３１ａ 接続配線
３２ クロム層
３３ アルミニウム層
３７ 可撓性配線基板
３８ 異方性導電層
３９ 露出領域
４０ 個別領域
４１ 駆動回路素子
４５ 紫外線硬化樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 基材上に形成された第１導体上に、該
第１導体の外周部の少なくとも一部分を露出するように
して、第１導体より樹脂材料との接着力が大きい第２導
体を形成し、かつ前記第１導体および第２導体を、硬化
時に収縮性を有する樹脂層で被覆したことを特徴とする
配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03458891A JP3260770B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03458891A JP3260770B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362925A true JPH04362925A (ja) | 1992-12-15 |
| JP3260770B2 JP3260770B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=12418488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03458891A Expired - Fee Related JP3260770B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3260770B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6781109B2 (en) | 1999-01-14 | 2004-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate having transparent connecting terminals |
| JP2012053467A (ja) * | 2011-09-14 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2013033558A (ja) * | 2009-03-31 | 2013-02-14 | Dainippon Printing Co Ltd | タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体、および、タッチパネルセンサの製造方法 |
| US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2015176312A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 凸版印刷株式会社 | タッチパネルセンサ、および、タッチパネルセンサの製造方法 |
| JP2015201509A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 株式会社東芝 | アレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法 |
| US9189033B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-11-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Touchscreen panel sensor film and manufacturing method thereof |
| JP2018022154A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-08 | 凸版印刷株式会社 | 調光体 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP03458891A patent/JP3260770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6781109B2 (en) | 1999-01-14 | 2004-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate having transparent connecting terminals |
| US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9368514B2 (en) | 2000-03-08 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9786687B2 (en) | 2000-03-08 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2013033558A (ja) * | 2009-03-31 | 2013-02-14 | Dainippon Printing Co Ltd | タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体、および、タッチパネルセンサの製造方法 |
| US9189033B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-11-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Touchscreen panel sensor film and manufacturing method thereof |
| JP2012053467A (ja) * | 2011-09-14 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2015176312A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 凸版印刷株式会社 | タッチパネルセンサ、および、タッチパネルセンサの製造方法 |
| JP2015201509A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 株式会社東芝 | アレイ基板、放射線検出器、および放射線検出器の製造方法 |
| JP2018022154A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-08 | 凸版印刷株式会社 | 調光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3260770B2 (ja) | 2002-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5016986A (en) | Display device having an improvement in insulating between conductors connected to electronic components | |
| JP2596960B2 (ja) | 接続構造 | |
| TW540265B (en) | Circuit substrate connecting structure, liquid crystal display device having the connecting structure and mounting method of liquid crystal display device | |
| TW200417929A (en) | Narrow frame type touch panel | |
| JP3225062B2 (ja) | 熱硬化性樹脂シート及びそれを用いた半導体素子の実装方法 | |
| JP2002118138A (ja) | 絶縁層付角柱状バンプ及びそのバンプを用いたチップオングラス製品並びにｉｃチップ表面への絶縁層付角柱状バンプの製造方法 | |
| CN111556648B (zh) | 驱动芯片保护膜和显示装置 | |
| US20210318732A1 (en) | Flexible display motherboard and manufacturing method thereof | |
| US7932600B2 (en) | Electrical connecting structure and bonding structure | |
| TW201947561A (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| JPH04362925A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US6414397B1 (en) | Anisotropic conductive film, method of mounting semiconductor chip, and semiconductor device | |
| JP2970411B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR101662386B1 (ko) | 지지 기판을 이용한 플렉서블 소자 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자 | |
| JPH02127620A (ja) | 電気光学装置及びその接続方法 | |
| JPH01192125A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JP3676015B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2780499B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP3256659B2 (ja) | 異方性導電薄膜および該異方性導電薄膜を使用したポリマー基板接続方法 | |
| JPH07152045A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2877545B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP4051290B2 (ja) | 半導体装置の実装体及びその製造方法 | |
| JP2002076208A (ja) | 半導体素子の実装構造及びその構造の表示装置並びにその製造方法 | |
| JPH08102464A (ja) | 突起電極構造とその形成方法及び突起電極を用いた接続構造とその接続方法 | |
| JPH0714625A (ja) | 配線構造及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |