JPH043617B2 - - Google Patents
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- JPH043617B2 JPH043617B2 JP9745583A JP9745583A JPH043617B2 JP H043617 B2 JPH043617 B2 JP H043617B2 JP 9745583 A JP9745583 A JP 9745583A JP 9745583 A JP9745583 A JP 9745583A JP H043617 B2 JPH043617 B2 JP H043617B2
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、交流電力によつて直流動作型リレー
を駆動するためのリレー駆動回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a relay drive circuit for driving a DC-operated relay with AC power.
背景技術
第1図は、典型的な先行技術を示す。交流電源
1からの交流電力は、スイツチ2から整流回路3
を介して流れ、直流に変換される。この整流回路
3からの出力は、抵抗5からトランジスタ9のベ
ースに流れ、これによつてトランジスタ9が導通
する。そのためコンデンサ12はダイオード11
を介して充電されるとともに直流動作型リレー1
4が励磁される。BACKGROUND ART FIG. 1 shows typical prior art. AC power from AC power supply 1 is transferred from switch 2 to rectifier circuit 3.
is converted into direct current. The output from the rectifier circuit 3 flows from the resistor 5 to the base of the transistor 9, thereby making the transistor 9 conductive. Therefore, the capacitor 12 is the diode 11
DC-operated relay 1
4 is excited.
スイツチ2が遮断されると、トランジスタ9が
遮断され、これによつてコンデンサ12がリレー
14によつて放電され、リレー14は遮断する。
ツエナダイオード10は、トランジスタ9のベー
ス電圧がそのブレークダウン電圧以上になるとブ
レークダウンする。これによつてトランジスタ9
が遮断する。したがつてトランジスタ9のベース
電圧は、ツエナダイオード10のブレークダウン
電圧に制限され、コンデンサ12の電位もまた一
定に制限される。こうしてリレー14に過大な電
圧が印加されないようにされる。 When the switch 2 is cut off, the transistor 9 is cut off, which causes the capacitor 12 to be discharged by the relay 14, which is then cut off.
Zener diode 10 breaks down when the base voltage of transistor 9 exceeds its breakdown voltage. This results in transistor 9
is blocked. Therefore, the base voltage of transistor 9 is limited to the breakdown voltage of Zener diode 10, and the potential of capacitor 12 is also limited to a constant value. In this way, excessive voltage is prevented from being applied to the relay 14.
トランジスタ8のベースには、抵抗6,7によ
つて分圧された電圧が与えられる。したがつて整
流回路3からの出力が予め定めた値を超えたと
き、トランジスタ8が導通する。これによつてト
ランジスタ9が遮断する。このようにしてトラン
ジスタ9は、交流電源1の各半周期ごとにその電
圧の絶対値が分圧抵抗6,7によつて定められる
電圧以上のときに遮断し、いわばチヨツピング効
果が達成される。こうしてトランジスタ9におい
て消費される電力を制限することができる。半導
体スイツチング素子ZNRは、交流電源1側から
サージ電圧が印加されたとき、その過大な電圧を
吸収し、それ以後の回路素子を保護する。 A voltage divided by resistors 6 and 7 is applied to the base of transistor 8 . Therefore, when the output from the rectifier circuit 3 exceeds a predetermined value, the transistor 8 becomes conductive. This causes transistor 9 to shut off. In this way, the transistor 9 is cut off every half cycle of the AC power source 1 when the absolute value of its voltage is equal to or higher than the voltage determined by the voltage dividing resistors 6 and 7, so that a so-called chopping effect is achieved. In this way, the power consumed in transistor 9 can be limited. When a surge voltage is applied from the AC power supply 1 side, the semiconductor switching element ZNR absorbs the excessive voltage and protects subsequent circuit elements.
このような先行技術では、サージ電圧が印加さ
れたとき、トランジスタ8が導通し、したがつて
トランジスタ9が遮断する。そのためトランジス
タ9のコレクタ、エミツタ間の耐電圧は、半導体
スイツチング素子ZNRのブレークダウンする電
圧たとえば1キロボルト程度でなければならなく
なる。 In such prior art, when a surge voltage is applied, transistor 8 becomes conductive and therefore transistor 9 turns off. Therefore, the withstand voltage between the collector and emitter of the transistor 9 must be a voltage at which the semiconductor switching element ZNR breaks down, for example, about 1 kilovolt.
目 的
本発明の目的は、耐電圧が低下された回路素子
を用いて実現することができるリレー駆動回路を
提供することである。Purpose An object of the present invention is to provide a relay drive circuit that can be realized using circuit elements with reduced withstand voltage.
実施例
第2図は、本発明の一実施例の電気回路図であ
る。この実施例では、交流電源1からの電力はス
イツチ2を介してダイオード21によつて整流さ
れ、抵抗4およびトランジスタ9から、さらにダ
イオード11を介して、コンデンサ12を充電す
るとともに、直流動作型リレー14に与えられ
る。Embodiment FIG. 2 is an electrical circuit diagram of an embodiment of the present invention. In this embodiment, power from an AC power source 1 is rectified by a diode 21 via a switch 2, and is passed through a resistor 4, a transistor 9, and a diode 11 to charge a capacitor 12 and a DC-operated relay. given to 14.
トランジスタ9のベースには、トランジスタ1
6が接続されている。トランジスタ16のベース
には、抵抗6,7によつて分圧された電圧が与え
られる。抵抗7には、トランジスタ22が並列に
接続されており、このトランジスタ22のベース
には、抵抗23,24によつて分圧された電圧が
与えられる。コンデンサ12には、並列にツエナ
ダイオード25が接続される。他の構成は第1図
の先行技術と同様であり、対応する部分には同一
の参照符を付す。 Transistor 1 is connected to the base of transistor 9.
6 is connected. A voltage divided by resistors 6 and 7 is applied to the base of transistor 16 . A transistor 22 is connected in parallel to the resistor 7, and a voltage divided by resistors 23 and 24 is applied to the base of the transistor 22. A Zener diode 25 is connected in parallel to the capacitor 12 . The rest of the structure is similar to the prior art shown in FIG. 1, and corresponding parts are given the same reference numerals.
第3図を参照して、交流電源1からのピーク値
V1を有する電圧が与えられるとき、トランジス
タ16は分圧抵抗6,7によつて定められた電圧
V2未満において遮断している。したがつてトラ
ンジスタ9は、この電圧V2未満である範囲にお
いて導通する。こうしてリレー14が励磁される
ことになる。電源電圧が電圧V2以上であるとき
には、トランジスタ9は遮断している。したがつ
てトランジスタ9による電力の消費が防がれる。 Referring to Figure 3, the peak value from AC power supply 1
When a voltage having V1 is applied, the transistor 16 is connected to the voltage determined by the voltage dividing resistors 6 and 7.
It is cut off below V2. Transistor 9 is therefore conductive in a range below this voltage V2. In this way, the relay 14 is energized. When the power supply voltage is higher than voltage V2, transistor 9 is cut off. Therefore, power consumption by transistor 9 is prevented.
半導体スイツチング素子ZNRのブレークダウ
ン電圧を超えるサージ電圧が交流電源1側から印
加されると、それまで遮断していたトランジスタ
22が導通する。そのためトランジスタ16が遮
断し、これによつてトランジスタ9が導通する。
こうしてサージ電圧は、抵抗4とトランジスタ9
とダイオード11とコンデンサ12とによつて構
成される直列回路に与えられることになり、抵抗
4とコンデンサ12との時定数を適切な値に選ぶ
ことによつて、たとえば約100マイクロ秒程度の
サージ電圧の大部分が抵抗4に印加されることが
可能になる。これによつてトランジスタ9および
それ以降の回路素子の耐電圧を低下することがで
きる。 When a surge voltage exceeding the breakdown voltage of the semiconductor switching element ZNR is applied from the AC power supply 1 side, the transistor 22, which had been cut off until then, becomes conductive. Therefore, transistor 16 is cut off, which causes transistor 9 to conduct.
In this way, the surge voltage is caused by resistor 4 and transistor 9.
By selecting appropriate values for the time constants of the resistor 4 and capacitor 12, a surge of about 100 microseconds, for example, can be suppressed. This allows the majority of the voltage to be applied to the resistor 4. This allows the withstand voltage of transistor 9 and subsequent circuit elements to be reduced.
ツエナダイオード25はリレー14に過大な電
圧が印加されることを確実に防ぐ。 The Zener diode 25 reliably prevents excessive voltage from being applied to the relay 14.
コンデンサ12の容量を大きくすることによつ
て、ダイオード21による半波整流が可能となる
けれども、ダイオード21に代えて全波整流回路
を用いるようにしてもよい。 Although half-wave rectification by the diode 21 becomes possible by increasing the capacitance of the capacitor 12, a full-wave rectification circuit may be used instead of the diode 21.
第4図は、本発明の他の実施例の電気回路図で
ある。この実施例では、トランジスタ9のベース
には抵抗32とトランジスタ31との直列回路が
接続されており、トランジスタ31のベースには
抵抗33,34によつて分圧された電圧が与えら
れる。交流電源1の電源電圧が抵抗33,34に
よつて定められた電圧に対応する値未満では、ト
ランジスタ31を遮断しており、したがつてトラ
ンジスタ9が導通する。交流電源1の電圧が前記
予め定めた値以上であるとき、トランジスタ9は
遮断し、これによつていわゆるチヨツピング作用
が行なわれ、トランジスタ9の電力消費が防がれ
る。 FIG. 4 is an electrical circuit diagram of another embodiment of the invention. In this embodiment, a series circuit of a resistor 32 and a transistor 31 is connected to the base of the transistor 9, and a voltage divided by resistors 33 and 34 is applied to the base of the transistor 31. When the supply voltage of the AC power source 1 is less than the value corresponding to the voltage determined by the resistors 33, 34, the transistor 31 is cut off and the transistor 9 is therefore conductive. When the voltage of the AC power supply 1 is above the predetermined value, the transistor 9 is cut off, thereby producing a so-called chopping effect and preventing the transistor 9 from consuming power.
サージ電圧が印加されたときには、トランジス
タ31は導通し、これによつてトランジスタ9が
遮断するけれども、このトランジスタ31の導通
によつて抵抗32には電流I35が流れる。サー
ジ電圧は、たとえば1キロボルト程度以上であ
る。したがつてこの電流I35は大きい。これに
よつてトランジスタ9のベース電圧は高くなり、
トランジスタ9は導通する。サージ電圧は抵抗4
に大部分を分担させるようにし、これによつてト
ランジスタ9およびそれ以降の回路素子の耐電圧
を低下することができる。 When a surge voltage is applied, transistor 31 becomes conductive, which causes transistor 9 to be cut off, but current I35 flows through resistor 32 due to conduction of transistor 31. The surge voltage is, for example, about 1 kilovolt or more. Therefore, this current I35 is large. This increases the base voltage of transistor 9,
Transistor 9 becomes conductive. Surge voltage is resistor 4
As a result, the withstand voltage of the transistor 9 and subsequent circuit elements can be reduced.
第5図は、本発明のさらに他の実施例の電気回
路図である。この実施例は第4図に示された実施
例に類似し、対応する部分には同一の参照符を付
す。この実施例では、抵抗5に直列にフエナダイ
オード41が接続されており、これによつて交流
電源1の電圧が小さいときにツエナダイオード4
1を遮断しておき、応じてトランジスタ9を遮断
する。これによつてリレー14を確実に消磁する
ことができる。ダイオード11と分圧抵抗33,
34の接続点との間には、抵抗42とツエナダイ
オード43との直列回路が接続される。これによ
つてリレー14に過大な電圧が発生したときツエ
ナダイオード43をブレークダウンし、トランジ
スタ31を導通させ、応じてトランジスタ9を遮
断することができる。こうしてリレー14を保護
することが可能となる。その他の図示は第4図示
の実施例と同様である。 FIG. 5 is an electrical circuit diagram of still another embodiment of the present invention. This embodiment is similar to the embodiment shown in FIG. 4, and corresponding parts have been given the same reference numerals. In this embodiment, a Zena diode 41 is connected in series with the resistor 5, so that when the voltage of the AC power supply 1 is low, the Zena diode 4
1 is cut off, and transistor 9 is cut off accordingly. This allows the relay 14 to be reliably demagnetized. Diode 11 and voltage dividing resistor 33,
A series circuit of a resistor 42 and a Zener diode 43 is connected between the connection point 34 and the connection point 34. Thereby, when an excessive voltage is generated in the relay 14, the Zener diode 43 can be broken down, the transistor 31 can be made conductive, and the transistor 9 can be cut off accordingly. In this way, it becomes possible to protect the relay 14. The other illustrations are the same as the embodiment shown in the fourth figure.
第6図は、本発明の他の実施例の電気回路図で
ある。前述の実施例に類似する部分には、同一の
参照符を付す。トランジスタ9のベースにはトラ
ンジスタ51が接続されており、このトランジス
タ51に関連してツエナダイオード52、抵抗5
3,54、トランジスタ55,56、分圧抵抗5
7,58が接続される。されにまたトランジスタ
55に関連して分圧抵抗59,60、ダイオード
61、抵抗62,63およびコンデンサ64が接
続されている。 FIG. 6 is an electrical circuit diagram of another embodiment of the invention. Parts similar to the previous embodiments are given the same reference numerals. A transistor 51 is connected to the base of the transistor 9, and a Zener diode 52 and a resistor 5 are connected to the transistor 51.
3, 54, transistors 55, 56, voltage dividing resistor 5
7 and 58 are connected. Furthermore, voltage dividing resistors 59 and 60, a diode 61, resistors 62 and 63, and a capacitor 64 are connected in connection with the transistor 55.
交流電源1の電圧が小さいとき、抵抗59,6
0の働きによつてトランジスタ55は遮断してい
る。したがつて、ツエナダイオード52はブレー
クダウンし、トランジスタ51が導通する。これ
によつて、トランジスタ9が遮断しリレー14は
確実に消磁されている。交流電源1の電源電圧が
上昇するとき、トランジスタ55はツエナダイオ
ード65のブレークダウンによつて導通する。し
たがつてトランジスタ51が遮断し、トランジス
タ9が導通する。こうしてリレー14が励磁され
る。電源電圧がさらに上昇すると、抵抗53,5
4の分圧電圧に応じてツエナダイオード52がブ
レークダウンしてトランジスタ51が導通する。
これによつてトランジスタ9が遮断して、いわゆ
るチヨツピング作用が達成される。 When the voltage of AC power supply 1 is small, resistors 59 and 6
0, the transistor 55 is cut off. Therefore, Zener diode 52 breaks down and transistor 51 becomes conductive. As a result, transistor 9 is cut off and relay 14 is reliably demagnetized. When the power supply voltage of the AC power supply 1 increases, the transistor 55 becomes conductive due to the breakdown of the Zener diode 65. Therefore, transistor 51 is cut off and transistor 9 is turned on. In this way, the relay 14 is energized. When the power supply voltage increases further, the resistors 53, 5
The Zener diode 52 breaks down in response to the divided voltage of 4, and the transistor 51 becomes conductive.
This causes transistor 9 to shut off and a so-called chopping effect to be achieved.
サージ電圧が印加されるとトランジスタ56が
導通する。これによつてトランジスタ52が遮断
し、トランジスタ9は導通する。こうしてサージ
電圧の大部分を抵抗4に負担させることが可能で
ある。 When a surge voltage is applied, transistor 56 becomes conductive. This causes transistor 52 to turn off and transistor 9 to conduct. In this way, it is possible to cause the resistor 4 to bear most of the surge voltage.
第7図は、本発明の他の実施例の電気回路図で
あり、この実施例は第6図の実施例に類似する。
注目すべきはトランジスタ51のベースは抵抗5
3,54の接続点に接続されており、トランジス
タ9のベースには抵抗71とツエナダイオード7
2との直列回路が接続されている。ダイオード7
2にはトランジスタ51が並列に接続される。サ
ージ電圧が印加されたときには、トランジスタ5
5が前述のように導通する。これによつてトラン
ジスタ51が導通する。これによつてトランジス
タ9のベース電圧が上昇し、トランジスタ9が導
通する。こうしてサージ電圧の大部分を抵抗4に
分担させることができる。 FIG. 7 is an electrical circuit diagram of another embodiment of the invention, which is similar to the embodiment of FIG.
It should be noted that the base of the transistor 51 is the resistor 5.
3 and 54, and a resistor 71 and a Zener diode 7 are connected to the base of the transistor 9.
A series circuit with 2 is connected. diode 7
A transistor 51 is connected in parallel to the transistor 2. When a surge voltage is applied, transistor 5
5 conducts as described above. This causes transistor 51 to become conductive. This causes the base voltage of transistor 9 to rise, making transistor 9 conductive. In this way, most of the surge voltage can be shared by the resistor 4.
第8図は、本発明の他の実施例の電気回路図で
ある。この実施例では抵抗59,60の分圧電圧
は抵抗81からトランジスタ82のベースに与え
られる。このトランジスタ82に関連して抵抗8
3およびツエナダイオード84が接続されてい
る。ツエナダイオード84には、並列にトランジ
スタ85が接続される。トランジスタ85に関連
してトランジスタ86、抵抗87,88およびト
ランジスタ89が接続される。 FIG. 8 is an electrical circuit diagram of another embodiment of the present invention. In this embodiment, the divided voltage of resistors 59 and 60 is applied from resistor 81 to the base of transistor 82. A resistor 8 is associated with this transistor 82.
3 and a Zener diode 84 are connected. A transistor 85 is connected in parallel to the Zener diode 84 . A transistor 86, resistors 87 and 88, and a transistor 89 are connected in connection with transistor 85.
この実施例もまた、前述の第6図示の実施例に
類似する。抵抗59,60によつて電源電圧を分
圧し、その電源電圧が小さいときにはトランジス
タ82が遮断し、トランジスタ86が遮断し、こ
れによつてトランジスタ85,89が遮断する。
そのためリレー14が遮断している。電源電圧が
さらに上昇すると、トランジスタ82が導通す
る。そのためトランジスタ86,85,89が導
通し、リレー14が励磁される。電源電圧が下降
していくとき、トランジスタ82が遮断し、これ
によつてトランジスタ86,85および89が遮
断し、リレー14が遮断する。トランジスタ85
に並列に接続されているツエナダイオード84は
トランジスタ85のオン・オフ動作によつてトラ
ンジスタ82のオン・オフ動作レベルを変える。
これによつて電源電圧の上昇時と下降時における
リレー14のヒステリシス動作を達成する。 This embodiment is also similar to the embodiment shown in FIG. 6 described above. The power supply voltage is divided by resistors 59 and 60, and when the power supply voltage is small, transistor 82 is cut off, transistor 86 is cut off, and thereby transistors 85 and 89 are cut off.
Therefore, relay 14 is cut off. When the power supply voltage increases further, transistor 82 becomes conductive. Therefore, transistors 86, 85, and 89 become conductive, and relay 14 is energized. As the power supply voltage decreases, transistor 82 shuts off, which shuts off transistors 86, 85 and 89, and relay 14 shuts off. transistor 85
A Zener diode 84 connected in parallel with the transistor 82 changes the on/off operation level of the transistor 82 according to the on/off operation of the transistor 85.
This achieves hysteresis operation of the relay 14 when the power supply voltage rises and falls.
第9図は、本発明の他の実施例の電気回路図で
あり、この実施例は第8図示の実施例に類似し、
対応する部分には同一の参照符を付す。この実施
例では、サージ電圧が印加されるときの対策とし
て抵抗92,93,94;96、97およびトラ
ンジスタ98が設けられている。サージ電圧が印
加されたとき、トランジスタ98は導通し、これ
によつてトランジスタ51が遮断し、応じてトラ
ンジスタ9を導通させる。こうしてサージ電圧の
大部分を抵抗4に分担させることができる。 FIG. 9 is an electrical circuit diagram of another embodiment of the invention, which is similar to the embodiment shown in FIG.
Corresponding parts are given the same reference numerals. In this embodiment, resistors 92, 93, 94; 96, 97 and a transistor 98 are provided as countermeasures when a surge voltage is applied. When a surge voltage is applied, transistor 98 conducts, which turns off transistor 51 and causes transistor 9 to conduct in response. In this way, most of the surge voltage can be shared by the resistor 4.
交流電源1の電源電圧が低い範囲でトランジス
タ9を導通し、高い範囲においてトランジスタ9
を遮断するためのいわゆるチヨツピング動作につ
いて述べる。抵抗108,109によつてコンデ
ンサ12の充電電圧を分圧し、このコンデンサ1
2の電圧が上昇したとき、ツエナダイオード10
4,105のブレークダウン電圧である電圧Va
(第1図参照)においてトランジスタ106が導
通する。これによつてトランジスタ100が導通
し、トランジスタ51が導通する。応じてトラン
ジスタ9が遮断する。 The transistor 9 is conductive when the power supply voltage of the AC power supply 1 is low, and the transistor 9 is conductive when the power supply voltage of the AC power supply 1 is high.
This section describes the so-called chopping operation to cut off the noise. The charging voltage of capacitor 12 is divided by resistors 108 and 109, and this capacitor 1
When the voltage of 2 increases, the Zener diode 10
The voltage Va which is the breakdown voltage of 4,105
(See FIG. 1), transistor 106 becomes conductive. This causes transistor 100 to conduct and transistor 51 to conduct. Transistor 9 accordingly shuts off.
トランジスタ9が遮断することによつて、コン
デンサ12はリレー14によつて放電され、その
充電電圧が下降する。このときトランジスタ10
0は導通しており、応じてトランジスタ103が
導通している。したがつてコンデンサ12の充電
電圧が下降してゆくとき、ツエナダイオード10
4のブレーク電圧に依存した電圧Vbになると、
トランジスタ106は遮断し、これによつてトラ
ンジスタ100が遮断する。これによつてトラン
ジスタ51が遮断し、トランジスタ9が導通す
る。こうしてコンデンサ22が充電される。トラ
ンジスタ100が遮断することによつて、トラン
ジスタ103が遮断し、したがつてトランジスタ
106,51はコンデンサ12の充電電圧がツエ
ナダイオード104,105によつて定められた
対応した電圧Vaになつたとき導通し、トランジ
スタ9が遮断することになる。このようにして、
第10図に示されるようにトランジスタ9のヒス
テリシス動作が行なわれる。 When transistor 9 is cut off, capacitor 12 is discharged by relay 14, and its charging voltage drops. At this time, the transistor 10
0 is conductive, and accordingly, transistor 103 is conductive. Therefore, when the charging voltage of the capacitor 12 decreases, the Zener diode 10
When the voltage Vb depends on the break voltage of 4,
Transistor 106 turns off, which causes transistor 100 to turn off. This causes transistor 51 to shut off and transistor 9 to conduct. In this way, capacitor 22 is charged. With transistor 100 blocking, transistor 103 is blocking and transistors 106 and 51 are therefore conducting when the charging voltage of capacitor 12 reaches the corresponding voltage Va determined by Zener diodes 104 and 105. Therefore, transistor 9 is cut off. In this way,
A hysteresis operation of transistor 9 is performed as shown in FIG.
こうして第9図の実施例では、コンデンサ12
の充電電圧に応じてトランジスタ9の制御が行な
われるので、交流電源の投入時などにおいて効率
良くトランジスタ9を制御して、そのトランジス
タ9による電力消費を低減することができる。 Thus, in the embodiment of FIG.
Since the transistor 9 is controlled according to the charging voltage, the transistor 9 can be efficiently controlled when AC power is turned on, and the power consumption by the transistor 9 can be reduced.
効 果
以上のように本発明によれば、サージ電圧が印
加されたときにはスイツチング回路のスイツチン
グ素子を導通させ、これによつてそのスイツチン
グ素子に直列に接続されている抵抗にサージ電圧
の大部分を分担させることができ、これによつて
後続の回路素子の耐電圧を低下することが可能に
なる。Effects As described above, according to the present invention, when a surge voltage is applied, the switching element of the switching circuit is made conductive, thereby transmitting most of the surge voltage to the resistor connected in series with the switching element. This makes it possible to reduce the withstand voltage of subsequent circuit elements.
第1図は先行技術の電気回路図、第2図は本発
明の一実施例の電気回路図、第3図は第2図示の
実施例の動作を説明するための波形図、第4図〜
第9図は他の各実施例の電気回路図、第10図は
第9図示の実施例の動作を説明するための図であ
る。
1……交流電源、3……全波整流回路、8,
9,16,22,31,51,55,56,8
2,85,86,89,98,100,103,
106……トランジスタ、14……リレー。
FIG. 1 is an electric circuit diagram of the prior art, FIG. 2 is an electric circuit diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. 4, and FIGS.
FIG. 9 is an electric circuit diagram of each of the other embodiments, and FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. 1... AC power supply, 3... Full wave rectifier circuit, 8,
9, 16, 22, 31, 51, 55, 56, 8
2,85,86,89,98,100,103,
106...transistor, 14...relay.
Claims (1)
するリレー駆動回路に於て、前記整流回路と直流
動作型リレーとの間にコンデンサを挿入してその
放電によつて整流波形の下位点での補償用の電流
を供給し、更に前記整流回路と補償電流供給用コ
ンデンサとの間に挿入された半導体スイツチング
素子より成る2つの機能を有するスイツチング回
路であつて、その1つの機能は前記コンデンサへ
の放電電流および直流動作型リレーへの制御電流
を供給するものと、他の1つの機能は交流電力と
してサージ電圧を入力した際、スイツチング素子
をオンとしてその高電圧に起因してスイツチング
回路から供給される過剰電流を抵抗と前記コンデ
ンサとの時定数によつて制御するものとしたこと
を特徴としたリレー駆動回路。 2 前記スイツチング回路はその1つの機能中に
おいて、コンデンサへの充電電流を整流波形の上
位点で供給せず、且つ上位点から下位点に移るあ
る境界範囲で供給することを特徴とした特許請求
範囲第1項記載のリレー駆動回路。 3 前記スイツチング回路の半導体スイツチング
素子は2個のトランジスタにて構成され、その第
1のトランジスタは整流波形の上位点におけるベ
ース電位の上昇によつてオン動作し、第2のトラ
ンジスタはその第1のトランジスタのオン動作に
よる自己のベース電位の降下によつてオフ動作し
てスイツチング回路からの電流供給を停止し、且
つ第1のトランジスタは整流波形の下位点におけ
るベース電位の降下によつてオフ動作し、第2の
トランジスタはその第1のトランジスタのオフ動
作に移行する間のベース電位の上昇に伴つてオン
動作に移行するとともに、コンデンサへの充電電
流の供給を行なうことを特徴とした特許請求の範
囲第1項記載のリレー駆動回路。 4 前記スイツチング回路における2個のトラン
ジスタは各々ベース電圧用の分圧抵抗を有し、且
つ整流波形の下位点でオン動作する第2のトラン
ジスタのエミツタ、コレクタ間にはサージ電圧時
のスイツチング回路からの供給電流を制御する時
定数用の抵抗とコンデンサとを接続したことを特
徴とした特許請求の範囲第1項記載のリレー駆動
回路。 5 前記スイツチング回路における整流波形の上
位点でオフ動作する第1のトランジスタは、サー
ジ電圧時ベース電位の降下でオフ動作するための
第3のトランジスタにて制御されることを特徴と
した特許請求の範囲第1項記載のリレー駆動回
路。[Scope of Claims] 1. In a relay drive circuit that rectifies AC power to drive a DC operation type relay, a capacitor is inserted between the rectification circuit and the DC operation type relay, and the rectification is performed by discharging the capacitor. A switching circuit having two functions, one of which is to supply a current for compensation at a lower point of a waveform, and the other is a semiconductor switching element inserted between the rectifier circuit and a capacitor for supplying compensation current. Its function is to supply a discharge current to the capacitor and a control current to the DC-operated relay.Another function is to turn on the switching element when a surge voltage is input as AC power, and to control the voltage caused by the high voltage. 1. A relay drive circuit characterized in that an excessive current supplied from a switching circuit is controlled by a time constant of a resistor and the capacitor. 2. Claims characterized in that, during one of its functions, the switching circuit does not supply the charging current to the capacitor at the upper point of the rectified waveform, but at a certain boundary range from the upper point to the lower point. The relay drive circuit according to item 1. 3. The semiconductor switching element of the switching circuit is composed of two transistors, the first transistor is turned on by a rise in base potential at the upper point of the rectified waveform, and the second transistor is turned on by the rise in base potential at the upper point of the rectified waveform. The first transistor is turned off due to a drop in its base potential due to the on operation of the transistor and stops supplying current from the switching circuit, and the first transistor is turned off due to a drop in base potential at a lower point of the rectified waveform. , the second transistor shifts to on operation as the base potential rises during the transition to off operation of the first transistor, and supplies charging current to the capacitor. Relay drive circuit according to scope 1. 4. The two transistors in the switching circuit each have a voltage dividing resistor for the base voltage, and the second transistor, which is turned on at the lower point of the rectified waveform, is connected between the emitter and the collector from the switching circuit at the time of a surge voltage. 2. The relay drive circuit according to claim 1, further comprising a time constant resistor and a capacitor connected to each other for controlling the supply current of the relay. 5. The first transistor in the switching circuit that is turned off at an upper point of the rectified waveform is controlled by a third transistor that is turned off when the base potential drops during a surge voltage. Relay drive circuit according to scope 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9745583A JPS59221929A (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Relay drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9745583A JPS59221929A (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Relay drive circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59221929A JPS59221929A (en) | 1984-12-13 |
JPH043617B2 true JPH043617B2 (en) | 1992-01-23 |
Family
ID=14192779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9745583A Granted JPS59221929A (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Relay drive circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59221929A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4983523B2 (en) * | 2007-10-09 | 2012-07-25 | 三菱電機株式会社 | Power supply circuit and earth leakage circuit breaker using the power supply circuit |
JP5958739B2 (en) * | 2012-02-22 | 2016-08-02 | 富士電機株式会社 | Relay drive circuit |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9745583A patent/JPS59221929A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59221929A (en) | 1984-12-13 |
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