JPH0435409A - 論理回路 - Google Patents
論理回路Info
- Publication number
- JPH0435409A JPH0435409A JP2140824A JP14082490A JPH0435409A JP H0435409 A JPH0435409 A JP H0435409A JP 2140824 A JP2140824 A JP 2140824A JP 14082490 A JP14082490 A JP 14082490A JP H0435409 A JPH0435409 A JP H0435409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- output
- circuit
- bar
- true
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は論理回路に関し、特に1つの入力信号からTR
UE信号及びBAR信号の2つの信号を出力する論理回
路に関する。
UE信号及びBAR信号の2つの信号を出力する論理回
路に関する。
従来、この種の論理回路の構成は、第2図のようにpチ
ャネル及びnチャネルMOSトランジスタQ、、Qゎの
共通ゲートCGを入力端とし、共通ドレインCDを出力
端とするCMOSトランンスタのインバータI3を有す
るBAR信号出力回路2.と、同一回路構成のインバー
タI、、I2を直列にしたTRUE信号出力回路1を有
し、入力端I+に同一人力信号S、を入力していた。
ャネル及びnチャネルMOSトランジスタQ、、Qゎの
共通ゲートCGを入力端とし、共通ドレインCDを出力
端とするCMOSトランンスタのインバータI3を有す
るBAR信号出力回路2.と、同一回路構成のインバー
タI、、I2を直列にしたTRUE信号出力回路1を有
し、入力端I+に同一人力信号S、を入力していた。
このため、入力信号S1に対して同相のTRUE信号S
T及び逆相のBAR信号信号S子れぞれ出力させるには
、T RU E信号出力回路1とBAR信号出力回路2
.の内部の同−回路構成のインバータの段数を1段差を
つけている。
T及び逆相のBAR信号信号S子れぞれ出力させるには
、T RU E信号出力回路1とBAR信号出力回路2
.の内部の同−回路構成のインバータの段数を1段差を
つけている。
上述した従来の論理回路は、その構成上TRUE信号及
びBAR信号を出力するための論理段数が異なっていた
ため、TRL!E信号出力までの遅延時間とBAR信号
出力まての遅延時間との間に差が生じるという欠点があ
った。
びBAR信号を出力するための論理段数が異なっていた
ため、TRL!E信号出力までの遅延時間とBAR信号
出力まての遅延時間との間に差が生じるという欠点があ
った。
本発明の目的は、TRLtE信号出力まての遅延時間と
BAR信号出力までの遅延時間との間に差が生じない様
に論理回路を提供するものである。
BAR信号出力までの遅延時間との間に差が生じない様
に論理回路を提供するものである。
本発明の論理回路は、共通の入力信号を入力し偶数のC
MOSインバータを介して前記入力信号の同相の出力信
号を出力する同相出力信号回路と、前記CMOSインバ
ータの少くとも1段を有し前記入力信号の逆相の信号を
出力する逆相信号出力回路とを有る論理回路において、
前記逆相出力回路がCMOSのバッファを有して構成し
ている。
MOSインバータを介して前記入力信号の同相の出力信
号を出力する同相出力信号回路と、前記CMOSインバ
ータの少くとも1段を有し前記入力信号の逆相の信号を
出力する逆相信号出力回路とを有る論理回路において、
前記逆相出力回路がCMOSのバッファを有して構成し
ている。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
論理回路は、第2図のBAR信号出力回路26のインバ
ータ■3の前段にCMOSトランジスタのバッファ3を
挿入したBAR信号出力回路2に置換えたことか異る意
思外は、従来の論理回路と同一である。
ータ■3の前段にCMOSトランジスタのバッファ3を
挿入したBAR信号出力回路2に置換えたことか異る意
思外は、従来の論理回路と同一である。
すなわち、第1図のバッファ3のみが第2図のインバー
タとは逆に、ドレイン電源vDDにnチャネルトランジ
スタQNのソースを、GNDにpチャネルトランジスタ
Qpのソースを接続している。
タとは逆に、ドレイン電源vDDにnチャネルトランジ
スタQNのソースを、GNDにpチャネルトランジスタ
Qpのソースを接続している。
次に、動作を説明する。
入力端T+に入力信号Slがはいると、TRUE信号出
力回路1のインバーターよ、I2を介してTRUE信号
S信号S力され、まなりAR信号出力回路2のバッファ
3及びインバーター4を介してBAR信号信号S圧力さ
れる。
力回路1のインバーターよ、I2を介してTRUE信号
S信号S力され、まなりAR信号出力回路2のバッファ
3及びインバーター4を介してBAR信号信号S圧力さ
れる。
例えば、入力端INに゛H″レベルの信号が入力される
と、TRUE信号1のインバーター1はトランジスタQ
、、がオフ、トランジスタQ、がオンし“L ”レベル
を出力する。
と、TRUE信号1のインバーター1はトランジスタQ
、、がオフ、トランジスタQ、がオンし“L ”レベル
を出力する。
従ってTRUE信号S丁はインバーター2で反転され入
力信号S1と同じ“H″レベルなる。
力信号S1と同じ“H″レベルなる。
一方、BAR信号8力回路2のバッファ3は、入力信号
S1が“H°゛レベルの場合にトランジスタQpがオン
し、トランジスタQ、がオフするので反転せず、H”レ
ベルを出力する。
S1が“H°゛レベルの場合にトランジスタQpがオン
し、トランジスタQ、がオフするので反転せず、H”レ
ベルを出力する。
インバータr3はその信号を反転するので、BAR信号
S6は“L ”レベルとなる。
S6は“L ”レベルとなる。
入力信号S夏が“′L”レベルの場合は、同様の動作で
TRUE信号S信号S力 ”レベル、BAR信号SBは
゛′H′ルベルとなる。
TRUE信号S信号S力 ”レベル、BAR信号SBは
゛′H′ルベルとなる。
本実施例の回路は、以上のように入力端T1がらTRU
E信号出力までの論理段数とBAR信号出力までの論理
段数を同じ2段にしてそれぞれの信号遅延時間を同一に
している。
E信号出力までの論理段数とBAR信号出力までの論理
段数を同じ2段にしてそれぞれの信号遅延時間を同一に
している。
以上説明したように本発明は、TRUE信号出力までの
論理段数とBAR信号信号出遅の論理段数を同じ段数に
することによって、TRUE信号出力の遅延時間とBA
R信号信号出遅延時間の差がなくなる効果がある。
論理段数とBAR信号信号出遅の論理段数を同じ段数に
することによって、TRUE信号出力の遅延時間とBA
R信号信号出遅延時間の差がなくなる効果がある。
1・・・TRUE信号出力回路、2・・・BAR信号出
力回路、3・・・バッファ、CD・・・共通ドレイン、
CG・・・共通ゲート、1.〜I3・・・CMOSイン
バータ、Q、・・・nチャネルMO5)ランジスタ、Q
p・・・pチャネルMOSトランジスタ、SR・・・B
A4信号、S+・・・入力信号、ST・・・TRUE信
号、T1 ・・入力端。
力回路、3・・・バッファ、CD・・・共通ドレイン、
CG・・・共通ゲート、1.〜I3・・・CMOSイン
バータ、Q、・・・nチャネルMO5)ランジスタ、Q
p・・・pチャネルMOSトランジスタ、SR・・・B
A4信号、S+・・・入力信号、ST・・・TRUE信
号、T1 ・・入力端。
Claims (1)
- 共通の入力信号を入力し偶数のCMOSインバータを介
して前記入力信号の同相の出力信号を出力する同相出力
信号回路と、前記CMOSインバータの少くとも1段を
有し前記入力信号の逆相の信号を出力する逆相信号出力
回路とを有る論理回路において、前記逆相出力回路がC
MOSのバッファを有することを特徴とする論理回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2140824A JPH0435409A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 論理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2140824A JPH0435409A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 論理回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0435409A true JPH0435409A (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=15277576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2140824A Pending JPH0435409A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 論理回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0435409A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7575653B2 (en) | 1993-04-15 | 2009-08-18 | 3M Innovative Properties Company | Melt-flowable materials and method of sealing surfaces |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6454927A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Toshiba Corp | Logic circuit |
JPH01109816A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 相補型半導体集積回路装置 |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2140824A patent/JPH0435409A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6454927A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Toshiba Corp | Logic circuit |
JPH01109816A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 相補型半導体集積回路装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7575653B2 (en) | 1993-04-15 | 2009-08-18 | 3M Innovative Properties Company | Melt-flowable materials and method of sealing surfaces |
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