JPH04351629A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物

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JPH04351629A
JPH04351629A JP12723991A JP12723991A JPH04351629A JP H04351629 A JPH04351629 A JP H04351629A JP 12723991 A JP12723991 A JP 12723991A JP 12723991 A JP12723991 A JP 12723991A JP H04351629 A JPH04351629 A JP H04351629A
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JP
Japan
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epoxy resin
bismaleimide
formula
resin
resin composition
Prior art date
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Pending
Application number
JP12723991A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichi Kinashi
木梨 恵市
Shinsuke Hagiwara
伸介 萩原
Shigeki Ichimura
茂樹 市村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はトランジスタ、IC及び
LSIなどのいわゆる半導体素子類をトランスファ成形
等により封止するために使用し、耐熱性、耐熱衝撃性、
硬化性、金型汚れ性等に優れる半導体封止用樹脂組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】エポキシ樹脂組成物は他の熱硬化性樹脂
組成物と比べ、電気特性、耐湿性、成形性、接着性等の
バランスが優れ、更に比較的低コストであるため、現在
半導体封止用樹脂組成物の主流となっている。
【0003】一方、近年ICの高密度実装化に伴うQF
P、SOP、SOJ等の表面実装型パッケージの増大化
や素子の大形化に伴い、半導体封止用樹脂組成物には、
従来の成形性、耐湿性、耐熱衝撃性に加え、新たに耐は
んだリフロー性が要求されている。上記課題を解決する
には封止剤の高耐熱化が必要であるが、従来のエポキシ
樹脂では限界がある。耐熱性を有する樹脂としては、剛
直性のある分子構造を有するビスマレイミドが有効であ
り、例えば耐熱積層板等に用いられているジアミン硬化
型ビスマレイミド(ポリアミノビスマレイミド)や、ア
リル化合物硬化によるビスマレイミドなどがある。しか
し、半導体封止用樹脂組成物に適用した場合、従来のフ
ェノールノボラック硬化によるエポキシ樹脂と比較し、
耐熱性は優れるものの硬化性や流動性等の成形性が大き
く低下し、さらに可撓性に劣るため耐熱衝撃性も悪い。
【0004】また、エポキシ樹脂の硬化剤に上記ポリア
ミノビスマレイミドを用いる系は、成形性は良好である
ものの耐熱衝撃性は依然悪く、組成物の可撓化が必要で
ある。可撓性向上のためには、シリコーン可撓剤が有効
であるが、単純に液状シリコーンを添加しただけでは金
型汚れが発生する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記観点から
なされたものであり、耐はんだリフロー性(耐熱性)、
成形性、金型汚れ性更に耐熱衝撃性に優れる半導体封止
用樹脂組成物を得ようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を行った結果、エポキシ樹脂の硬
化剤にポリアミノビスマレイミドを用い、更に可撓剤と
してカルボキシル基含有オルガノシロキサンとエポキシ
樹脂とを反応させてなる重合体を用いることにより、上
記問題を解決できることを見出し、この知見に基づいて
本発明を完成するに至った。
【0007】すなわち本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)硬化促進剤、(C)充填剤、(D)硬化剤として
一般式(1)
【化1】 (式中のRは2価の炭化水素基である。)で表されるビ
スマレイミドと一般式(2)
【化2】 (式中のR1、R2は水素、メチル基、エチル基又はト
リフルオロメチル基であり、互いに同じであっても異な
っていてもよい。)で表されるジアミンとを加熱反応さ
せて得られるポリアミノビスマレイミド及び(E)可撓
剤としてカルボキシル基含有オルガノシロキサンとエポ
キシ樹脂とを反応させてなる重合体からなることを特徴
とする半導体封止用樹脂組成物を提供するものである。
【0008】以下に本発明を具体的に説明する。本発明
に用いるエポキシ樹脂としては、フェノール、クレゾー
ル、ビスフェノールA等とホルムアルデヒド、サリチル
アルデヒド等を酸性触媒下で縮合させて得られる樹脂を
原料として、エピクロルヒドリンでグリシジルエーテル
化するなどしてエポキシ化したエポキシ樹脂や、ビフェ
ニル骨格型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格型エポキシ樹
脂などが用いられる。この際樹脂のエポキシ当量は10
0〜300が好ましく、更に150〜200が硬化性の
点で優れている。
【0009】一般式(1)のビスマレイミドとしては、
N,N′−4,4′−ジフェニルメタンビスマレイミド
、ビス−(3−エチル−4−マレイミド−5−メチルフ
ェニル)メタン、N′−4,4′−ジフェニルエーテル
ビスマレイミド、N,N′−4,4′−ジフェニルスル
フォンビスマレイミド、N,N−m−フェニレンビスマ
レイミド、2,2−ビス[4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(4−マレイミ
ドフェノキシ)フェニル]メタン等がある。一般式(2
)のジアミンとしてはビス[4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル]プロパン、ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]メタン、1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2,2−ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパン等がある。エポキシの硬化
剤となるポリアミノビスマレイミドは、上記ビスマレイ
ミドとジアミンを加熱反応させることにより得られるが
、その際のモル比は、0.2<ビスマレイミド/ジアミ
ン<2.0が好適であり、0.2以下では耐熱性に劣る
ことがあり、2.0以上では、硬化性、耐熱衝撃性に劣
ることがある。
【0010】エポキシ樹脂と、合成したポリアミノビス
マレイミド硬化剤の重量比は、0.5<エポキシ樹脂/
硬化剤<2.0が良く、0.5以下では流動性が悪くな
ることがあり、2.0以上では、硬化性が低下すること
がある。
【0011】エポキシ樹脂とポリアミノビスマレイミド
硬化剤との反応を促進するためには硬化促進剤を用いる
。具体的にはトリブチルアミン、1,8−ジアザビシク
ロ(5,4,0)ウンデセン−7のようなアミン類、ト
リフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム
テトラフェニルボレートのようなホスフィン類、イミダ
ゾール類等があるが、硬化性の点で2−フェニルイミダ
ゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−
メチルイミダゾールのようなイミダゾール類が最も良好
である。
【0012】次に、金型汚れ性の良好な可撓剤としては
、カルボキシル基含有オルガノシロキサンとエポキシ樹
脂とを反応させてなる重合体が有効である。カルボキシ
ル基の位置は、両末端、側鎖いずれでも良いが、重合度
は10〜300が好適であり、10未満では可撓性に劣
り、300を超えると組成物の流動性が低下する。重合
体の合成は、トルエン、メチルイソブチルケトン等の有
機溶剤下、エポキシ樹脂とシリコーンをトリフェニルホ
スフィン等の反応触媒を用い数時間還流し、溶剤を減圧
除去することで容易に合成できる。
【0013】本発明に用いられる充填剤としては、シリ
カ、ガラス、タルク、マイカ、アスベスト、アルミナ等
を用いることができるが、シリカ、ガラス、アルミナが
耐湿性の点で優れている。配合量は、エポキシ樹脂、硬
化促進剤、充填剤、硬化剤及び可撓剤の全樹脂100重
量部に対し100〜700重量部が良好であり、100
重量部未満では耐熱性が低下し、また700重量部を超
えると流動性が著しく失われることがある。
【0014】本発明の樹脂組成物には必要に応じて離型
剤、着色剤、難燃剤、難燃助剤、カップリング剤等を使
用することもできる。特にカップリング剤は充填剤の効
果を有効に発揮させるために重要でありエポキシシラン
、アミノシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アル
キルシラン等を単独あるいは併用して用いる。
【0015】本発明の樹脂組成物は、上記の各素材をミ
キシングロールで加熱しながら混練する方法により製造
することができる。得られた樹脂組成物は、トランスフ
ァー成形により成形する。
【0016】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明するが
本発明はこれに限定されるものではない。実施例を示す
前に、組成物の製造方法、物性の測定方法を以下に示す
。 (1)ポリアミノビスマレイミドの合成方法ジアミンを
フラスコに仕込み140℃で溶融させたのち、ビスマレ
イミドを140℃で10分〜12分で添加した。その後
樹脂を直ちにバットにあけ冷却した。
【0017】(2)樹脂組成物の製造方法各素材を配合
し、直径10インチのミキシングロールにて、前ロール
22rpm、後ロール18rpmの条件で常法に従い1
0分間混練した。得られたシート状組成物を粉砕して、
樹脂組成物を得た。
【0018】(3)スパイラルフロー(SF)及び熱時
硬度 SFは、EMMI規格に準じた金型を用いて175℃、
6.86MPa、90sの条件で測定した。また熱時硬
度は硬化性の指標として用い、型開き直後に成形品中央
部の硬度をshore−D型硬度計で測定した。
【0019】(4)耐リフロークラック性各組成物を用
い、QFPパッケージ(2.6mm厚、テスト素子使用
)を175℃・90sの条件で成形し、更に175℃・
6hアフタキュアし、試験用パッケージを作製した。そ
の後パッケージを85℃・85%で任意の時間吸湿した
後、215℃・90sの条件でVPSリフローし、クラ
ックの有無を観察した。
【0020】(5)金型汚れ性 (4)でパッケージを成形した際に、金型の汚れ性を目
視で観察した。
【0021】(6)耐熱衝撃性 QFPパッケージ(2.0mm厚、テスト素子使用)を
用い、液体窒素(2分)←→150℃(2分)を1サイ
クルとして評価した。
【0022】実施例1〜4、比較例1〜2表1に用いた
主な原材料、表2に樹脂組成物の配合と物性を示す。実
施例1〜4は比較例1〜2と比べ流動性、硬化性、耐リ
フロークラック性、金型汚れ性、耐熱衝撃性等に優れて
いることがわかる。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】
【表3】
【0026】1)  2−フェニル−4−メチルイミダ
ゾール 2)  2−フェニルイミダゾール 3)  50%不良発生サイクル数(サイクル)4) 
 85℃/85%吸湿でのリフロークラック発生時間(
時間)
【発明の効果】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、耐
熱性、耐熱衝撃性、硬化性、金型汚れ性等に優れ、その
工業的価値は大きい。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  (A)エポキシ樹脂、(B)硬化促進
    剤、(C)充填剤、(D)硬化剤として一般式(1)【
    化1】 (式中のRは2価の炭化水素基である。)で表されるビ
    スマレイミドと一般式(2) 【化2】 (式中のR1、R2は水素、メチル基、エチル基又はト
    リフルオロメチル基であり、互に同じであっても異なっ
    ていてもよい。)で表されるジアミンとを加熱反応させ
    て得られるポリアミノビスマレイミド及び(E)可撓剤
    としてカルボキシル基含有オルガノシロキサンとエポキ
    シ樹脂とを反応させてなる重合体からなることを特徴と
    する半導体封止用樹脂組成物。
  2. 【請求項2】  カルボキシル基含有オルガノシロキサ
    ンの重合度が10〜300である請求項1記載の半導体
    封止用樹脂組成物。
JP12723991A 1991-05-30 1991-05-30 半導体封止用樹脂組成物 Pending JPH04351629A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010110433A1 (ja) * 2009-03-27 2010-09-30 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグ、支持体付絶縁フィルム、積層板及びプリント配線板
JP2010248473A (ja) * 2009-03-27 2010-11-04 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント配線板
JP2016060780A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010110433A1 (ja) * 2009-03-27 2010-09-30 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグ、支持体付絶縁フィルム、積層板及びプリント配線板
JP2010248473A (ja) * 2009-03-27 2010-11-04 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント配線板
CN102365310A (zh) * 2009-03-27 2012-02-29 日立化成工业株式会社 热固化性树脂组合物、以及使用了该组合物的预浸料、带支撑体的绝缘膜、层叠板及印刷布线板
US10119047B2 (en) 2009-03-27 2018-11-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, and prepreg, insulating film with support, laminate plate, and printed wiring board, each obtained using same
JP2016060780A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板

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