JPH04351113A - Inverter - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To realize the inverter whose reliability is improved by disconnecting a failed MOSFET from the circuit in the inverter in which plural field effect transistors(TRs) (MOSFETs) are connected in parallel. CONSTITUTION:The inverter is provided with a control means to which switching elements such as thyristors 10-13 blocking a reverse drain current of MOSFETs 2-5 and conducting a forward drain current are connected in place of reverse blocking diodes connected in series with drains of conventional MOSFETs so as to turn off the switching elements connecting in series with the faulty MOSFETs. The reliability of the inverter is improved by turning off the switching element so as to disconnect the faulty and short-circuited and destroyed MOSFET from the circuit and no current flows to the internal diode of the MOSFET to prevent the destruction due to the internal diode and the destruction due to a surge voltage.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【０００１】0001

【産業上の利用分野】この発明は、インバータ装置、特
に電解効果トランジスタを使用したインバータ装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inverter device, and more particularly to an inverter device using field effect transistors.

【０００２】0002

【従来の技術】従来、入力に対して出力の極性又は論理
を反転させるためのインバータ装置としては多数のもの
が提案されている。図３は従来のインバータ装置を示す
回路構成図である。図において、１は直流電源、２，３
，４，５は電解効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴと呼称
する）、６，７，８，９はＭＯＳＦＥＴ２〜５にゲート
電圧を供給するゲート駆動回路、２４，２５，２６，２
７はカソードをＭＯＳＦＥＴ２〜５のそれぞれのドレイ
ンに接続した逆阻止用ダイオード、１８，１９は還流用
ダイオード、２０は出力端子である。2. Description of the Related Art Conventionally, a large number of inverter devices have been proposed for inverting the polarity or logic of an output with respect to an input. FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing a conventional inverter device. In the figure, 1 is a DC power supply, 2, 3
, 4, 5 are field effect transistors (referred to as MOSFETs), 6, 7, 8, 9 are gate drive circuits that supply gate voltage to MOSFETs 2 to 5, 24, 25, 26, 2
7 is a reverse blocking diode whose cathode is connected to the drain of each of MOSFETs 2 to 5; 18 and 19 are freewheeling diodes; and 20 is an output terminal.

【０００３】次に、上記従来のインバータ装置の動作に
ついて説明する。ゲート駆動回路６と８はＭＯＳＦＥＴ
２と４に対して同じタイミングでゲート電圧を供給し、
ＭＯＳＦＥＴ２と４を同時にオン，オフさせ、同様に、
ゲート駆動回路７と９はＭＯＳＦＥＴ３と５に対して同
じタイミングでゲート電圧を供給し、ＭＯＳＦＥＴ３と
５を同時にオン，オフさせる。また、ゲート駆動回路６
と７はＭＯＳＦＥＴ２と３に対して交互にゲート電圧を
供給し、同様に、ゲート駆動回路８と９はＭＯＳＦＥＴ
４と５に対して交互にゲート電圧を供給し、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２と４はペアでオン，オフし、またＭＯＳＦＥＴ３と
５はペアでオン，オフすることにより、出力端子２０に
交流出力電圧が出力される。Next, the operation of the above-mentioned conventional inverter device will be explained. Gate drive circuits 6 and 8 are MOSFETs
Supply gate voltage to 2 and 4 at the same timing,
Turn on and off MOSFETs 2 and 4 at the same time, and similarly,
Gate drive circuits 7 and 9 supply gate voltages to MOSFETs 3 and 5 at the same timing to turn on and off MOSFETs 3 and 5 simultaneously. In addition, the gate drive circuit 6
and 7 alternately supply gate voltages to MOSFETs 2 and 3, and similarly, gate drive circuits 8 and 9 supply MOSFETs
Supplying gate voltage alternately to 4 and 5, MOSFE
T2 and 4 are turned on and off as a pair, and MOSFETs 3 and 5 are turned on and off as a pair, so that an AC output voltage is output to the output terminal 20.

【０００４】ＭＯＳＦＥＴはオン抵抗が正の温度特性を
示すために電流バランス作用があり、従って複数個のＭ
ＯＳＦＥＴを並列動作させることが可能である。図３に
示されるものでは、説明を簡単化するために２個のＭＯ
ＳＦＥＴを並列動作させる例を示しているが、数十個の
ＭＯＳＦＥＴを並列動作させる大容量の高周波インバー
タ装置も実現されている。MOSFETs have a current balancing effect because their on-resistance exhibits positive temperature characteristics, and therefore a plurality of M
It is possible to operate OSFETs in parallel. In what is shown in FIG. 3, two MOs are used to simplify the explanation.
Although an example in which SFETs are operated in parallel is shown, large-capacity high-frequency inverter devices in which several dozen MOSFETs are operated in parallel have also been realized.

【０００５】図４はＭＯＳＦＥＴの内部構成を示す説明
図である。図において、２８はゲート、２９はドレイン
、３０はソース、３１は内部ダイオードである。図４に
示されるＭＯＳＦＥＴはその構造上、ドレイン２９とソ
ース３０との間に等価的に内部ダイオード３１が内蔵さ
れ、これを一般に内部ダイオード（あるいは内蔵ダイオ
ード，ボディドレインダイオード等）と呼んでいる。 このような内部ダイオード３１に還流電流を流した後に
逆電圧を急速に印加すると、内部ダイオード３１に過大
なリカバリー電流が流れ、この過大なリカバリー電流に
よってＭＯＳＦＥＴが破損することがあるために、高周
波スイッチング動作を行う高周波インバータ装置では、
内部ダイオード３１に電流を流さないようにＭＯＳＦＥ
Ｔのドレイン２９に直列に逆阻止用ダイオードを接続す
る構成としている。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the internal structure of the MOSFET. In the figure, 28 is a gate, 29 is a drain, 30 is a source, and 31 is an internal diode. Due to its structure, the MOSFET shown in FIG. 4 has an internal diode 31 built in equivalently between a drain 29 and a source 30, and this is generally called an internal diode (or built-in diode, body drain diode, etc.). If a reverse voltage is rapidly applied after a freewheeling current flows through the internal diode 31, an excessive recovery current will flow through the internal diode 31, and this excessive recovery current may damage the MOSFET. In the high frequency inverter device that operates,
MOSFE to prevent current from flowing through the internal diode 31.
A reverse blocking diode is connected in series to the drain 29 of T.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のインバ
ータ装置は以上のように構成されており、ＭＯＳＦＥＴ
が故障をした場合に、通常ＭＯＳＦＥＴのドレインとソ
ース間が短絡破壊するため、図３に示されるようにＭＯ
ＳＦＥＴを複数個並列接続したインバータ装置において
、仮に１個だけＭＯＳＦＥＴが故障をしても、このＭＯ
ＳＦＥＴの部分で短絡が起こるので、正常な動作をする
ことができなくなりインバータ装置を停止することにな
る。そのために、インバータ装置の故障率は、使用する
ＭＯＳＦＥＴの数量に１個のＭＯＳＦＥＴの故障率を掛
けた値となり、その結果、ＭＯＳＦＥＴを多数個並列接
続すればする程故障率の値が増加することになる。この
ように、ＭＯＳＦＥＴは並列接続に適した特性を持つ反
面、故障が短絡破壊であるために、並列接続すると装置
全体の故障率が増加してしまうという欠点があった。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional inverter device described above is constructed as described above, and the MOSFET
When the MOSFET fails, the drain and source of the MOSFET are usually short-circuited and destroyed, so as shown in Figure 3, the MOSFET
In an inverter device in which multiple SFETs are connected in parallel, even if only one MOSFET fails, this MOSFET
Since a short circuit occurs in the SFET part, normal operation becomes impossible and the inverter device is stopped. Therefore, the failure rate of an inverter device is the number of MOSFETs used multiplied by the failure rate of one MOSFET, and as a result, the more MOSFETs are connected in parallel, the more the failure rate increases. become. As described above, although MOSFETs have characteristics suitable for parallel connection, they have the disadvantage that the failure rate is short-circuit destruction, so when they are connected in parallel, the failure rate of the entire device increases.

【０００７】この欠点を除去する手段として、ヒューズ
，スイッチ等を各々のＭＯＳＦＥＴに直列接続して、故
障して短絡したＭＯＳＦＥＴのみヒューズ又はスイッチ
をオープンにして、故障したＭＯＳＦＥＴを回路から切
り離すことが考えられている。しかるに、図３に示され
るような従来のインバータ装置の回路構成において、故
障率を軽減するためにヒューズ，スイッチ等を付加した
場合には、装置の構成が複雑化してコストが増加するの
みならず、配線が長くなり回路のインダクタンス成分が
増加し、特に高周波スイッチング動作をさせると、サー
ジ電圧が発生してＭＯＳＦＥＴが過電圧によって破壊す
るなどの問題点があった。[0007] As a means to eliminate this drawback, it is possible to connect a fuse, switch, etc. in series to each MOSFET, and open the fuse or switch only for the MOSFET that has failed and shorted, thereby disconnecting the failed MOSFET from the circuit. It is being However, when fuses, switches, etc. are added to the circuit configuration of a conventional inverter device as shown in FIG. 3 in order to reduce the failure rate, the configuration of the device becomes complicated and costs increase. However, as the wiring becomes longer, the inductance component of the circuit increases, and especially when high frequency switching operation is performed, a surge voltage is generated and the MOSFET is destroyed due to overvoltage.

【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、サージ電圧が増加することなく
、故障したＭＯＳＦＥＴを回路から切り離すことができ
るインバータ装置を得ることを目的とする。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an inverter device that can disconnect a failed MOSFET from a circuit without increasing surge voltage.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明に係るインバー
タ装置は、ＭＯＳＦＥＴの逆方向ドレイン電流を阻止し
、順方向ドレイン電流を導通するスイッチング素子を、
複数個の各々のＭＯＳＦＥＴのドレインに直列接続し、
故障したＭＯＳＦＥＴに直列接続されたスイッチング素
子をオフさせる制御手段を設けて、故障したＭＯＳＦＥ
Ｔを回路から切り離すようにしたものである。[Means for Solving the Problems] An inverter device according to the present invention includes a switching element that blocks a reverse drain current of a MOSFET and conducts a forward drain current.
connected in series to the drains of each of the plurality of MOSFETs,
A control means is provided to turn off the switching element connected in series to the failed MOSFET.
This is to separate T from the circuit.

【００１０】0010

【作用】この発明におけるインバータ装置は、スイッチ
ング素子を複数個の各々のＭＯＳＦＥＴのドレインに直
列接続し、故障したＭＯＳＦＥＴに直列接続されたスイ
ッチング素子をオフさせる制御をすることにより、故障
して短絡破壊したＭＯＳＦＥＴは回路から切り離され、
残された正常なＭＯＳＦＥＴによってインバータ装置は
運転を継続する。また、スイッチング素子をＭＯＳＦＥ
Ｔのドレインに直列接続することにより、ＭＯＳＦＥＴ
の内部ダイオードに流れる電流が阻止され、この種の従
来装置における逆阻止用ダイオードを省略できる。[Operation] The inverter device according to the present invention connects a switching element in series to the drain of each of a plurality of MOSFETs, and controls to turn off the switching element connected in series to a failed MOSFET, thereby causing failure and short-circuit damage. The MOSFET that has been removed is disconnected from the circuit,
The inverter device continues to operate using the remaining normal MOSFETs. In addition, the switching element is MOSFE.
By connecting in series to the drain of T, MOSFET
The current flowing through the internal diode is blocked, and the reverse blocking diode in this type of conventional device can be omitted.

【００１１】[0011]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の実施例であるインバータ装置を
示す回路構成図である。図において、１は直流電源、２
，３，４，５は電解効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）
、６，７，８，９はＭＯＳＦＥＴ２〜５にゲート電圧を
供給するゲート駆動回路、１０，１１，１２，１３はサ
イリスタ、１４，１５，１５，１７はサイリスタゲート
回路、１８，１９は還流用ダイオード、２０は出力端子
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an inverter device according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a DC power supply, 2
, 3, 4, 5 are field effect transistors (MOSFET)
, 6, 7, 8, and 9 are gate drive circuits that supply gate voltage to MOSFETs 2 to 5, 10, 11, 12, and 13 are thyristors, 14, 15, 15, and 17 are thyristor gate circuits, and 18 and 19 are for free circulation. Diode 20 is an output terminal.

【００１２】次に、上記この発明の実施例であるインバ
ータ装置の動作について説明する。サイリスタゲート回
路１４〜１７はＭＯＳＦＥＴ２〜５が故障していない場
合に、常時サイリスタ１０〜１３を導通させるゲート信
号を供給している。ここで、サイリスタはゲート信号が
供給されている状態でも、サイリスタの逆方向電流はダ
イオードと同様に阻止するために、ＭＯＳＦＥＴの内部
ダイオードに電流が流れることなく、内部ダイオードの
破壊は上記図３に示される従来装置と同様に発生しない
。また、上記従来装置の逆阻止用ダイオードとほとんど
同じ電流、電圧容量のサイリスタで良いため、使用する
サイリスタの外形は従来装置の逆阻止用ダイオードとほ
ぼ同一形状となるので、配線のインダクタンスは従来装
置と変わらずサージ電圧が高くなるということはない。 従って、本実施例のインバータ装置は図３に示される従
来装置と同様に高周波スイッチング動作が可能である。Next, the operation of the inverter device according to the embodiment of the present invention will be explained. The thyristor gate circuits 14 to 17 supply gate signals that always make the thyristors 10 to 13 conductive when the MOSFETs 2 to 5 are not in failure. Here, even when the gate signal is supplied to the thyristor, the reverse current of the thyristor is blocked like a diode, so no current flows to the internal diode of the MOSFET, and the destruction of the internal diode occurs as shown in Figure 3 above. Similar to the conventional device shown, this does not occur. In addition, since a thyristor with almost the same current and voltage capacity as the reverse blocking diode of the conventional device described above can be used, the external shape of the thyristor used is almost the same as that of the reverse blocking diode of the conventional device, so the wiring inductance is lower than that of the conventional device. The surge voltage will not increase as usual. Therefore, the inverter device of this embodiment is capable of high frequency switching operation similar to the conventional device shown in FIG.

【００１３】次に、ＭＯＳＦＥＴ２〜５のうちで１個の
ＭＯＳＦＥＴ２が故障した場合に、サイリスタゲート回
路１４のゲート信号の出力を停止してサイリスタ１０を
オフにする。サイリスタ１０がオフすると、故障してド
レインとソース間が短絡破壊したＭＯＳＦＥＴ２が回路
から切り離されるため、残された正常なＭＯＳＦＥＴ３
〜５によってインバータ装置は運転を継続する。Next, when one MOSFET 2 among the MOSFETs 2 to 5 fails, the output of the gate signal of the thyristor gate circuit 14 is stopped and the thyristor 10 is turned off. When the thyristor 10 turns off, MOSFET 2, which has failed due to a short circuit between the drain and source, is disconnected from the circuit, so the remaining normal MOSFET 3
~5, the inverter device continues to operate.

【００１４】ところで、ＭＯＳＦＥＴ２の故障を検知し
て、それに対応したサイリスタ１０のサイリスタゲート
回路１４を停止する手段として、例えば、故障発生後に
テスタ等の計測器でＭＯＳＦＥＴ２の故障を調べ、手動
によりサイリスタゲート回路１４を停止する信号を出力
する方法又はＭＯＳＦＥＴ２の故障検出回路を設けて自
動的に故障を検出してサイリスタゲート回路１４を停止
する方法等がある。By the way, as a means for detecting a failure in the MOSFET 2 and stopping the thyristor gate circuit 14 of the corresponding thyristor 10, for example, after a failure occurs, the failure of the MOSFET 2 is checked using a measuring instrument such as a tester, and the thyristor gate circuit 14 is manually shut down. There are a method of outputting a signal to stop the circuit 14, a method of providing a failure detection circuit for the MOSFET 2 to automatically detect a failure, and stopping the thyristor gate circuit 14.

【００１５】図２は図１のインバータ装置におけるＭＯ
ＳＦＥＴの故障検出手段を示す回路構成図である。図に
おいて、２はＭＯＳＦＥＴ、６はＭＯＳＦＥＴ２にゲー
ト電圧を供給するゲート駆動回路、１０はサイリスタ、
１４はサイリスタゲート回路、２１，２２，はフォトカ
プラ、２３はオアゲートである。FIG. 2 shows the MO in the inverter device of FIG.
FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing a failure detection means of SFET. In the figure, 2 is a MOSFET, 6 is a gate drive circuit that supplies gate voltage to MOSFET 2, 10 is a thyristor,
14 is a thyristor gate circuit, 21, 22 are photocouplers, and 23 is an OR gate.

【００１６】次に、上記ＭＯＳＦＥＴの故障検出手段の
動作について説明する。ゲート駆動回路６はＭＯＳＦＥ
Ｔ２のゲートとソース間に約１０Ｖ前後の正及ぶ負の電
圧を供給しているので、ＭＯＳＦＥＴ２が正常時に、フ
ォトカプラ２１及びフォトカプラ２２の論理出力は「１
」，「０」を交互に繰り返して出力し、オアゲート２３
の論理出力は常に「１」を出力してサイリスタゲート回
路１４を動作させている。次にＭＯＳＦＥＴ２が故障す
ると、このＭＯＳＦＥＴ２のゲートの絶縁酸化膜が破壊
され、ゲートとソース間が短絡状態になりゲート駆動回
路６の出力電圧は約０Ｖ程度に低下する。この状態では
フォトカプラ２１及び２２の論理出力は「０」となり、
オアゲート２３の論理出力は「０」となり、サイリスタ
ゲート回路１４が停止してサイリスタ１０は自動的にオ
フする。Next, the operation of the MOSFET failure detection means will be explained. Gate drive circuit 6 is MOSFE
Since positive and negative voltages of about 10V are supplied between the gate and source of T2, when MOSFET2 is normal, the logic outputs of photocoupler 21 and photocoupler 22 are "1".
”, “0” are alternately output, and the OR gate 23
The logic output of always outputs "1" to operate the thyristor gate circuit 14. Next, when the MOSFET 2 fails, the insulating oxide film on the gate of the MOSFET 2 is destroyed, the gate and source become short-circuited, and the output voltage of the gate drive circuit 6 drops to about 0V. In this state, the logic outputs of photocouplers 21 and 22 become "0",
The logic output of the OR gate 23 becomes "0", the thyristor gate circuit 14 stops, and the thyristor 10 is automatically turned off.

【００１７】その他、ＭＯＳＦＥＴが故障すると、その
ドレインとゲート間も短絡するために、ドレイン電圧，
ゲート電圧をフォトカプラ等で検出する手段もある。ま
た、ＭＯＳＦＥＴのケース温度，放熱フィン温度を検出
する機構や、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電流検出手段を設
けた過電流を検出する機構等がある。In addition, when a MOSFET fails, the drain and gate are also short-circuited, so the drain voltage,
There is also a means of detecting the gate voltage using a photocoupler or the like. Additionally, there are mechanisms for detecting the case temperature and radiation fin temperature of a MOSFET, and mechanisms for detecting overcurrent provided with a MOSFET drain current detection means.

【００１８】なお、上記実施例ではスイッチング素子と
してサイリスタを用いた場合について説明したが、ＧＴ
Ｏ（ゲートターンオフサイリスタ）を用いても良い。[0018] In the above embodiment, the case where a thyristor was used as the switching element was explained, but the GT
O (gate turn-off thyristor) may be used.

【００１９】また、上記実施例ではＭＯＳＦＥＴを２個
並列接続したインバータ装置について説明したが、ＭＯ
ＳＦＥＴを２個以上並列接続したインバータ装置でも良
い。Furthermore, in the above embodiment, an inverter device in which two MOSFETs are connected in parallel has been described.
An inverter device in which two or more SFETs are connected in parallel may also be used.

【００２０】また、上記実施例では一つのアームで構成
されたインバータ装置について説明したが、複数個のア
ームで構成されたインバータ装置でも良い。Furthermore, in the above embodiment, an inverter device composed of one arm has been described, but an inverter device composed of a plurality of arms may be used.

【００２１】[0021]

【発明の効果】以上のように、この発明のインバータ装
置によれば、ＭＯＳＦＥＴの逆方向ドレイン電流を阻止
し、順方向ドレイン電流を導通するスイッチング素子を
、複数個の各々のＭＯＳＦＥＴのドレインに直列接続し
、故障したＭＯＳＦＥＴに直列接続されたスイッチング
素子をオフさせる制御手段を設けた構成としたので、故
障して短絡破壊したＭＯＳＦＥＴを回路から切り離し、
残された正常なＭＯＳＦＥＴによってインバータ装置の
運転を継続することが可能となり、当該装置の稼働時間
を長くすることができ、またＭＯＳＦＥＴの内部ダイオ
ードに流れる電流を阻止することができるから、逆阻止
用ダイオードが省略でき、内部ダイオードによる破壊，
サージ電圧による破壊のない高い信頼性を有し、かつ高
周波スイッチング動作ができるインバータ装置が得られ
るという優れた効果を奏する。As described above, according to the inverter device of the present invention, the switching element that blocks the reverse drain current of the MOSFET and conducts the forward drain current is connected in series with the drain of each of the plurality of MOSFETs. Since the configuration is equipped with a control means to turn off the switching element connected in series to the failed MOSFET, the failed MOSFET can be disconnected from the circuit and
The remaining normal MOSFETs allow the inverter device to continue operating, extending the operating time of the device, and blocking the current flowing to the internal diodes of the MOSFETs, making them ideal for reverse blocking. Diode can be omitted, damage caused by internal diode,
This provides an excellent effect of providing an inverter device that has high reliability without being destroyed by surge voltage and is capable of high frequency switching operation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図１】この発明の実施例であるインバータ装置を示す
回路構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an inverter device that is an embodiment of the present invention.

【図２】図１のインバータ装置におけるＭＯＳＦＥＴの
故障検出手段を示す回路構成図である。FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing a MOSFET failure detection means in the inverter device of FIG. 1;

【図３】従来のインバータ装置を示す回路構成図である
。FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing a conventional inverter device.

【図４】ＭＯＳＦＥＴの内部構成を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the internal configuration of a MOSFET.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１　　　　直流電源 ２，３，４，５　　　　電解効果トランジスタ（ＭＯＳ
ＦＥＴ） ６，７，８，９　　　　ゲート駆動回路１０，１１，１
２，１３　　　　サイリスタ１４，１５，１６，１７　
　　　サイリスタゲート回路１８，１９　　　　還流用
ダイオード ２０　　　　出力端子 ２１，２２　　　　フォトカプラ ２３　　　　オアゲート ２４，２５，２６，２７　　　　逆阻止用ダイオード２
８　　　　ゲート ２９　　　　ドレイン ３０　　　　ソース ３１　　　　内部ダイオード1 DC power supply 2, 3, 4, 5 Field effect transistor (MOS
FET) 6, 7, 8, 9 Gate drive circuit 10, 11, 1
2, 13 Thyristor 14, 15, 16, 17
Thyristor gate circuit 18, 19 Freewheeling diode 20 Output terminal 21, 22 Photocoupler 23 OR gate 24, 25, 26, 27 Reverse blocking diode 2
8 Gate 29 Drain 30 Source 31 Internal diode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】　　直列接続され、交互にオン，オフ制御
される２個の電解効果トランジスタを少なくとも２個以
上並列接続して構成されたインバータ装置において、上
記電解効果トランジスタの各々のドレインに直列接続さ
れ、上記電解効果トランジスタの逆方向ドレイン電流を
阻止し、順方向ドレイン電流を導通するスイッチング素
子と、故障した電解効果トランジスタに直列接続された
上記スイッチング素子をオフさせる制御手段とを備えた
ことを特徴とするインバータ装置。1. An inverter device configured by connecting in parallel at least two field effect transistors connected in series and controlled to turn on and off alternately, wherein the field effect transistors are connected in series to the drains of each of the field effect transistors. and comprising a switching element that blocks a reverse drain current of the field effect transistor and conducts a forward drain current, and a control means that turns off the switching element connected in series to the failed field effect transistor. Features of the inverter device.