JPH04350159A - スパッタカソード - Google Patents
スパッタカソードInfo
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- JPH04350159A JPH04350159A JP875391A JP875391A JPH04350159A JP H04350159 A JPH04350159 A JP H04350159A JP 875391 A JP875391 A JP 875391A JP 875391 A JP875391 A JP 875391A JP H04350159 A JPH04350159 A JP H04350159A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ時の歩留りを向
上させ得るとともに、ターゲット材料の無駄の少ないス
パッタカソードに関するものである。
上させ得るとともに、ターゲット材料の無駄の少ないス
パッタカソードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜磁気メディアなどの薄膜素子
をスパッタリングにより製造する場合に用いて好適なス
パッタカソードとして図2に示す構成のスパッタカソー
ドが知られている。
をスパッタリングにより製造する場合に用いて好適なス
パッタカソードとして図2に示す構成のスパッタカソー
ドが知られている。
【0003】図2に示すスパッタカソード1にあっては
、バッキングプレートと呼ばれる長方形状の裏板2の上
面に長方形状のターゲット3が密着されるとともに、こ
のターゲット3の周囲部と裏板2の周囲部とが矩形状の
シールド枠4で囲まれて構成されている。
、バッキングプレートと呼ばれる長方形状の裏板2の上
面に長方形状のターゲット3が密着されるとともに、こ
のターゲット3の周囲部と裏板2の周囲部とが矩形状の
シールド枠4で囲まれて構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記構成のスパッタカ
ソード1は、例えば、図3に示す構成の成膜装置Aに組
み込まれて使用されている。図3に示す成膜装置Aにお
いて、6は予備加熱室、7は加熱室、8は第1スパッタ
室、9は中間室、10は第2スパッタ室、11は取出室
を各々示し、これらの各室が直列的に接続されて成膜装
置Aが構成されるとともに、各室の境界部分には仕切弁
装置12が設けられていて、各室の雰囲気を別個に調節
できるようになっている。更に図3において符号13は
加熱ヒータを示している。
ソード1は、例えば、図3に示す構成の成膜装置Aに組
み込まれて使用されている。図3に示す成膜装置Aにお
いて、6は予備加熱室、7は加熱室、8は第1スパッタ
室、9は中間室、10は第2スパッタ室、11は取出室
を各々示し、これらの各室が直列的に接続されて成膜装
置Aが構成されるとともに、各室の境界部分には仕切弁
装置12が設けられていて、各室の雰囲気を別個に調節
できるようになっている。更に図3において符号13は
加熱ヒータを示している。
【0005】また、図3に示す構成の成膜装置Aにおい
ては、スパッタカソード1が第1スパッタ室8の左右両
内側壁と第2スパッタ室10の左右両内側壁に設けられ
、両側のスパッタカソード1からターゲットの構成粒子
を飛ばして成膜することができるようになっている。
ては、スパッタカソード1が第1スパッタ室8の左右両
内側壁と第2スパッタ室10の左右両内側壁に設けられ
、両側のスパッタカソード1からターゲットの構成粒子
を飛ばして成膜することができるようになっている。
【0006】図3に示す成膜装置Aにあっては、移動自
在なホルダ装置に成膜処理するべき処理裏板をセットし
、ホルダ装置を仕切弁装置12を通して予備加熱室6に
移動させ、ホルダ装置の裏板を所定の温度に加熱すると
同時に内部圧力を調節し、この後に加熱室7を介して第
1スパッタ室8に移動させ、第1スパッタ室8において
複数のスパッタカソード1から順次あるいは複数同時に
スパッタを行って成膜処理を行い、次いで中間室9にホ
ルダ装置を移動し、次に第2スパッタ室10で必要に応
じて同様にスパッタ処理を行い薄膜磁気メディアなどの
薄膜素子を製造している。
在なホルダ装置に成膜処理するべき処理裏板をセットし
、ホルダ装置を仕切弁装置12を通して予備加熱室6に
移動させ、ホルダ装置の裏板を所定の温度に加熱すると
同時に内部圧力を調節し、この後に加熱室7を介して第
1スパッタ室8に移動させ、第1スパッタ室8において
複数のスパッタカソード1から順次あるいは複数同時に
スパッタを行って成膜処理を行い、次いで中間室9にホ
ルダ装置を移動し、次に第2スパッタ室10で必要に応
じて同様にスパッタ処理を行い薄膜磁気メディアなどの
薄膜素子を製造している。
【0007】ところで、前記構成のスパッタカソード1
を用いてスパッタリングを行い、成膜処理を行った場合
、ターゲット3の表面部分において図2(A)に示すよ
うに長円形状の斜線部分5のみが選択的に消耗される現
象が生じる。このためターゲット3にあっては斜線部分
5以外の部分が未消耗部分となり、この未消耗部分のタ
ーゲット材料が無駄になる問題があった。
を用いてスパッタリングを行い、成膜処理を行った場合
、ターゲット3の表面部分において図2(A)に示すよ
うに長円形状の斜線部分5のみが選択的に消耗される現
象が生じる。このためターゲット3にあっては斜線部分
5以外の部分が未消耗部分となり、この未消耗部分のタ
ーゲット材料が無駄になる問題があった。
【0008】また、図3に示す成膜装置Aにおいては、
対向する他のスパッタカソード1から飛来したスパッタ
粒子が向かい側のスパッタカソード1のターゲット3に
付着して付着膜を形成する。そして、この付着膜におい
て斜線部分5以外の部分の付着膜が成膜時に剥離して第
1スパッタ室8内に飛散することがあるので、この飛散
物質が第1成膜室8を汚染し、このため成膜時の歩留り
が悪化する問題があった。なお、シールド枠4の表面に
も付着膜が形成されるが、シールド枠4に形成された付
着膜は付着力が強く、剥離し難いので、成膜時に成膜室
に飛散するおそれは少ないものである。
対向する他のスパッタカソード1から飛来したスパッタ
粒子が向かい側のスパッタカソード1のターゲット3に
付着して付着膜を形成する。そして、この付着膜におい
て斜線部分5以外の部分の付着膜が成膜時に剥離して第
1スパッタ室8内に飛散することがあるので、この飛散
物質が第1成膜室8を汚染し、このため成膜時の歩留り
が悪化する問題があった。なお、シールド枠4の表面に
も付着膜が形成されるが、シールド枠4に形成された付
着膜は付着力が強く、剥離し難いので、成膜時に成膜室
に飛散するおそれは少ないものである。
【0009】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、無駄になる部分が少ないようにターゲットの
形状を改善し、対向配置したターゲットで成膜しても成
膜時に他のターゲットに影響を与えることがなく、スパ
ッタ時の歩留りの向上を図ることができるスパッタカソ
ードを提供することを目的とする。
たもので、無駄になる部分が少ないようにターゲットの
形状を改善し、対向配置したターゲットで成膜しても成
膜時に他のターゲットに影響を与えることがなく、スパ
ッタ時の歩留りの向上を図ることができるスパッタカソ
ードを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は前
記課題を解決するために、裏板上にターゲットが装着さ
れ、裏板の周囲部とターゲットの周囲部とがシールド枠
に囲まれてなるスパッタカソードにおいて、ターゲット
を環状に形成し、この環状のターゲットを裏板上に密着
するとともに、前記環状のターゲットを挿通自在な環状
の透孔を有するシールド枠が、裏板の周囲部とターゲッ
トの周囲部とを囲み、ターゲットを透孔から露出させて
設けられてなるものである。
記課題を解決するために、裏板上にターゲットが装着さ
れ、裏板の周囲部とターゲットの周囲部とがシールド枠
に囲まれてなるスパッタカソードにおいて、ターゲット
を環状に形成し、この環状のターゲットを裏板上に密着
するとともに、前記環状のターゲットを挿通自在な環状
の透孔を有するシールド枠が、裏板の周囲部とターゲッ
トの周囲部とを囲み、ターゲットを透孔から露出させて
設けられてなるものである。
【0011】
【作用】本発明のスパッタカソードによれば、ターゲッ
トが予め環状に形成されているので、スパッタ時に選択
的に消耗する部分のみを有効に使用してスパッタするこ
とができる。このためターゲットにおける未消耗部分が
少なくなり、ターゲット材料の無駄が少ない。
トが予め環状に形成されているので、スパッタ時に選択
的に消耗する部分のみを有効に使用してスパッタするこ
とができる。このためターゲットにおける未消耗部分が
少なくなり、ターゲット材料の無駄が少ない。
【0012】ターゲットの周囲はシールド枠が覆ってい
るので、このシールド枠部分に他のターゲットから飛来
する粒子が付着して付着膜が形成されても、スパッタ中
にシールド枠の部分から付着膜が剥離して成膜室に浮遊
することはない。よって成膜室が付着膜の剥離物で汚染
されることがない。
るので、このシールド枠部分に他のターゲットから飛来
する粒子が付着して付着膜が形成されても、スパッタ中
にシールド枠の部分から付着膜が剥離して成膜室に浮遊
することはない。よって成膜室が付着膜の剥離物で汚染
されることがない。
【0013】
【実施例】図1(A),(B)は本発明の一実施例のス
パッタカソードを示すもので、この実施例のスパッタカ
ソード10は、バッキングプレートと呼ばれる裏板11
と、その上面に密着されたターゲット12と、裏板11
およびターゲット12の周囲部を囲むシールド枠13と
、シールド枠13の中央部と裏板11との間に介在され
た絶縁スペーサ14とから構成されている。
パッタカソードを示すもので、この実施例のスパッタカ
ソード10は、バッキングプレートと呼ばれる裏板11
と、その上面に密着されたターゲット12と、裏板11
およびターゲット12の周囲部を囲むシールド枠13と
、シールド枠13の中央部と裏板11との間に介在され
た絶縁スペーサ14とから構成されている。
【0014】前記ターゲット12の平面形状は図1(A
)に示す如く長円形(レーストラック)状であり、横断
面形状は図1(B)に示す如く矩形状であって、裏板1
1の上面中央部に密着されて設けられている。シールド
枠13は、アルミ合金、ステンレス鋼などの金属材料か
らなるもので、長方形状の裏板部13aとこの裏板部1
3aの周縁部に延設されたスカート部13bとを具備し
、裏板部13aの中央部には平面長円形状のターゲット
12を挿通自在な長円形(レーストラック)状の透孔1
3cが形成されている。
)に示す如く長円形(レーストラック)状であり、横断
面形状は図1(B)に示す如く矩形状であって、裏板1
1の上面中央部に密着されて設けられている。シールド
枠13は、アルミ合金、ステンレス鋼などの金属材料か
らなるもので、長方形状の裏板部13aとこの裏板部1
3aの周縁部に延設されたスカート部13bとを具備し
、裏板部13aの中央部には平面長円形状のターゲット
12を挿通自在な長円形(レーストラック)状の透孔1
3cが形成されている。
【0015】前記シールド枠13は、裏板部13aの透
孔13cからターゲット12の表面部を露出させるとと
もに、長方形状の裏板部13aで裏板11の上面を覆い
、スカート部13bで裏板11の周囲部を覆って設けら
れている。
孔13cからターゲット12の表面部を露出させるとと
もに、長方形状の裏板部13aで裏板11の上面を覆い
、スカート部13bで裏板11の周囲部を覆って設けら
れている。
【0016】前記構成のスパッタカソード10にあって
は、図3に示す成膜装置Aのスパッタカソードとして従
来と同様に成膜処理に使用される。
は、図3に示す成膜装置Aのスパッタカソードとして従
来と同様に成膜処理に使用される。
【0017】前記スパッタカソード10を成膜用として
使用した場合、従来と同様に長円形状に選択的にターゲ
ット12が消耗する。しかしながら前記構成のターゲッ
ト12は、予め長円形状に形成されているので、ターゲ
ット12の表面部分は全て消耗されて効率良く使用され
、図2(B)に示す従来の長方形状のターゲットのよう
に無駄になる部分は極めて少ない。また、ターゲット1
2自体を製造する際に従来の図2(B)に示すような板
状のターゲット3とは異なり、無駄な部分を省いている
ので、ターゲット材料自体の無駄が少ない。
使用した場合、従来と同様に長円形状に選択的にターゲ
ット12が消耗する。しかしながら前記構成のターゲッ
ト12は、予め長円形状に形成されているので、ターゲ
ット12の表面部分は全て消耗されて効率良く使用され
、図2(B)に示す従来の長方形状のターゲットのよう
に無駄になる部分は極めて少ない。また、ターゲット1
2自体を製造する際に従来の図2(B)に示すような板
状のターゲット3とは異なり、無駄な部分を省いている
ので、ターゲット材料自体の無駄が少ない。
【0018】更に、図3に示すような成膜装置Aにスパ
ッタカソード10を適用した場合、対向するターゲット
から飛来した粒子はスパッタカソード10のターゲット
12の表面とシールド枠13の表面に付着する。すると
、ターゲット12の表面に付着された付着膜はスパッタ
されてスパッタ粒子として消費される一方、シールド枠
13の表面に付着された付着膜は剥離することはほとん
どなく第1スパッタ室8の汚染を防止できる。よって第
1スパッタ室8の汚染を無くすることができ、スパッタ
時の歩留りを向上させることができる。また、第2スパ
ッタ室10に本発明に係るスパッタカソード10を用い
るならば、前記と同様に第2スパッタ室10の汚染も防
止することができ、歩留りを向上させることができる。
ッタカソード10を適用した場合、対向するターゲット
から飛来した粒子はスパッタカソード10のターゲット
12の表面とシールド枠13の表面に付着する。すると
、ターゲット12の表面に付着された付着膜はスパッタ
されてスパッタ粒子として消費される一方、シールド枠
13の表面に付着された付着膜は剥離することはほとん
どなく第1スパッタ室8の汚染を防止できる。よって第
1スパッタ室8の汚染を無くすることができ、スパッタ
時の歩留りを向上させることができる。また、第2スパ
ッタ室10に本発明に係るスパッタカソード10を用い
るならば、前記と同様に第2スパッタ室10の汚染も防
止することができ、歩留りを向上させることができる。
【0019】絶縁スペーサ14はシールド枠13の中央
部を支える脚であると同時に、シールド枠13の中央部
をターゲット12から電気的に絶縁し、ターゲット12
と同電位になることを防ぐ事によって、シールド枠13
の中央部がスパッタされないようにし、付着された付着
膜が剥離しないようにしている。
部を支える脚であると同時に、シールド枠13の中央部
をターゲット12から電気的に絶縁し、ターゲット12
と同電位になることを防ぐ事によって、シールド枠13
の中央部がスパッタされないようにし、付着された付着
膜が剥離しないようにしている。
【0020】ところで前記実施例では、長円形状のター
ゲット12を用いた実施例について説明したが、ターゲ
ット12の形状は環状であればこの他の形状でも差し支
えない。
ゲット12を用いた実施例について説明したが、ターゲ
ット12の形状は環状であればこの他の形状でも差し支
えない。
【発明の効果】本発明のスパッタカソードによれば、タ
ーゲットが予め環状に形成されているので、スパッタ時
に選択的に消耗する部分のみを有効に使用してスパッタ
することができる。このため、本発明のスパッタカソー
ドのターゲットは、従来の長方形板状のターゲットに比
較して未使用部分が少なくなり、ターゲット材料の無駄
がなくなり、スパッタカソードのコストを安くすること
ができる。また、ターゲットの周囲はシールド枠が覆っ
ているので、このシールド枠部分に他のターゲットから
飛来する粒子が付着して付着膜が形成されても、シール
ド枠の部分から付着膜が剥離して成膜室に剥離物が浮遊
することはない。よってスパッタカソードを備える成膜
室が付着膜の剥離物で汚染されることがなくなり、成膜
室を汚染することがないので、スパッタ時の歩留りが向
上する効果がある。
ーゲットが予め環状に形成されているので、スパッタ時
に選択的に消耗する部分のみを有効に使用してスパッタ
することができる。このため、本発明のスパッタカソー
ドのターゲットは、従来の長方形板状のターゲットに比
較して未使用部分が少なくなり、ターゲット材料の無駄
がなくなり、スパッタカソードのコストを安くすること
ができる。また、ターゲットの周囲はシールド枠が覆っ
ているので、このシールド枠部分に他のターゲットから
飛来する粒子が付着して付着膜が形成されても、シール
ド枠の部分から付着膜が剥離して成膜室に剥離物が浮遊
することはない。よってスパッタカソードを備える成膜
室が付着膜の剥離物で汚染されることがなくなり、成膜
室を汚染することがないので、スパッタ時の歩留りが向
上する効果がある。
【図1】図1(A)は本発明の一実施例のスパッタカソ
ードを示す平面図である。図1(B)は図1(A)に示
すスパッタカソードの断面図である。
ードを示す平面図である。図1(B)は図1(A)に示
すスパッタカソードの断面図である。
【図2】図2(A)は従来のスパッタカソードの一例を
示す平面図である。図2(B)は図2(A)に示すスパ
ッタカソードの断面図である。
示す平面図である。図2(B)は図2(A)に示すスパ
ッタカソードの断面図である。
【図3】図3は従来のスパッタカソードが設けられた成
膜装置の一例を示す断面図である。
膜装置の一例を示す断面図である。
10 スパッタカソード
11 裏板
12 ターゲット
13 シールド枠
13a 裏板部
13b スカート部
13c 透孔
14 絶縁スペーサ
Claims (1)
- 【請求項1】 裏板上にターゲットが装着され、裏板
の周囲部とターゲットの周囲部とがシールド枠に囲まれ
てなるスパッタカソードにおいて、ターゲットが環状に
形成され、この環状のターゲットが裏板上に密着される
とともに、前記環状のターゲットを挿通自在な環状の透
孔を有するシールド枠が、裏板の周囲部とターゲットの
周囲部とを囲み、ターゲットを透孔から露出させて設け
られてなることを特徴とするスパッタカソード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP875391A JPH04350159A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | スパッタカソード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP875391A JPH04350159A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | スパッタカソード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04350159A true JPH04350159A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=11701689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP875391A Withdrawn JPH04350159A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | スパッタカソード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04350159A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001288564A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリング成膜用のターゲットユニット |
JP2015025170A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 大同特殊鋼株式会社 | シリコンターゲット |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP875391A patent/JPH04350159A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001288564A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリング成膜用のターゲットユニット |
JP2015025170A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 大同特殊鋼株式会社 | シリコンターゲット |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |