JPH0434977A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
概要〕 本発明は、有効画素部に隣接してオプティカルブラック
部が設けられる固体撮像素子において、入射光がオプテ
ィカルブラック部では反射防止膜に集光される構造とす
ることや、オプティカルブラック部の集光レンズの集光
率を有効画素部のそれよりも低くすることにより、フレ
アのレベルを大幅に改善するものである。
効に光電変換を行う有効画素部に隣接して、黒レベルを
検出するためのオプティカルブラック部が配される。こ
のオプティカルブラック部は、通常、アルミニウム膜か
らなる遮光膜が覆うように形成されている。また、高感
度化を図るための技術として、チップ上に直接画素毎に
形成されるオンチップ・マイクロレンズを用いた技術が
知られる(例えば、日経マイクロデバイス、6月号、1
990年、第91頁〜第92頁1日経BP社発行参照)
。
Dイメージ中の断面図である。シリコン基板100の表
面には、略等間隔で複数のセンサ一部101が形成され
ている。有効画素部での各センサ一部101の間の領域
上や、オプティカルブラック部上は、アルミニウム膜か
らなる遮光膜102に覆われている。その遮光膜102
上には、反射防止のための染色層103が形成されてお
り、この染色層103によりフレアの低減がなされる。
ンズ106が形成されており、各集光レンズ106によ
りセンサ一部101に光が集められる。これら集光レン
ズ106は、プロセス上のムラを低減するために、本来
必要な有効画素部上のみならずオプティカルブラック部
上にも延長して形成される。すなわち、オプティカルブ
ラック部と有効画素部の間の境界面で連続性を持たせな
いで有効画素部内のみに集光レンズ106を形成した場
合は、集光レンズ106の曲率が有効画素部の中心部と
境界部で変化してしまい、感度のムラが発生することに
なり、それを防ぐために本来不要なオプティカルブラッ
ク部上にも集光レンズ106を連続的に形成している。
上も連続的に形成した場合には、その集光レンズ106
によって集光率が増加し、オプティカルブラック部上の
遮光11102での反射によるフレアは、より強調され
ることになる。特に、斜め方向の光線は、シールガラス
107の臨界角以下の角度で全反射となるために、有効
画素部で再結像することがあり、フレアやゴーストが顕
著となる。
レベルを大幅に改善するような固体撮像素子の提供を目
的とする。
有効画素部に隣接してオプティカルブラック部が設けら
れる固体撮像素子において、そのオプティカルブラック
部では反射防止膜に入射光が集光されることを特徴とす
る。このオプティカルブラック部では反射防止膜に入射
光が集光される構造としては、例えば、オプティカルブ
ラック部では反射防止膜を全面に形成する構造や、オプ
ティカルブラック部上の集光レンズに対応した領域に反
射防止膜を設ける構造や、集光レンズが形成されるピッ
チを有効画素部に比べてオプティカルブラック部では半
画素置ずらせる構造とする等が挙げられる。
してオプティカルブラック部が設けられる固体撮像素子
において、そのオプティカルブラック部の集光レンズの
集光率は上記有効画素部の集光レンズのそれよりも低く
されることを特徴とする。そのオプティカルブラック部
のより低い集光率の集光レンズは、レンズ形状を有しな
い平坦な膜自体である場合も含む。
せることにより、フレア成分が集光レンズにより集光さ
れ強調されたとしても反射防止膜に吸収されてしまう、
従って、オンチップ・マイクロレンズ構造において、フ
レアの大幅な低減がなされることになる。
ルブラック部の集光レンズは、有効画素部のそれよりも
集光率が低くなるため、オプティカルブラック部におけ
るフレアの強調が軽減されることになる。
膜としての染色層が形成されるCCD固体撮像素子の例
である。
造とされる。第5図は、入射光の光軸方向から撮像領域
を臨んだ平面図であって、第5図に示すように、略矩形
状の有効画素部EPは、その周囲をオプティカルブラッ
ク部(光学的黒部)OPBに囲まれている。このオプテ
ィカルブラック部OPBは、黒レベルの基準を得るため
の領域であり、水平方向の前後部や垂直方向の前後部に
例えば2.3W素素数数画素程度形成される。有効画素
部EPは、後述するようにマトリクス状に配列されたセ
ンサ一部を有し、そのセンサ一部で光電変換が行われる
。
表面に所定の間隔でセンサ一部2が配列される。このセ
ンサ一部2では入射光に応じて信号電荷が発生し、その
信号電荷が図示しない垂直レジスタや水平レジスタによ
り転送されて行く。
部OPBの境界部分の断面を示しており、有効画素部E
Pでは、アルミニウム膜からなる遮光膜3は、各センサ
一部20間の領域上に形成され、各センサ一部2上の領
域は遮光膜3の開口された開口部4とされる。逆に、オ
プティカルブラック部OPBでは、遮光膜3がシリコン
基板1上を一様に覆い、オプティカルブラック部OPB
のセンサ一部2に対して光が直接入射することはない、
このような遮光膜3上には、それぞれ反射防止膜として
機能する染色層5が形成される。すなわち、有効画素部
EPでは、各センサ一部2の間の領域上に形成された各
遮光膜3上に染色層5がそれぞれ形成され、オプティカ
ルブラック部OPBでは、該オプティカルブラック部O
PBの全面を覆う遮光膜3上に染色層5がその遮光膜3
を覆って形成される。このオプティカルブラック部OP
Bの染色層5は、遮光M3を覆うように形成されて後述
するようにフレアを吸収するように機能する。
6が面素毎に形成される。すなわち、有効画素部EP上
では、各開口部4上に集光レンズ6が配され、オプティ
カルブラック部OPB上では有効画素部EP上の集光レ
ンズ6と同じピッチで配された集光レンズ6が形成され
る。有効画素部EP上の集光レンズ6は、入射光を集束
して、見掛は上の開口率を向上させる機能を有する。ま
た、オプティカルブラック部OPB上の集光レンズ6は
、有効画素部EP上のそれと連続的に形成されるため、
有効画素部EPの周辺部分のレンズ形状をその中央部分
と同様のレンズ形状に維持させることが可能となる。こ
のような各集光レンズ6上には、シールガラス7が配さ
れ、そのシールガラス7を介して入射光が入射する。
次のような機構により、オプティカルブラック部○PB
からのフレアが抑えられる。
光線P、が入射したものとすると、その光線P0はオプ
ティカルブラック部OPB上の集光レンズ6に入射する
。その光線P、は、集光レンズ6の界面で屈折し、その
屈折光P1は集束されながら染色層5に向かう、この染
色層5は、反射防止膜として機能するため、屈折光P、
はその染色層5で弱められ、染色層5からの反射光P2
はその光強度が十分に小さいものとなる。従って、集光
レンズ6で集光された光の反射が防止され、フレアのレ
ベルを十分に小さくすることが可能となる。
たが、他の反射防止機能を有し、プロセス上適合できる
膜であれば他の材料膜であっても良い。
ズの下部のみに反射防止膜として機能する染色層を設け
た例である。
有しており、有効画素部BPとオ、ブチイカルブラツク
部OPBの関係は第5図を用いて第1の実施例で説明し
たものに準する。
しながら説明すると、まず、シリコン基板11の表面に
所定の間隔で光電変換を行うためのセンサ一部12が配
列される。有効画素部EPでは、アルミニウム膜からな
る遮光膜13は、各センサ一部12の間の領域上に形成
され、各センサ一部12上の領域は遮光1113の開口
された開口部14とされる。逆に、オプティカルブラッ
ク部OPBでは、遮光膜13がシリコン基板11を一様
に覆い、オプティカルブラック部OPBのセンサ一部1
2に対して光が直接入射することはない。
止膜として機能する染色層15a、15bが形成される
。すなわち、有効画素部BPでは、各遮光膜13上に染
色層15aがそれぞれ形成される。この有効画素部EP
の遮光M13は、センサ一部12の間の領域に形成され
ているため、そのセンサ一部12の間の領域で染色層1
5aによる反射防止がなされる。また、オプティカルブ
ラック部OPBでは、その全面を覆う遮光!113上に
複数の染色層15bが形成される。オプティカルブラッ
ク部OPBの染色層15bは、次に説明する集光レンズ
16に対応して配置されており、オプティカルブラック
部OPBの遮光膜13の下に隠されたセンサ一部12に
も対応して配置される。このように染色層15bを各画
素毎のパターンとすることにより、有効画素部EPの染
色層15aとの加工上の連続性を持つことができ、微細
加工に有利となる。
、第1の実施例と同様に、集光レンズ16が画素毎に形
成される。すなわち、有効画素部EP上では、各開口部
14上に集光レンズ16が配され、オプティカルブラッ
ク部OPB上では有効画素部EP上の集光レンズ16と
同しピッチで配された集光レンズ16が形成される。有
効画素部EP上の集光レンズ16は、入射光を集束して
、見掛は上の開口率を向上させる機能を有する。また、
オプティカルブラック部OPB上の集光レンズ16は、
有効画素部EP上のそれと連続的に形成されるため、有
効画素部EPの周囲のレンズ形状をその中央部と同様の
レンズ形状に維持させることが可能となる。このような
各集光レンズ16上には、シールガラス17が配され、
そのシールガラス17を介して入射光が入射する。
1の実施例と同様に、オプティカルブラック部OPBの
集光レンズエ6で集光された光線は、反射防止膜である
染色層15bでその反射が抑えられることになり、フレ
アの低減を図ることが実現される。また、染色層15b
の加工性も染色層15aとの連続性から向上し、微細加
工にも有利である。
ハーフピッチずらせたCCD固体撮像素子の例である。
有しており、有効画素部EPとオプティカルブラック部
OPBの関係は第5rj!Jを用いて第1の実施例で説
明したものに準する。
を参照しながら説明すると、第1の実施例や第2の実施
例と同様に、シリコン基板21の表面に所定の間隔で充
電変換を行うためのセンサー部22が配列される。有効
画素部EPでは、アルミニウム膜からなる遮光823は
、各センサ一部22の間のvi域上に形成され、各セン
サ一部22上のN域は遮光膜23が開口された開口部2
4とされる。また、オプティカルブラック部OPBでは
、遮光膜23がシリコン基板21を一様に覆い、オプテ
ィカルブラック部OPBのセンサ一部22に対して光が
直接入射することはない。
25が形成される。有効画素部EPでは、染色層25が
遮光1!I23のピッチに合わせて該遮光膜23上に配
される。この有効画素部BPでは、染色層25の間隔り
は遮光膜23のピッチと等しい。次に、オプティカルブ
ラック部OPBでは、有効画素部EPのピッチをそのま
ま引き継いだ間隔して染色層25が配される。このオプ
ティカルブラック部OPBでは遮光膜23は一様に基板
表面を覆って形成されるが、染色層25は有効画素部E
Pのパターンをそのまま引き継いで形成される。
ズ材料層を加工して集光レンズ26が形成される。この
集光レンズ26は、有効画素部EP上では、開口部24
上に各画素毎に形成される。
集光レンズ26が形成されるが、有効画素部EPとオプ
ティカルブラック部OPBの間の領域の空隙部27を介
して、その集光レンズ26のピッチは半画案分ずれた位
置に配されることになる。すなわち、有効画素部BPで
は集光レンズ26は周期tを以て規則正しく配列されて
いるが、有効画素部EPとオプティカルブラック部OP
Bの境界に設けられた空隙部27は1/2のサイズを以
て配されており、この空隙部27上には集光レンズ26
は形成されない、その結果、オプティカルブラック部O
PBではその空隙部27に隣接して集光レンズ26が再
び周期lを以て規則正しく配列されるが、有効画素部B
Pからみると空隙部27のサイズ分だけずれていること
になり、結局オプティカルブラック部OPBでは有効画
素部EPに比べて半画案分ずれることになる。
形成され、このシールガラス28を介して入射光が入射
する。
ティカルブラック部OPBの集光レンズ26のピッチが
半画案分ずらせて配列される。−方、その下部の染色層
25は、有効画素部EPとオプティカルブラック部OP
Bで連続的に間隔りを以て配されている。従って、有効
画素部EPの集光レンズ26で集められた光は、開口部
24を介してセンサ一部22に入射するが、オプティカ
ルブラック部OPBの集光レンズ26で集光された光は
、オプティカルブラック部OPHの染色層25に集めら
れることになる。第3図中、光線QI+Q2はそれぞれ
オプティカルブラック部OPBの集光レンズ26で集光
される光線を示しており、それぞれオプティカルブラッ
ク部OPHの染色層25に集められる。このように染色
層25に集められた光は、その反射が防止されるため、
フレアの低減がなされることになる。
平坦化膜に置き換えたCCD固体撮像素子の例である。
有しており、有効画素部EPとオプティカルブラック部
OPBの関係は第5図を用いて第1の実施例で説明した
ものに準する。
を参照しながら説明する。第1の実施例等と同様に、本
実施例のCCD固体撮像素子は、シリコン基板310表
面に所定の間隔で充電変換を行うためのセンサ一部32
が配列される。有効画素部EPでは、アルミニウム膜か
らなる遮光膜33は、各センサ一部32の間の領域上に
形成され、各センサ一部32上の領域は遮光膜33が開
口された開口部34とされる。また、オプティカルブラ
ック部OPBでは、遮光膜33がシリコン基板31を一
様に覆う。
35が形成される。有効画素部EPでは、染色層35が
遮光膜33のピッチに合わせて該遮光膜33上に配され
る。そして、オプティカルブラック部OPBでは染色層
35が有効画素部EPと同様の周期的なパターンで連続
的に形成される。
される集光レンズ36が、を効画素部EPのみで形成さ
れ、オプティカルブラック部OPBでは集光レンズが形
成されずに平坦化膜37のみが積層して形成される。平
坦化膜37や集光レンズ36を得るためのレンズ材料層
の厚みTは、他の実施例のものに比べて比較的に厚いも
のとされ、このようにある程度厚く形成することで、集
光レンズ36のパターンの連続性を代わりの平坦化膜3
7によって確保することが可能である。このようにオプ
ティカルブラック部OPBに平坦化膜37を形成するこ
とにより、オプティカルブラック部OPBの集光率は低
減され、その結果、フレアの強調は抑制されることにな
る。従って、オプティカルブラック部OPB上のアルミ
ニウム膜である遮光膜33による反射に起因したフレア
は低減されることになる。
の集光レンズを平坦な平坦化膜としたが、これに限らず
、有効画素部EPのレンズ形状よりも曲率の小さなレン
ズをオプティカルブラック部上に形成するようにしても
良い、このような場合でも、オプティカルブラック部に
おける集光率が低下するため、フレアの低減がなされる
ことになる。
集光させる構造やオプティカルブラック部の集光率を低
くする構造により、オプティカルブラック部の遮光膜に
入射する光の反射によるフレアを低減させることができ
る。その結果、本発明の固体撮像素子では、フレアのレ
ベルの低い高画質の映像信号を得ることができる。
2図は本発明の固体撮像素子の他の一例の要部断面図、
第3図は本発明の固体撮像素子のさらに他の一例の要部
断面図、第4図は本発明の固体撮像素子のまた更に他の
一例の要部断面図、第5図は本発明の固体撮像素子の有
効画素部とオプティカルブラック部の配置を示す平面図
、第6図は従来の固体撮像素子の一例の要部断面図であ
る。 1.11,21.31・・・シリコン基板2.12,2
2.32・・・センサ一部3.13,23.33・・・
遮光膜 4.14,24.34・・・開口部 5.15a、15b、25.35=−染色層6.16.
26.36・・・遮光膜 27・・・空隙部 37・・・平坦化膜 第3図 特許出願人 ソニー株式会社 代理人弁理士 小泡 晃(他2名) 第4図
Claims (2)
- (1)有効画素部に隣接してオプティカルブラック部が
設けられる固体撮像素子において、 そのオプティカルブラック部では反射防止膜に入射光が
集光されることを特徴とする固体撮像素子。 - (2)有効画素部に隣接してオプティカルブラック部が
設けられる面体撮像素子において、 そのオプティカルブラック部の集光レンズの集光率は上
記有効画素部の集光レンズのそれよりも低くされること
を特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2139633A JP2910161B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2139633A JP2910161B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
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JPH0434977A true JPH0434977A (ja) | 1992-02-05 |
JP2910161B2 JP2910161B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=15249825
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2910161B2 (ja) |
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- 1990-05-31 JP JP2139633A patent/JP2910161B2/ja not_active Expired - Lifetime
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