JPH04345049A - Wafer arrangement pattern detection equipment and its detection method - Google Patents
Wafer arrangement pattern detection equipment and its detection methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの配列パ
ターン検出装置およびその検出方法に関するものである
。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for detecting array patterns on semiconductor wafers and a method for detecting the same.
【０００２】0002
【従来の技術】一般に、半導体装置は、半導体ウェハに
対する成膜、写真製版、エッチング、および洗浄等の工
程を繰り返し経て製造される。これらの一つの工程から
他の工程に半導体ウェハを移送するには、複数の半導体
ウェハを同時に収納するカセットが使用される。このよ
うなカセットを用いて複数の半導体ウェハを移送するに
は、カセットに一定ピッチで形成された各溝内に半導体
ウェハをそれぞれ挿入する必要があり、また、半導体ウ
ェハを１枚ずつ処理する工程では、カセットから半導体
ウェハを１枚ずつ取り出す必要がある。2. Description of the Related Art Semiconductor devices are generally manufactured through repeated processes such as film formation, photolithography, etching, and cleaning on semiconductor wafers. To transfer semiconductor wafers from one of these processes to another, a cassette that accommodates a plurality of semiconductor wafers at the same time is used. In order to transfer multiple semiconductor wafers using such a cassette, it is necessary to insert each semiconductor wafer into each groove formed at a constant pitch in the cassette, and there is also a process of processing the semiconductor wafers one by one. Now, it is necessary to take out the semiconductor wafers one by one from the cassette.
【０００３】このようなカセットに対する半導体ウェハ
の挿入、取り出しは、通常、人手でなく専用装置で自動
的に行われるので、カセット内の半導体ウェハの有無や
挿入枚数、さらに各半導体ウェハが各溝に適切に挿入さ
れているか否かを確認する必要があり、そのため、従来
技術では、■２対の光センサを用いてカセット内の各溝
に挿入された半導体ウェハの有無およびその配置姿勢が
適切なものか否かを検出するようにしたものや（特開昭
６１−２４８８３９号公報参照）、■あるいは、カセッ
トに対して半導体ウェハが正常に挿入配列された状態で
の配列パターンの情報をウェハ検出窓として予めメモリ
等に記憶しておき、光センサによる半導体ウェハの検出
出力とこのウエハ検出窓とを照合して、検出出力がウェ
ハ検出窓内に入るか否かによって、カセット内に挿入さ
れた半導体ウェハの挿入状態の適否を検出するようにし
たもの（特開平１−３１５１５６号公報参照）が既に提
供されている。Insertion and removal of semiconductor wafers into and out of such cassettes is usually performed automatically, not manually, but by special equipment, so it is important to know whether or not there are semiconductor wafers in the cassette, the number of semiconductor wafers inserted, and whether each semiconductor wafer is in each groove. It is necessary to confirm whether or not the wafer is inserted properly. Therefore, in the conventional technology, two pairs of optical sensors are used to check whether there is a semiconductor wafer inserted into each groove in the cassette and whether the wafer is placed in the appropriate position. (Refer to Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 61-248839). Alternatively, the wafer detection method detects information on the arrangement pattern when semiconductor wafers are normally inserted and arranged in the cassette. A window is stored in advance in a memory, etc., and the detection output of the semiconductor wafer by the optical sensor is compared with this wafer detection window, and depending on whether the detection output falls within the wafer detection window, the wafer is inserted into the cassette. A device that detects whether the inserted state of a semiconductor wafer is appropriate has already been provided (see Japanese Patent Laid-Open No. 1-315156).
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
■の装置では、半導体ウェハの有無や半導体ウェハが傾
いて挿入されているか否かを検出することまではできる
ものの、半導体ウェハが溝に重なって挿入されているい
否かまでは検出することができない。[Problem to be Solved by the Invention] However, although the former (2) device can detect the presence or absence of a semiconductor wafer and whether the semiconductor wafer is inserted at an angle, it is difficult to detect whether the semiconductor wafer overlaps the groove or not. It is not possible to detect whether it has been inserted or not.
【０００５】また、後者の■の装置では、半導体ウェハ
が正常に挿入配列された状態での配列パターンを示すウ
ェハ検出窓の窓幅は、半導体ウェハが挿入されたカセッ
トの送り速度とは無関係に固定されたものであるので、
カセットの送り速度を変更した場合や脱調した場合には
、半導体ウェハの挿入状態の適否を検出できなくなる。[0005] Furthermore, in the latter device (2), the window width of the wafer detection window, which indicates the arrangement pattern when semiconductor wafers are inserted and arranged normally, is independent of the feed speed of the cassette in which the semiconductor wafers are inserted. Since it is fixed,
If the cassette feeding speed is changed or the cassette loses synchronization, it becomes impossible to detect whether the semiconductor wafer is properly inserted.
【０００６】すなわち、カセットの送り速度が安定して
いる場合には、半導体ウェハが正常に挿入されている限
り、光センサの検出出力は常にウェハ検出窓内に入るが
、カセットの送り速度が変更されたり脱調した場合には
、たとえ半導体ウェハが正常に挿入されていても、光セ
ンサの検出出力の位相がずれて検出出力がウェハ検出窓
内に入らなくるため、半導体ウェハがあたかも正常に挿
入されていないと誤って判断してしまうなどの不具合を
生じる。That is, when the cassette feeding speed is stable, the detection output of the optical sensor always falls within the wafer detection window as long as the semiconductor wafer is inserted normally, but if the cassette feeding speed changes If the semiconductor wafer is inserted normally, the phase of the detection output of the optical sensor will be shifted and the detection output will not fall within the wafer detection window, so the semiconductor wafer will appear to be inserted normally. This may cause problems such as erroneously determining that the card is not inserted.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するためになされたものであって、カセット内の
半導体ウェハの挿入状態の適否、特に、半導体ウェハの
有無や傾きだけでなく、重なりの有無までも常に正確に
検出できるようにするものである。[Means for Solving the Problems] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to determine whether or not the semiconductor wafer is properly inserted into the cassette, and in particular, not only the presence or absence of the semiconductor wafer and the inclination of the semiconductor wafer. , it is possible to always accurately detect even the presence or absence of overlap.
【０００８】そのため、本発明のウェハ配列パターン検
出装置では、複数の半導体ウェハを所定ピッチで積層配
列するためのガイド溝が左右の内側面に形成されてなる
カセットを、半導体ウェハの積層方向に沿って移動させ
る移動手段と、この移動手段の基準位置からの移動量に
対応するパルス数をもつ位置検出パルスを出力する位置
検出手段と、各半導体ウェハの有無を検出する非接触式
のウェハ検出センサと、位置検出手段からの位置検出パ
ルスに基づいて前記ガイド溝の配列ピッチに相当するパ
ルス幅をもつゲートパルスを出力するゲートパルス出力
手段と、位置検出パルス、ゲートパルスおよびウェハ検
出センサのウェハ検出出力との論理積に基づいて半導体
ウェハの有無および誤配列の有無を判別する判別手段と
を備えている。Therefore, in the wafer arrangement pattern detection device of the present invention, a cassette having guide grooves formed on the left and right inner surfaces for stacking and arranging a plurality of semiconductor wafers at a predetermined pitch is inserted along the stacking direction of the semiconductor wafers. a moving means for moving the moving means, a position detecting means for outputting position detection pulses having a number of pulses corresponding to the amount of movement of the moving means from a reference position, and a non-contact wafer detection sensor for detecting the presence or absence of each semiconductor wafer. a gate pulse output means for outputting a gate pulse having a pulse width corresponding to the arrangement pitch of the guide grooves based on the position detection pulse from the position detection means; and wafer detection for the position detection pulse, gate pulse, and wafer detection sensor. and determining means for determining the presence or absence of a semiconductor wafer and the presence or absence of an incorrect arrangement based on a logical product with the output.
【０００９】本発明のウェハ配列パターン検出方法では
、複数の半導体ウェハを所定ピッチで積層配列するため
のガイド溝が形成されてなるカセットを半導体ウェハの
積層方向に移動させつつ、位置検出手段によってこのカ
セットの基準位置からの移動量に対応するパルス数をも
つ位置検出パルスを得るとともに、非接触式のウェハ検
出センサによって半導体ウェハの有無を検出し、さらに
、前記位置検出パルスに基づいてガイド溝の配列ピッチ
に相当するパルス幅をもつゲートパルスを得て、前記位
置検出パルス、ゲートパルスおよびウェハ検出センサの
出力との論理積に基づいて半導体ウェハの有無および誤
配列の有無を判別するようにしている。In the wafer arrangement pattern detection method of the present invention, a cassette formed with guide grooves for stacking and arranging a plurality of semiconductor wafers at a predetermined pitch is moved in the stacking direction of the semiconductor wafers, and the position detecting means detects the cassette. A position detection pulse having a number of pulses corresponding to the amount of movement of the cassette from the reference position is obtained, the presence or absence of a semiconductor wafer is detected by a non-contact wafer detection sensor, and the guide groove is detected based on the position detection pulse. A gate pulse having a pulse width corresponding to the arrangement pitch is obtained, and the presence or absence of a semiconductor wafer and the presence or absence of an incorrect arrangement are determined based on the logical product of the position detection pulse, the gate pulse, and the output of the wafer detection sensor. There is.
【００１０】0010
【作用】本発明によれば、カセットを移動手段によって
半導体ウェハの積層方向に移動させつつ、位置検出手段
によってこのカセットの基準位置からの移動量に対応す
るパルス数をもつ位置検出パルスを得る一方、非接触式
のウェハ検出センサによって半導体ウェハの有無を検出
する。さらに、位置検出パルスに基づいてガイド溝の配
列ピッチに相当するパルス幅をもつゲートパルスを得る
。そして、位置検出パルス、ゲートパルスおよびウェハ
検出センサのウェハ検出出力との論理積に基づいて判別
手段によって半導体ウェハの有無および誤配列の有無を
判別する。[Operation] According to the present invention, while the cassette is moved in the stacking direction of semiconductor wafers by the moving means, the position detecting means obtains position detection pulses having the number of pulses corresponding to the amount of movement of the cassette from the reference position. , the presence or absence of a semiconductor wafer is detected by a non-contact wafer detection sensor. Furthermore, a gate pulse having a pulse width corresponding to the arrangement pitch of the guide grooves is obtained based on the position detection pulse. Then, based on the logical product of the position detection pulse, the gate pulse, and the wafer detection output of the wafer detection sensor, the determination means determines the presence or absence of a semiconductor wafer and the presence or absence of a misalignment.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は本発明の実施例に係るウェハ配列パタ
ーン検出装置の構成図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram of a wafer array pattern detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
【００１２】同図において、符号１はウェハ配列パター
ン検出装置の全体を示し、２は半導体ウェハ、４はこれ
らの半導体ウェハ２を所定ピッチで積層配列するための
カセットで、このカセット４の左右の内側面には、上下
にわたって所定のピッチで半導体ウェハ挿入用のガイド
溝６が形成されている。In the figure, reference numeral 1 indicates the entire wafer arrangement pattern detection device, 2 indicates semiconductor wafers, and 4 indicates a cassette for stacking and arranging these semiconductor wafers 2 at a predetermined pitch. Guide grooves 6 for inserting semiconductor wafers are formed at a predetermined pitch vertically on the inner surface.
【００１３】８は上記のカセット４を載せる平板状のカ
セット載置台であり、その底部には連結棒１０が固着さ
れ、この連結棒１０にギヤボックス１２が連結されてい
る。そして、このギヤボックス１２にこれを駆動するサ
ーボモータ１４が接続されており、サーボモータ１４が
駆動されることで連結棒１０が上下動するように構成さ
れている。そして、上記のカセット載置台８、連結棒１
０、ギヤボックス１２およびサーボモータ１４によって
、カセット４を半導体ウェハ２の積層方向に沿って移動
する移動手段１５が構成されている。Reference numeral 8 denotes a flat cassette mounting table on which the above-mentioned cassette 4 is placed, and a connecting rod 10 is fixed to the bottom thereof, and a gear box 12 is connected to this connecting rod 10. A servo motor 14 for driving the gear box 12 is connected to the gear box 12, and the connecting rod 10 is configured to move up and down when the servo motor 14 is driven. Then, the above-mentioned cassette mounting table 8, connecting rod 1
0, the gear box 12 and the servo motor 14 constitute a moving means 15 that moves the cassette 4 along the stacking direction of the semiconductor wafers 2.
【００１４】１６はサーボモータ１４に連結された位置
検出手段としての光学式のエンコーダであり、このエン
コーダ１６からは、サーボモータ１４の回転に応じて、
カセット載置台８の基準位置からの上下方向の移動量に
対応するパルス数をもつ位置検出パルスが出力される。Reference numeral 16 denotes an optical encoder as a position detection means connected to the servo motor 14. From this encoder 16, according to the rotation of the servo motor 14,
Position detection pulses having the number of pulses corresponding to the amount of vertical movement of the cassette mounting table 8 from the reference position are output.
【００１５】１８は各半導体ウェハ２の有無を検出する
非接触式のウェハ検出センサであり、本例では、投光器
１８ａと受光器１８ｂとからなる。Reference numeral 18 denotes a non-contact type wafer detection sensor for detecting the presence or absence of each semiconductor wafer 2, and in this example, it consists of a light emitter 18a and a light receiver 18b.
【００１６】２０は半導体ウェハ２のカセット４に対す
る挿入状態の適否を判別するための判別手段としてのＣ
ＰＵであって、エンコーダ１６からの位置検出パルスを
分周することでカセット４のガイド溝６の配列ピッチに
相当するパルス幅をもつゲートパルスを出力するゲート
パルス出力手段としての分周部２２と、エンコーダ１６
からの位置検出パルス、分周部２２からのゲートパルス
および受光器１８ｂからのウェハ検出出力に基づいて半
導体ウェハ２の有無および誤配列の有無を検出する判別
手段２３とからなり、さらに、判別手段２３はアンドゲ
ート部２４と演算制御部２６とで構成される。なお、３
０はそれぞれ増幅器である。Reference numeral 20 denotes C as a determining means for determining whether or not the semiconductor wafer 2 is properly inserted into the cassette 4.
A frequency dividing unit 22 which is a PU and serves as gate pulse output means for outputting a gate pulse having a pulse width corresponding to the arrangement pitch of the guide grooves 6 of the cassette 4 by dividing the frequency of the position detection pulse from the encoder 16. , encoder 16
The discriminating means 23 detects the presence or absence of the semiconductor wafer 2 and the presence or absence of misalignment based on the position detection pulse from the frequency divider 22, the gate pulse from the frequency dividing section 22, and the wafer detection output from the light receiver 18b. 23 is composed of an AND gate section 24 and an arithmetic control section 26. In addition, 3
0 is an amplifier, respectively.
【００１７】次に、上記構成のウェハ配列パターン検出
装置により、半導体ウェハの配列パターンを検出する場
合の動作について、図２および図３を参照して説明する
。Next, the operation of detecting the array pattern of a semiconductor wafer using the wafer array pattern detection apparatus having the above configuration will be explained with reference to FIGS. 2 and 3.
【００１８】ＣＰＵ２０の演算制御部２６から増幅器３
０を介してサーボモータ１４に動作指令を与えてサーボ
モータ１４を駆動することにより、カセット４が載置さ
れたウェハ載置台８が上昇あるいは下降し、これによっ
て半導体ウェハ２がその積層方向（上下方向）に沿って
移動される。From the arithmetic control section 26 of the CPU 20 to the amplifier 3
By giving an operation command to the servo motor 14 through the servo motor 14 and driving the servo motor 14, the wafer mounting table 8 on which the cassette 4 is mounted is raised or lowered, whereby the semiconductor wafers 2 are moved in the stacking direction (up and down). direction).
【００１９】この場合、エンコーダ１６はサーボモータ
１４に連結されているので、エンコーダ１６からはカセ
ット４の基準位置からの移動量に対応するパルス数をも
つ位置検出パルスｓ１が出力され、これがＣＰＵ２０に
取り込まれる。In this case, since the encoder 16 is connected to the servo motor 14, the encoder 16 outputs a position detection pulse s1 having a pulse number corresponding to the amount of movement of the cassette 4 from the reference position, and this is sent to the CPU 20. It is captured.
【００２０】一方、半導体ウェハ２が投光器１８ａと受
光器１８ｂとの間を横切るたびに、投光器１８ａからの
光が受光器１８ｂに受光されなくなるので、受光器１８
ｂからは半導体ウェハ２が存在するときにはローレベル
、存在しないときにはハイレベルのウェハ検出パルスｓ
２が出力され、このウェハ検出パルスｓ２が同じく増幅
器２８を介してＣＰＵ２０に取り込まれる。On the other hand, each time the semiconductor wafer 2 crosses between the light emitter 18a and the light receiver 18b, the light from the light emitter 18a is no longer received by the light receiver 18b.
From b, the wafer detection pulse s is low level when the semiconductor wafer 2 is present, and high level when the semiconductor wafer 2 is not present.
2 is output, and this wafer detection pulse s2 is also taken into the CPU 20 via the amplifier 28.
【００２１】ＣＰＵ２０内の分周部２２では、エンコー
ダ１６からの位置検出パルスｓ１を分周してカセット４
のガイド溝６の配列ピッチに相当するパルス幅をもつゲ
ートパルスｓ１´を発生させる。そして、上記の位置検
出パルスｓ１、ゲートパルスｓ１´、ウェハ検出パルス
ｓ２が共にアンドゲート部２４に加えられるので、アン
ドゲート部２４からは、これらの信号ｓ１，ｓ１´，ｓ
２の論理積をとった出力ｓ３が得られる。A frequency dividing section 22 in the CPU 20 divides the frequency of the position detection pulse s1 from the encoder 16 and outputs it to the cassette 4.
A gate pulse s1' having a pulse width corresponding to the arrangement pitch of the guide grooves 6 is generated. Then, since the above-mentioned position detection pulse s1, gate pulse s1', and wafer detection pulse s2 are all applied to the AND gate section 24, these signals s1, s1', s
An output s3 obtained by performing the logical product of 2 is obtained.
【００２２】ここで、図３中の符号Ａで囲む部分で得ら
れる位置検出パルスｓ２の出力波形は、図２（Ａ）に示
すようになる。すなわち、半導体ウェハ２がガイド溝６
に正常に挿入されておれば、ゲートパルスｓ１´に対す
る位置検出パルスｓ２は、位相ずれを生じることなく一
定であり、そのため、アンドゲート部２４からは一定パ
ルス数の出力ｓ３が得られる。これに対して、半導体ウ
ェハ２が傾斜して挿入されている場合には、半導体ウェ
ハ２の相互間距離が正常な場合よりも短くなる分だけ位
置検出パルスｓ２のハイレベルの期間どうしが接近する
。そのため、ゲートパルスｓ１´に対する位置検出パル
スｓ２の位相がずれ、この結果、アンドゲート部２４の
出力ｓ３は、そのパルス数が減少する。Here, the output waveform of the position detection pulse s2 obtained in the portion surrounded by the symbol A in FIG. 3 is as shown in FIG. 2(A). That is, the semiconductor wafer 2 is in the guide groove 6.
If the position detection pulse s2 is correctly inserted into the gate pulse s1', the position detection pulse s2 is constant without causing any phase shift, and therefore the AND gate unit 24 obtains an output s3 of a constant number of pulses. On the other hand, when the semiconductor wafers 2 are inserted at an angle, the high-level periods of the position detection pulses s2 become closer to each other as the distance between the semiconductor wafers 2 is shorter than in the normal case. . Therefore, the phase of the position detection pulse s2 with respect to the gate pulse s1' is shifted, and as a result, the number of pulses of the output s3 of the AND gate section 24 decreases.
【００２３】一方、図３中の符号Ｂで囲む部分で得られ
る位置検出パルスｓ２の出力波形は、図２（Ｂ）に示す
ようになる。すなわち、半導体ウェハ２が重なっている
と、ゲートパルスｓ１´に対する位置検出パルスｓ２の
ハイレベルの期間が長くなるので、この結果、アンドゲ
ート部２４の出力ｓ３は、そのパルス数が増加する。On the other hand, the output waveform of the position detection pulse s2 obtained in the portion surrounded by the symbol B in FIG. 3 is as shown in FIG. 2(B). That is, when the semiconductor wafers 2 overlap, the high level period of the position detection pulse s2 with respect to the gate pulse s1' becomes longer, and as a result, the number of pulses of the output s3 of the AND gate section 24 increases.
【００２４】したがって、演算制御部２６は、このアン
ドゲート部２４を通過して出力パルスｓ３をカウントと
し、半導体ウェハ２が正常に挿入されている場合のカウ
ント数を基準として、その基準値よりもカウント数が増
加、あるいは減少した場合には、半導体ウェハ２が挿入
異常と判別し、たとえば、引き続いて毎葉処理を行う場
合には、その判別情報に基づいて挿入異常箇所を除いて
半導体ウェハを取り出すようにするなどの制御動作を行
う。Therefore, the arithmetic control section 26 counts the output pulse s3 that passes through the AND gate section 24, and uses the count number when the semiconductor wafer 2 is normally inserted as a reference value, and the number of output pulses s3 is higher than the reference value. If the count increases or decreases, it is determined that the semiconductor wafer 2 has been inserted abnormally, and, for example, when processing each wafer subsequently, the semiconductor wafer is removed from the insertion abnormality based on the determination information. Control operations such as ejecting the device are performed.
【００２５】また、上記構成の装置の特徴としては、エ
ンコーダ１６からの位置検出パルスｓ１に基づいてゲー
トパルスｓ１´を作成しているので、たとえば、移動手
段１５の移動速度を変更した場合には、半導体ウェハ２
が正常に挿入されている限り、位置検出パルスｓ１、ゲ
ートパルスｓ１´、およびウェハ検出パルスｓ２のハイ
レベルの期間が長くなるか、あるいは短くなるだけで、
相互の位相関係は変化しないから、アンドゲート部２４
の出力パルスｓ３の数は一定であり、したがって、移動
速度の変化に影響されることなく半導体ウェハ２の挿入
状態の適否を確実に検出することができる。Further, as a feature of the device having the above configuration, since the gate pulse s1' is created based on the position detection pulse s1 from the encoder 16, for example, when the moving speed of the moving means 15 is changed, , semiconductor wafer 2
is inserted normally, the high-level period of the position detection pulse s1, gate pulse s1', and wafer detection pulse s2 will only become longer or shorter.
Since the mutual phase relationship does not change, the AND gate section 24
The number of output pulses s3 is constant, and therefore, it is possible to reliably detect whether or not the insertion state of the semiconductor wafer 2 is properly inserted without being affected by changes in the moving speed.
【００２６】なお、上記の実施例では、ウェハ検出手段
として光学式の透過型センサを使用したが、反射型のも
のでもよく、また、磁気式等の他の非接触式のセンサを
適用することができる。In the above embodiment, an optical transmission type sensor was used as the wafer detection means, but a reflection type sensor may also be used, and other non-contact type sensors such as a magnetic type may also be applied. Can be done.
【００２７】また、移動手段１５の駆動源としてはサー
ボモータ１４を用いたが、これに代えて、パルスモータ
とレゾルバ等の他のモータを適用することも可能である
。Furthermore, although the servo motor 14 is used as the drive source for the moving means 15, other motors such as a pulse motor and a resolver may be used instead.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、カセット内の半導体ウ
ェハの挿入状態の適否、特に、半導体ウェハの有無、半
導体ウェハの傾き、さらには、半導体ウェハの重なりの
有無までも常に正確に検出できるようになる。[Effects of the Invention] According to the present invention, it is possible to always accurately detect whether or not the semiconductor wafer is properly inserted into the cassette, especially the presence or absence of the semiconductor wafer, the inclination of the semiconductor wafer, and even the presence or absence of overlapping of the semiconductor wafers. It becomes like this.
【００２９】特に、位置検出手段からの位置検出パルス
に基づいてガイド溝の配列ピッチに相当するパルス幅を
もつゲートパルスを作成しているので、半導体ウェハの
積層方向に沿って移動させる移動手段の移動速度を変更
したり脱調した場合でも、それに影響されることなく半
導体ウェハの挿入状態を確実に検出することができる。In particular, since a gate pulse having a pulse width corresponding to the arrangement pitch of the guide grooves is created based on the position detection pulse from the position detection means, the movement means for moving the semiconductor wafers along the stacking direction is Even if the moving speed is changed or the device loses synchronization, the insertion state of the semiconductor wafer can be reliably detected without being affected.
【００３０】その結果、半導体ウェハあるいは半導体ウ
ェハの取り出し手段が不意に破損されるなどの不具合の
発生が未然に防止される。As a result, problems such as unexpected damage to the semiconductor wafer or the means for taking out the semiconductor wafer are prevented from occurring.
【図１】本発明の実施例に係るウェハ配列パターン検出
装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a wafer array pattern detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の装置の半導体ウェハの配列パターン検出
動作の説明に供するタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of detecting an array pattern of a semiconductor wafer in the apparatus of FIG. 1;
【図３】カセット内の半導体ウェハの挿入状態を示す正
面断面図である。FIG. 3 is a front sectional view showing a state in which a semiconductor wafer is inserted into a cassette.
１…ウェハ配列パターン検出装置、２…半導体ウェハ、
４…カセット、６…ガイド溝、１５…移動手段、１６…
位置検出手段、１８…ウェハ検出センサ、２２…ゲート
パルス出力手段（分周部）、２３…判別手段。1... Wafer array pattern detection device, 2... Semiconductor wafer,
4... Cassette, 6... Guide groove, 15... Moving means, 16...
Position detection means, 18... Wafer detection sensor, 22... Gate pulse output means (frequency dividing section), 23... Discrimination means.
Claims (2)
層配列するためのガイド溝が左右の内側面に形成されて
なるカセットを、半導体ウェハの積層方向に沿って移動
させる移動手段と、この移動手段の基準位置からの移動
量に対応するパルス数をもつ位置検出パルスを出力する
位置検出手段と、前記各半導体ウェハの有無を検出する
非接触式のウェハ検出センサと、前記位置検出手段から
の位置検出パルスに基づいて前記ガイド溝の配列ピッチ
に相当するパルス幅をもつゲートパルスを出力するゲー
トパルス出力手段と、前記位置検出パルス、ゲートパル
スおよびウェハ検出センサのウェハ検出出力との論理積
に基づいて半導体ウェハの有無および誤配列の有無を判
別する判別手段と、を備えることを特徴とするウェハ配
列パターン検出装置。1. A moving means for moving a cassette having guide grooves formed on the left and right inner surfaces for stacking and arranging a plurality of semiconductor wafers at a predetermined pitch along the stacking direction of the semiconductor wafers; and the moving means. position detection means for outputting position detection pulses having a number of pulses corresponding to the amount of movement from the reference position; a non-contact wafer detection sensor for detecting the presence or absence of each of the semiconductor wafers; gate pulse output means that outputs a gate pulse having a pulse width corresponding to the arrangement pitch of the guide grooves based on the detection pulse; and a logical product of the position detection pulse, the gate pulse, and the wafer detection output of the wafer detection sensor. 1. A wafer arrangement pattern detection apparatus, comprising: a determining means for determining the presence or absence of a semiconductor wafer and the presence or absence of an incorrect arrangement.
層配列するためのガイド溝が形成されてなるカセットを
半導体ウェハの積層方向に移動させつつ、位置検出手段
によってこのカセットの基準位置からの移動量に対応す
るパルス数をもつ位置検出パルスを得るとともに、非接
触式のウェハ検出センサによって半導体ウェハの有無を
検出し、さらに、前記位置検出パルスに基づいてガイド
溝の配列ピッチに相当するパルス幅をもつゲートパルス
を得て、前記位置検出パルス、ゲートパルスおよびウェ
ハ検出センサの出力との論理積に基づいて半導体ウェハ
の有無および誤配列の有無を判別することを特徴とする
ウェハ配列パターン検出方法。2. While moving a cassette formed with guide grooves for stacking a plurality of semiconductor wafers at a predetermined pitch in the stacking direction of the semiconductor wafers, a position detection means detects the amount of movement of the cassette from a reference position. A non-contact wafer detection sensor detects the presence or absence of a semiconductor wafer, and a pulse width corresponding to the guide groove arrangement pitch is determined based on the position detection pulse. A method for detecting a wafer arrangement pattern, characterized in that the presence or absence of a semiconductor wafer and the presence or absence of an incorrect arrangement are determined based on a logical product of the position detection pulse, the gate pulse, and the output of a wafer detection sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117141A JPH04345049A (en) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | Wafer arrangement pattern detection equipment and its detection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117141A JPH04345049A (en) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | Wafer arrangement pattern detection equipment and its detection method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345049A true JPH04345049A (en) | 1992-12-01 |
Family
ID=14704477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3117141A Pending JPH04345049A (en) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | Wafer arrangement pattern detection equipment and its detection method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04345049A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5562383A (en) * | 1993-04-13 | 1996-10-08 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Treatment apparatus |
| US5642978A (en) * | 1993-03-29 | 1997-07-01 | Jenoptik Gmbh | Device for handling disk-shaped objects in a handling plane of a local clean room |
| WO1999038207A1 (en) * | 1998-01-27 | 1999-07-29 | Nikon Corporation | Method and apparatus for detecting wafer |
| US6390754B2 (en) * | 1997-05-21 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system |
| CN115083942A (en) * | 2022-08-16 | 2022-09-20 | 浙江果纳半导体技术有限公司 | Wafer state detection method, system, storage medium and detection device |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP3117141A patent/JPH04345049A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5642978A (en) * | 1993-03-29 | 1997-07-01 | Jenoptik Gmbh | Device for handling disk-shaped objects in a handling plane of a local clean room |
| US5562383A (en) * | 1993-04-13 | 1996-10-08 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Treatment apparatus |
| US5829939A (en) * | 1993-04-13 | 1998-11-03 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Treatment apparatus |
| US6390754B2 (en) * | 1997-05-21 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system |
| WO1999038207A1 (en) * | 1998-01-27 | 1999-07-29 | Nikon Corporation | Method and apparatus for detecting wafer |
| CN115083942A (en) * | 2022-08-16 | 2022-09-20 | 浙江果纳半导体技术有限公司 | Wafer state detection method, system, storage medium and detection device |
| CN115083942B (en) * | 2022-08-16 | 2022-11-15 | 浙江果纳半导体技术有限公司 | Wafer state detection method, system, storage medium and detection device |
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