JPH043445Y2 - - Google Patents
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- JPH043445Y2 JPH043445Y2 JP1988142810U JP14281088U JPH043445Y2 JP H043445 Y2 JPH043445 Y2 JP H043445Y2 JP 1988142810 U JP1988142810 U JP 1988142810U JP 14281088 U JP14281088 U JP 14281088U JP H043445 Y2 JPH043445 Y2 JP H043445Y2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Motor Or Generator Current Collectors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、小型モータの火花消去用として好適
な還元再酸化型半導体磁器バリスタに関し、更に
詳細には、同一主面のみに接続用電極層を有する
バリスタに関する。
な還元再酸化型半導体磁器バリスタに関し、更に
詳細には、同一主面のみに接続用電極層を有する
バリスタに関する。
［従来の技術］
従来のリング状還元再酸化型半導体磁器バリス
タは、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主
成分とするリング状の還元再酸化型半導体磁器バ
リスタ素体と、この一方の主面上に設けられた３
個の電極層とから成る。第５図は従来の還元再酸
化型半導体磁器バリスタの一部を示すものであつ
て、還元再酸化型半導体磁器バリスタ素体１の一
方の主面上に電極層２，３を有する。還元再酸化
型半導体磁器バリスタ素体１は内部の低抵抗領域
１ａと再酸化で形成された表面の高抵抗領域１ｂ
とから成るので、低抵抗領域１ａが見かけ上の接
続電極として機能し、第１の電極層２と高抵抗領
域１ｂと低抵抗領域１ａと高抵抗領域１ｂと第２
の電極層３とから成る経路で電流が流れる。
タは、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主
成分とするリング状の還元再酸化型半導体磁器バ
リスタ素体と、この一方の主面上に設けられた３
個の電極層とから成る。第５図は従来の還元再酸
化型半導体磁器バリスタの一部を示すものであつ
て、還元再酸化型半導体磁器バリスタ素体１の一
方の主面上に電極層２，３を有する。還元再酸化
型半導体磁器バリスタ素体１は内部の低抵抗領域
１ａと再酸化で形成された表面の高抵抗領域１ｂ
とから成るので、低抵抗領域１ａが見かけ上の接
続電極として機能し、第１の電極層２と高抵抗領
域１ｂと低抵抗領域１ａと高抵抗領域１ｂと第２
の電極層３とから成る経路で電流が流れる。
第６図は第５図のバリスタの等価回路を示す。
第１のコンデンサＣ１と第１の抵抗Ｒ１は第１の
電極層２と低抵抗領域１ａとの間に対応し、第２
のコンデンサＣ２と第２の抵抗Ｒ２は第２の電極
層３と低抵抗領域１ａとの間に対応し、第３のコ
ンデンサＣ３と第３の抵抗Ｒ３とは低抵抗領域１
ａに対応している。
第１のコンデンサＣ１と第１の抵抗Ｒ１は第１の
電極層２と低抵抗領域１ａとの間に対応し、第２
のコンデンサＣ２と第２の抵抗Ｒ２は第２の電極
層３と低抵抗領域１ａとの間に対応し、第３のコ
ンデンサＣ３と第３の抵抗Ｒ３とは低抵抗領域１
ａに対応している。
［考案が解決しようとする課題］
ところで、従来のリング状還元再酸化型半導体
磁器バリスタが100kHz以上の高い周波数で用い
られた場合、第７図の特性線Ａに示すように静電
容量の低下が大きくなり、ノイズ吸収性が低下す
るという問題が発生した。
磁器バリスタが100kHz以上の高い周波数で用い
られた場合、第７図の特性線Ａに示すように静電
容量の低下が大きくなり、ノイズ吸収性が低下す
るという問題が発生した。
そこで、本考案の目的は、高い周波数帯域での
静電容量の低下を少なくすることが可能な電極構
造を有する還元再酸化型半導体磁器バリスタを提
供することにある。
静電容量の低下を少なくすることが可能な電極構
造を有する還元再酸化型半導体磁器バリスタを提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するための本考案は、還元再酸
化型半導体磁器バリスタ素体と、前記バリスタ素
体の一方の主面に設けられた複数個の電極層と、
前記複数の電極層に対応するように前記バリスタ
素体の他方の主面に設けられ、かつ互いに接続さ
れた共通導電体層とから成る還元再酸化型半導体
磁器バリスタに係わるものである。
化型半導体磁器バリスタ素体と、前記バリスタ素
体の一方の主面に設けられた複数個の電極層と、
前記複数の電極層に対応するように前記バリスタ
素体の他方の主面に設けられ、かつ互いに接続さ
れた共通導電体層とから成る還元再酸化型半導体
磁器バリスタに係わるものである。
［作用］
本考案のバリスタは非直線電圧−電流特性即ち
電圧によつて抵抗値が非直線的に変化する特性の
他にコンデンサとしての機能も有する。外部接続
に無関係な共通導電体層を設けることによつて還
元再酸化型半導体磁器バリスタ素体の内部の低抵
抗領域と共通導電体層との間に静電容量が得ら
れ、高い周波数帯域での静電容量の低下が少なく
なる。
電圧によつて抵抗値が非直線的に変化する特性の
他にコンデンサとしての機能も有する。外部接続
に無関係な共通導電体層を設けることによつて還
元再酸化型半導体磁器バリスタ素体の内部の低抵
抗領域と共通導電体層との間に静電容量が得ら
れ、高い周波数帯域での静電容量の低下が少なく
なる。
［実施例］
次に、第１図〜第４図を参照して本考案の実施
例に係わるリング状還元再酸化型半導体磁器バリ
スタを説明する。
例に係わるリング状還元再酸化型半導体磁器バリ
スタを説明する。
バリスタ素体１は従来と同一のものであり、次
の工程で作製した。
の工程で作製した。
まず、チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）に
対して、チタン酸カルシウム（CaTiO3）とチタ
ン酸バリウム（BaTiO3）の内の少なくとも１種
を３〜30モル％と、ニオブ（Nb）とランタン
（La）とタンタル（Ta）の酸化物粉末の内の少
なくとも１種を0.05〜0.50モル％と、銅（Cu）と
モリブデン（Mo）とマンガン（Mn）の酸化物
粉末の内の少なくとも１種を0.05〜0.50モル％と
をそれぞれ添加して全体で100モル％とし、湿式
ボールミルにて15時間混合した。
対して、チタン酸カルシウム（CaTiO3）とチタ
ン酸バリウム（BaTiO3）の内の少なくとも１種
を３〜30モル％と、ニオブ（Nb）とランタン
（La）とタンタル（Ta）の酸化物粉末の内の少
なくとも１種を0.05〜0.50モル％と、銅（Cu）と
モリブデン（Mo）とマンガン（Mn）の酸化物
粉末の内の少なくとも１種を0.05〜0.50モル％と
をそれぞれ添加して全体で100モル％とし、湿式
ボールミルにて15時間混合した。
次に、上記の混合物を大気中150℃で乾燥後、
バインダとしてPVA（ポリビニルアルコール）を
添加し、混合、造粒して原料粉末を得た。
バインダとしてPVA（ポリビニルアルコール）を
添加し、混合、造粒して原料粉末を得た。
次に、上記の原料粉末を1500Kg／cm2の圧力で乾
式形成し、外径12mm、内径７mm、厚さ１mm、成形
体密度3.0ｇ／cm3のリング状成形体を得た。
式形成し、外径12mm、内径７mm、厚さ１mm、成形
体密度3.0ｇ／cm3のリング状成形体を得た。
次に、上記のリング状成形体を、窒素（N2）
96体積％と水素（H2）４体積％とから成る還元
性雰囲気で1350℃にて３時間焼成し、その後大気
中で1000℃、３時間の熱処理（再酸化処理）を行
つてバリスタ素体１を得た。
96体積％と水素（H2）４体積％とから成る還元
性雰囲気で1350℃にて３時間焼成し、その後大気
中で1000℃、３時間の熱処理（再酸化処理）を行
つてバリスタ素体１を得た。
次に、銀電極形成用ペーストをバリスタ素体１
の一方の主面には３つに分割して塗布し、他方の
主面にはリング状に塗布し、180℃で10分間乾燥
後、780℃で10分間焼付けてバリスタを完成させ
た。
の一方の主面には３つに分割して塗布し、他方の
主面にはリング状に塗布し、180℃で10分間乾燥
後、780℃で10分間焼付けてバリスタを完成させ
た。
完成したバリスタは、第２図に示すようにリン
グ状バリスタ素体１の一方の主面（表面）に第
１、第２及び第３の電極層２，３，４を有し、ま
た第３図に示すように他方の主面（裏面）にリン
グ状に共通導電体層５を有する。
グ状バリスタ素体１の一方の主面（表面）に第
１、第２及び第３の電極層２，３，４を有し、ま
た第３図に示すように他方の主面（裏面）にリン
グ状に共通導電体層５を有する。
また、バリスタ素体１は還元再酸化型半導体磁
器であるために、第１図に示すように内部に低抵
抗領域１ａを有し、外部に高抵抗領域１ｂを有す
る。
器であるために、第１図に示すように内部に低抵
抗領域１ａを有し、外部に高抵抗領域１ｂを有す
る。
このバリスタを小型モータの火花消去に使用す
る時には、第１、第２及び第３の電極層２，３，
４に対して整流子を接続する。
る時には、第１、第２及び第３の電極層２，３，
４に対して整流子を接続する。
このように構成したバリスタの例えば第１の電
極層２と第２の電極層３との間には、第４図に示
すようにコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３とから成る回路が形成されると共
に、内部の低抵抗領域１ａと裏面の共通導電体層
５との間にコンデンサＣ４，Ｃ５と抵抗Ｒ４，Ｒ
５とから成る回路が形成される。
極層２と第２の電極層３との間には、第４図に示
すようにコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３とから成る回路が形成されると共
に、内部の低抵抗領域１ａと裏面の共通導電体層
５との間にコンデンサＣ４，Ｃ５と抵抗Ｒ４，Ｒ
５とから成る回路が形成される。
第１及び第２の電極層２，３間の静電容量と周
波数との関係を測定したところ、第５図の従来例
の場合には第７図の特性線Ａとなり、第１図の本
実施例の場合には第７図の特性線Ｂとなつた。こ
の２つの特性線Ａ，Ｂの比較から明らかなように
従来のバリスタの静電容量は高い周波数帯域で大
幅に低下するが、本実施例のバリスタの静電容量
の高い周波数帯域での低下は従来より少ない。
波数との関係を測定したところ、第５図の従来例
の場合には第７図の特性線Ａとなり、第１図の本
実施例の場合には第７図の特性線Ｂとなつた。こ
の２つの特性線Ａ，Ｂの比較から明らかなように
従来のバリスタの静電容量は高い周波数帯域で大
幅に低下するが、本実施例のバリスタの静電容量
の高い周波数帯域での低下は従来より少ない。
［変形例］
本考案は上述の実施例に限定されるものでな
く、変形が可能なものである。例えば、２つの電
極層のみを設けるバリスタ、又は３個よりも多い
電極層を設けるバリスタにも適用可能である。ま
た、共通導電体層５の材質を電極層２，３，４と
別にしてもよい。
く、変形が可能なものである。例えば、２つの電
極層のみを設けるバリスタ、又は３個よりも多い
電極層を設けるバリスタにも適用可能である。ま
た、共通導電体層５の材質を電極層２，３，４と
別にしてもよい。
［考案の効果］
上述のように本考案によれば高い周波数帯域で
の静電容量の低下の少ない還元再酸化型半導体磁
器バリスタを提供することができる。
の静電容量の低下の少ない還元再酸化型半導体磁
器バリスタを提供することができる。
第１図は本考案の１実施例に係わるリング状還
元再酸化型半導体磁器バリスタを示す第２図の
−線を拡大して示す断面図、第２図はバリスタ
を示す平面図、第３図は第２図のバリスタの底面
図、第４図は第１図のバリスタの等価回路図、第
５図は従来のバリスタを第１図に対応する部分で
示す断面図、第６図は第５図のバリスタの等価回
路図、第７図は本実施例及び従来例のバリスタの
静電容量の周波数特性図である。 １……還元再酸化型半導体磁器バリスタ素体、
２，３，４……電極層、５……共通導電体層。
元再酸化型半導体磁器バリスタを示す第２図の
−線を拡大して示す断面図、第２図はバリスタ
を示す平面図、第３図は第２図のバリスタの底面
図、第４図は第１図のバリスタの等価回路図、第
５図は従来のバリスタを第１図に対応する部分で
示す断面図、第６図は第５図のバリスタの等価回
路図、第７図は本実施例及び従来例のバリスタの
静電容量の周波数特性図である。 １……還元再酸化型半導体磁器バリスタ素体、
２，３，４……電極層、５……共通導電体層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 還元再酸化型半導体磁器バリスタ素体と、 前記バリスタ素体の一方の主面に設けられた複
数個の電極層と、 前記複数の電極層に対応するように前記バリス
タ素体の他方の主面に設けられ、かつ互いに接続
された共通導電体層と から成る還元再酸化型半導体磁器バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988142810U JPH043445Y2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988142810U JPH043445Y2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036804U JPH036804U (ja) | 1991-01-23 |
| JPH043445Y2 true JPH043445Y2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=31689623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988142810U Expired JPH043445Y2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043445Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109727758A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 株式会社田村制作所 | 电抗器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258311A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | バリスタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035503B2 (ja) * | 1980-11-10 | 1985-08-15 | 積水化学工業株式会社 | 屋根材 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5798177U (ja) * | 1980-12-05 | 1982-06-16 | ||
| JPS6035503U (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-11 | ティーディーケイ株式会社 | 非線形抵抗素子 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP1988142810U patent/JPH043445Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035503B2 (ja) * | 1980-11-10 | 1985-08-15 | 積水化学工業株式会社 | 屋根材 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109727758A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 株式会社田村制作所 | 电抗器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036804U (ja) | 1991-01-23 |
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