JPH043409A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング
方法に関し、さらに詳しく言えば、中高圧用のアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法に関する
ものである。
方法に関し、さらに詳しく言えば、中高圧用のアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法に関する
ものである。
この種の電極箔には、電極体となるアルミニウム箔を電
気的もしくは化学的にエツチング処理して実効表面積を
拡大したものが使用される。
気的もしくは化学的にエツチング処理して実効表面積を
拡大したものが使用される。
拡面率を上げる方法は種々提案されているが、−船釣に
は、アルミニウム箔を硫酸、蓚酸、燐酸などの皮膜を形
成する酸を添加した塩化物水溶液中で電気的エツチング
を行ない、ピットを多数形成する前段エツチングと、塩
素イオン、硝酸イオンの少なくとも１種以上を含む水溶
液中で電気的もしくは化学的エツチングを行ない、ピッ
トの内壁に沿ってアルミニウムを溶解し、ピット径を目
的の太さにする後段エツチングとを組合せて行なうよう
にしている。
は、アルミニウム箔を硫酸、蓚酸、燐酸などの皮膜を形
成する酸を添加した塩化物水溶液中で電気的エツチング
を行ない、ピットを多数形成する前段エツチングと、塩
素イオン、硝酸イオンの少なくとも１種以上を含む水溶
液中で電気的もしくは化学的エツチングを行ない、ピッ
トの内壁に沿ってアルミニウムを溶解し、ピット径を目
的の太さにする後段エツチングとを組合せて行なうよう
にしている。
工業的に連続エツチングを行なうと、前段エツチングの
電解液中に含まれている皮膜形成用の硫酸、蓚酸がアル
ミニウム箔に付着して後段エツチングの電解液中に持ち
込まれ、その量が増加していく。
電解液中に含まれている皮膜形成用の硫酸、蓚酸がアル
ミニウム箔に付着して後段エツチングの電解液中に持ち
込まれ、その量が増加していく。
後段エツチングの電解液中にこれらの酸が所定量以上存
在すると、アルミニウム箔に前段エツチングで形成され
たピットが太くなりにくくなり、大幅な拡面率の低下を
もたらすことになる。
在すると、アルミニウム箔に前段エツチングで形成され
たピットが太くなりにくくなり、大幅な拡面率の低下を
もたらすことになる。
このため、従来では定期的に電解液を更新したり、特殊
な処理設備を設置してこれらのイオンを除去するように
しているが、コストアップの問題が生ずる。また、電解
液を更新する際には、その都度ラインを止める必要があ
るため、生産性にも悪影響をおよぼすことになる。
な処理設備を設置してこれらのイオンを除去するように
しているが、コストアップの問題が生ずる。また、電解
液を更新する際には、その都度ラインを止める必要があ
るため、生産性にも悪影響をおよぼすことになる。
本発明は上記従来の課題を解決するためになされたもの
で、その特徴とするところは、３Ｎまたは４Ｎのアルミ
ニウム箔を硫酸、蓚酸、燐酸などの皮膜を形成する酸を
添加した塩化物水溶液の電解液中において電気的にエツ
チングして多数のピットを形成する第１のエツチング工
程と、同工程で形成されたビット径を目的とする太さに
するため、塩素イオン、硝酸イオンの少なくとも１種以
上を含む電解液中において電気的もしくは化学的なエツ
チングを行なう第２のエツチング工程とを有する電解コ
ンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法において、
第１のエツチング工程と第２のエツチング工程との間に
、同第１のエツチング工程にてエツチングされたアルミ
ニウム箔の洗浄工程を介在させることにある。
で、その特徴とするところは、３Ｎまたは４Ｎのアルミ
ニウム箔を硫酸、蓚酸、燐酸などの皮膜を形成する酸を
添加した塩化物水溶液の電解液中において電気的にエツ
チングして多数のピットを形成する第１のエツチング工
程と、同工程で形成されたビット径を目的とする太さに
するため、塩素イオン、硝酸イオンの少なくとも１種以
上を含む電解液中において電気的もしくは化学的なエツ
チングを行なう第２のエツチング工程とを有する電解コ
ンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法において、
第１のエツチング工程と第２のエツチング工程との間に
、同第１のエツチング工程にてエツチングされたアルミ
ニウム箔の洗浄工程を介在させることにある。
この場合、洗浄工程の洗浄液としては、水もしくは第２
のエツチング工程の電解液と同一の電解液が用いられる
。水を使用する場合には、アルミニウム箔表面への水和
皮膜の形成が少ない短時間、例えば加温せずに３０秒間
以下で洗浄するのが好ましい、なお、第２のエツチング
工程の電解液中に持ち込まれる第１のエツチング工程の
硫酸イオン、蓚酸イオン、燐酸イオンの混入濃度はそれ
ぞれ３００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐＰ園以下、
特に好ましくは３０ｐＰ−以下とされる。
のエツチング工程の電解液と同一の電解液が用いられる
。水を使用する場合には、アルミニウム箔表面への水和
皮膜の形成が少ない短時間、例えば加温せずに３０秒間
以下で洗浄するのが好ましい、なお、第２のエツチング
工程の電解液中に持ち込まれる第１のエツチング工程の
硫酸イオン、蓚酸イオン、燐酸イオンの混入濃度はそれ
ぞれ３００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐＰ園以下、
特に好ましくは３０ｐＰ−以下とされる。
特開平１−２１２４２６号公報によれば、第１のエツチ
ング工程と第２のエツチング工程との間に、中間処理と
してＨ，Ｏによる浸漬処理を行なってアルミニウム箔表
面に水和皮膜を形成することが提案されているが、本発
明によると、そのような水和皮膜の形成を抑止しつつ、
硫酸根、蓚酸機、燐酸根などの第２のエツチング工程へ
の持ち込みが防止される。
ング工程と第２のエツチング工程との間に、中間処理と
してＨ，Ｏによる浸漬処理を行なってアルミニウム箔表
面に水和皮膜を形成することが提案されているが、本発
明によると、そのような水和皮膜の形成を抑止しつつ、
硫酸根、蓚酸機、燐酸根などの第２のエツチング工程へ
の持ち込みが防止される。
以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。なお
試料としては、厚み１００μｍ、純度４Ｎのアルミニウ
ム箔を使用している。
試料としては、厚み１００μｍ、純度４Ｎのアルミニウ
ム箔を使用している。
〈比較例１〉
第１のエッチング工程；塩酸５ｗｔ％、硫酸３（ｈｔ％
、液温８０℃の電解液中において、電流密度３００＋ｓ
Ａ／ｃｄの直流電流を６０秒間通電した。
、液温８０℃の電解液中において、電流密度３００＋ｓ
Ａ／ｃｄの直流電流を６０秒間通電した。
第２のエッチング工程；塩酸８ｗｔ％で液温８５℃の電
解液中において、電流密度１００＋＊Ａ／ａ＃の直流電
流を６分間通電した。
解液中において、電流密度１００＋＊Ａ／ａ＃の直流電
流を６分間通電した。
この場合、第１のエツチング工程後、特にアルミニウム
箔を洗浄することなく、第２のエツチング工程を実施し
た。第２のエツチング工程における電解液中の硫酸濃度
は２５０ｐｐ＋ｍであった６〈比較例２〉 第１のエッチング工程；比較例１と同じ。
箔を洗浄することなく、第２のエツチング工程を実施し
た。第２のエツチング工程における電解液中の硫酸濃度
は２５０ｐｐ＋ｍであった６〈比較例２〉 第１のエッチング工程；比較例１と同じ。
第２のエッチング工程；硝酸１０ｗｔ％で液温８５℃の
電解液中において、電流密度２００ｍＡ／ｃｄの直流電
流を３分間通電した。
電解液中において、電流密度２００ｍＡ／ｃｄの直流電
流を３分間通電した。
この場合も比較例１と同様に、第１のエッチング工程後
、特にアルミニウム箔を洗浄することなく、第２のエツ
チング工程を実施した。
、特にアルミニウム箔を洗浄することなく、第２のエツ
チング工程を実施した。
（実施例１）
第１のエツチング工程および第２のエツチング工程は比
較例１と同じであるが、その工程の間に、水温２０℃の
水シヤワーによる水洗工程を２０秒間実施した。第２の
エツチング工程の電解液中の硫酸根は１５ｐｐ−であっ
た。
較例１と同じであるが、その工程の間に、水温２０℃の
水シヤワーによる水洗工程を２０秒間実施した。第２の
エツチング工程の電解液中の硫酸根は１５ｐｐ−であっ
た。
（実施例２）
第１のエツチング工程および第２のエツチング工程は比
較例２と同じであるが、その工程の間に、水温２５℃の
水に浸漬する水洗工程を１５秒間実施した。第２のエツ
チング工程の電解液中の硫酸根は１０ｐｐｍ＋であった
。
較例２と同じであるが、その工程の間に、水温２５℃の
水に浸漬する水洗工程を１５秒間実施した。第２のエツ
チング工程の電解液中の硫酸根は１０ｐｐｍ＋であった
。
上記比較例１，２および実施例１，２にて得られたエツ
チド箔を３５０ｖで化成してそれらの各静電容量を測定
した結果を次の表に示す。
チド箔を３５０ｖで化成してそれらの各静電容量を測定
した結果を次の表に示す。
（表）
工程と第２のエツチング工程の間に水洗（洗浄）処理を
行なうことにより、静電容量が増大することが認められ
た。
行なうことにより、静電容量が増大することが認められ
た。
以上説明したように、本発明によれば、第１のエツチン
グ工程と第２のエツチング工程との間に、同第１のエツ
チング工程にてエツチングされたアルミニウム箔の洗浄
工程を介在させ、硫酸根、蓚酸機、燐酸根などの第２の
エツチング工程への持ち込みを防止するようにしたこと
により、静電容量の増大を図ることができ、特に工業的
に連続エツチングを行なう場合に有効である。
グ工程と第２のエツチング工程との間に、同第１のエツ
チング工程にてエツチングされたアルミニウム箔の洗浄
工程を介在させ、硫酸根、蓚酸機、燐酸根などの第２の
エツチング工程への持ち込みを防止するようにしたこと
により、静電容量の増大を図ることができ、特に工業的
に連続エツチングを行なう場合に有効である。
特許出願人 エルナー株式会社
Claims (3)
- （１）アルミニウム箔を硫酸、蓚酸、燐酸などの皮膜を
形成する酸を添加した塩化物水溶液の電解液中において
電気的にエッチングして多数のピットを形成する第１の
エッチング工程と、同工程で形成されたピット径を目的
とする太さにするため、塩素イオン、硝酸イオンの少な
くとも１種以上を含む電解液中において電気的もしくは
化学的なエッチングを行なう第２のエッチング工程とを
有する電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方
法において、上記第１のエッチング工程と上記第２のエ
ッチング工程との間に、同第１のエッチング工程にてエ
ッチングされたアルミニウム箔の洗浄工程を介在させる
ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエ
ッチング方法。 - （２）上記洗浄工程の洗浄液として、水もしくは上記第
２のエッチング工程の電解液と同一の電解液が用いられ
る請求項１に記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔の
エッチング方法。 - （３）上記第２のエッチング工程に用いる電解液中の硫
酸イオン、蓚酸イオン、燐酸イオン混入濃度がそれぞれ
１００ｐｐｍ以下である請求項１に記載の電解コンデン
サ用アルミニウム箔のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10461290A JPH043409A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10461290A JPH043409A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043409A true JPH043409A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14385263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10461290A Pending JPH043409A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043409A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005290491A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔 |
| US7132383B2 (en) | 2000-09-12 | 2006-11-07 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Polymerization catalyst for polyester, polyester produced with the same, and process for producing polyester |
| US7144614B2 (en) | 2001-02-23 | 2006-12-05 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Polyester polymerization catalyst, polyester produced by using the same, and process for producing polyester |
| US7208565B1 (en) | 1999-08-24 | 2007-04-24 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Polymerization catalyst for polyesters, polyester produced with the same, and process for production of polyester |
| JP2007227770A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
| CN100360714C (zh) * | 2005-09-21 | 2008-01-09 | 中国海洋大学 | 用于铝及铝合金的化学蚀刻溶液 |
| US7501373B1 (en) * | 1998-10-23 | 2009-03-10 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Polymerization catalyst for polyester production, polyester, and process for producing polyester |
| US9888157B2 (en) | 2012-07-31 | 2018-02-06 | Sony Corporation | Lens mounting mechanism, lens mounting method, and image pickup device |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10461290A patent/JPH043409A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9888157B2 (en) | 2012-07-31 | 2018-02-06 | Sony Corporation | Lens mounting mechanism, lens mounting method, and image pickup device |
| US10298821B2 (en) | 2012-07-31 | 2019-05-21 | Sony Corporation | Lens mounting mechanism, lens mounting method, and image pickup device |
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