JPH04337922A - Adjacent switch - Google Patents
Adjacent switchInfo
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- JPH04337922A JPH04337922A JP14083691A JP14083691A JPH04337922A JP H04337922 A JPH04337922 A JP H04337922A JP 14083691 A JP14083691 A JP 14083691A JP 14083691 A JP14083691 A JP 14083691A JP H04337922 A JPH04337922 A JP H04337922A
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】この発明は、検出コイルにコンデ
ンサを並列接続した検出部を発振回路に有する近接スイ
ツチに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a proximity switch whose oscillation circuit includes a detecting section in which a capacitor is connected in parallel to a detecting coil.
【０００２】0002
【従来の技術】従来、この種の近接スイツチとして、図
５で示すように、検出コイルＬにコンデンサＣを並列接
続した検出部を発振回路に有し、上記検出コイルＬに近
接した被検出物Ｍを上記発振回路Ｓの発振動作で検出す
るものが知られている。すなわち、上記検出コイルＬと
コンデンサＣとで検出部Ｋを構成し、この検出部Ｋの一
方の入力端子Ｐ１ に順方向へ直流電源Ｂを介してＮＰ
Ｎ形の第１トランジスタＱ１のベ−スを接続するととも
に、このトランジスタＱ１のエミツタを抵抗体Ｒを介し
て他方の入力端子Ｐ２ に接続してある。上記トランジ
スタＱ１のコレクタには、ＰＮＰ形の第２トランジスタ
Ｑ２ のコレクタが接続され、その接続点がＰＮＰ形の
第４トランジスタＱ４ のベ−スに接続され、このトラ
ンジスタＱ４ のコレクタは上記入力端子Ｐ１ に接続
してある。
この第４トランジスタＱ４ のエミツタは、ＰＮＰ形の
第３トランジスタＱ３ のコレクタに接続されるととも
に、上記第２および第３トランジスタＱ２ ，Ｑ３ の
各ベ−スにそれぞれ接続されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 5, this type of proximity switch has a detection section in which a detection coil L and a capacitor C are connected in parallel in an oscillation circuit, and a detection target close to the detection coil L is used. A device that detects M by the oscillation operation of the oscillation circuit S is known. That is, the detection coil L and the capacitor C constitute a detection section K, and an NP signal is connected to one input terminal P1 of the detection section K in the forward direction via a DC power supply B.
The base of a first N-type transistor Q1 is connected, and the emitter of this transistor Q1 is connected via a resistor R to the other input terminal P2. The collector of the transistor Q1 is connected to the collector of the second PNP transistor Q2, the connection point of which is connected to the base of the fourth PNP transistor Q4, and the collector of the transistor Q4 is connected to the input terminal P1. It is connected to. The emitter of the fourth transistor Q4 is connected to the collector of the PNP type third transistor Q3 and to the bases of the second and third transistors Q2 and Q3, respectively.
【０００３】さらに、上記第２および第３トランジスタ
Ｑ２ ，Ｑ３ の各エミツタは、高周波トランスＴを介
して上記トランジスタＱ１のベ−スに接続されている。
これらによつて、分離ハートレイ形の発振回路Ｓが構成
されている。この発振回路Ｓは、感度調整抵抗体Ｒの抵
抗値でその感度調整が可能であり、その発振条件は上記
検出部Ｋの入力端子Ｐ１ ，Ｐ２ における出力インピ
ーダンスｇｅが入力インピーダンスｇｉ以下で発振し、
以上のとき発振停止する。なお、上記入力インピーダン
スｇｉは、
ｇｉ
＝〔（２ｈｆｅ＋ｈｆｅ２ ）／（２＋２ｈｆｅ＋
ｈｆｅ２ ）〕・（１／Ｒ）
…（１）である。ここで、ｈｆｅ：上記各トランジスタ
の電流増幅率Further, the emitters of the second and third transistors Q2 and Q3 are connected to the base of the transistor Q1 via a high frequency transformer T. These constitute a separate Hartley type oscillation circuit S. The sensitivity of this oscillation circuit S can be adjusted by the resistance value of the sensitivity adjustment resistor R, and the oscillation conditions are such that the output impedance ge at the input terminals P1 and P2 of the detection section K oscillates below the input impedance gi;
Oscillation stops when this happens. The above input impedance gi is gi = [(2hfe+hfe2)/(2+2hfe+
hfe2 )]・(1/R)
...(1). Here, hfe: current amplification factor of each transistor above
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】ところで、近接スイツ
チの小型化を達成するために、検出コイルＬを超小型化
すると、その発振周波数が高くなつて、上記電流増幅率
ｈｆｅが低下する。すなわち、発振周波数が比較的低く
、上記電流増幅率ｈｆｅがある程度高い状態では、上記
（１）式から、
ｇｉ≒１／Ｒ
…（２）となる。しかしながら、上記発振
周波数が高くなつて、トランジエント周波数ｆＴ に近
くなると、上記電流増幅率ｈｆｅ＝１に低下し、上記（
１）式から、 ｇｉ≒（３／５）・（１／Ｒ）
…（３）となる。このように、発振周波数つま
り検出周波数が高くなると、上記（２），（３）式から
明らかなように、発振回路Ｓの入力インピーダンスｇｉ
が変動し、上記検出コイルＬに近接した被検出物Ｍの近
接距離Ｘが変動して、近接スイツチとして正確なＯＮ・
ＯＦＦ動作が達成できないという課題がある。By the way, if the detection coil L is miniaturized in order to achieve miniaturization of the proximity switch, its oscillation frequency increases and the current amplification factor hfe decreases. That is, when the oscillation frequency is relatively low and the current amplification factor hfe is high to some extent, from the above equation (1), gi≒1/R
...(2). However, when the oscillation frequency becomes high and approaches the transient frequency fT, the current amplification factor hfe decreases to 1, and the above (
From formula 1), gi≒(3/5)・(1/R)
...(3). In this way, as the oscillation frequency, that is, the detection frequency increases, the input impedance gi of the oscillation circuit S increases, as is clear from equations (2) and (3) above.
changes, and the proximity distance X of the detected object M close to the detection coil L changes, making it possible to accurately turn on and off the proximity switch.
There is a problem that OFF operation cannot be achieved.
【０００５】この発明は上記課題を解消するためになさ
れたもので、小型の検出コイルでもつて、被検出物を正
確に検出動作させることができる、高感度な近接スイツ
チを提供することを目的とする。[0005] This invention was made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a highly sensitive proximity switch that can accurately detect an object even with a small detection coil. do.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明による近接スイ
ツチは、検出コイルにコンデンサを並列接続した発振回
路を構成し、この発振回路の一部を構成する感度調整抵
抗体の所要部にコンデンサを並列接続したことを特徴と
する。[Means for Solving the Problems] A proximity switch according to the present invention constitutes an oscillation circuit in which a capacitor is connected in parallel to a detection coil, and a capacitor is connected in parallel to a desired part of a sensitivity adjustment resistor that constitutes a part of this oscillation circuit. It is characterized by being connected.
【０００７】[0007]
【作用】上記構成によれば、高周波領域で上記抵抗体の
所要部をコンデンサにより短絡させ、発振回路の発振に
もとづく帰還電流を増大させて周波数特性を補償したか
ら、検出コイルを超小型化して、近接スイツチの超小型
化を達成することができる。[Function] According to the above configuration, the required parts of the resistor are short-circuited by a capacitor in the high frequency region, and the feedback current based on the oscillation of the oscillation circuit is increased to compensate for the frequency characteristics, so the detection coil can be miniaturized. , it is possible to achieve ultra-miniaturization of the proximity switch.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にしたがつて
説明する。図１は、この発明による近接スイツチの一例
を示す発振回路図である。同図において、図５と同一部
分には同一の符号を付して、その詳しい説明を省略する
。同図において、図５と相違する点は、図５で示す発振
回路Ｓの一部を構成する感度調整抵抗体Ｒを、直列接続
された抵抗体Ｒ１，Ｒ２ とし、この抵抗体Ｒ２ にコ
ンデンサＣｘ を並列接続したことを特徴とする。近接
スイツチの小型化を達成するために、検出コイルＬを超
小型化すると、その発振周波数が高くなつて、上記電流
増幅率ｈｆｅが低下する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an oscillation circuit diagram showing an example of a proximity switch according to the present invention. In this figure, the same parts as in FIG. 5 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted. In this figure, the difference from FIG. 5 is that the sensitivity adjustment resistor R constituting a part of the oscillation circuit S shown in FIG. It is characterized by being connected in parallel. When the detection coil L is miniaturized to achieve miniaturization of the proximity switch, its oscillation frequency increases and the current amplification factor hfe decreases.
【０００９】すなわち、周波数が比較的低い低周波数領
域で、かつ、上記電流増幅率ｈｆｅがある程度高い状態
では、上記（１）式から、
ｇｉ≒１／（Ｒ１ ＋Ｒ２ ）
…（４）であり、周波数ｆに対する上記発振回路Ｓ
の入力インピーダンスｇｉは図２の実線ａで示すように
一定となり、この回路条件によつて上記発振回路Ｓの発
振条件が決定される。また、上記周波数が高くなつて、
上記抵抗体Ｒ２ にコンデンサＣｘ が並列接続されて
いない場合には、上記周波数がトランジエント周波数ｆ
Ｔ に近くなると、上記電流増幅率ｈｆｅ＝１に低下し
、上記（１）式から、実質的に図５と同様に、
ｇｉ≒（３／５）・〔１／（Ｒ１ ＋Ｒ２ ）〕
…（５）とな
り、発振周波数ｆに対する上記発振回路Ｓの入力インピ
ーダンスｇｉは図２の点線ｂで示すように低下する。That is, in the low frequency region where the frequency is relatively low and the current amplification factor hfe is high to some extent, from the above equation (1), gi≒1/(R1 +R2)
...(4), and the above oscillation circuit S for frequency f
The input impedance gi of is constant as shown by the solid line a in FIG. 2, and the oscillation conditions of the oscillation circuit S are determined by this circuit condition. Also, as the frequency increases,
If the capacitor Cx is not connected in parallel to the resistor R2, the frequency is the transient frequency f
When approaching T, the current amplification factor hfe decreases to 1, and from the above equation (1), substantially like FIG. 5, gi≒(3/5) [1/(R1 +R2)]
(5), and the input impedance gi of the oscillation circuit S with respect to the oscillation frequency f decreases as shown by the dotted line b in FIG.
【００１０】ところが、上記構成によれば、上記抵抗体
Ｒ２ にコンデンサＣｘ を並列接続したから、高周波
領域では上記発振回路Ｓの発振にもとづく帰還電流Ｉａ
，Ｉｂのうち、第１トランジスタＱ１を流れる帰還電流
Ｉｂが上記抵抗体Ｒ１ およびコンデンサＣｘ を通り
、上記抵抗体Ｒ２ がコンデンサＣｘ により短絡され
る。そのため、上記周波数ｆがトランジエント周波数ｆ
Ｔ に近くなつて、上記電流増幅率ｈｆｅ＝１に低下し
た場合、上記（１）式から、
ｇｉ≒（３／５）・（１／Ｒ１ ）
…（
６）となり、周波数ｆに対する上記発振回路Ｓの入力イ
ンピーダンスｇｉは図２の実線ｃで示すように周波数領
域ｆｘ にわつて平坦な特性にすることができる。However, according to the above configuration, since the capacitor Cx is connected in parallel to the resistor R2, the feedback current Ia based on the oscillation of the oscillation circuit S in the high frequency region is
, Ib, the feedback current Ib flowing through the first transistor Q1 passes through the resistor R1 and the capacitor Cx, and the resistor R2 is short-circuited by the capacitor Cx. Therefore, the above frequency f is the transient frequency f
When the current amplification factor hfe decreases to 1 as the current amplification factor approaches T, from the above equation (1), gi≒(3/5)・(1/R1)
…(
6), and the input impedance gi of the oscillation circuit S with respect to the frequency f can be made flat over the frequency region fx, as shown by the solid line c in FIG.
【００１１】すなわち、上記抵抗体Ｒ２ がコンデンサ
Ｃｘ により短絡されることにより、上記帰還電流Ｉａ
を増大させて、図２の実線ｄで示すように入力インピー
ダンスｇｉを増大させ、図２の点線ｂで示すように低下
した周波数特性を補償して、図２の実線ｃで示すように
平坦な特性領域を延ばすことができる。図２の実線ｄで
示すように入力インピーダンスｇｉの感度上昇分は、上
記コンデンサＣｘ の容量により調整することができる
。また、遮断周波数ｆが変更された場合には、上記抵抗
体Ｒ２ とコンデンサＣｘの値を変更することにより、
所期の目的を達成することができる。That is, by short-circuiting the resistor R2 by the capacitor Cx, the feedback current Ia
By increasing the input impedance gi as shown by the solid line d in Fig. 2, and compensating for the lowered frequency characteristic as shown by the dotted line b in Fig. 2, the input impedance gi is increased as shown by the solid line c in Fig. The characteristic range can be extended. As shown by the solid line d in FIG. 2, the increase in sensitivity of the input impedance gi can be adjusted by the capacitance of the capacitor Cx. Also, when the cutoff frequency f is changed, by changing the values of the resistor R2 and capacitor Cx,
It is possible to achieve the intended purpose.
【００１２】上記実施例においては、第１トランジスタ
Ｑ１のエミツタに抵抗体Ｒ１，Ｒ２を直列接続し、他方
の抵抗体Ｒ２ にコンデンサＣｘ を並列接続した場合
について説明したけれども、図３で示すように、第２，
第３のトランジスタＱ２ ，Ｑ３ の各エミツタに抵抗
体Ｒ３ ，Ｒ４ をそれぞれ接続し、他方の抵抗体Ｒ４
にコンデンサＣｘ を並列接続しても、あるいは、図
４ で示すように、第１トランジスタＱ１のベ−スを駆
動する第５トランジスタＱ５ を設け、この第５トラン
ジスタＱ５ のベ−スに抵抗体Ｒ５ ，Ｒ６ を直列接
続し、他方の抵抗体Ｒ５ にコンデンサＣｘ を並列接
続した場合についても同様の効果を達成することができ
る。In the above embodiment, the resistors R1 and R2 are connected in series to the emitter of the first transistor Q1, and the capacitor Cx is connected in parallel to the other resistor R2. However, as shown in FIG. , second,
Resistors R3 and R4 are connected to the emitters of the third transistors Q2 and Q3, respectively, and the other resistor R4
Alternatively, as shown in FIG. 4, a fifth transistor Q5 may be provided to drive the base of the first transistor Q1, and a resistor R5 may be connected to the base of the fifth transistor Q5. , R6 are connected in series, and a capacitor Cx is connected in parallel to the other resistor R5, similar effects can be achieved.
【００１３】[0013]
【発明の効果】以上説明したように、この発明の近接ス
イツチによれば、発振回路の一部を構成する感度調整抵
抗体の所要部にコンデンサを並列接続し、高周波領域で
上記抵抗体の所要部をコンデンサにより短絡させ、発振
回路の発振にもとづく帰還電流を増大させて周波数特性
を補償したから、検出コイルを超小型化して、近接スイ
ツチの小型化を達成することができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the proximity switch of the present invention, a capacitor is connected in parallel to the required part of the sensitivity adjustment resistor that constitutes a part of the oscillation circuit, and the required part of the resistor is Since the frequency characteristics are compensated for by short-circuiting the oscillator with a capacitor and increasing the feedback current based on the oscillation of the oscillation circuit, it is possible to miniaturize the detection coil and achieve miniaturization of the proximity switch.
【図１】この発明による近接スイツチの一例を示す発振
回路図である。FIG. 1 is an oscillation circuit diagram showing an example of a proximity switch according to the present invention.
【図２】この発明による近接スイツチの動作を説明する
ための周波数特性図である。FIG. 2 is a frequency characteristic diagram for explaining the operation of the proximity switch according to the present invention.
【図３】この発明による近接スイツチの他の例を示す発
振回路図である。FIG. 3 is an oscillation circuit diagram showing another example of the proximity switch according to the present invention.
【図４】この発明による近接スイツチのさらに他の例を
示す発振回路図である。FIG. 4 is an oscillation circuit diagram showing still another example of the proximity switch according to the present invention.
【図５】従来の近接スイツチの一例を示す発振回路図で
ある。FIG. 5 is an oscillation circuit diagram showing an example of a conventional proximity switch.
Ｌ 検出コイル Ｃ コンデンサ Ｓ 発振回路 Ｒ１ 〜Ｒ６ 感度調整抵抗体 Ｃｘ 感度調整コンデンサ L Detection coil C Capacitor S Oscillation circuit R1 ~ R6 Sensitivity adjustment resistor Cx Sensitivity adjustment capacitor
Claims (1)
た検出部を発振回路に有する近接スイツチにおいて、上
記発振回路の一部を構成する感度調整抵抗体の所要部に
コンデンサを並列接続し、高周波領域で上記抵抗体の所
要部をコンデンサにより短絡させ、発振回路の発振にも
とづく帰還電流を増大させて周波数特性を補償するよう
に構成したことを特徴とする近接スイツチ。Claim 1: A proximity switch whose oscillation circuit includes a detection unit in which a capacitor is connected in parallel to a detection coil, in which a capacitor is connected in parallel to a desired part of a sensitivity adjustment resistor that constitutes a part of the oscillation circuit, and the A proximity switch characterized in that a required portion of the resistor is short-circuited by a capacitor to increase a feedback current based on oscillation of an oscillation circuit to compensate for frequency characteristics.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14083691A JPH04337922A (en) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | Adjacent switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14083691A JPH04337922A (en) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | Adjacent switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337922A true JPH04337922A (en) | 1992-11-25 |
Family
ID=15277847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14083691A Pending JPH04337922A (en) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | Adjacent switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337922A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008003005A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Omron Corp | Radio wave sensor |
| JP2008003003A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Omron Corp | Radio wave detection circuit and game machine |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP14083691A patent/JPH04337922A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008003005A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Omron Corp | Radio wave sensor |
| JP2008003003A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Omron Corp | Radio wave detection circuit and game machine |
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