JPH04335149A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH04335149A JPH04335149A JP13567891A JP13567891A JPH04335149A JP H04335149 A JPH04335149 A JP H04335149A JP 13567891 A JP13567891 A JP 13567891A JP 13567891 A JP13567891 A JP 13567891A JP H04335149 A JPH04335149 A JP H04335149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas sensor
- metal oxide
- gas
- oxide semiconductor
- anatase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N Cs2O Inorganic materials [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- AKUNKIJLSDQFLS-UHFFFAOYSA-M dicesium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Cs+].[Cs+] AKUNKIJLSDQFLS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＨ２Ｓ（硫化水素ガス）
の検出に優れたガスセンサに関する。
の検出に優れたガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】ガスの吸脱着により抵抗値が変化する金
属酸化物半導体に電極を接続し、抵抗値を測定すること
でガスの有無を検出するようにした半導体ガスセンサが
従来からガス漏れ警報器等として使用されている。
属酸化物半導体に電極を接続し、抵抗値を測定すること
でガスの有無を検出するようにした半導体ガスセンサが
従来からガス漏れ警報器等として使用されている。
【０００３】一方、最近ではトイレやキッチン等の住居
内におけるオートベンチレーション（自動換気）を行な
うためのガスセンサの開発が要望されている。つまり、
トイレやキッチン等の悪臭成分の主なものは、硫化水素
、アンモニア、アミン類及びメルカプタン類であり、快
適な住環境を維持するにはこれらのガス濃度が数ｐｐｂ
〜数ｐｐｍの範囲で検出できるセンサが必要とされる。 しかしながら従来の金属酸化物半導体ガスセンサによる
検出可能濃度は数百ｐｐｍ以上である。
内におけるオートベンチレーション（自動換気）を行な
うためのガスセンサの開発が要望されている。つまり、
トイレやキッチン等の悪臭成分の主なものは、硫化水素
、アンモニア、アミン類及びメルカプタン類であり、快
適な住環境を維持するにはこれらのガス濃度が数ｐｐｂ
〜数ｐｐｍの範囲で検出できるセンサが必要とされる。 しかしながら従来の金属酸化物半導体ガスセンサによる
検出可能濃度は数百ｐｐｍ以上である。
【０００４】そこで、特開昭５８−７９１４９号及び特
開昭６３−３１３０４８号には、金属酸化物半導体とし
てのＳｎＯ２に更に別の金属（通常酸化物の形態となっ
ている）を添加して、ガス検出感度を高めるようにした
提案がなされている。
開昭６３−３１３０４８号には、金属酸化物半導体とし
てのＳｎＯ２に更に別の金属（通常酸化物の形態となっ
ている）を添加して、ガス検出感度を高めるようにした
提案がなされている。
【０００５】ここで、特開昭５８−７９１４９号には添
加金属酸化物として、Ｓｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ
３、Ｌｉ２Ｏ及びＣｒ２Ｏ３が、特開昭６３−３１３０
４８号には添加金属酸化物として、ＰｂＯ、ＰｄＯ及び
ＺｎＯがそれぞれ開示されている。
加金属酸化物として、Ｓｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ
３、Ｌｉ２Ｏ及びＣｒ２Ｏ３が、特開昭６３−３１３０
４８号には添加金属酸化物として、ＰｂＯ、ＰｄＯ及び
ＺｎＯがそれぞれ開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図６はＳｎＯ２からな
るガスセンサの応答曲線を示すグラフであり、縦軸はガ
ス感度の逆数を対数目盛で表示している。これより２０
０℃及び３００℃の応答曲線を見ると、ガス感度は比較
的良好であるが雰囲気をＨ２Ｓから空気に切り替えた時
の回復応答性が悪いことが分る。一方センサ温度を４０
０℃まで高めれば回復応答性は良くなるが、図７及び（
表１）にも示すようにＳｎＯ２及びＩｎ２Ｏ３は急激に
ガス感度が低下する。尚、図７中、低温側の素子温度で
ガス感度の表示のないものは素子抵抗が測定限界である
ことを示す。
るガスセンサの応答曲線を示すグラフであり、縦軸はガ
ス感度の逆数を対数目盛で表示している。これより２０
０℃及び３００℃の応答曲線を見ると、ガス感度は比較
的良好であるが雰囲気をＨ２Ｓから空気に切り替えた時
の回復応答性が悪いことが分る。一方センサ温度を４０
０℃まで高めれば回復応答性は良くなるが、図７及び（
表１）にも示すようにＳｎＯ２及びＩｎ２Ｏ３は急激に
ガス感度が低下する。尚、図７中、低温側の素子温度で
ガス感度の表示のないものは素子抵抗が測定限界である
ことを示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、ガスセンサを構成する金属酸化物半導体として
、Ｎｂ２Ｏ５またはアナターゼ型のＴｉＯ２とした。
発明は、ガスセンサを構成する金属酸化物半導体として
、Ｎｂ２Ｏ５またはアナターゼ型のＴｉＯ２とした。
【０００９】
【作用】ガスセンサを構成する金属酸化物半導体として
Ｎｂ２Ｏ５またはアナターゼ型のＴｉＯ２を選定するこ
とで、Ｈ２Ｓに対する応答速度とガス感度に優れたガス
センサが得られる。
Ｎｂ２Ｏ５またはアナターゼ型のＴｉＯ２を選定するこ
とで、Ｈ２Ｓに対する応答速度とガス感度に優れたガス
センサが得られる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１及び図２は本発明に係るガスセ
ンサの一例を示す斜視図である。
説明する。ここで、図１及び図２は本発明に係るガスセ
ンサの一例を示す斜視図である。
【００１１】図１に示すガスセンサ１はアルミナ基板２
に一対の櫛形Ａｕ電極３，３を焼成により形成し、この
Ａｕ電極３，３が接続する金属酸化物半導体４を同じく
焼成によりアルミナ基板２表面に形成している。尚、ア
ルミナ等の基板に金属酸化物半導体を薄膜状に形成せず
、ある程度の厚みの金属酸化物半導体に直接電極を埋設
してもよい。また図２に示すガスセンサ１１は筒状アル
ミナ管１２に一対のＰｔ線１３，１３を巻回し、このＰ
ｔ線１３，１３を包むように金属酸化物半導体１４の層
を形成している。ここで、金属酸化物半導体４は多孔質
焼結体となっている。
に一対の櫛形Ａｕ電極３，３を焼成により形成し、この
Ａｕ電極３，３が接続する金属酸化物半導体４を同じく
焼成によりアルミナ基板２表面に形成している。尚、ア
ルミナ等の基板に金属酸化物半導体を薄膜状に形成せず
、ある程度の厚みの金属酸化物半導体に直接電極を埋設
してもよい。また図２に示すガスセンサ１１は筒状アル
ミナ管１２に一対のＰｔ線１３，１３を巻回し、このＰ
ｔ線１３，１３を包むように金属酸化物半導体１４の層
を形成している。ここで、金属酸化物半導体４は多孔質
焼結体となっている。
【００１２】ここで上記金属酸化物半導体４はＮｂ２Ｏ
５またはアナターゼ型のＴｉＯ２或いは必要に応じてこ
れらに特定の金属酸化物を添加したものとし、その製法
の一例を以下に述べる。尚、Ｎｂ２Ｏ５またはアナター
ゼ型のＴｉＯ２としては市販の高純度のものをそのまま
用い、また添加する金属酸化物は酢酸塩または硫酸塩の
形態のものを用い、添加量は酸化物換算で１〜１０重量
％、本実施例では５重量％とし、含浸法により行った。
５またはアナターゼ型のＴｉＯ２或いは必要に応じてこ
れらに特定の金属酸化物を添加したものとし、その製法
の一例を以下に述べる。尚、Ｎｂ２Ｏ５またはアナター
ゼ型のＴｉＯ２としては市販の高純度のものをそのまま
用い、また添加する金属酸化物は酢酸塩または硫酸塩の
形態のものを用い、添加量は酸化物換算で１〜１０重量
％、本実施例では５重量％とし、含浸法により行った。
【００１３】先ず、各々の塩を純水に所定量溶解させた
後、純水に懸濁した高純度酸化物と混合し、ホットスタ
ーラで加熱攪拌する。次いで蒸発せしめて乾燥固化させ
た後、残った固形分を乾燥器中で乾燥させ、この粉末を
メノウ乳鉢で粉砕した後、６００℃で１時間加熱し、添
加した塩化物または酢酸塩を分解する。この粉末を再び
メノウ乳鉢で粉砕し、この粉末をビヒクルとともに混練
してペースト状にしてアルミナ基板上にプリントし、こ
の後６００℃〜９５０℃で焼成する。
後、純水に懸濁した高純度酸化物と混合し、ホットスタ
ーラで加熱攪拌する。次いで蒸発せしめて乾燥固化させ
た後、残った固形分を乾燥器中で乾燥させ、この粉末を
メノウ乳鉢で粉砕した後、６００℃で１時間加熱し、添
加した塩化物または酢酸塩を分解する。この粉末を再び
メノウ乳鉢で粉砕し、この粉末をビヒクルとともに混練
してペースト状にしてアルミナ基板上にプリントし、こ
の後６００℃〜９５０℃で焼成する。
【００１４】図３乃至図５はそれぞれセンサ温度を４０
０℃とし、Ｈ２Ｓの濃度を５ｐｐｍとした場合のＮｂ２
Ｏ５ガスセンサ、ＢａＯ−ＴｉＯ２（Ａ）ガスセンサ及
びＣａＯ−ＴｉＯ２（Ａ）ガスセンサの応答曲線を示す
グラフである。尚、Ａはアナターゼ型、Ｒはリチル型で
あることを示す。また以下の（表２）は各種金属酸化物
を５重量％添加した場合のガス感度を示すものである。
０℃とし、Ｈ２Ｓの濃度を５ｐｐｍとした場合のＮｂ２
Ｏ５ガスセンサ、ＢａＯ−ＴｉＯ２（Ａ）ガスセンサ及
びＣａＯ−ＴｉＯ２（Ａ）ガスセンサの応答曲線を示す
グラフである。尚、Ａはアナターゼ型、Ｒはリチル型で
あることを示す。また以下の（表２）は各種金属酸化物
を５重量％添加した場合のガス感度を示すものである。
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】図３、図７及び表１からはアナターゼ型
のＴｉＯ２及びＮｂ２Ｏ５単味でガスセンサを構成した
場合に、４００℃以上の高温でＨ２Ｓに対するガス感度
が高く、しかも雰囲気をＨ２Ｓから空気に切り替えた時
の回復が速いことが分る。また図４、図５及び表２から
Ｃｓ２Ｏ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＢａＯ、ＣｕＯ、ＣａＯ、
ＣｅＯ、ＳｒＯ、ＮｉＯ、Ｉｎ２Ｏ３またはＡｇ２Ｏの
うちの少なくとも１種を適宜選択して添加することによ
り、ガス感度及び回復時間が更に向上することが分る。
のＴｉＯ２及びＮｂ２Ｏ５単味でガスセンサを構成した
場合に、４００℃以上の高温でＨ２Ｓに対するガス感度
が高く、しかも雰囲気をＨ２Ｓから空気に切り替えた時
の回復が速いことが分る。また図４、図５及び表２から
Ｃｓ２Ｏ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＢａＯ、ＣｕＯ、ＣａＯ、
ＣｅＯ、ＳｒＯ、ＮｉＯ、Ｉｎ２Ｏ３またはＡｇ２Ｏの
うちの少なくとも１種を適宜選択して添加することによ
り、ガス感度及び回復時間が更に向上することが分る。
【図１】本発明に係るガスセンサの一例を示す斜視図
【
図２】本発明に係るガスセンサの一例を示す斜視図
図２】本発明に係るガスセンサの一例を示す斜視図
【図
３】本発明に係るガスセンサの応答曲線を示すグラフ
３】本発明に係るガスセンサの応答曲線を示すグラフ
【図４】本発明に係るガスセンサの応答曲線を示すグラ
フ
フ
【図５】本発明に係るガスセンサの応答曲線を示すグラ
フ
フ
【図６】従来のガスセンサの応答曲線を示すグラフ
【図
７】各種金属酸化物半導体のＨ２Ｓ感度と温度との関係
を示すグラフ
７】各種金属酸化物半導体のＨ２Ｓ感度と温度との関係
を示すグラフ
１，１１…ガスセンサ、２，１２…アルミナ、３，１３
…電極、４，１４…金属酸化物半導体。
…電極、４，１４…金属酸化物半導体。
Claims (1)
- 【請求項１】 金属酸化物半導体に対するガスの吸脱
着による抵抗値の変化を利用したガスセンサにおいて、
前記金属酸化物半導体はＮｂ２Ｏ５またはアナターゼ型
のＴｉＯ２を用いたことを特徴とするガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13567891A JPH04335149A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13567891A JPH04335149A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335149A true JPH04335149A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=15157373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13567891A Withdrawn JPH04335149A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04335149A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6672137B1 (en) * | 1999-10-27 | 2004-01-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Oxygen sensor and manufacturing method of sensor element |
| CN109107358A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-01 | 国网河北省电力有限公司电力科学研究院 | 一种氧化铈/氧化铜异质结复合氧化物及其制备方法和应用 |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP13567891A patent/JPH04335149A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6672137B1 (en) * | 1999-10-27 | 2004-01-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Oxygen sensor and manufacturing method of sensor element |
| US7254985B2 (en) | 1999-10-27 | 2007-08-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Oxygen sensor and a manufacturing method of the sensor device |
| CN109107358A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-01 | 国网河北省电力有限公司电力科学研究院 | 一种氧化铈/氧化铜异质结复合氧化物及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ishihara et al. | Improved sensitivity of CuO BaTiO3 capacitive-type CO2 sensor by additives | |
| Maekawa et al. | Development of SnO2-based ethanol gas sensor | |
| Shimizu et al. | Improvement of SO2 sensing properties of WO3 by noble metal loading | |
| JPS6054259B2 (ja) | 感湿セラミツク | |
| EP0197629B1 (en) | Alcohol selective gas sensor | |
| EP0114310B1 (en) | Carbon monoxide sensing element and process for manufacturing it | |
| JPH0587760A (ja) | ガスセンサ及びその製造方法 | |
| JP2921032B2 (ja) | アンモニアガスセンサ | |
| KR20190136437A (ko) | 가스 검출용 복합체, 그 제조 방법, 상기 가스 검출용 복합체를 포함하는 가스 센서 및 그 제조 방법 | |
| Ishihara et al. | Capacitive-type gas sensor for the selective detection of carbon dioxide | |
| JPS6349181B2 (ja) | ||
| JPH04335149A (ja) | ガスセンサ | |
| JP2921033B2 (ja) | 硫化水素ガスセンサ | |
| JPS63298149A (ja) | 薄膜型オゾンセンサ | |
| JP3756156B2 (ja) | 二酸化炭素センサ | |
| Ishihara et al. | Improvement of Sensing Characteristics of the Capacitive Type CO2 Sensor, CuO-BaTiO3, by Addition of Metal or Metal Oxide. | |
| KR100276287B1 (ko) | 수소 및 알콜 감지용 반도체식 가스센서 감지재료 | |
| JP2004239832A (ja) | 二酸化炭素センサ | |
| JPS6344703A (ja) | 感湿素子組成物 | |
| JP3527948B2 (ja) | 硫黄酸化物センサー | |
| Kajale et al. | Effect of Surface Modification on SrTiO^ sub 3^ Thick films: Room Temperature H^ sub 2^ S Gas Sensor | |
| JPH0551096B2 (ja) | ||
| JP2005172630A (ja) | 二酸化炭素センサ | |
| JPS5871446A (ja) | 酸素および一酸化炭素用ガスセンサ− | |
| JPS608459B2 (ja) | ガス検知素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |