JPH04332178A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
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- JPH04332178A JPH04332178A JP3100875A JP10087591A JPH04332178A JP H04332178 A JPH04332178 A JP H04332178A JP 3100875 A JP3100875 A JP 3100875A JP 10087591 A JP10087591 A JP 10087591A JP H04332178 A JPH04332178 A JP H04332178A
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- Japan
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- layer
- mesa
- gainas
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- receiving element
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバー通信な
どに用いる受光素子、特にpin‐PD(Photo
Diode)からなる受光素子に関するものである。
どに用いる受光素子、特にpin‐PD(Photo
Diode)からなる受光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来よりこの種の受光素子、特に光電子
集積回路に搭載されるpin‐PDとしては、集積の容
易さ、素子間の絶縁の容易さの点から、主としてメサ形
のpin‐PDが用いられている(例えばエレクトロニ
クス レターズ(ElectronicsLette
rs)Vol.26,No.5,p.305)。
集積回路に搭載されるpin‐PDとしては、集積の容
易さ、素子間の絶縁の容易さの点から、主としてメサ形
のpin‐PDが用いられている(例えばエレクトロニ
クス レターズ(ElectronicsLette
rs)Vol.26,No.5,p.305)。
【0003】これは、例えば半絶縁性のInPのような
半導体基板上にn,i,pの各層を順次形成した後、メ
サ加工を施し、表面を絶縁膜で保護したものである。
半導体基板上にn,i,pの各層を順次形成した後、メ
サ加工を施し、表面を絶縁膜で保護したものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のメサ
形pin‐PDにおいては、空乏層がメサの表面に露出
する、換言すれば絶縁膜と半導体との界面まで達するた
めに、暗電流が大きいという問題があった。
形pin‐PDにおいては、空乏層がメサの表面に露出
する、換言すれば絶縁膜と半導体との界面まで達するた
めに、暗電流が大きいという問題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、メサ形pi
n‐PDからなる受光素子において、p層のメサ径をi
層のメサ径より少なくとも15μm程度小さくしたもの
である。
n‐PDからなる受光素子において、p層のメサ径をi
層のメサ径より少なくとも15μm程度小さくしたもの
である。
【0006】
【作用】従来、p層とi層とのメサ径に差がない場合に
は、p層より伸びる空乏層が、p層においてのみならず
i層においてもメサの表面と絶縁膜との界面まで達して
いたのに対し、この発明においてはi層のメサ径がp層
のメサ径より大きくなっているため、p層より伸びる空
乏層が、i層においてはi層半導体の内部にのみとどま
って存在し、そのメサの表面と絶縁膜との界面までは達
しない。その分、暗電流が低減する。
は、p層より伸びる空乏層が、p層においてのみならず
i層においてもメサの表面と絶縁膜との界面まで達して
いたのに対し、この発明においてはi層のメサ径がp層
のメサ径より大きくなっているため、p層より伸びる空
乏層が、i層においてはi層半導体の内部にのみとどま
って存在し、そのメサの表面と絶縁膜との界面までは達
しない。その分、暗電流が低減する。
【0007】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1および図2
により説明する。
により説明する。
【0008】図1はこの発明の一実施例を示す受光素子
の断面図である。
の断面図である。
【0009】半絶縁性InP基板1の上に、pin‐P
Dとなるn‐InP層2、i‐GaInAs層3、p‐
GaInAs層4の各層を順次形成し、メサ加工を行っ
た後、p‐CVD等の方法によって表面保護膜としての
絶縁膜、ここではSiN膜5を形成し、さらにn‐オー
ミック電極6およびp‐オーミック電極7ならびにパッ
ド配線8を形成してある。また符号9はSiN膜である
。
Dとなるn‐InP層2、i‐GaInAs層3、p‐
GaInAs層4の各層を順次形成し、メサ加工を行っ
た後、p‐CVD等の方法によって表面保護膜としての
絶縁膜、ここではSiN膜5を形成し、さらにn‐オー
ミック電極6およびp‐オーミック電極7ならびにパッ
ド配線8を形成してある。また符号9はSiN膜である
。
【0010】n,i,pの各層は、OMVPE(有機金
属気相成長)法等により形成するが、これらをメサ加工
する際に、p‐GaInAs層4のメサ径がi‐GaI
nAs層3のそれよりも小さくなるようにしてある。こ
のため、p‐GaInAs層4より伸びる空乏層は、i
‐GaInAs層3においてはi‐GaInAs層3の
内部にのみとどまり、そのメサの表面と絶縁膜との界面
までは達しない。そのため暗電流が低減する。
属気相成長)法等により形成するが、これらをメサ加工
する際に、p‐GaInAs層4のメサ径がi‐GaI
nAs層3のそれよりも小さくなるようにしてある。こ
のため、p‐GaInAs層4より伸びる空乏層は、i
‐GaInAs層3においてはi‐GaInAs層3の
内部にのみとどまり、そのメサの表面と絶縁膜との界面
までは達しない。そのため暗電流が低減する。
【0011】図2に、メサ径の差と暗電流との関係を示
す。暗電流を実用的な値である15nA以下に低減する
ためには、p層とi層とのメサ径の差を約15μm以上
とすればよいことがわかる。
す。暗電流を実用的な値である15nA以下に低減する
ためには、p層とi層とのメサ径の差を約15μm以上
とすればよいことがわかる。
【0012】なお、単体のpin‐PDを取り上げたが
、この発明は光電子集積回路にも容易に適用できる。
、この発明は光電子集積回路にも容易に適用できる。
【0013】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、メサ形
pin‐PDからなる受光素子において、p層のメサ径
をi層のメサ径より少なくとも15μm程度小さくした
ことにより、暗電流を著しく低減し、pin‐PDの特
性を向上させることができる。また、例えばこのpin
‐PDを集積化した光電子集積回路においては、暗電流
の低減により受信感度が向上するという効果が得られる
。
pin‐PDからなる受光素子において、p層のメサ径
をi層のメサ径より少なくとも15μm程度小さくした
ことにより、暗電流を著しく低減し、pin‐PDの特
性を向上させることができる。また、例えばこのpin
‐PDを集積化した光電子集積回路においては、暗電流
の低減により受信感度が向上するという効果が得られる
。
【図1】この発明の一実施例を示す受光素子の断面図で
ある。
ある。
【図2】メサ径の差と暗電流との関係を示す図である。
1…InP基板、2…n‐InP層、3…i‐GaIn
As層、4…p‐GaInAs層、5…SiN膜。
As層、4…p‐GaInAs層、5…SiN膜。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上にn層、i層およびp層
を順次形成しメサ加工を施した後、表面を保護膜で覆っ
た受光素子において、p層のメサ径をi層のメサ径より
少なくとも15μm程度小さくしたことを特徴とする受
光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3100875A JPH04332178A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3100875A JPH04332178A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 受光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04332178A true JPH04332178A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14285498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3100875A Pending JPH04332178A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04332178A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR100450258B1 (ko) * | 1998-12-26 | 2004-12-30 | 국방과학연구소 | 핀 다이오드의 구조 및 그 제조방법 |
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CN109478586A (zh) * | 2016-07-05 | 2019-03-15 | Lg 伊诺特有限公司 | 半导体元件 |
JP2022164531A (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-27 | 聯亜光電工業股▲ふん▼有限公司 | 非拡散型フォトダイオード |
-
1991
- 1991-05-02 JP JP3100875A patent/JPH04332178A/ja active Pending
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