JPH04331925A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH04331925A JPH04331925A JP3130270A JP13027091A JPH04331925A JP H04331925 A JPH04331925 A JP H04331925A JP 3130270 A JP3130270 A JP 3130270A JP 13027091 A JP13027091 A JP 13027091A JP H04331925 A JPH04331925 A JP H04331925A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
の液晶表示装置に関し、詳細には、液晶表示装置の補助
容量電極構造に関する。
の液晶表示装置に関し、詳細には、液晶表示装置の補助
容量電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９乃至図１１を参照して従来のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を説明する。図９は従来
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の単位画素の断
面図であり、液晶表示装置は第１のガラス基板（５２）
の一主面に、ＩＴＯスパッタにより形成した補助容量電
極（５３）、クロムスパッタにより形成したゲート電極
（６１）、ＩＴＯスパッタにより形成した表示電極（５
６）、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）（６
０）および熱硬化性樹脂により形成した配向膜（７０）
を備え、他の主面に偏光板（７２）を備えるＴＦＴ基板
（５０）と、第２のガラス基板（８２）の一主面に、ク
ロムスパッタにより形成した遮光膜（８３）、ＩＴＯス
パッタにより形成した対向電極（８４）および配向膜（
８５）を備え、他の主面に偏光板（８６）を備える対向
基板（８０）と、これらＴＦＴ基板（５０）と対向基板
（８０）の間隙に充填した液晶（８８）から構成される
。この液晶表示装置は表示電極（５６）と対向電極（８
４）間に生成される電界により液晶（８８）の配列が変
化し、液晶（８８）中を透過する光を偏光し、偏光板（
７２）あるいは（８６）の透過を制御する結果、表示が
行われる。
ィブマトリクス型液晶表示装置を説明する。図９は従来
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の単位画素の断
面図であり、液晶表示装置は第１のガラス基板（５２）
の一主面に、ＩＴＯスパッタにより形成した補助容量電
極（５３）、クロムスパッタにより形成したゲート電極
（６１）、ＩＴＯスパッタにより形成した表示電極（５
６）、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）（６
０）および熱硬化性樹脂により形成した配向膜（７０）
を備え、他の主面に偏光板（７２）を備えるＴＦＴ基板
（５０）と、第２のガラス基板（８２）の一主面に、ク
ロムスパッタにより形成した遮光膜（８３）、ＩＴＯス
パッタにより形成した対向電極（８４）および配向膜（
８５）を備え、他の主面に偏光板（８６）を備える対向
基板（８０）と、これらＴＦＴ基板（５０）と対向基板
（８０）の間隙に充填した液晶（８８）から構成される
。この液晶表示装置は表示電極（５６）と対向電極（８
４）間に生成される電界により液晶（８８）の配列が変
化し、液晶（８８）中を透過する光を偏光し、偏光板（
７２）あるいは（８６）の透過を制御する結果、表示が
行われる。
【０００３】ＴＦＴ（６０）はゲート電極（６１）、こ
のゲート電極（６１）上にゲート絶縁膜（６２）を介し
て、アモルファスシリコンをＣＶＤ形成した半導体活性
層（６３）、高濃度にリン（Ｐ）をドープしたアモルフ
ァスシリコンをＣＶＤ形成したコンタクト層（６６）、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、あるいはアルミ
ニウム（Ａｌ）を全面スパッタ形成したドレイン電極（
６７ｄ）、ソース電極（６７ｓ）から構成される。コン
タクト層（６６）は、前記ＴＦＴ（６０）のチャンネル
に対応する領域が除去され、前記半導体活性層（６３）
のエッチング防止等を目的としたパシンベーション層（
６４）が露出している。遮光膜（８３）は半導体活性層
（６３）上方に形成され、半導体活性層（６３）への光
入射を阻止し、表示品質を向上させている。
のゲート電極（６１）上にゲート絶縁膜（６２）を介し
て、アモルファスシリコンをＣＶＤ形成した半導体活性
層（６３）、高濃度にリン（Ｐ）をドープしたアモルフ
ァスシリコンをＣＶＤ形成したコンタクト層（６６）、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、あるいはアルミ
ニウム（Ａｌ）を全面スパッタ形成したドレイン電極（
６７ｄ）、ソース電極（６７ｓ）から構成される。コン
タクト層（６６）は、前記ＴＦＴ（６０）のチャンネル
に対応する領域が除去され、前記半導体活性層（６３）
のエッチング防止等を目的としたパシンベーション層（
６４）が露出している。遮光膜（８３）は半導体活性層
（６３）上方に形成され、半導体活性層（６３）への光
入射を阻止し、表示品質を向上させている。
【０００４】図１０を参照すると、補助容量電極（５３
）はＴＦＴ（６０）のゲート・ソース間の寄生容量を緩
和し、表示データを蓄積して、フリッカ現象および残像
現象を抑制し、良好なコントラストを得るために設けら
れ、補助容量バス（５４）を介して共通電位に接続され
る。この補助容量バス（５４）は断線故障に対する冗長
対策の点および寄生容量あるいは歩留まりを考慮して、
図１１に示すように、一部の補助容量電極（５３）を網
目状に接続し、他を一軸方向でのみ接続するよう形成さ
れる。そこで、それぞれの補助容量電極（５３）の静電
容量が等しくなるよう設計されているため、その平面形
状は異なる。
）はＴＦＴ（６０）のゲート・ソース間の寄生容量を緩
和し、表示データを蓄積して、フリッカ現象および残像
現象を抑制し、良好なコントラストを得るために設けら
れ、補助容量バス（５４）を介して共通電位に接続され
る。この補助容量バス（５４）は断線故障に対する冗長
対策の点および寄生容量あるいは歩留まりを考慮して、
図１１に示すように、一部の補助容量電極（５３）を網
目状に接続し、他を一軸方向でのみ接続するよう形成さ
れる。そこで、それぞれの補助容量電極（５３）の静電
容量が等しくなるよう設計されているため、その平面形
状は異なる。
【０００５】図１１を参照すると、補助容量バス（１０
０）はゲートバス（１０３）と平行に設けられ、およそ
３ケ所で補助容量バス（１００）と直行するバス（１０
１）により周辺部に形成されたバス（１０２）に接続さ
れる。前記バス（１０１）は、例えば縦方向の４８０画
素に対し１０〜２０画素分が設けられる。
０）はゲートバス（１０３）と平行に設けられ、およそ
３ケ所で補助容量バス（１００）と直行するバス（１０
１）により周辺部に形成されたバス（１０２）に接続さ
れる。前記バス（１０１）は、例えば縦方向の４８０画
素に対し１０〜２０画素分が設けられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】平面形状が異なる補助
容量電極（５３）を備える従来の液晶表示装置を液晶プ
ロジェクタの如き強光線を使用する用途に適用する場合
には、平面形状が異なる補助容量電極（５３）が強調さ
れてラインとして現れる欠点を有する。
容量電極（５３）を備える従来の液晶表示装置を液晶プ
ロジェクタの如き強光線を使用する用途に適用する場合
には、平面形状が異なる補助容量電極（５３）が強調さ
れてラインとして現れる欠点を有する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アクティブマ
トリクス型の液晶表示装置において、表示電極内の補助
容量電極形状を実質的に全て同一とし、遮光膜内の補助
容量電極形状を異ならせたことを主要な特徴とする。
トリクス型の液晶表示装置において、表示電極内の補助
容量電極形状を実質的に全て同一とし、遮光膜内の補助
容量電極形状を異ならせたことを主要な特徴とする。
【０００８】
【作用】全ての画素の補助容量電極に、図２に示される
ように、上面から見た場合遮光膜に達する補助容量バス
を連続形成したため、表示電極内の補助容量電極形状が
実質的に全て同一となり、全ての補助容量電極の静電容
量を等しくすることが容易である。また、遮光膜内の補
助容量電極形状のみが異なるため、液晶プロジェクタの
如き用途に適用する場合でもラインが現れることがない
。
ように、上面から見た場合遮光膜に達する補助容量バス
を連続形成したため、表示電極内の補助容量電極形状が
実質的に全て同一となり、全ての補助容量電極の静電容
量を等しくすることが容易である。また、遮光膜内の補
助容量電極形状のみが異なるため、液晶プロジェクタの
如き用途に適用する場合でもラインが現れることがない
。
【０００９】
【実施例】以下、図１乃至図８を参照して本発明の一実
施例を説明する。なお、図２は実施例の要部平面図であ
り、図１は図２のＴＦＴおよび表示電極周辺の断面図で
ある。また、図３乃至図８は同様な断面図であり、実施
例のＴＦＴ基板の製造工程を説明する図である。本発明
によるＴＦＴ基板の断面構造は、断面線によっては従来
例と何等異なるところがないので簡単に説明する。図１
および図２を参照すると、本発明の液晶表示装置は第１
のガラス基板（１２）の一主面に、ＩＴＯスパッタによ
り形成した補助容量電極（１３）、クロムスパッタによ
り形成したゲート電極（２１）、ＩＴＯスパッタにより
形成した表示電極（１６）、ＴＦＴ（２０）および熱硬
化性樹脂により形成した配向膜（３０）を備え、他の主
面に偏光板（３２）を備えるＴＦＴ基板（１０）と、第
２のガラス基板（４２）の一主面に、クロムスパッタに
より形成した遮光膜（４３）、ＩＴＯスパッタにより形
成した対向電極（４４）および配向膜（４５）を備え、
他の主面に偏光板（４６）を備える対向基板（４０）と
、これらＴＦＴ基板（１０）と対向基板（４０）の間隙
に充填した液晶（４８）から構成される。
施例を説明する。なお、図２は実施例の要部平面図であ
り、図１は図２のＴＦＴおよび表示電極周辺の断面図で
ある。また、図３乃至図８は同様な断面図であり、実施
例のＴＦＴ基板の製造工程を説明する図である。本発明
によるＴＦＴ基板の断面構造は、断面線によっては従来
例と何等異なるところがないので簡単に説明する。図１
および図２を参照すると、本発明の液晶表示装置は第１
のガラス基板（１２）の一主面に、ＩＴＯスパッタによ
り形成した補助容量電極（１３）、クロムスパッタによ
り形成したゲート電極（２１）、ＩＴＯスパッタにより
形成した表示電極（１６）、ＴＦＴ（２０）および熱硬
化性樹脂により形成した配向膜（３０）を備え、他の主
面に偏光板（３２）を備えるＴＦＴ基板（１０）と、第
２のガラス基板（４２）の一主面に、クロムスパッタに
より形成した遮光膜（４３）、ＩＴＯスパッタにより形
成した対向電極（４４）および配向膜（４５）を備え、
他の主面に偏光板（４６）を備える対向基板（４０）と
、これらＴＦＴ基板（１０）と対向基板（４０）の間隙
に充填した液晶（４８）から構成される。
【００１０】補助容量電極（１３）は断線対策のため、
補助容量バス（１５）により隣接する全ての補助容量電
極と相互接続される。一方、補助容量電極（１４）はゲ
ートバス（２２）に平行な方向でのみ他の補助容量電極
と接続され、この補助容量電極（１４）の遮光膜（４３
）に達する補助容量バス（１５）は遮光膜（４３）内で
分断される。このため、全ての補助容量電極を網目状に
相互接続する場合に比較して、ゲートバス（２２）との
交差部に生じる寄生容量が低下する。また、遮光膜（４
３）内での補助容量バス（１５）の分断による補助容量
電極（１４）の容量変化が僅かであるため表示電極（１
６）内での補助容量電極（１３）と補助容量電極（１４
）の平面形状を同一にすることができる。そして、図１
１に示した従来例と同様な構成を達成している。
補助容量バス（１５）により隣接する全ての補助容量電
極と相互接続される。一方、補助容量電極（１４）はゲ
ートバス（２２）に平行な方向でのみ他の補助容量電極
と接続され、この補助容量電極（１４）の遮光膜（４３
）に達する補助容量バス（１５）は遮光膜（４３）内で
分断される。このため、全ての補助容量電極を網目状に
相互接続する場合に比較して、ゲートバス（２２）との
交差部に生じる寄生容量が低下する。また、遮光膜（４
３）内での補助容量バス（１５）の分断による補助容量
電極（１４）の容量変化が僅かであるため表示電極（１
６）内での補助容量電極（１３）と補助容量電極（１４
）の平面形状を同一にすることができる。そして、図１
１に示した従来例と同様な構成を達成している。
【００１１】次に、上記したＴＦＴ基板（１０）の製造
工程例を説明する。なお、使用する数値は典型例のもの
である。図３を参照すると、ガラス基板（１２）の一面
全面にＩＴＯをスパッタし、その後ホトエッチングして
図２の補助容量電極（１３）（１４）および補助容量バ
ス（１５）が形成される。
工程例を説明する。なお、使用する数値は典型例のもの
である。図３を参照すると、ガラス基板（１２）の一面
全面にＩＴＯをスパッタし、その後ホトエッチングして
図２の補助容量電極（１３）（１４）および補助容量バ
ス（１５）が形成される。
【００１２】図４を参照すると、減圧ＣＶＤ法により、
例えばＳｉＯ２膜（１７）を全面に形成し、更に表示電
極（１６）の材料としてＩＴＯを全面にスパッタし、図
２に示すように、表示電極（１６）が形成される。
例えばＳｉＯ２膜（１７）を全面に形成し、更に表示電
極（１６）の材料としてＩＴＯを全面にスパッタし、図
２に示すように、表示電極（１６）が形成される。
【００１３】図５を参照すると、減圧ＣＶＤ法により、
例えばＳｉＯ２膜（１８）を全面に形成し、更に全面に
クロムスパッタした後、これをホトエッチングして図２
に示す平面形状のゲート電極（２１）が形成される。な
お、このホトエッチング工程では、ゲートバス（２２）
がゲート電極（２１）に連続形成され、液晶表示装置端
部の接地パッド（図示されていない）に接続される。
例えばＳｉＯ２膜（１８）を全面に形成し、更に全面に
クロムスパッタした後、これをホトエッチングして図２
に示す平面形状のゲート電極（２１）が形成される。な
お、このホトエッチング工程では、ゲートバス（２２）
がゲート電極（２１）に連続形成され、液晶表示装置端
部の接地パッド（図示されていない）に接続される。
【００１４】図６を参照すると、次に、例えば減圧ＣＶ
Ｄ法により、４０００Å厚のＳｉＮｘあるいはＳｉＯ２
、１０００Å厚のアモルファスシリコン層、１０００Å
厚のＳｉＮｘが順次全面形成される。そして、最上層の
ＳｉＮｘをホトエッチングしてパシベーション層（２５
）が形成される。なお、４０００Å厚のＳｉＮｘあるい
はＳｉＯ２はゲート絶縁膜（２３）を構成し、アモルフ
ァスシリコン層は後の工程で所定のパターンにホトエッ
チングされて半導体活性層となる。
Ｄ法により、４０００Å厚のＳｉＮｘあるいはＳｉＯ２
、１０００Å厚のアモルファスシリコン層、１０００Å
厚のＳｉＮｘが順次全面形成される。そして、最上層の
ＳｉＮｘをホトエッチングしてパシベーション層（２５
）が形成される。なお、４０００Å厚のＳｉＮｘあるい
はＳｉＯ２はゲート絶縁膜（２３）を構成し、アモルフ
ァスシリコン層は後の工程で所定のパターンにホトエッ
チングされて半導体活性層となる。
【００１５】図７を参照すると、ＣＶＤ法により、高濃
度にリン（Ｐ）をドープした５００Å厚のアモルファス
シリコン層を全面形成し、これと先のアモルファスシリ
コン層を同時にホトエッチングして、それぞれ半導体活
性層（２４）、コンタクト層（２６）が形成される。
度にリン（Ｐ）をドープした５００Å厚のアモルファス
シリコン層を全面形成し、これと先のアモルファスシリ
コン層を同時にホトエッチングして、それぞれ半導体活
性層（２４）、コンタクト層（２６）が形成される。
【００１６】図８を参照すると、表示電極（１６）の所
定の領域上のＳｉＯ２膜（１８）、ゲート絶縁膜（２３
）を開口し、コンタクト孔を形成した後７０００Å厚の
モリブデン（Ｍｏ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を全
面スパッタ形成し、ホトエッチングしてドレイン電極（
２７ｄ）、ソース電極（２７ｓ）が形成される。このホ
トエッチング工程では、図２に示されるように、ドレイ
ンバス（２９）もドレイン電極（２７ｄ）に連続形成さ
れる。この後、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂をラビ
ング処理して配向膜（３０）を形成し、ガラス基板（１
２）の他の主面に偏光板（３２）を形成して図１に示す
ＴＦＴ基板（１０）が完成する。
定の領域上のＳｉＯ２膜（１８）、ゲート絶縁膜（２３
）を開口し、コンタクト孔を形成した後７０００Å厚の
モリブデン（Ｍｏ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を全
面スパッタ形成し、ホトエッチングしてドレイン電極（
２７ｄ）、ソース電極（２７ｓ）が形成される。このホ
トエッチング工程では、図２に示されるように、ドレイ
ンバス（２９）もドレイン電極（２７ｄ）に連続形成さ
れる。この後、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂をラビ
ング処理して配向膜（３０）を形成し、ガラス基板（１
２）の他の主面に偏光板（３２）を形成して図１に示す
ＴＦＴ基板（１０）が完成する。
【００１７】以上本発明を実施例に基づいて説明したが
、本発明は実施例に限定されるものではなく、例えば遮
光膜（４３）はＴＦＴ基板（１０）に形成するような変
更が可能である。また、補助容量バス（１５）の引き出
し方向も実施例に限定されるものではない。
、本発明は実施例に限定されるものではなく、例えば遮
光膜（４３）はＴＦＴ基板（１０）に形成するような変
更が可能である。また、補助容量バス（１５）の引き出
し方向も実施例に限定されるものではない。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明の液晶表示装置
は補助容量バスを必要に応じて遮光膜内のみで分断する
構成であるため、分断による静電容量変化が僅かであり
、表示電極内の全ての補助容量電極形状を同一とするこ
とができる。この結果、均質な画像が得られるばかりか
、パターン設計が容易となる利点を有する。さらに、ゲ
ートバスに許容される負荷に応じて補助容量バスの構造
を変更することができる。
は補助容量バスを必要に応じて遮光膜内のみで分断する
構成であるため、分断による静電容量変化が僅かであり
、表示電極内の全ての補助容量電極形状を同一とするこ
とができる。この結果、均質な画像が得られるばかりか
、パターン設計が容易となる利点を有する。さらに、ゲ
ートバスに許容される負荷に応じて補助容量バスの構造
を変更することができる。
【００１９】
【図１】本発明の一実施例の要部断面図。
【図２】本発明の一実施例の要部平面図。
【図３】本発明の製造工程を説明する要部断面図。
【図４】本発明の製造工程を説明する要部断面図。
【図５】本発明の製造工程を説明する要部断面図。
【図６】本発明の製造工程を説明する要部断面図。
【図７】本発明の製造工程を説明する要部断面図。
【図８】本発明の製造工程を説明する要部断面図。
【図９】従来例の要部断面図。
【図１０】従来例の要部平面図。
【図１１】補助容量バスの配列を説明するための回路図
。
。
１０ ＴＦＴ基板
１３ 補助容量電極
１６ 表示電極
２０ ＴＦＴ
３０ 配向膜
３２ 偏光板
４０ 対向基板
４４ 対向電極
４５ 配向膜
４６ 偏光板
４８ 液晶
Claims (4)
- 【請求項１】 複数のドレインバスとゲートバスの各
交点に薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタにより
駆動される表示電極、この表示電極と静電容量を形成す
る補助容量電極を形成したＴＦＴ基板と対向基板との間
隙に液晶を充填した液晶表示装置であって、前記表示電
極内の補助容量電極形状を実質的に全て同一とし、遮光
膜内の補助容量電極形状を異ならせたことを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項２】 隣接する全ての補助容量電極と接続さ
れる補助容量電極と、一軸方向の隣接する補助容量電極
とのみ接続される補助容量電極とを備える請求項１の液
晶表示装置。 - 【請求項３】 ゲートバスに平行な方向の補助容量電
極とのみ接続される補助容量電極を備える請求項２の液
晶表示装置。 - 【請求項４】 拡大投影に使用される請求項１の液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130270A JPH04331925A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130270A JPH04331925A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04331925A true JPH04331925A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=15030283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3130270A Pending JPH04331925A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04331925A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001281690A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその修復方法 |
| JP2005084216A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| US6885027B2 (en) | 1994-06-02 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP3130270A patent/JPH04331925A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6885027B2 (en) | 1994-06-02 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
| US7148506B2 (en) | 1994-06-02 | 2006-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
| US7459724B2 (en) | 1994-06-02 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
| JP2001281690A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその修復方法 |
| JP2005084216A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
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