JPH04330877A - Smear suppression type solid-state image pickup device - Google Patents
Smear suppression type solid-state image pickup deviceInfo
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- 230000001629 suppression Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 28
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000009709 capacitor discharge sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、スミア抑圧型固体撮像
装置、特に垂直転送レジスタによりスミア成分を含む信
号成分とスミア成分とを分離して垂直転送するようにし
、水平転送レジスタとして信号電荷を水平転送する信号
電荷転送用水平転送レジスタのほかにスミア電荷転送用
水平転送レジスタを有し、上記信号電荷転送用水平転送
レジスタから出力されたスミア成分を含む信号成分から
上記スミア電荷転送用水平転送レジスタから出力された
スミア成分を減算して信号成分を得るようにしたスミア
抑圧型固体撮像装置に関する。[Industrial Application Field] The present invention provides a smear suppression type solid-state imaging device, in particular, a vertical transfer register in which a signal component including a smear component and a smear component are separated and vertically transferred, and a horizontal transfer register is used to transfer signal charges. In addition to the horizontal transfer register for signal charge transfer to be horizontally transferred, there is a horizontal transfer register for smear charge transfer, and the horizontal transfer for smear charge transfer is performed from the signal component including the smear component output from the horizontal transfer register for signal charge transfer. The present invention relates to a smear suppressing solid-state imaging device that obtains a signal component by subtracting a smear component output from a register.
【０００２】0002
【従来の技術】固体撮像装置において要求される性能の
一つとしてスミアが小さいことが挙げられる。そして、
スミアを小さくするものとしてスミア成分のみを空転送
して信号とは別に取り出し、そのスミア成分を含んだ信
号成分からスミア成分を差し引くスミア抑圧型の固定撮
像素子がある。このようなスミア抑圧型固体撮像装置は
、垂直転送レジスタとして各ビットを転送方向に２分割
し、その片方に信号成分とスミア成分が、即ちスミア成
分を含んだ信号成分が入り、他方にスミアが入るように
したものを用い、この垂直転送レジスタによりスミア成
分を含む信号成分とスミア成分とを分離して垂直転送す
るようにし、更に水平転送レジスタとして信号電荷を水
平転送する信号電荷転送用水平転送レジスタのほかにス
ミア電荷転送用水平転送レジスタを設け、上記信号電荷
転送用水平転送レジスタから出力されたスミア成分を含
む信号成分から上記スミア電荷転送用水平転送レジスタ
から出力されたスミア成分を減算して信号成分を得るよ
うになっている（特開昭６３−１１７５７７号公報、特
願平１−１６３７５８）。2. Description of the Related Art One of the performance requirements for solid-state imaging devices is low smear. and,
In order to reduce smear, there is a smear suppression type fixed image sensor that transfers only the smear component, extracts it separately from the signal, and subtracts the smear component from the signal component that includes the smear component. Such a smear suppression type solid-state imaging device uses a vertical transfer register to divide each bit into two in the transfer direction, one of which contains a signal component and a smear component, that is, a signal component containing a smear component, and the other contains a signal component containing a smear component. This vertical transfer register separates the signal component including the smear component from the smear component and vertically transfers it, and furthermore, it is used as a horizontal transfer register to transfer the signal charge horizontally. In addition to the register, a horizontal transfer register for smear charge transfer is provided, and the smear component output from the horizontal transfer register for smear charge transfer is subtracted from the signal component including the smear component output from the horizontal transfer register for signal charge transfer. (Japanese Unexamined Patent Publication No. 117577/1983, Japanese Patent Application No. 163758/1999).
【０００３】このようなスミア抑圧型固体撮像装置によ
れば、信号電荷転送用水平転送レジスタから出力された
スミア成分を含む信号成分からスミア電荷転送用水平転
送レジスタから出力されたスミア成分を減算するので、
スミア成分のない、あるいはスミア成分のきわめて少な
い信号を得ることができる。その点で優れているといえ
る。According to such a smear suppression type solid-state imaging device, the smear component output from the horizontal transfer register for smear charge transfer is subtracted from the signal component including the smear component output from the horizontal transfer register for signal charge transfer. So,
A signal with no smear component or with very little smear component can be obtained. It can be said that it is excellent in that respect.
【０００４】しかしながら、このような従来のスミア抑
圧型固体撮像装置には、被写体に高輝度過ぎる部分があ
るとスミア成分の減算量が過剰になり過ぎるという問題
があった。その問題点について詳しく説明すると次の通
りである。被写体に高輝度の部分があり、それによって
垂直転送レジスタの最大取り扱い電荷量を越える電荷が
受光素子において発生する場合がある。このような場合
、多量の電荷が同時に垂直転送レジスタに転送されると
、垂直転送レジスタが飽和し、過剰の電荷は転送方向に
おける前後の、特に後の垂直転送レジスタに溢れスミア
成分と混ざることになる。殊に、スミア抑圧型固体撮像
装置においては垂直転送レジスタが各ビットともに転送
方向に２分割されているので、最大取り扱い電荷量が２
分の１になっている。従って、飽和し易くなるので過剰
電荷がスミア成分の入る部分に溢れる、即ち、オーバー
フローするということは起き易いのである。However, such conventional smear suppression type solid-state imaging devices have a problem in that if there is a part of the subject that is too bright, the amount of subtraction of the smear component becomes excessive. A detailed explanation of the problem is as follows. If there is a high-luminance part in the object, a charge exceeding the maximum charge amount that can be handled by the vertical transfer register may be generated in the light receiving element. In such a case, if a large amount of charge is transferred to the vertical transfer register at the same time, the vertical transfer register will become saturated, and the excess charge will overflow to the previous and subsequent vertical transfer registers in the transfer direction, especially the later vertical transfer register, and mix with the smear component. Become. In particular, in smear suppression type solid-state imaging devices, the vertical transfer register is divided into two in the transfer direction for each bit, so the maximum amount of charge handled is 2.
It has become 1/1. Therefore, saturation tends to occur, and excess charge overflows into the area where the smear component is present, that is, overflow is likely to occur.
【０００５】ところで、上述した従来の固体撮像装置で
は、このような場合にも上述したスミア成分を除去する
作用をするが、これが問題なのである。というのは、こ
のような場合、スミア電荷転送用水平転送レジスタによ
ってスミア成分だけでなく上述したように過剰になって
溢れ流れ込んだ過剰電荷、即ちオーバーフロー成分まで
が水平転送されるのに対して、信号電荷転送用水平転送
レジスタによって水平転送されるのは垂直転送レジスタ
の最大取り扱い電荷量分だけである。そのため、信号電
荷転送用水平転送レジスタの出力からスミア電荷転送用
水平転送レジスタの出力を減算すると、スミア成分以上
の値を減算してしまうことになり、スミア抑圧過剰とな
ってしまうのである。By the way, the above-described conventional solid-state imaging device works to remove the above-mentioned smear component even in such a case, but this is a problem. This is because, in such a case, not only the smear component but also the overflow component, which is the excess charge that has overflowed as described above, is horizontally transferred by the horizontal transfer register for smear charge transfer. Only the maximum charge amount handled by the vertical transfer register is horizontally transferred by the signal charge transfer horizontal transfer register. Therefore, when the output of the horizontal transfer register for smear charge transfer is subtracted from the output of the horizontal transfer register for signal charge transfer, a value greater than the smear component is subtracted, resulting in excessive smear suppression.
【０００６】従って、高輝度でオーバーフローした場合
、飽和分よりもオーバーフロー成分の分低い信号が出力
され、場合によっては飽和していない画素からの信号よ
りもレベルの低い信号が出力されてしまうことになる。
そして、明るい程暗くなる度合が大きくなる。そのため
、本来最も明るいところがそれよりも暗いところよりも
暗くなるという現象が生じる。カラー固体撮像装置の場
合には色ずれが生じることになる。これは画質を著しく
低下させる要因となるので無視できない問題となる。[0006] Therefore, in the case of overflow at high brightness, a signal is output that is lower by the overflow component than the saturated component, and in some cases, a signal with a lower level than the signal from the unsaturated pixel is output. Become. The brighter the light, the greater the degree of darkness. Therefore, a phenomenon occurs in which the originally brightest area becomes darker than the darker area. In the case of a color solid-state imaging device, color shift occurs. This is a problem that cannot be ignored because it causes a significant deterioration in image quality.
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、スミア抑圧型型固体撮像装置の高輝
度部分に対してのスミア成分の過剰抑圧を防止すること
を目的とする。The present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to prevent excessive suppression of smear components in high-brightness areas of a smear suppression type solid-state imaging device. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明固体撮像装置は、
信号電荷転送用水平転送レジスタの出力信号が所定の基
準値を越えた場合には、その出力信号を、それからスミ
ア電荷転送用水平転送レジスタの出力信号を減算するこ
となく、そのまま出力するようにしたことを特徴とする
。[Means for Solving the Problems] The solid-state imaging device of the present invention includes:
When the output signal of the horizontal transfer register for signal charge transfer exceeds a predetermined reference value, that output signal is output as is without subtracting the output signal of the horizontal transfer register for smear charge transfer. It is characterized by
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明固体撮像装置を図示実施例に従
って詳細に説明する。図１は本発明固体撮像装置の一つ
の実施例を示す回路ブロック図である。図面において、
１は垂直転送レジスタで、その各ビットは受光素子２で
発生した信号電荷Ｑｓｉｇ からの信号を受ける部分３
と、スミア成分Ｑｓｍｅ を確保する部分４とに転送方
向に二分割されている。しかして、該垂直転送レジスタ
１は信号電荷Ｑｓｉｇ とスミア成分Ｑｓｅｍ とを加
えたところのスミア成分を含む信号成分Ｑｓｓ（Ｑｓｓ
＝Ｑｓｉｇ ＋Ｑｓｍｅ ）と、スミア成分Ｑｓｍとを
分離しながら水平転送レジスタの方へ垂直方向に転送す
るのである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The solid-state imaging device of the present invention will be explained in detail below according to the illustrated embodiments. FIG. 1 is a circuit block diagram showing one embodiment of the solid-state imaging device of the present invention. In the drawing,
1 is a vertical transfer register, each bit of which is a part 3 that receives a signal from the signal charge Qsig generated in the light receiving element 2.
and a portion 4 for securing the smear component Qsme. Therefore, the vertical transfer register 1 has a signal component Qss (Qss
=Qsig +Qsme) and the smear component Qsm are separated and transferred vertically to the horizontal transfer register.
【００１０】５は普通のＣＣＤ型固体撮像装置にはすべ
てある信号電荷転送用水平転送レジスタであり、スミア
成分を含む信号成分Ｑｓｓを転送する。６はスミア電荷
転送用水平転送レジスタで、スミア成分Ｑｓｍｅ のみ
を転送するもので、スミア成分抑圧をするために設けら
れたものであり、普通の固体撮像装置には設けられてい
なかったものである。Reference numeral 5 denotes a horizontal transfer register for signal charge transfer, which is present in all ordinary CCD type solid-state imaging devices, and transfers a signal component Qss including a smear component. 6 is a horizontal transfer register for smear charge transfer, which transfers only the smear component Qsme, and is provided to suppress the smear component, and is not provided in ordinary solid-state imaging devices. .
【００１１】７は上記信号電荷転送用水平転送レジスタ
５の出力信号を受けるＣＤＳ（相関二重サンプリング回
路）、８は上記スミア電荷転送用水平転送レジスタ６の
出力回路を受けるＣＤＳである。９はＣＤＳ７から出力
された信号を非反転入力端子に受け、ＣＤＳ８から出力
された信号を反転入力端子に受ける差動アンプであり、
スミア成分を抑圧した、換言すればスミア成分を含まな
い信号を出力する。即ち、スミア成分を含んだ信号成分
からスミア信号を減算する役割を果す。Reference numeral 7 denotes a CDS (correlated double sampling circuit) that receives the output signal of the horizontal transfer register 5 for signal charge transfer, and 8 a CDS that receives the output circuit of the horizontal transfer register 6 for smear charge transfer. 9 is a differential amplifier that receives the signal output from CDS 7 at its non-inverting input terminal and receives the signal output from CDS 8 at its inverting input terminal;
A signal with suppressed smear components, in other words, a signal containing no smear components is output. That is, it plays the role of subtracting the smear signal from the signal component containing the smear component.
【００１２】１０はアナログスイッチで、一方の入力端
子にＣＤＳ７の出力信号、即ちスミア成分を含む信号成
分を受け、他方の入力端子にＣＤＳ８の出力信号、即ち
スミア成分を受け、比較回路１１の出力信号により制御
される。Reference numeral 10 denotes an analog switch, which receives the output signal of the CDS 7, ie, a signal component including a smear component, at one input terminal, receives the output signal of the CDS 8, ie, the smear component, at the other input terminal, and receives the output signal of the comparison circuit 11. Controlled by a signal.
【００１３】上記比較回路１１は差動アンプからなり、
非反転入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆ を受け、反転入力
端子にＣＤＳ７の出力信号、即ちスミア成分を受け、そ
して、出力によって上記アナログスイッチ１０を切換制
御する。上記基準電圧Ｖｒｅｆ は、例えば垂直転送レ
ジスタ１の最大取り扱い電荷量に相当する値あるいはそ
れに近似した値に設定されている。即ち、垂直転送レジ
スタ１の最大取り扱い電荷量の信号電荷が搬送されてＣ
ＤＳ７から信号が出力されたときの電圧値と略同じ値か
、それに近い値が基準電圧Ｖｒｅｆ として選ばれてい
るのである。The comparison circuit 11 is composed of a differential amplifier,
The reference voltage Vref is received at the non-inverting input terminal, and the output signal of the CDS 7, ie, the smear component, is received at the inverting input terminal, and the analog switch 10 is switched and controlled by the output. The reference voltage Vref is set, for example, to a value corresponding to the maximum amount of charge handled by the vertical transfer register 1 or a value close to it. That is, the signal charge of the maximum amount of charge handled by the vertical transfer register 1 is transferred to C.
A value that is substantially the same as the voltage value when the signal is output from DS7, or a value close to it, is selected as the reference voltage Vref.
【００１４】そして、比較回路１１が反転入力端子に受
けるところのＣＤＳ７の出力信号が基準電圧Ｖｒｅｆ
よりも小さいとき、謂わば通常のときは、比較回路１１
の出力が、アナログスイッチ１０を、差動アンプ９の出
力信号を入力する切換状態にする。逆にＣＤＳ７の出力
信号が基準電圧Ｖｒｅｆ を越えるとき、謂わば高輝度
信号出力時には、比較回路１１の出力が、アナログスイ
ッチ１０を、ＣＤＳ７の出力信号を入力する切換状態に
する。１２はアナログスイッチ１０から出力された信号
を処理する信号処理回路である。The output signal of the CDS 7, which the comparison circuit 11 receives at its inverting input terminal, is the reference voltage Vref.
When it is smaller than , the so-called normal case, the comparator circuit 11
The output puts the analog switch 10 into a switching state for inputting the output signal of the differential amplifier 9. Conversely, when the output signal of the CDS 7 exceeds the reference voltage Vref, so to speak, when outputting a high brightness signal, the output of the comparator circuit 11 puts the analog switch 10 into a switching state for inputting the output signal of the CDS 7. 12 is a signal processing circuit that processes the signal output from the analog switch 10.
【００１５】このようなスミア抑圧型固体撮像装置にお
いては、ＣＤＳ７から出力される信号、即ちスミア成分
を含む信号成分が予め設定した基準電圧Ｖｒｅｆ を越
えない通常時には、差動アンプ９の出力信号がアナログ
スイッチ１０により信号処理回路１２へ出力される。即
ち、スミア成分を含む信号成分からスミア成分を差し引
いた真の信号成分あるいはそれに近い信号が映像信号と
して信号処理回路１２へ出力される。従って、低スミア
化を図ることができるのである。In such a smear suppression type solid-state imaging device, under normal conditions when the signal output from the CDS 7, that is, the signal component including the smear component does not exceed a preset reference voltage Vref, the output signal of the differential amplifier 9 is The analog switch 10 outputs the signal to the signal processing circuit 12 . That is, the true signal component obtained by subtracting the smear component from the signal component including the smear component, or a signal close to it, is output to the signal processing circuit 12 as a video signal. Therefore, it is possible to achieve low smear.
【００１６】そして、ＣＤＳ７から出力された信号、即
ちスミア成分を含む信号成分が予め設定した基準電圧Ｖ
ｒｅｆ を越えたときには、ＣＤＳ７の出力信号がアナ
ログスイッチ１０を通って信号処理回路１２へ送出され
る。
従って、スミア成分を含む信号成分から、スミア成分に
オーバーフロー分を加えたところのスミア成分を大きく
越えた値を減算した値の信号が差動アンプ９からアナロ
グスイッチ１０を通して信号処理回路１２へ送出される
ことを防止することができる。即ち、スミアの過剰抑圧
を防止することができる。[0016]The signal output from the CDS 7, that is, the signal component including the smear component, is at a preset reference voltage V.
When the value exceeds ref, the output signal of the CDS 7 is sent to the signal processing circuit 12 through the analog switch 10. Therefore, a signal with a value obtained by subtracting a value that greatly exceeds the smear component, which is obtained by adding the overflow component to the smear component, is sent from the differential amplifier 9 to the signal processing circuit 12 through the analog switch 10. It is possible to prevent this from happening. That is, excessive suppression of smear can be prevented.
【００１７】図２は本発明スミア抑圧型固体撮像装置の
別の実施例の要部を示す回路ブロック図であり、固体撮
像素子部分の図示は省略した。１３はＣＤＳ７の出力信
号をＯＰＢレベル（黒レベル）がクランプ電圧Ｖｃｌａ
になるようにクランプするクランプ回路、１４はＣＤＳ
８の出力信号をＯＰＢレベルがＶｃｌａ になるように
クランプするクランプ回路である。ＣＤＳ７の出力信号
、即ちスミア成分を含む信号成分はクランプ回路１３を
介して差動アンプ９の非反転入力端子に入力される。FIG. 2 is a circuit block diagram showing the main parts of another embodiment of the smear suppressing solid-state imaging device of the present invention, and the solid-state imaging element portion is not shown. 13 is the output signal of CDS 7 whose OPB level (black level) is the clamp voltage Vcla.
14 is a CDS clamp circuit that clamps it so that
This is a clamp circuit that clamps the output signal of No. 8 so that the OPB level becomes Vcla. The output signal of the CDS 7, that is, the signal component including the smear component, is inputted to the non-inverting input terminal of the differential amplifier 9 via the clamp circuit 13.
【００１８】一方、ＣＤＳ８の出力信号、すなわちスミ
ア成分はクランプ回路１４及びアナログスイッチ１０を
介して差動アンプ９の反転入力端子に入力される。そし
て、差動アンプ９の出力信号、即ち、スミア成分を含む
信号成分からスミア成分を差し引いたところの謂わば真
の信号成分、換言すればスミアを抑圧した信号が信号処
理回路に入力されるようになっている。但し、これは通
常時（高輝度時でないという意味）においてである。On the other hand, the output signal of the CDS 8, that is, the smear component, is inputted to the inverting input terminal of the differential amplifier 9 via the clamp circuit 14 and the analog switch 10. Then, the output signal of the differential amplifier 9, that is, the so-called true signal component obtained by subtracting the smear component from the signal component including the smear component, in other words, the signal with the smear suppressed, is input to the signal processing circuit. It has become. However, this is at normal times (meaning not at high brightness times).
【００１９】差動アンプからなる比較回路１１は図１に
示す実施例の場合と同様に基準電圧Ｖｒｅｆ と、ＣＤ
Ｓ７からのスミア成分を含む信号成分（但し、図１に実
施例と異なり、クランプされている）とを比較する。そ
して、そのスミア成分を含む信号成分が基準電圧Ｖｒｅ
ｆ よりも小さいときは、即ち通常時には、上記アナロ
グスイッチ１０はクランプ回路１４の出力信号を選択し
て差動アンプ９へ送出する状態に切換えられる。A comparator circuit 11 consisting of a differential amplifier compares the reference voltage Vref and CD as in the embodiment shown in FIG.
The signal component including the smear component from S7 (however, unlike the embodiment shown in FIG. 1, is clamped) is compared. Then, the signal component including the smear component becomes the reference voltage Vre.
When it is smaller than f, that is, under normal conditions, the analog switch 10 is switched to a state in which it selects the output signal of the clamp circuit 14 and sends it to the differential amplifier 9.
【００２０】それに対して、スミア成分を含む信号成分
が基準電圧Ｖｒｅｆ よりも大きいときは、即ち高輝度
時には、アナログスイッチ１０は、クランプ回路１４の
クランプ電圧であるオプチカルブラックレベルの電圧を
選択して差動アンプ９へ送出する状態に切換えられる。
従って、このときは、スミア成分を含む信号成分から減
算する信号はスミア成分から強制的に実質的な０に切換
えられ、スミア成分を含む信号成分がそのまま信号処理
回路１２に入力される。On the other hand, when the signal component including the smear component is larger than the reference voltage Vref, that is, when the brightness is high, the analog switch 10 selects the optical black level voltage, which is the clamp voltage of the clamp circuit 14. The state is switched to the state where the signal is sent to the differential amplifier 9. Therefore, at this time, the signal to be subtracted from the signal component including the smear component is forcibly switched from the smear component to substantially 0, and the signal component including the smear component is input to the signal processing circuit 12 as is.
【００２１】このように、本発明スミア抑圧型固体撮像
装置はクランプ回路を備えた固体撮像装置に対しては図
２に示す態様で実施することができる。しかし、図１に
示すスミア抑圧型固体撮像装置の単にＣＤＳ７、８の次
段にクランプ回路を設けるような態様においてでも実施
することができることはいうまでもない。また、スミア
の抑圧をしたりあるいは過剰抑圧を防止したりするスミ
ア抑圧回路は固体撮像素子の内部に設けても良いし、固
体撮像素子の外部に設けても良いことはいうまでもない
。このように、本発明は種々の態様で実施することがで
きる。As described above, the smear suppression type solid-state imaging device of the present invention can be implemented in the form shown in FIG. 2 for a solid-state imaging device equipped with a clamp circuit. However, it goes without saying that the present invention can also be implemented in a mode in which a clamp circuit is simply provided at the next stage of the CDSs 7 and 8 of the smear suppression type solid-state imaging device shown in FIG. Furthermore, it goes without saying that a smear suppression circuit that suppresses smear or prevents excessive suppression may be provided inside the solid-state image sensor, or may be provided outside the solid-state image sensor. Thus, the present invention can be implemented in various ways.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明スミア抑圧型固体撮像装置は、垂
直転送レジスタによりスミア成分を含む信号成分とスミ
ア成分とを分離して垂直転送するようにし、水平転送レ
ジスタとして信号電荷を水平転送する信号電荷転送用水
平転送レジスタのほかにスミア電荷転送用水平転送レジ
スタを設け、上記信号電荷転送用水平転送レジスタから
出力されたスミア成分を含む信号成分から上記スミア電
荷転送用水平転送レジスタから出力されたスミア成分を
減算して信号成分を得るようにしたスミア抑圧型固体撮
像装置において、上記信号電荷転送用水平転送レジスタ
から出力されたスミア成分を含む信号成分が所定基準値
を越えたか否かを判定する判定手段を有し、該判定手段
の判定結果に応じてスミア成分を含む信号成分が上記基
準値を越えないときのみ上記減算により得た信号成分を
出力し、スミア成分を含む信号成分が上記基準値を越え
たときはそのスミア成分を含む信号成分をそのまま出力
するようにしたことを特徴とするものである。従って、
本発明スミア抑圧型固体撮像装置によれば、信号電荷転
送用水平転送レジスタから出力されたスミア成分を含む
信号成分が所定の基準値を越えたか否かを判定手段によ
って判定し、越えたときはスミア成分を含む信号成分か
らスミア電荷転送用水平転送レジスタにより転送された
スミア成分を差し引く動作を停止してスミア成分を含む
信号成分をそのまま出力するので、スミアの過剰抑圧を
防止することができる。Effects of the Invention In the smear suppression type solid-state imaging device of the present invention, a vertical transfer register separates a signal component including a smear component from the smear component for vertical transfer, and a horizontal transfer register separates a signal component containing a smear component and transfers the signal charge horizontally. In addition to the horizontal transfer register for charge transfer, a horizontal transfer register for smear charge transfer is provided, and a signal component including a smear component output from the horizontal transfer register for signal charge transfer is output from the horizontal transfer register for smear charge transfer. In a smear suppressing solid-state imaging device that obtains a signal component by subtracting a smear component, it is determined whether the signal component including the smear component output from the horizontal transfer register for signal charge transfer exceeds a predetermined reference value. and outputs the signal component obtained by the subtraction only when the signal component including the smear component does not exceed the reference value according to the determination result of the determining means, and the signal component including the smear component does not exceed the reference value. This is characterized in that when the reference value is exceeded, the signal component including the smear component is output as is. Therefore,
According to the smear suppression type solid-state imaging device of the present invention, the determining means determines whether the signal component including the smear component output from the horizontal transfer register for signal charge transfer exceeds a predetermined reference value, and when the signal component exceeds the predetermined reference value. Since the operation of subtracting the smear component transferred by the horizontal transfer register for smear charge transfer from the signal component including the smear component is stopped and the signal component including the smear component is output as is, excessive suppression of smear can be prevented.
【図１】本発明固体撮像装置の一つの実施例を示す回路
ブロック図である。FIG. 1 is a circuit block diagram showing one embodiment of the solid-state imaging device of the present invention.
【図２】本発明固体撮像装置の他の実施例の要部を示す
回路ブロック図である。FIG. 2 is a circuit block diagram showing main parts of another embodiment of the solid-state imaging device of the present invention.
１ 垂直転送レジスタ
５ 信号電荷転送用水平転送レジスタ６ スミア電
荷転送用水平転送レジスタ９ 差動アンプ
１０ アナログスイッチ
１１ 判定手段1 Vertical transfer register 5 Horizontal transfer register for signal charge transfer 6 Horizontal transfer register for smear charge transfer 9 Differential amplifier 10 Analog switch 11 Judgment means
Claims (1)
含む信号成分とスミア成分とを分離して垂直転送するよ
うにし、水平転送レジスタとして信号電荷を水平転送す
る信号電荷転送用水平転送レジスタのほかにスミア電荷
転送用水平転送レジスタを設け、上記信号電荷転送用水
平転送レジスタから出力されたスミア成分を含む信号成
分から上記スミア電荷転送用水平転送レジスタから出力
されたスミア成分を減算して信号成分を得るようにした
スミア抑圧型固体撮像装置において、上記信号電荷転送
用水平転送レジスタから出力されたスミア成分を含む信
号成分が所定基準値を越えるか否かを判定する判定手段
を有し、上記判定手段の判定結果に応じてスミア成分を
含む信号成分が上記基準値を越えないときのみ上記減算
により得た信号成分を出力し、スミア成分を含む信号成
分が上記基準値を越えたときはそのスミア成分を含む信
号成分をそのまま出力するようにしてなることを特徴と
するスミア抑圧型固体撮像装置。1. A vertical transfer register separates a signal component including a smear component from a smear component for vertical transfer, and the horizontal transfer register serves as a horizontal transfer register for signal charge transfer that horizontally transfers signal charges. A horizontal transfer register for charge transfer is provided, and a signal component is obtained by subtracting a smear component output from the horizontal transfer register for smear charge transfer from a signal component including a smear component output from the horizontal transfer register for signal charge transfer. The smear suppression type solid-state imaging device according to the present invention includes a determination means for determining whether a signal component including a smear component outputted from the horizontal transfer register for signal charge transfer exceeds a predetermined reference value, the determination means According to the judgment result, the signal component obtained by the above subtraction is output only when the signal component including the smear component does not exceed the above reference value, and when the signal component including the smear component exceeds the above reference value, the smear component is output. What is claimed is: 1. A smear-suppressing solid-state imaging device that outputs signal components containing .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025530A JPH04330877A (en) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | Smear suppression type solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025530A JPH04330877A (en) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | Smear suppression type solid-state image pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330877A true JPH04330877A (en) | 1992-11-18 |
Family
ID=12168592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025530A Pending JPH04330877A (en) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | Smear suppression type solid-state image pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04330877A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6963367B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| WO2006004096A3 (en) * | 2004-07-06 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state imaging device |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3025530A patent/JPH04330877A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6963367B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| WO2006004096A3 (en) * | 2004-07-06 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state imaging device |
| US7667171B2 (en) | 2004-07-06 | 2010-02-23 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
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