JPH04324291A - ランプ作動用回路 - Google Patents

ランプ作動用回路

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JPH04324291A
JPH04324291A JP4018954A JP1895492A JPH04324291A JP H04324291 A JPH04324291 A JP H04324291A JP 4018954 A JP4018954 A JP 4018954A JP 1895492 A JP1895492 A JP 1895492A JP H04324291 A JPH04324291 A JP H04324291A
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lamp
voltage
circuit
amplitude
frequency
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JP4018954A
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Jozef R M Bergervoet
ヨゼフ　レイネルス　マリア　ベルヘルフット
Leonardus U E Konings
レオナルダス　ウルバヌス　エミール　コニングス
Jacob Schlejen
ヤコブ　スレイェン
Bijl Andrianus M J De
アドリアヌス　マルチヌス　ヨハネス　デ　ベイル
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Koninklijke Philips Electronics NV
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電流により低圧
水銀放電ランプを作動させるのに好適な回路であって、
供給電圧から高周波電流を発生するための高周波電流発
生回路と；高周波電流の振幅を変調周波数ｆでほぼ方形
波状に変調するための変調器；とを具えているランプ作
動用回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】斯種の回路は米国特許第４，２１９，７
６０　号明細書から既知である。ランプの作動中には低
圧水銀放電ランプ（以後単にランプと称する）間にほぼ
方形波の被変調高周波電圧が存在する。ランプ間のほぼ
方形波の被変調高周波電圧の周波数及び位相はほぼ方形
波の被変調高周波電流の周波数及び位相に等しい。ラン
プはほぼ方形波の被変調高周波電圧の各方形波の開始時
に高周波電圧（この電圧はこの場合、再点弧電圧として
作用する）によって再点弧される。この再点弧後に高周
波電圧の振幅は、ランプが導通することによりほぼ一定
のランプ依存電圧値にまで低下し、又高周波電圧は方形
波の持続期間中ランプに高周波電流を流す。ほぼ方形波
の被変調高周波電圧の各サイクルの残りの部分では、ラ
ンプ間に電圧が実質上かからなくなり、又ランプに電流
も殆ど流れなくなる。高周波電圧をほぼ方形波に変調す
る場合のデューティサイクルδを調整することによりラ
ンプは調光される。このような調光法での発光効率は比
較的高く、しかもこの発光効率は光束にほぼ無関係であ
ることが確かめられた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のランプ作動用回
路を用いた場合には、再点弧電圧の振幅が各方形波の開
始時に比較的高い値を呈するため、ランプは迅速に再点
弧される。しかし、再点弧電圧がこのように比較的高い
と、ランプ作動回路の寿命に悪影響を及ぼし、又振幅が
高い瞬時光パルスを起生することにもなる。こうした光
パルスは赤外光も含んでいるため、これらの光パルスは
例えば赤外遠隔制御装置の如き赤外線装置又は音声転送
装置に対する妨害信号の構成要素となる。
【０００４】本発明の目的は、作動させるランプの光束
を広範囲にわたり、しかも高い発光効率で調整すること
ができると共に、ランプが起生する赤外光が他の赤外線
装置に及ぼす影響を大いに低減させるように適切に構成
配置したランプ作動用回路を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は冒頭にて述べた
種類のランプ作動用回路において、当該ランプ作動用回
路にランプ間の再点弧電圧を電圧Ｖｉ　に制限する回路
も設けたことを特徴とする。
【０００６】再点弧電圧を低い値に限定するのに比例し
て、再点弧により発生する光パルスの振幅がかなり低く
なり、光パルスが実質上完全に消え失せることさえある
ことが確かめられた。光パルスの振幅が低下すると、ラ
ンプの周囲にて使用される赤外線装置との干渉も大いに
低減される。
【０００７】高周波電圧をほぼ方形波状に変調した方形
波の持続時間を比較的長くすることによって、再点弧電
圧の振幅を比較的低い値に制限する場合でもランプを再
点弧させるのに必要とされる期間を比較的長くすること
ができる。方形波の持続時間は変調周波数ｆを比較的低
くすることと相俟って所定のデューティサイクルδに対
して比較的長くして、赤外線装置との干渉を制限するた
めに変調周波数を比較的低い値とするのが望ましい。し
かし、変調周波数ｆの実際の下限値は、約１００Ｈｚ以
下の変調周波数で作動させたランプにより放射される光
が人間の目で不愉快に感じられることにより設定される
。さらに、変調周波数を比較的低くし、しかもデューテ
ィサイクルδを比較的小さくする場合には、各変調周期
にて比較的長い時間間隔の間ランプに流れる電流が実際
上０となる。このようにランプに流れる電流が比較的長
い時間間隔にわたり実際上０となり、ランプのプラズマ
内の比較的多数の荷電粒子が再結合することのために、
変調周波数を比較的低くし、且つデューティサイクルδ
を比較的短くする場合にはランプを再点弧させるのが比
較的困難となる。実際上、多くの場合に、デューティサ
イクルδを比較的小さくしても、変調周波数を１００Ｈ
ｚ〜１０ＫＨｚの範囲内の値とする場合には、赤外線装
置との干渉が有効に抑圧されるように再点弧電圧を制限
し得ることを確かめた。
【０００８】実際上、各ランプ温度に対して、再点弧電
圧の好適な制限値を極めて狭い限定範囲内の値とすべき
であり、且つ再点弧電圧の限定値は温度依存性とするの
が好適であることを確かめた。ここに云う再点弧電圧の
好適な限定値とは、ランプを十分迅速に点弧させること
ができ、又これと同時にランプによって起生される赤外
線装置との干渉もごく僅かなる電圧Ｖｉ　を意味するも
のとする。電圧Ｖｉ　が好適値よりも少し高くなると、
赤外線装置との干渉が強力に増大することになり、又電
圧Ｖｉ　が好適値よりも少し低くなると、ランプを再点
弧するのに必要とされる時間が極めて長くなるか、又は
ランプが方形波の持続時間内に再点弧しなくなることさ
えある。
【０００９】再点弧電圧の好適な制限値が温度に依存す
ることからして、この好適な制限値は、ランプの始動後
にランプ温度が定常作動温度にまで上昇する際に連続的
に適合させなければならないことになる。このような問
題は再点弧電圧を制限する電圧Ｖｉ　を時間依存性とす
ることによって解決することができることを確かめた。 例えば、ほぼ方形波状の被変調高周波電圧の各方形波の
開始時に電圧Ｖｉ　の値を徐々に高くすることにより、
ランプは赤外線装置と殆ど干渉を起こすことなく様々な
温度で（及び再点弧電圧の振幅の最大値が種々相違して
）再点弧されることを確かめた。
【００１０】ランプ点弧の結果、ランプ間の高周波電圧
の振幅は各方形波の時間間隔Δｔ１の期間中には、ラン
プが再点弧されて、しかも高周波電圧の振幅がほぼ一定
となる方形波の一部の期間中における高周波電圧の振幅
よりも高くなる。斯かる時間間隔Δｔ１は簡単な方法で
電子的に測定することができ、この時間間隔は再点弧期
間の目安となる。この再点弧期間及び再点弧により生ず
る赤外線装置との干渉は互いに関連があるため、時間間
隔Δｔｌを電圧Ｖｉ　により制御するようにしてランプ
の再点弧をさらに可制御とすることができる。この場合
に時間間隔Δｔ１は、ランプが電圧Ｖｉ　で充分迅速に
再点弧され、且つこれと同時に赤外線装置との干渉の度
合もごく僅かとなるような値に制御する必要がある。時
間間隔Δｔ１を制御する代わりに、例えばほぼ方形波の
被変調高周波電圧の開始時と、ランプが再点弧されて高
周波電圧の振幅がほぼ一定となる方形波の持続期間中の
或る瞬時との間の時間間隔の如きランプの再点弧期間の
目安となる別の時間間隔を制御することができる。
【００１１】赤外線装置との干渉は、ほぼ方形波の被変
調高周波電圧の各方形波の開始時におけるランプ再点弧
の不十分な制御により発生する光パルスにより生ずるだ
けでなく、各方形波の終了時における光束の低下が早過
ぎることによっても生ずる。ランプに流れる高周波電流
の振幅が、周波数ｆに属する１サイクルの十分な部分を
占める時間間隔中にほぼ値０にまで徐々に低下するよう
にすれば、この時間間隔中に光束も徐々にほぼ値０にま
で低下することを確かめた。このように各方形波の終了
時に光束を徐々に低下させるようにすると、赤外線装置
との干渉がさらに抑圧されることになる。この干渉の抑
圧度は、ランプに流れる高周波電流の振幅を徐々にほぼ
値０にまで低減させる時間間隔が長くなるにつれて増大
する。
【００１２】
【実施例】図１におけるＫ１及びＫ２は給電源に接続す
るのが好適な入力端子である。Ｉは給電源からの供給電
圧から高周波電流を発生するための回路を示す。ＩＩは
高周波電流の振幅を変調周波数ｆでほぼ方形波に変調す
るための変調器である。変調器ＩＩには各方形波の終了
時に高周波電流の振幅を、変調周波数ｆに属する１サイ
クルの実質上一部分を占める時間間隔中に、ランプの定
常作動中のほぼ一定値からほぼ値０にまで低減させる回
路ＶＩも設ける。高周波電流発生回路Ｉの出力端子をラ
ンプＩＶに結合させる。回路Ｉの出力端子は、ランプ間
のほぼ方形波の被変調高周波電圧の振幅がランプの定常
作動中のほぼ一定値よりも高い期間の時間間隔Δｔ１を
測定する回路段ＩＩＩ　の入力端子にも接続する。この
回路段ＩＩＩ　の出力端子は、ランプ間の再点弧電圧の
振幅を電圧値Ｖｉ　に制限する回路Ｖの入力端子に接続
する。この振幅制限回路Ｖの出力端子を変調器ＩＩの入
力端子に接続する。変調器ＩＩの他の入力端子は、ラン
プ間のほぼ方形波の被変調高周波電圧のデューティサイ
クルδを調整する回路ＶＩＩＩの出力端子に接続する。
【００１３】図１に示した回路の作動は次の通りである
。入力端子Ｋ１及びＫ２を給電源に接続すると、回路Ｉ
は変調器ＩＩにより変調周波数ｆでほぼ方形波状に変調
された高周波電流を発生する。ランプ間には同じく変調
周波数ｆでほぼ方形波状に変調された高周波電圧が現れ
る。 このほぼ方形波の被変調高周波電圧の振幅は、各方形波
の開始時にランプが再点弧するため、時間間隔Δｔ１　
の期間中にはランプの定常作動中のほぼ一定値よりも高
くなる。ランプの再点弧後には高周波電圧によりランプ
に高周波電流が流れるようになる。時間間隔Δｔ１は回
路段ＩＩＩ　によって測定され、これはランプの再点弧
期間の目安となる。回路Ｖはこの測定結果に応じて電圧
Ｖｉ　を調整し、この電圧Ｖｉ　はΔｔ１が増大する場
合に大きくなり、又電圧Ｖｉ　はΔｔ１が短くなる場合
に低下する。このようにして、ランプはほぼ方形波状の
被変調高周波電圧の各方形波の開始時に十分迅速に再点
弧され、又この再点弧が高振幅の瞬時光パルスを発生し
なくなるため、ランプが起生する赤外線装置との干渉が
殆どなくなる。
【００１４】赤外線装置との干渉は、ランプを流れる高
周波電流の振幅、従って光束を各方形波の終了時に回路
ＶＩにより徐々に低下させることによりさらに低減させ
ることができる。
【００１５】ランプの光束は、回路ＶＩＩＩによりほぼ
方形波の被変調高周波電圧のデューティサイクルδを調
整することにより調整することができる。
【００１６】図２に示す回路の回路段Ａ及びＥは入力端
子１及び２と共に不完全な半ブリッジを形成する。Ｋ１
及びＫ２は給電源に接続するのが好適な入力端子であり
、ＶＩＩ　は供給電圧から直流電圧を発生するための回
路である。前記不完全な半ブリッジは回路ＶＩＩ　と入
力端子Ｋ１及びＫ２と相俟って供給電圧から高周波電流
を発生する回路を形成する。Ｌａはこの回路により作動
させる無電極ランプである。不完全半ブリッジは次のよ
うに作製する。
【００１７】回路段Ａの枝路は、スイッチング素子Ｓ１
及びＳ２と、変圧器Ｌの二次巻線Ｌ３Ａ及びＬ３Ｂと、
ツェナーダイオード４１，４２，４３，４４と、キャパ
シタＤ１及びＤ２とで形成する。負荷枝路ＥはコイルＬ
１と、コイルＬ２、変圧器Ｌの一次巻線Ｌ４、キャパシ
タ１８ａ，１８ｂ及び抵抗３０により形成される負荷回
路とで構成する。
【００１８】スイッチング素子Ｓ１及びＳ２の各々はフ
リーホイールダイオードを具えており、このダイオード
の陽極を関連するスイッチング素子の第１主電極に接続
し、陰極を関連するスイッチング素子の第２主電極に接
続する。
【００１９】コイルＬ２は無電極ランプＬａのランプ容
器の空胴内に位置させる。スイッチング素子Ｓ１の第２
主電極を入力端子１に接続する。二次巻線Ｌ３Ａの一端
をスイッチング素子Ｓ１の制御電極に接続し、二次巻線
Ｌ３Ａの他端をスイッチング素子Ｓ１の第１主電極に接
続する。キャパシタＤ１は二次巻線Ｌ３Ａを分路する。 二次巻線Ｌ３Ａを２個のツェナーダイオード４１と４２
との直列回路によっても分路し、これらのダイオードは
その陽極同士を相互接続する。スイッチング素子Ｓ１の
第１主電極をスイッチング素子Ｓ２の第２主電極に接続
する。二次巻線Ｌ３Ｂの一端をスイッチング素子Ｓ２の
制御電極に接続し、二次巻線Ｌ３Ｂの他端をスイッチン
グ素子Ｓ２の第１主電極に接続する。キャパシタＤ２は
二次巻線Ｌ３Ｂを分路する。二次巻線Ｌ３Ｂを２個のツ
ェナーダイオード４３と４４との直列回路によっても分
路し、これらのダイオードの陽極を相互接続する。スイ
ッチング素子Ｓ２の第１主電極を入力端子２に接続する
。
【００２０】コイルＬ１の一端をスイッチング素子Ｓ１
とＳ２との接続点に接続し、コイルＬ１の他端をキャパ
シタ１８ａとキャパシタ１８ｂの各一端に接続する。キ
ャパシタ１８ｂの他端をコイルＬ２の一端に接続し、こ
のコイルの他端を入力端子２に接続する。キャパシタ１
８ａの他端を一次巻線Ｌ４に接続し、この一次巻線Ｌ４
の他端を入力端子２に接続する。抵抗３０は一次巻線Ｌ
４を分路する。
【００２１】図２に示す回路の作動は次の通りである。 入力端子Ｋ１及びＫ２を給電源に接続すると、入力端子
１と２との間にデューティサイクルがδで、周波数がｆ
のほぼ方形波状の電圧Ｖｉｎが現れる。この電圧Ｖｉｎ
は周波数ｆに属する１サイクルの一部分の期間中はほぼ
０である。各サイクルのこの部分の期間中にはランプＬ
ａ間の電圧もほぼ０である。電圧Ｖｉｎの各サイクルの
残りの部分の期間中には入力端子１の電位が入力端子２
の電位よりも高くなり、不完全半ブリッジのスイッチン
グ素子Ｓ１及びＳ２が高周波νで導通したり、非導通と
なったりする。この結果、周波数Δの高周波電圧がラン
プＬａ間に現れる。このことは、ほぼ方形波の被変調高
周波電圧がランプＬａ間に現れることを意味し、ほぼ方
形波に変調された電圧の位相及び周波数はほぼ方形波の
電圧Ｖｉｎのそれらに相当する。ランプ間の高周波電圧
はほぼ方形波の被変調高周波電圧の各方形波の開始時に
再点弧電圧として作用する。回路Ｖは電圧Ｖｉｎの各方
形波の開始時にこの電圧Ｖｉｎの振幅を制限する。再点
弧電圧の振幅は電圧Ｖｉｎの振幅に依存するため、電圧
Ｖｉｎの振幅を制限すると、再点弧電圧の振幅が電圧Ｖ
ｉ　に制限されることになる。各方形波における再点弧
電圧の振幅が最大値に達した瞬時ｔｍ　の後には電圧Ｖ
ｉｎの振幅がランプの定常作動に属するほぼ一定値にま
で低下する。再点弧電圧の振幅を制限するために、ラン
プＬａは実際上赤外線装置と干渉することなく、ほぼ方
形波状の被変調高周波電圧の各方形波状の開始時に再点
弧する。再点弧後、各方形波の残りの部分の期間中ラン
プには高周波電流が流れる。
【００２２】回路ＶＩは、電圧Ｖｉｎの各方形波の終了
時に、この電圧Ｖｉｎの１サイクルのかなりの部分を占
める時間間隔中に電圧Ｖｉｎの振幅を徐々に値０にまで
低下させる。この結果、ランプ間の高周波電圧の振幅、
従ってランプを流れる高周波電流の振幅もほぼ方形波状
の変調サイクルの実質上一部分を占める時間間隔にわた
って徐々にほぼ０にまで低下する。このように、ほぼ方
形波状の被変調高周波電圧の各方形波の終了時にランプ
を流れる高周波電流を徐々に低下させることにより赤外
線装置との干渉がさらに抑圧されることになる。
【００２３】回路段ＩＩＩ　は、ランプ間の高周波電圧
の振幅がランプの定常作動時におけるほぼ一定の値より
も大きい期間の時間間隔Δｔ１を測定する。この測定結
果に応じて電圧Ｖｉｎの各方形波の開始時に、この電圧
Ｖｉｎの振幅を回路Ｖによって調整する。電圧Ｖｉｎの
振幅制限調整は、ランプ間の再点弧電圧の振幅を制限す
る電圧Ｖｉ　の調整に相当する。時間間隔Δｔ１は回路
段ＩＩＩ　とＶとによってほぼ一定値に制御されるため
、赤外線装置との干渉抑制はランプ温度にほぼ無関係と
なる。
【００２４】供給電圧を交流電圧とする場合には、回路
ＶＩＩ　を例えばダイオードブリッジ及びアップ、ダウ
ン又はフライバックコンバータの如きタイプの１個又は
数個のＤＣ−ＤＣコンバータを組合わせたもので構成す
ることができる。ＤＣ−ＤＣコンバータ内にあるスイッ
チのデューティサイクルを周波数ｆで周期的に変えるこ
とにより、電圧Ｖｉｎを周波数がｆで振幅が制限された
ほぼ方形波状の電圧とすることができる。
【００２５】図３ａはほぼ方形波の被変調高周波電圧の
方形波の期間中に再点弧処理を制御する手段を何等講じ
ていない状態における現状の回路により作動させたラン
プ間の高周波電圧の振幅特性を示す。ほぼ方形波状の被
変調高周波電圧の方形波の開始時にはランプの再点弧の
ために高周波電圧の振幅が時間間隔Δｔ１中比較的高く
なる。再点弧後に高周波電圧の振幅は方形波の残りの部
分の期間中かなり低い値Ｖｂ　となる。高周波電圧の振
幅は各方形波の終わりに極めて迅速にほぼ値０にまで降
下する。
【００２６】赤外放射の放射束及び可視光の光束はいず
れも図３ｂに示すような時間依存特性を呈する。点弧電
圧の振幅が比較的高いために、振幅が比較的高い瞬時光
パルスが発生する。次いで光束はほぼ一定値に安定化す
る。光束は方形波の一部分の期間中斯かるほぼ一定値に
維持される。方形波の終了時に光束は極めて迅速にほぼ
値０にまで降下する。瞬時光パルス及び各方形波の終了
時における光束のほぼ値０までの迅速の降下が赤外線装
置との干渉をまねくことになる。
【００２７】図３ｃは、再点弧電圧の振幅をほぼ一定電
圧Ｖｉ　に制限し、且つ、ランプ間の高周波電圧の振幅
を各方形波の終了時に徐々に低下させる手段も講じた場
合におけるほぼ方形波状の被変調電圧の方形波の期間中
におけるランプ間の高周波電圧の振幅変化を示す図であ
る。再点弧後には高周波電圧の振幅が図３ａに示した場
合と同様に値Ｖｂ　にまで降下する。再点弧電圧の振幅
が低くなるため、再点弧処理を制御するために何等の手
段も講じない場合よりもランプの再点弧に必要とされる
時間は長くなる。これはランプ間の高周波電圧の振幅が
値Ｖｂ　よりも高くなる期間の時間間隔Δｔ１が大きく
なっていることからして明らかである。方形波の終了時
に、ランプ間の高周波電圧の振幅、従ってランプを流れ
る高周波電流の振幅は時間間隔Δｔ２中にランプの定常
作動中の値Ｖｂ　から値０にまで低下し、ここにΔｔ２
は周波数ｆに属する１サイクルの実質上一部分を占める
期間である。
【００２８】図３ｄはランプ間の高周波電圧の振幅が時
間の関数として図３ｃに示すようになる場合における光
束を時間の関数として示した特性図である。これが明ら
かなように瞬時光パルスの振幅は著しく低下し、又方形
波の終わりに値０にまで降下する光束の低下は図３ｂに
示したランプ作動時におけるよりもかなり長時間にわた
って起こる。こうした２つの変化によって、ランプによ
り放射される光による赤外線装置との干渉が著しく低減
することになる。
【００２９】図３ｅは振幅が制限される電圧Ｖｉ　を時
間依存性とする場合のランプ間の高周波電圧の振幅形状
を示したものである。図示の場合に、電圧Ｖｉ　は各方
形波の開始時に徐々に増大する。ランプ間の高周波電圧
の振幅は最大値にまで増大する。この最大値に達した後
にランプ間の高周波電圧の振幅は値Ｖｂ　に低下する。 この高周波電圧の時間関数としての振幅形状は、その振
幅が値Ｖｂ　に達した瞬時からは図３ｃに示した形状と
ほぼ同じ形状となる。時間間隔Δｔ１は、ランプ間の高
周波電圧の振幅が最大値に達する瞬時ｔｍ　よりも多少
早目に電圧Ｖｉ　を高めるようにして制御することがで
きる。従ってΔｔ１は時間にほぼ無関係である。
【００３０】図３ｆはランプ間の高周波電圧の振幅が時
間の関数として図３ｅに示すようになる場合におけるラ
ンプの光束を時間の関数として示した特性図である。こ
れから明らかなように、瞬時光パルスは最早なくなり、
光束はほぼ値０から図２ｂ及び図２ｄにて到達されるレ
ベルと同じほぼ一定レベルにまで徐々に増大する。光束
がほぼ一定のレベルからほぼ値０にまで降下する光束の
低下も図２ｄにおける場合と同様に極めて徐々に起こる
。各方形波の開始時と終了時との双方で光束を徐々に変
化させることにより、ランプにより起生される赤外線装
置との干渉が殆ど起らなくなる。
【００３１】図４は無電極低圧水銀ランプにより放射さ
れる赤外光のパワーをデシベル（ｄＢ）で表わしてｙ軸
に沿ってプロットした周波数スペクトルを示している。 ｙ軸の各セグメントは１０ｄＢのパワー変化に対応する
。ｘ軸にプロットした量は周波数であり、このｘ軸の各
セグメントは１０ＫＨｚの周波数変化に対応する。図示
の座標系の原点はｘ＝０ＫＨｚ、ｙ＝０ｄＢの点である
。使用したランプは定格電力が１００ワットの無電極低
圧水銀放電ランプである。ランプをほぼ方形波状の被変
調高周波電流により作動させた。図４は、無電極低圧水
銀ランプ間の高周波電圧の振幅を変化させる制御をした
り、且つ各方形波の終了時における高周波電流の振幅を
低下させる制御をしたりする手段を講じた場合と、この
ような手段を講じなかった場合にランプが放射した赤外
光パワーの周波数スペクトルを示したものである。高周
波電流の周波数Δは約２．６５ＭＨｚとし、ほぼ方形波
状に変調する変調周波数ｆは約２００Ｈｚとした。ラン
プの再点弧を制御するのに何の手段も講じない場合には
、ランプ間の再点弧電圧は１０００Ｖ以上に増大し、ラ
ンプが放射する赤外光の周波数スペクトルは曲線Ａにて
示すようになった。曲線Ｂは、図３ｅに示すように再点
弧電圧を時間依存電圧Ｖｉ　に制限し、この電圧Ｖｉ　
の振幅がほぼ０ボルトから約２００μ秒で約２２０ボル
トの最大値にまで増大し、且つ各方形波の終了時にラン
プ間の高周波電圧の振幅が約２００μ秒の時間間隔にわ
たって徐々に低下するようにする手段を講じた後の同じ
ランプでの周波数スペクトルの測定結果を示す。これら
２つの曲線Ａ及びＢは３ＫＨｚの帯域幅にて測定した。 曲線Ａに対する曲線Ｂの位置から明らかなように、ラン
プ間の高周波電圧の振幅を制御した場合の赤外光の強度
は、ランプ間の高周波電圧の振幅を制御しない場合にお
けるよりも比較的広い周波数範囲にわたってかなり低く
なった。赤外光で作動する多数の遠隔制御装置は数１０
ＫＨｚの周波数で作動する。図４から明らかなように、
本発明による手段によればランプにより放射される斯か
る周波数範囲内における赤外光を２０ｄＢ以上も抑圧す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるランプ作動用回路の一実施例の構
成を示すブロック図である。
【図２】図１の実施例をさらに詳細に示した回路図であ
る。
【図３】本発明による回路の作動説明用の振幅及び光束
特性図である。
【図４】無電極低圧水銀ランプによって放射される赤外
光パワーの周波数スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
Ｋ１，Ｋ２　　入力端子 Ｉ　　高周波電流発生回路 ＩＩ　　変調器 ＩＩＩ　　　再点弧時間間隔測定回路 ＩＶ　　ランプ Ｖ　　振幅制限回路 ＶＩ　　振幅低減回路 ＶＩＩ　直流電圧発生回路 ＶＩＩＩ　　デューティサイクル調整回路Ｌａ　　無電
極ランプ Ｌ　　変圧器 Ｌ１，　Ｌ２　　コイル Ｌ３Ａ，　Ｌ３Ｂ　　変圧器二次巻線 Ｌ４　　変圧器の一次巻線 Ｓ１，　Ｓ２　　スイッチ １８ａ，　１８ｂ　　キャパシタ ３０　　抵抗 ４１〜４４　　ツェナーダイオード Ｄ１，　Ｄ２　　キャパシタ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　高周波電流により低圧水銀放電ランプ
    を作動させるのに好適な回路であって、供給電圧から高
    周波電流を発生するための高周波電流発生回路と；高周
    波電流の振幅を変調周波数ｆでほぼ方形波状に変調する
    ための変調器；とを具えているランプ作動用回路におい
    て、当該ランプ作動用回路にランプ間の再点弧電圧を電
    圧Ｖｉ　に制限する回路も設けたことを特徴とするラン
    プ作動用回路。
  2. 【請求項２】　　前記変調周波数ｆを１００Ｈｚ乃至１
    ０ＫＨｚの範囲内の周波数とすることを特徴とする請求
    項１に記載のランプ作動用回路。
  3. 【請求項３】　　前記ランプ作動用回路が、前記電圧Ｖ
    ｉ　を時間依存性の電圧とする回路も具えていることを
    特徴とする請求項１又は２に記載のランプ作動用回路。
  4. 【請求項４】　　前記ランプ作動用回路が、前記電圧Ｖ
    ｉ　を低圧水銀放電ランプの再点弧の持続時間に依存す
    る電圧とする回路を具えていることを特徴とする請求項
    １，２又は３項のいずれか一項に記載のランプ作動用回
    路。
  5. 【請求項５】　　前記ランプ作動用回路に、前記高周波
    電流の振幅を前記変調周波数ｆに属する１サイクルの実
    質上一部分を占める時間間隔中にランプの定常作動中の
    振幅値からほぼ値０にまで低減させる回路を設けたこと
    を特徴とする請求項１，２，３又は４項のいずれか一項
    に記載のランプ作動用回路。
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