JPH04321948A - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JPH04321948A
JPH04321948A JP3116636A JP11663691A JPH04321948A JP H04321948 A JPH04321948 A JP H04321948A JP 3116636 A JP3116636 A JP 3116636A JP 11663691 A JP11663691 A JP 11663691A JP H04321948 A JPH04321948 A JP H04321948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent substrate
oxide layer
recording medium
optical
information recording
Prior art date
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Pending
Application number
JP3116636A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsusuke Shimazaki
勝輔 島崎
Yukinori Yamada
幸憲 山田
Hitoshi Kosho
均 古性
Norio Ota
憲雄 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Ltd
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Publication date
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Priority to JP3116636A priority Critical patent/JPH04321948A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光デイスクなど
の光情報記録媒体に係り、特に透明基板と光記録膜との
間に形成される下地層に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光デイスクは、プリグルーブやプリピツ
トなどの信号パターンが形成された透明な基板上に直接
、または下地層を介して光記録膜が形成された構造とな
つている。そして集光されたレーザ光が透明基板を透過
して前記信号パターンに到達し、その信号パターンに対
応した反射光を光学的に読み取るようになつている。
【0003】従来より透明基板と光記録膜との間に、酸
化物ならびに窒化物などの透明薄層を設けて、光学多重
干渉膜、保護膜として機能させる検討が種々行われてい
る。
【0004】また、一方、光学的な透明度、平面の平滑
性、成形性ならびに経済性などの理由から例えばポリカ
ーボネートなどの合成樹脂製の透明基板が一般に使用さ
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記酸化物層
を蒸着法やスパツタリング法で形成すると、化学的に不
安定となり、酸素が遊離しやすく、その遊離した酸素が
光記録膜中に徐々に拡散し、その結果、光記録膜を酸化
して、情報の記録、再生、消去特性が劣化してしまう。
【0006】一方、窒化物層はポリカーボネートなどの
合成樹脂製透明基板に対する密着性が弱いため、光記録
膜の下地層とした場合、長い期間のうちには透明基板と
下地層との間において剥離を生じ、データストレージと
しての機能が低下する。このようなことから、従来の光
情報記録媒体では信頼性に問題があつた。
【0007】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、信頼性の高い光情報記録媒体を提供するに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明は、透明基板と、該透明基板上に形成された光
記録膜とを有し、前記透明基板側から集光したレーザ光
を該光記録膜に照射することにより、情報の記録、再生
、消去を行う光情報記録媒体において、前記透明基板と
光記録膜の間に、例えばSi,Zr,Y,Mg,Ti,
Ta,Ca,Alのグループから選択された少なくとも
1種以上の金属または半金属の酸化物層と、例えばSi
,Zr,Y,Mg,Ti,Ta,Ca,Alのグループ
から選択された少なくとも1種以上の金属または半金属
の窒化物層とを、順次形成したことを特徴とするもので
ある。
【0009】
【作用】合成樹脂製の透明基板(特にポリカーボネート
製の透明基板)に対して酸化物層は密着力が強い。そこ
で透明基板上に直接酸化物層を形成することにより、光
記録膜の剥離を防止することができる。さらにその上に
化学的に安定な窒化物層を配置することにより、前記酸
化物層から光記録膜への酸素、水分などの侵入、拡散を
阻止して光記録膜を保護することができる。このような
ことから、信頼性ならびに耐久性に優れた光情報記録媒
体を提供することができる。
【0010】
【実施例】本発明において前記酸化物層を形成する材料
として、例えばSi,Zr,Y,Mg,Ti,Ta,C
a,Alのグループから選択された少なくとも1種以上
の金属または半金属の酸化物が使用される。この酸化物
層の膜厚は、30〜800Åの範囲に規制されている。 この酸化物層の膜厚が30Å未満であると、膜はその初
期成長過程たる島状状態にあるため、充分な密着力を得
ることができない。また酸化物層の膜厚が800Åを超
えると、膜の粒界サイズが数百Åに至り、信号を再生す
る際のノイズの上昇として影響を現す。このような理由
から、酸化物層の膜厚は前述の範囲に規制する方が望ま
しい。
【0011】また前記窒化物層を形成する材料として、
例えばSi,Zr,Y,Mg,Ti,Ta,Ca,Al
のグループから選択された少なくとも1種以上の金属ま
たは半金属の窒化物が使用される。この窒化物層の膜厚
は、500〜2000Åの範囲に規制されている。この
窒化物層の膜厚が500Å未満であると、透明基板や下
地層から拡散してくる水分や酸素などを効果的に遮蔽す
ることがてきない。また窒化物層の膜厚が2000Åを
超えると、膜の圧縮応力が強くなり、前記酸化物層によ
る接着力の増加および付加的に効力をもたらしている応
力緩和効果もおよばなくなる。またこの領域を外れると
、窒化物層のもう1つの働きである光学多重干渉の機能
も失つてしまう。このような理由から、窒化物層の膜厚
は前述の範囲に規制する方が望ましい。
【0012】次に本発明の実施例を図とともに説明する
。図1は、実施例に係る密着貼り合わせタイプの光デイ
スクの要部拡大断面図である。
【0013】図1において、図中の7はトラツキング用
の案内溝ならびにプリピツトパターンが上面に形成され
た円板状の透明基板、1は透明基板7の上に直接形成さ
れた酸化物層、2はその酸化物層1の上に形成された窒
化物層、3は光磁気記録膜、4は例えばSiNなどの窒
化物からなる保護層、5は反射層である。
【0014】このように透明基板7、酸化物層1、窒化
物層2、光磁気記録膜3、保護層4ならびに反射層5の
積層体からなるデイスク単板が製作される。そしてこの
2枚のデイスク単板を反射層5が互いに内側を向くよう
にして、接着剤層6を介して貼り合わせることによつて
密着貼り合わせタイプの光デイスクが製作される。
【0015】前記透明基板7としては、光学的に透明度
が高く、耐熱性に優れ、しかも成形性が良いなどの理由
からポリカーボネートが使用される。また、ポリカーボ
ネートの他に例えばポリメチルメタクリレート、、エポ
キシ樹脂などのプラスチツクを用いることもできる。
【0016】前記酸化物層1として、例えばSiO2 
,ZrO2 ,Ta2 O5 ,MgO,Y2 O3 
,Al2 O3 ,CaOなどの金属あるいは半金属の
酸化物が使用される。この酸化物層1の膜厚は、前述の
ような理由から30〜800Åの範囲に規制されている
【0017】前記窒化物層2として、例えばAlN,B
N,Si3 N4 ,TaN,TiNなどの金属あるい
は半金属の窒化物が使用される。この窒化物層2の膜厚
は、前述のような理由から500〜2000Åの範囲に
規制されている。
【0018】前記光磁気記録膜3として、例えばGd−
Fe、Tb−Fe、Dy−Fe、Gd−Co、Tb−C
o、Dy−Coなどの2元合金、Ge−Tb−Fe、G
e−Tb−Co、Tb−Dy−Fe、Gd−Fe−Co
、Tb−Fe−Co、Dy−Fe−Coなどの3元合金
、Gd−Tb−Fe−Co、Tb−Dy−Fe−Co、
Gd−Tb−Fe−Geなどの4元合金などが使用され
る。また、メチン鎖を有するインドール系シアニン色素
などからなる有機化合物を使用することもできる。
【0019】前記反射層5としては、例えばAl、Ti
、Crあるいはこれらの合金などが使用される。
【0020】前記接着剤層6としては、例えばアクリル
系樹脂、エポキシ系樹脂あるいはホツトメルト系樹脂な
どが使用される。
【0021】次に本発明の具体例と比較例について説明
する。なお、例示中のPCはポリカーボネート製の透明
基板を、カツコ書きの数字は膜厚を、それぞれ示してい
る。
【0022】(具体例1)
【0023】(具体例2)
【0024】(具体例3)
【0025】(具体例4)
【0026】(具体例5)
【0027】(具体例6)
【0028】(具体例7)
【0029】(具体例8)
【0030】(具体例9)
【0031】(具体例10)
【0032】(比較例1)
【0033】(比較例2)
【0034】
【発明の効果】この本発明の具体例1〜10の光デイス
ク単板と、従来例に係る比較例1、2の光デイスク単板
とを80℃、90%RHの環境下において加速試験を行
つた結果を図2に示す。
【0035】この図から明らかなように、従来のもの、
特に透明基板上にSiOのみの下地層を形成し、その上
に直接光記録膜を形成した比較例2のものは、ビツトエ
ラーレートが非常に高い。これに比較して本発明のもの
は、いずれのものにおいてもビツトエラーレートが非常
に低く、長期間経過しても性能的に安定していること、
即ち、信頼性の高い光情報記録媒体であることが立証で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る密着貼り合わせ型光デイ
スクの要部拡大断面図である。
【図2】本発明ならびに従来例に係る光デイスク単板の
ビツトエラー特性図である。
【符号の説明】
1  酸化物層 2  窒化物層 3  光記録膜 4  保護層 5  反射層 6  接着剤層 7  透明基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  透明基板と、該透明基板上に形成され
    た光記録膜とを有し、前記透明基板側から集光したレー
    ザ光を該光記録膜に照射することにより、情報の記録、
    再生、消去を行う光情報記録媒体において、前記透明基
    板と光記録膜の間に、金属または半金属の酸化物層と、
    金属または半金属の窒化物層とを順次形成したことを特
    徴とする光情報記録媒体。
  2. 【請求項2】  請求項1記載において、前記酸化物層
    ならびに窒化物層が、Si,Zr,Y,Mg,Ti,T
    a,Ca,Alのグループから選択された少なくとも1
    種以上の酸化物ならびに窒化物であることを特徴とする
    光情報記録媒体。
  3. 【請求項3】  請求項1記載において、前記酸化物層
    の膜厚が30〜800Å、前記窒化物層の膜厚が500
    〜2000Åの範囲に規制されていることを特徴とする
    光情報記録媒体。
  4. 【請求項4】  請求項1記載において、前記透明基板
    がポリカーボネートであることを特徴とする光情報記録
    媒体。
JP3116636A 1991-04-22 1991-04-22 光情報記録媒体 Pending JPH04321948A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6153063A (en) * 1996-03-11 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
US6268034B1 (en) 1998-08-05 2001-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus
US6343062B1 (en) 1997-09-26 2002-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals
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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990713