JPH04318174A - Ｔｅｏｓガス供給装置 - Google Patents
Ｔｅｏｓガス供給装置Info
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- JPH04318174A JPH04318174A JP11403491A JP11403491A JPH04318174A JP H04318174 A JPH04318174 A JP H04318174A JP 11403491 A JP11403491 A JP 11403491A JP 11403491 A JP11403491 A JP 11403491A JP H04318174 A JPH04318174 A JP H04318174A
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Landscapes
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマＣＶＤ反応
炉に対してＴＥＯＳガスを供給する装置に関する。
炉に対してＴＥＯＳガスを供給する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、ウエハの
表面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜
の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられ
ている。ＣＶＤ法には常圧法、減圧法およびプラズマ法
の３方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超ＬＳＩに対してはプラズマ法が有利な点がある
として注目されている。この方法は真空中に噴射された
反応ガスに対し、高周波電圧を加圧してプラズマ化し、
反応に必要なエネルギーをうるもので、良好な膜質がえ
られることと、膜形成速度が速いことなど多くの点で優
れたものである。以上のプラズマ法における反応ガスに
はプロセスに対応して各種があるが、その中にはテトラ
エチルオルソ・シリケート［Ｓｉ（ＯＣ２ Ｈ５ ）４
］、（ＴＥＯＳと略記）のガスに酸素（Ｏ２）を混合
したものがある。ＴＥＯＳは常温においては液体で、そ
の沸点は摂氏１００°以上あり、これをガス発生装置に
より気化してＴＥＯＳガスされて反応炉に供給される。
表面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜
の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられ
ている。ＣＶＤ法には常圧法、減圧法およびプラズマ法
の３方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超ＬＳＩに対してはプラズマ法が有利な点がある
として注目されている。この方法は真空中に噴射された
反応ガスに対し、高周波電圧を加圧してプラズマ化し、
反応に必要なエネルギーをうるもので、良好な膜質がえ
られることと、膜形成速度が速いことなど多くの点で優
れたものである。以上のプラズマ法における反応ガスに
はプロセスに対応して各種があるが、その中にはテトラ
エチルオルソ・シリケート［Ｓｉ（ＯＣ２ Ｈ５ ）４
］、（ＴＥＯＳと略記）のガスに酸素（Ｏ２）を混合
したものがある。ＴＥＯＳは常温においては液体で、そ
の沸点は摂氏１００°以上あり、これをガス発生装置に
より気化してＴＥＯＳガスされて反応炉に供給される。
【０００３】図２は反応ガスとしてＴＥＯＳガスを使用
した場合の、従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示し、
１はＴＥＯＳガスを発生するバブラー（気泡式発生器）
、２は反応ガス供給路、３はプラズマＣＶＤ反応炉３で
ある。バブラー１においては、ヒーター１２により約４
０°Ｃに維持される恒温槽１１を設け、その内部に容器
１３を収容し、これに液体ＴＥＯＳ１４が適当な高さに
満たされる。満たされた液体にパイプ１５の先端を挿入
し、窒素ガス（Ｎ２）またはヘリゥムガス（Ｈｅ） の
キャリャーガスを吹き込むと、液体ＴＥＯＳが気化し、
これがキャリャーガスの気泡に含まれて液面より発散す
る。発散したＴＥＯＳガスはキャリャーガスとともに取
り出しパイプ１６により反応ガス供給路２を経てプラズ
マ反応炉３に供給される。以下参考までに反応ガス供給
路２とプラズマＣＶＤ反応炉３について述べると、反応
ガス供給路２においては、混合器（ＭＩＸ）２１により
ＴＥＯＳガスに対して所定量の酸素ガスＯ２ が混合さ
れて反応ガスとなり、供給配管２２によりプラズマＣＶ
Ｄ反応炉３に供給される。ここで、供給する反応ガスが
冷却してＴＥＯＳが再び液化することを防止するために
、供給配管２２にヒーターテープ２３を添捲し、これに
適当な電流を流して反応ガスの温度を一定値に維持する
。反応炉３は気密構造で内部が真空とされ、そのインレ
ット３１より炉内に吸入された反応ガスはシャワー電極
３２より噴射され、図示しない高周波電源により加圧さ
れた高周波電圧によりプラズマ化され、サセプタ３３に
載置された被処理のウエハ４に薄膜が形成される。反応
処理すみのガスは排気口３４より外部に設けられた排気
ガス処理部に排出される。
した場合の、従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示し、
１はＴＥＯＳガスを発生するバブラー（気泡式発生器）
、２は反応ガス供給路、３はプラズマＣＶＤ反応炉３で
ある。バブラー１においては、ヒーター１２により約４
０°Ｃに維持される恒温槽１１を設け、その内部に容器
１３を収容し、これに液体ＴＥＯＳ１４が適当な高さに
満たされる。満たされた液体にパイプ１５の先端を挿入
し、窒素ガス（Ｎ２）またはヘリゥムガス（Ｈｅ） の
キャリャーガスを吹き込むと、液体ＴＥＯＳが気化し、
これがキャリャーガスの気泡に含まれて液面より発散す
る。発散したＴＥＯＳガスはキャリャーガスとともに取
り出しパイプ１６により反応ガス供給路２を経てプラズ
マ反応炉３に供給される。以下参考までに反応ガス供給
路２とプラズマＣＶＤ反応炉３について述べると、反応
ガス供給路２においては、混合器（ＭＩＸ）２１により
ＴＥＯＳガスに対して所定量の酸素ガスＯ２ が混合さ
れて反応ガスとなり、供給配管２２によりプラズマＣＶ
Ｄ反応炉３に供給される。ここで、供給する反応ガスが
冷却してＴＥＯＳが再び液化することを防止するために
、供給配管２２にヒーターテープ２３を添捲し、これに
適当な電流を流して反応ガスの温度を一定値に維持する
。反応炉３は気密構造で内部が真空とされ、そのインレ
ット３１より炉内に吸入された反応ガスはシャワー電極
３２より噴射され、図示しない高周波電源により加圧さ
れた高周波電圧によりプラズマ化され、サセプタ３３に
載置された被処理のウエハ４に薄膜が形成される。反応
処理すみのガスは排気口３４より外部に設けられた排気
ガス処理部に排出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたバブラー
１によるＴＥＯＳガスの発生方法は、液体ＴＥＯＳに対
してキャリャーガスを吹き込むことにより気泡を発生さ
せ、これとともにＴＥＯＳを気化するものである。この
場合液体ＴＥＯＳは恒温槽により約４０°Ｃに維持され
る筈であるが、気化に必要な気化熱が奪われるためにそ
の分だけ温度が低下することと、気化につれて液面の高
さが漸次低下することなどにより気泡の発生量、従って
ＴＥＯＳガスの気化量が変化して濃度が変動する。この
ように濃度が変動したＴＥＯＳガスにより形成される薄
膜の膜質は不均一となり、良質な薄膜がえられない欠点
がある。この発明は以上に鑑みてなされたもので、液体
ＴＥＯＳの温度をバブラー方式の場合より高く維持する
ことにより、直接的にこれを気化して一定濃度のＴＥＯ
Ｓガスを発生し、その一定量を供給する装置を提供する
ことを目的とするものである。
１によるＴＥＯＳガスの発生方法は、液体ＴＥＯＳに対
してキャリャーガスを吹き込むことにより気泡を発生さ
せ、これとともにＴＥＯＳを気化するものである。この
場合液体ＴＥＯＳは恒温槽により約４０°Ｃに維持され
る筈であるが、気化に必要な気化熱が奪われるためにそ
の分だけ温度が低下することと、気化につれて液面の高
さが漸次低下することなどにより気泡の発生量、従って
ＴＥＯＳガスの気化量が変化して濃度が変動する。この
ように濃度が変動したＴＥＯＳガスにより形成される薄
膜の膜質は不均一となり、良質な薄膜がえられない欠点
がある。この発明は以上に鑑みてなされたもので、液体
ＴＥＯＳの温度をバブラー方式の場合より高く維持する
ことにより、直接的にこれを気化して一定濃度のＴＥＯ
Ｓガスを発生し、その一定量を供給する装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、プラズマＣ
ＶＤ反応炉に対してＴＥＯＳガスを供給するためのＴＥ
ＯＳガス供給装置であって、液体ＴＥＯＳを収容し、加
熱ヒーターにより所定の一定温度に維持して気化し、一
定濃度のＴＥＯＳガスを発生する容器と、容器より取り
出されたＴＥＯＳガスの供給量を一定量に制御するマス
フローコントローラとにより構成される。
ＶＤ反応炉に対してＴＥＯＳガスを供給するためのＴＥ
ＯＳガス供給装置であって、液体ＴＥＯＳを収容し、加
熱ヒーターにより所定の一定温度に維持して気化し、一
定濃度のＴＥＯＳガスを発生する容器と、容器より取り
出されたＴＥＯＳガスの供給量を一定量に制御するマス
フローコントローラとにより構成される。
【０００６】上記において、液体ＴＥＯＳを気化する所
定の一定温度は摂氏７０〜８０°内の一定温度とする。
定の一定温度は摂氏７０〜８０°内の一定温度とする。
【０００７】
【作用】以上のＴＥＯＳガス供給装置においては、容器
に収容された液体ＴＥＯＳは加熱ヒーターにより加熱さ
れて７０〜８０°Ｃ内の一定温度に維持される。この温
度は１００°以上とされる沸点よりやや低いが、ＴＥＯ
Ｓを十分気化できるものであり、また温度を一定に維持
することにより一定濃度のＴＥＯＳガスがえられる。こ
れにより気化したＴＥＯＳガスは液面より一定の濃度で
発散し、マスフローコントローラの制御により一定の供
給量とされてプラズマＣＶＤ反応炉に供給される。供給
されるＴＥＯＳガスは一定の濃度で、かつ一定量である
ので、形成される薄膜の膜質の均一性が維持され、良質
な薄膜が形成されるものである。
に収容された液体ＴＥＯＳは加熱ヒーターにより加熱さ
れて７０〜８０°Ｃ内の一定温度に維持される。この温
度は１００°以上とされる沸点よりやや低いが、ＴＥＯ
Ｓを十分気化できるものであり、また温度を一定に維持
することにより一定濃度のＴＥＯＳガスがえられる。こ
れにより気化したＴＥＯＳガスは液面より一定の濃度で
発散し、マスフローコントローラの制御により一定の供
給量とされてプラズマＣＶＤ反応炉に供給される。供給
されるＴＥＯＳガスは一定の濃度で、かつ一定量である
ので、形成される薄膜の膜質の均一性が維持され、良質
な薄膜が形成されるものである。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明によるＴＥＯＳガス発生装置
１′を適用したプラズマＣＶＤ装置の一実施例を示し、
反応ガス供給路２とプラズマＣＶＤ反応炉３は前記した
図２のものと同一である。
１′を適用したプラズマＣＶＤ装置の一実施例を示し、
反応ガス供給路２とプラズマＣＶＤ反応炉３は前記した
図２のものと同一である。
【０００９】図１において、ＴＥＯＳガス発生装置１′
は液体ＴＥＯＳ１４を収容する容器１３、容器１３に対
する加熱ヒーター１２、取り出しパイプ１６、２個のバ
ルブ１７，１８ 、およびマスフローコントローラ（Ｍ
ＦＣ）１９により構成される。容器１３に収容された液
体ＴＥＯＳ１４は加熱ヒーター１２により加熱されて７
０〜８０°Ｃ内の一定の温度に維持され、一定濃度のＴ
ＥＯＳガスに気化して液面より発散する。発散したＴＥ
ＯＳガスは取り出しパイプ１６により取り出され、バル
ブ１７を経てＭＦＣ１９に導かれ、一定供給量に制御さ
れて反応ガス供給路２に送られる。以下、前記した図２
と同様に混合器（ＭＩＸ）２１において酸素ガス（Ｏ２
）と混合されて反応ガスとなり、供給配管２２を通して
反応炉３に供給される。供給配管２２にはヒーターテー
プ２３が添捲されて反応ガスを一定温度に維持し、ＴＥ
ＯＳが液化することが防止されていることは従来と同様
である。なお、反応炉３の処理を停止するときは、バル
ブ１７を閉じ、バルブ１８を開いてＴＥＯＳガスは外部
の排気ガス処理設備に排気される。
は液体ＴＥＯＳ１４を収容する容器１３、容器１３に対
する加熱ヒーター１２、取り出しパイプ１６、２個のバ
ルブ１７，１８ 、およびマスフローコントローラ（Ｍ
ＦＣ）１９により構成される。容器１３に収容された液
体ＴＥＯＳ１４は加熱ヒーター１２により加熱されて７
０〜８０°Ｃ内の一定の温度に維持され、一定濃度のＴ
ＥＯＳガスに気化して液面より発散する。発散したＴＥ
ＯＳガスは取り出しパイプ１６により取り出され、バル
ブ１７を経てＭＦＣ１９に導かれ、一定供給量に制御さ
れて反応ガス供給路２に送られる。以下、前記した図２
と同様に混合器（ＭＩＸ）２１において酸素ガス（Ｏ２
）と混合されて反応ガスとなり、供給配管２２を通して
反応炉３に供給される。供給配管２２にはヒーターテー
プ２３が添捲されて反応ガスを一定温度に維持し、ＴＥ
ＯＳが液化することが防止されていることは従来と同様
である。なお、反応炉３の処理を停止するときは、バル
ブ１７を閉じ、バルブ１８を開いてＴＥＯＳガスは外部
の排気ガス処理設備に排気される。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明において
は、容器に収容された液体ＴＥＯＳは加熱ヒーターによ
り７０〜８０°Ｃ内の一定温度に維持することにより、
一定濃度のＴＥＯＳガスに気化されて液面より発散し、
マスフローコントローラにより一定供給量に制御されて
プラズマＣＶＤ反応炉に供給されるもので、一定濃度と
一定供給量のＴＥＯＳガスにより、ウエハに対して均一
性のある薄膜が形成できる効果には大きいものがある。
は、容器に収容された液体ＴＥＯＳは加熱ヒーターによ
り７０〜８０°Ｃ内の一定温度に維持することにより、
一定濃度のＴＥＯＳガスに気化されて液面より発散し、
マスフローコントローラにより一定供給量に制御されて
プラズマＣＶＤ反応炉に供給されるもので、一定濃度と
一定供給量のＴＥＯＳガスにより、ウエハに対して均一
性のある薄膜が形成できる効果には大きいものがある。
【図１】 この発明の一実施例を示し、この発明によ
るＴＥＯＳガス供給装置を具備したプラズマＣＶＤ装置
の構成図を示す。
るＴＥＯＳガス供給装置を具備したプラズマＣＶＤ装置
の構成図を示す。
【図２】 ＴＥＯＳガス発生装置として、バブラーを
使用した従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図を示す。
使用した従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図を示す。
１…バブラー（気泡式発生器）、１１…恒温槽、１２…
加熱ヒーター、１３…容器、１４…液体ＴＥＯＳ １
５…パイプ、１６…取り出しパイプ、１７，１８ …バ
ルブ、１９…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、２…
反応ガス供給路、２１…混合器（ＭＩＸ）、２２…供給
配管、２３…ヒーターテープ、３…プラズマＣＶＤ反応
炉、３１…インレット、３２…シャワー電極、３３…サ
セプタ、３４…排気口、４…ウエハ。
加熱ヒーター、１３…容器、１４…液体ＴＥＯＳ １
５…パイプ、１６…取り出しパイプ、１７，１８ …バ
ルブ、１９…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、２…
反応ガス供給路、２１…混合器（ＭＩＸ）、２２…供給
配管、２３…ヒーターテープ、３…プラズマＣＶＤ反応
炉、３１…インレット、３２…シャワー電極、３３…サ
セプタ、３４…排気口、４…ウエハ。
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ反応炉に対するＴＥＯ
Ｓガスの供給において、液体ＴＥＯＳを収容し、加熱ヒ
ーターにより該液体ＴＥＯＳを所定の一定温度に維持し
て気化し、一定濃度の前記ＴＥＯＳガスを発生する容器
と、該容器より取り出された該ＴＥＯＳガスの供給量を
一定値に制御するマスフローコントローラとにより構成
されたことを特徴とする、ＴＥＯＳガス供給装置。 - 【請求項２】 前記液体ＴＥＯＳを気化する前記所定
の一定温度を摂氏７０〜８０°内の一定温度とする、請
求項１記載のＴＥＯＳガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11403491A JPH04318174A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | Ｔｅｏｓガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11403491A JPH04318174A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | Ｔｅｏｓガス供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318174A true JPH04318174A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14627378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11403491A Pending JPH04318174A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | Ｔｅｏｓガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04318174A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496410A (en) * | 1992-03-10 | 1996-03-05 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of processing substrates by using same apparatus |
| US5580708A (en) * | 1993-09-09 | 1996-12-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic material and color image forming process |
| WO2011101361A1 (de) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Se | Gasmischer für dampfabscheidung |
| US8343281B2 (en) | 2009-09-22 | 2013-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Source gas supply unit, and deposition apparatus and method using the same |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP11403491A patent/JPH04318174A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496410A (en) * | 1992-03-10 | 1996-03-05 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of processing substrates by using same apparatus |
| US5580708A (en) * | 1993-09-09 | 1996-12-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic material and color image forming process |
| US8343281B2 (en) | 2009-09-22 | 2013-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Source gas supply unit, and deposition apparatus and method using the same |
| WO2011101361A1 (de) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Se | Gasmischer für dampfabscheidung |
| DE102010000479A1 (de) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Ag, 52134 | Vorrichtung zur Homogenisierung eines verdampften Aerosols sowie Vorrichtung zum Abscheiden einer organischen Schicht auf einem Substrat mit einer derartigen Homogenisierungseinrichtung |
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