JPH04317491A - 単結晶引上装置用冷却筒 - Google Patents
単結晶引上装置用冷却筒Info
- Publication number
- JPH04317491A JPH04317491A JP7884391A JP7884391A JPH04317491A JP H04317491 A JPH04317491 A JP H04317491A JP 7884391 A JP7884391 A JP 7884391A JP 7884391 A JP7884391 A JP 7884391A JP H04317491 A JPH04317491 A JP H04317491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylinder
- cooling
- single crystal
- inner cylinder
- emissivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 26
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150000971 SUS3 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法に
よる単結晶引上装置に用いる冷却筒に関する。
よる単結晶引上装置に用いる冷却筒に関する。
【０００２】
【従来の技術】引上中の単結晶を速やかに冷却するため
に、冷却筒を用いる技術（特開平２−９７４７９号公報
、特開平２−９７４８１号公報等）があるが、従来法で
は、冷却効果が悪く、また冷却筒にＳｉＯが付着し、こ
れが成長して融液中に落下し、単結晶が多結晶化する原
因になることがあった。
に、冷却筒を用いる技術（特開平２−９７４７９号公報
、特開平２−９７４８１号公報等）があるが、従来法で
は、冷却効果が悪く、また冷却筒にＳｉＯが付着し、こ
れが成長して融液中に落下し、単結晶が多結晶化する原
因になることがあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の単結晶
引上装置用冷却筒に改善を加え、さらに、効率のよい単
結晶引上装置用冷却筒を提供することを目的とする。
引上装置用冷却筒に改善を加え、さらに、効率のよい単
結晶引上装置用冷却筒を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記実情に鑑み
、単結晶引上装置用冷却筒において、冷却筒を、鏡面加
工した放射率の小さい外筒と、放射率の大きい冷却内筒
との二重構造としたことを特徴とする単結晶引上装置用
冷却筒である。前記冷却内筒の外面に金めっきを施すと
共に、前記外筒との間に空隙を設けるとさらに好適であ
る。
、単結晶引上装置用冷却筒において、冷却筒を、鏡面加
工した放射率の小さい外筒と、放射率の大きい冷却内筒
との二重構造としたことを特徴とする単結晶引上装置用
冷却筒である。前記冷却内筒の外面に金めっきを施すと
共に、前記外筒との間に空隙を設けるとさらに好適であ
る。
【０００５】
【作用】本発明では上記構成により、冷却筒の外筒は外
部ヒータからの輻射熱を反射する一方、内筒は引上単結
晶からの輻射熱を効率よく吸熱する。溶融槽から上昇す
るＳｉＯガスは冷却筒に付着することなくＡｒガスと共
に排出される。冷却筒の引上装置内のヒータに面する側
（外筒）を放射率の小さい材料（ＳＵＳ、モリブデン他
を鏡面加工したもの）にし、インゴットに面する側（冷
却内筒）を放射率の大きい材料（Ｃｕ他）にする。鏡面
加工されたＳＵＳ等の放射率は０．１〜０．０１であり
、冷却内筒のＣｕ等は放射率が０．５程度（酸化面）で
ある。冷却内筒は水冷する。冷却筒の引上機内のヒータ
に対向する筒（外筒）と、引上単結晶に対面する筒（冷
却内筒）との間に空隙を設けると共にインゴットに対面
する筒（冷却内筒）の外側に金めっきし反射率を大きく
する。金の放射率は０．０１程度であるから外筒と冷却
内筒との間の放射伝熱量を少なくすることができる。
部ヒータからの輻射熱を反射する一方、内筒は引上単結
晶からの輻射熱を効率よく吸熱する。溶融槽から上昇す
るＳｉＯガスは冷却筒に付着することなくＡｒガスと共
に排出される。冷却筒の引上装置内のヒータに面する側
（外筒）を放射率の小さい材料（ＳＵＳ、モリブデン他
を鏡面加工したもの）にし、インゴットに面する側（冷
却内筒）を放射率の大きい材料（Ｃｕ他）にする。鏡面
加工されたＳＵＳ等の放射率は０．１〜０．０１であり
、冷却内筒のＣｕ等は放射率が０．５程度（酸化面）で
ある。冷却内筒は水冷する。冷却筒の引上機内のヒータ
に対向する筒（外筒）と、引上単結晶に対面する筒（冷
却内筒）との間に空隙を設けると共にインゴットに対面
する筒（冷却内筒）の外側に金めっきし反射率を大きく
する。金の放射率は０．０１程度であるから外筒と冷却
内筒との間の放射伝熱量を少なくすることができる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の実施例のチョクラルスキー単
結晶引上装置の一部を示した。坩堝７内の融液８から単
結晶９を引上げる。単結晶９の周囲には冷却筒１が設け
られヒータ６から単結晶９への輻射を防ぐと共に冷却水
を通水して単結晶９を冷却する。冷却筒１は、ＳＵＳ３
０４の鏡面加工した外筒２と、螺旋状に巻いたＣｕ管か
らなる冷却内筒３との二重構造となっている。冷却内筒
３には冷却水１０を通水した。
結晶引上装置の一部を示した。坩堝７内の融液８から単
結晶９を引上げる。単結晶９の周囲には冷却筒１が設け
られヒータ６から単結晶９への輻射を防ぐと共に冷却水
を通水して単結晶９を冷却する。冷却筒１は、ＳＵＳ３
０４の鏡面加工した外筒２と、螺旋状に巻いたＣｕ管か
らなる冷却内筒３との二重構造となっている。冷却内筒
３には冷却水１０を通水した。
【０００７】図２は別の実施例で、符号６〜１０は図１
と同様である。外筒２はＳＵＳ３０４の鏡面加工した筒
とした。冷却内筒４は銅製の水冷二重筒とし、その外径
面に金めっき１１を施すと共に、外筒２との間に空隙５
を設けた。図２に示す冷却筒を用い、原料４５ｋｇ投入
しφ６インチのインゴットを引上製造した。冷却筒を用
いない従来例では引上速度６０ｍｍ／ｈであったが、実
施例ではその約１．５倍の引上速度となった。また冷却
筒を検査した結果、ＳｉＯの付着も認められなかった。
と同様である。外筒２はＳＵＳ３０４の鏡面加工した筒
とした。冷却内筒４は銅製の水冷二重筒とし、その外径
面に金めっき１１を施すと共に、外筒２との間に空隙５
を設けた。図２に示す冷却筒を用い、原料４５ｋｇ投入
しφ６インチのインゴットを引上製造した。冷却筒を用
いない従来例では引上速度６０ｍｍ／ｈであったが、実
施例ではその約１．５倍の引上速度となった。また冷却
筒を検査した結果、ＳｉＯの付着も認められなかった。
【０００８】
【発明の効果】本発明の冷却筒は、加熱装置からの輻射
熱を受けることが少なく、単結晶からの抜熱量が大きく
、かつＳｉＯの堆積が少なく引上速度の増大に寄与する
。
熱を受けることが少なく、単結晶からの抜熱量が大きく
、かつＳｉＯの堆積が少なく引上速度の増大に寄与する
。
【図１】本発明の実施例の縦断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の縦断面図である。
１ 冷却筒
２ 外筒
３、４ 冷却内筒
５ 空隙
６ ヒータ
７ 坩堝
８ 融液
９ 引上単結晶
１０ 冷却水
１１ 金めっき
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶引上装置用冷却筒において、該
冷却筒は、鏡面加工した放射率の小さい外筒と、放射率
の大きい冷却内筒との二重構造としたことを特徴とする
単結晶引上装置用冷却筒。 - 【請求項２】 前記外筒と前記冷却内筒との間に空隙
を設けると共に前記冷却内筒の外面に金めっきを施した
ことを特徴とする請求項１記載の単結晶引上装置用冷却
筒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7884391A JPH04317491A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 単結晶引上装置用冷却筒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7884391A JPH04317491A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 単結晶引上装置用冷却筒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317491A true JPH04317491A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=13673110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7884391A Withdrawn JPH04317491A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 単結晶引上装置用冷却筒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317491A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000344592A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-12-12 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶インゴット製造装置及び方法 |
| KR20020045765A (ko) * | 2000-12-11 | 2002-06-20 | 이 창 세 | 단결정 잉곳의 제조장치 |
| KR20030046718A (ko) * | 2001-12-06 | 2003-06-18 | 주식회사 실트론 | 소구경 실리콘 잉곳 성장챔버 |
| US6733585B2 (en) | 2000-02-01 | 2004-05-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Apparatus for pulling single crystal by CZ method |
| JP2005247629A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | クーラー及びインゴット製造装置 |
| JP2013519617A (ja) * | 2010-02-12 | 2013-05-30 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 単結晶冷却装置およびこれを含む単結晶成長装置 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP7884391A patent/JPH04317491A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1182280A4 (en) * | 1999-04-01 | 2008-08-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A MONOCRYSTALLINE INGOT |
| EP1182280A1 (en) * | 1999-04-01 | 2002-02-27 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Device and method for producing single-crystal ingot |
| JP4498516B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2010-07-07 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶インゴット製造装置及び方法 |
| JP2000344592A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-12-12 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶インゴット製造装置及び方法 |
| US7727334B2 (en) | 2000-02-01 | 2010-06-01 | Sumco Techxiv Corporation | Apparatus for pulling single crystal by CZ method |
| US6977010B2 (en) | 2000-02-01 | 2005-12-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Apparatus for pulling single crystal by CZ method |
| US7244309B2 (en) | 2000-02-01 | 2007-07-17 | Sumco Techxiv Corporation | Apparatus for pulling single crystal by CZ method |
| US6733585B2 (en) | 2000-02-01 | 2004-05-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Apparatus for pulling single crystal by CZ method |
| US8002893B2 (en) | 2000-02-01 | 2011-08-23 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Apparatus for pulling single crystal by CZ method |
| KR20020045765A (ko) * | 2000-12-11 | 2002-06-20 | 이 창 세 | 단결정 잉곳의 제조장치 |
| KR20030046718A (ko) * | 2001-12-06 | 2003-06-18 | 주식회사 실트론 | 소구경 실리콘 잉곳 성장챔버 |
| JP2005247629A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | クーラー及びインゴット製造装置 |
| JP4606753B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-01-05 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | クーラー及びインゴット製造装置 |
| JP2013519617A (ja) * | 2010-02-12 | 2013-05-30 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 単結晶冷却装置およびこれを含む単結晶成長装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0591525B1 (en) | Device for pulling up single crystal | |
| JPH11292684A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPH04317491A (ja) | 単結晶引上装置用冷却筒 | |
| JP6644063B2 (ja) | シート形成装置、シートの厚さを測定するシステム及び材料の界面の位置を決定する方法 | |
| TWI324642B (ja) | ||
| US4532000A (en) | Fabrication of single crystal fibers from congruently melting polycrystalline fibers | |
| JPS6096596A (ja) | 単結晶引上げ軸 | |
| JPH0761889A (ja) | 半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法 | |
| KR19990063097A (ko) | 단결정제조의 방법 및 장치 | |
| JP4128842B2 (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| JP3463712B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
| JP3220542B2 (ja) | 半導体単結晶棒製造装置 | |
| JP2007261868A (ja) | 単結晶育成装置および単結晶育成方法 | |
| JP3203341B2 (ja) | 半導体単結晶棒製造装置 | |
| JPS565336A (en) | Glass melting electrode | |
| US3630705A (en) | Method of manufacturing flat glass on molten metal and apparatus therefor | |
| JP2787983B2 (ja) | 光ファイバ線引き炉及び線引き方法 | |
| JPH04321580A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH05280872A (ja) | 熱効率の改善された連続融液供給用低温るつぼ | |
| JPH04284947A (ja) | 連続鋳造方法 | |
| JPH05105578A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH11302751A (ja) | アルミニウムの精製方法およびその用途 | |
| JPH0297481A (ja) | シリコン単結晶の引上装置 | |
| JP2001239352A (ja) | 鋼の連続鋳造方法およびそれに用いるモールドパウダー | |
| JPH0416587A (ja) | 単結晶引上装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |