JPH04304636A - Plate-like body processing apparatus - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To realize the surface processing to a plate-like body such as wafer under the highly clean ambience containing extremely small amount of residual foreign materials. CONSTITUTION:Fluid supply ports 5 are opened to a rotary fluid supply part 4 provided opposed to a processing surface 2a of a wafer 2 for effectuating combination of a plurality kinds of processing fluids f to the processed surface 2a of the wafer 2 as rotary flow. Moreover, the clean air flow 26 which is forced to flow to the side of processed surface 2a from the non-processed surface 2b is always ensured during processing.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【０００１】0001

【産業上の利用分野】本発明は、板状物処理技術に関し
、特に、半導体基板、ホトマスク、磁気ディスクなどの
精密エッチングや精密洗浄などの精密表面処理に適用し
て有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for processing plate-like objects, and in particular to a technique that is effective when applied to precision surface treatments such as precision etching and precision cleaning of semiconductor substrates, photomasks, magnetic disks, and the like.

【０００２】0002

【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造に用いられ
る半導体基板（以下、単にウェハと記す）やホトマスク
などの製造過程、あるいは、コンピュータの外部記憶装
置などにおける記憶媒体として用いられる磁気ディスク
、光ディスクなどの製造過程においては、エッチング液
による精密エッチング、さらには有機溶剤、メタノール
、純水などの薬液を用いた精密洗浄／乾燥処理が多用さ
れている。[Background Art] For example, in the manufacturing process of semiconductor substrates (hereinafter simply referred to as wafers) and photomasks used in the manufacture of semiconductor devices, or magnetic disks, optical disks, etc. used as storage media in external storage devices of computers, etc. In the manufacturing process, precision etching using an etching solution and precision cleaning/drying treatment using chemicals such as organic solvents, methanol, and pure water are frequently used.

【０００３】半導体装置の製造における上述のような精
密表面処理技術に関しては、たとえば、「月刊セミコン
ダクタワールド（　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏ
ｒｌｄ）」１９８８年３月号、Ｐ１０６〜Ｐ１１３、な
どの文献に記載されている。Regarding the above-mentioned precision surface treatment technology in the manufacture of semiconductor devices, for example, "Monthly Semiconductor World"
rld), March 1988 issue, pages 106 to 113.

【０００４】すなわち、同文献には物理的洗浄方法とし
て、■ブラシスクラビング洗浄法、■高圧水噴射洗浄法
、■超音波照射洗浄法、■プラズマスパッタクリーニン
グ法などがあり、化学的洗浄法として、■エッチング液
によるエッチング処理法、■有機溶剤による溶解法、■
プラズマエッチング処理法、などが実用化されているこ
とが記載されている。[0004] In other words, the literature describes physical cleaning methods such as ■brush scrubbing cleaning method, ■high-pressure water jet cleaning method, ■ultrasonic irradiation cleaning method, and ■plasma sputter cleaning method.As for chemical cleaning methods, ■Etching treatment method using etching solution, ■Dissolution method using organic solvent, ■
It is stated that plasma etching processing methods and the like have been put into practical use.

【０００５】ところで、ウェハに形成される半導体素子
構造の微細化に伴い、近年では、半導体素子が形成され
るウェハ表面への異物付着の問題に加えて、ウェハ裏面
に付着する異物の問題が顕在化してきている。By the way, with the miniaturization of semiconductor element structures formed on wafers, in recent years, in addition to the problem of foreign matter adhering to the front surface of the wafer on which semiconductor elements are formed, the problem of foreign matter adhering to the back surface of the wafer has become apparent. It is becoming more and more.

【０００６】たとえば、ウェハ裏面に付着した異物によ
る、■露光時の焦点ずれの問題、■ドライエッチング時
の加工不良の問題、■複数枚のウェハの一括洗浄処理な
どにおけるウェハ表面への異物転写の問題などが知られ
ている。For example, foreign matter attached to the backside of the wafer can cause problems such as: (1) out of focus during exposure, (2) poor processing during dry etching, and (3) transfer of foreign matter to the wafer surface during batch cleaning of multiple wafers. Problems are known.

【０００７】このような、技術的背景から、前述した各
種処理法の組み合わせにより、ウェハを１枚ずつ処理す
る枚葉式ウェハ洗浄装置が実用化されている。[0007] From this technical background, a single wafer cleaning apparatus that processes wafers one by one has been put into practical use by combining the various processing methods described above.

【０００８】また、米国特許第４，３５０，５６２号に
は、ウェハをガス流により浮上させつつ回転させながら
、ウェハの片面のみを処理するエッチング処理装置が開
示されている。Further, US Pat. No. 4,350,562 discloses an etching processing apparatus that processes only one side of a wafer while rotating the wafer while being floated by a gas flow.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】現在、ウェハの表裏面
を洗浄する技術としては、バッチ処理方式と、枚葉処理
方式とが併存している。前者は複数枚のウェハを収納し
たカセットごと、薬液処理槽に浸漬して薬液処理するも
のである。具体的には、（１）　有機溶剤洗浄⇒水洗⇒
乾燥、（２）　フッ酸処理⇒水洗⇒乾燥、（３）　アル
カリ酸化剤処理⇒水洗⇒フッ酸処理⇒水洗⇒酸性酸化剤
処理⇒水洗⇒乾燥、などのような各種薬液を組み合わせ
た方法がある。[Problems to be Solved by the Invention] Currently, as techniques for cleaning the front and back surfaces of wafers, a batch processing method and a single wafer processing method coexist. In the former method, a cassette containing a plurality of wafers is immersed in a chemical treatment tank and subjected to chemical treatment. Specifically, (1) organic solvent cleaning ⇒ water washing ⇒
There are methods that combine various chemical solutions, such as (2) hydrofluoric acid treatment ⇒ water washing ⇒ drying, (3) alkaline oxidizing agent treatment ⇒ water washing ⇒ hydrofluoric acid treatment ⇒ water washing ⇒ acidic oxidizing agent treatment ⇒ water washing ⇒ drying, etc. .

【００１０】この種のバッチ式洗浄処理では、ウェハの
表裏面に付着した異物が直接洗浄槽内に持ち込まれ、洗
浄槽中の薬液を汚染するという問題がある。特に、現状
のウェハ処理装置では、ウェハ搬送時やウェハハンドリ
ング時、ウェハチャック時などにウェハ裏面に０．５μ
ｍサイズ以上の付着異物が数千（個／ウェハ）単位で発
生し、洗浄槽の薬液を汚染するとともに、隣接するウェ
ハ表面にウェハ裏面の付着異物が転写されるという問題
が生じている。[0010] This type of batch cleaning process has a problem in that foreign matter adhering to the front and back surfaces of the wafer is brought directly into the cleaning tank and contaminates the chemical solution in the cleaning tank. In particular, with current wafer processing equipment, 0.5μ
A problem arises in that adhered foreign particles of size m or larger are generated in the thousands (pieces/wafer), contaminate the chemical solution in the cleaning tank, and that the adhered foreign particles on the back surface of the wafer are transferred to the surface of the adjacent wafer.

【００１１】一方、後者の枚葉処理方式は、ウェハを１
枚ずつハンドリングして、純水によるブラシ洗浄、ジェ
ット洗浄、シャワー洗浄などを組み合わせた洗浄処理を
行い、ウェハの高速回転によって乾燥を行う方法が主流
となっている。On the other hand, the latter single wafer processing method
The mainstream method is to handle the wafers one by one, perform a cleaning process that combines brush cleaning with pure water, jet cleaning, shower cleaning, etc., and then dry the wafers by rotating them at high speed.

【００１２】このような枚葉式の洗浄方式では、ウェハ
表面に付着していた異物が除去されても、ブラシに存在
する異物が再付着したり、薬液の流れがないため、超音
波エネルギによって一旦剥離されたミクロな異物が、ウ
ェハ上に停滞して完全に除去されないなどの問題がある
。[0012] In such a single-wafer cleaning method, even if foreign matter adhering to the wafer surface is removed, the foreign matter present on the brush may re-adhere, and there is no flow of chemical solution, so ultrasonic energy cannot There are problems such as microscopic foreign matter once peeled off remaining on the wafer and not being completely removed.

【００１３】さらに、回転乾燥時に、ウェハ表面から飛
散して除去された洗浄液などが、処理室の壁面で反射さ
れ、異物とともにウェハ表面に再付着するという問題も
ある。また、従来の枚葉処理において、ウェハ表面の処
理の後、ウェハ裏面の洗浄を行う場合には、ウェハを反
転させる機構が必要となり、ウェハのハンドリング回数
が増加して、ハンドリング作業間における付着異物の増
大を招くという問題もある。[0013] Furthermore, there is another problem in that cleaning liquid and the like that are scattered and removed from the wafer surface during rotational drying are reflected on the wall surface of the processing chamber and re-adhered to the wafer surface together with foreign matter. In addition, in conventional single-wafer processing, when cleaning the back side of the wafer after processing the front side of the wafer, a mechanism for reversing the wafer is required, which increases the number of times the wafer is handled and causes foreign matter to adhere between handling operations. There is also the problem of causing an increase in

【００１４】また、前述した、米国特許の従来技術では
、ウェハの一面に対するエッチング液によるエッチング
を行うものであり、乾燥処理を含めたウェハの精密な表
面処理については考慮していない。さらに、気体流によ
って浮上し回転するウェハが周囲の筐体に接触し、ウェ
ハ外周部の欠け（チッピング）を生じることが懸念され
るという問題もある。Furthermore, in the prior art disclosed in the US patent mentioned above, one surface of the wafer is etched with an etching solution, and precise surface treatment of the wafer, including drying treatment, is not considered. Furthermore, there is a problem in that the wafer, which floats and rotates due to the gas flow, may come into contact with the surrounding casing, causing chipping of the outer periphery of the wafer.

【００１５】従って、本発明の目的は、残留異物などの
極めて少ない、高清浄度の表面処理を行うことが可能な
板状物処理装置を提供することにある。[0015] Accordingly, an object of the present invention is to provide a plate-shaped object processing apparatus that can perform surface treatment with extremely low residual foreign matter and high cleanliness.

【００１６】本発明の他の目的は、板状物の第１主面の
処理による第２主面での汚染発生を確実に防止すること
が可能な板状物処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a plate-like object processing apparatus that can reliably prevent the occurrence of contamination on the second main surface due to processing of the first main surface of the plate-like object. .

【００１７】本発明のさらに他の目的は、板状物を損傷
することなく、高清浄度の処理結果を得ることが可能な
板状物処理装置を提供することにある。Still another object of the present invention is to provide a plate-like object processing apparatus capable of obtaining a highly clean treatment result without damaging the plate-like object.

【００１８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【００１９】[0019]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。[Means for Solving the Problems] Among the inventions disclosed in this application, a brief overview of typical inventions will be as follows.
It is as follows.

【００２０】すなわち、本発明による板状物処理装置は
、板状物の第１主面に、所定の流線を形成しながら処理
流体を作用させる処理流体供給手段を備え、処理流体に
よる板状物の処理を行うようにしたものである。That is, the plate-like object processing apparatus according to the present invention includes a processing fluid supply means for applying a processing fluid to the first main surface of the plate-like object while forming a predetermined streamline, and It is designed to process things.

【００２１】また、本発明による板状物処理装置は、処
理流体の流線が、板状物の中央部から周辺部に到る螺線
状を呈し、処理流体は回転流となって板状物に作用する
ようにしたものである。In addition, in the plate-shaped object processing apparatus according to the present invention, the streamline of the processing fluid has a spiral shape extending from the central part to the peripheral part of the plate-shaped object, and the processing fluid becomes a rotational flow to form the plate-shaped object. It is designed to act on things.

【００２２】また、本発明による板状物処理装置は、板
状物に作用する処理流体に超音波エネルギを印加する超
音波印加手段を備え、処理流体に超音波エネルギを印加
しつつ、処理を遂行するようにしたものである。Further, the plate-shaped object processing apparatus according to the present invention includes an ultrasonic wave applying means for applying ultrasonic energy to the processing fluid acting on the plate-shaped object, and performs the processing while applying the ultrasonic energy to the processing fluid. It was designed to be carried out.

【００２３】また、本発明による板状物処理装置は、板
状物に熱エネルギを印加する加熱手段を備え、板状物に
熱エネルギを印加しつつ、処理流体による処理を遂行す
るようにしたものである。Further, the plate-shaped object processing apparatus according to the present invention is provided with a heating means for applying thermal energy to the plate-shaped object, and is configured to carry out processing using the processing fluid while applying thermal energy to the plate-shaped object. It is something.

【００２４】また、本発明による板状物処理装置は、板
状物の第１主面と表裏をなす第２主面に、当該第２主面
から第１主面の側に流れる不活性ガスを供給する不活性
ガス供給手段を設けたものである。[0024] In addition, the plate-like object processing apparatus according to the present invention has an inert gas flowing from the second main surface toward the first main surface on the second main surface that is opposite to the first main surface of the plate-like object. The system is equipped with an inert gas supply means for supplying.

【００２５】また、本発明による板状物処理装置は、処
理流体として液体を用いるものである。Further, the plate-like object processing apparatus according to the present invention uses a liquid as the processing fluid.

【００２６】また、本発明による板状物処理装置は、処
理流体として液体蒸気を用いるものである。Further, the plate processing apparatus according to the present invention uses liquid vapor as the processing fluid.

【００２７】また、本発明による板状物処理装置は、処
理流体として気体を用いるものである。Further, the plate-like object processing apparatus according to the present invention uses gas as the processing fluid.

【００２８】また、本発明による板状物処理装置は、処
理流体として、液体、液体蒸気、および気体の組み合わ
せを用いるものである。Further, the plate processing apparatus according to the present invention uses a combination of liquid, liquid vapor, and gas as the processing fluid.

【００２９】[0029]

【作用】上記した本発明の板状物処理装置によれば、板
状物の第１主面に対して、当該第１主面の中央部から外
周部に向かう方向の回転流をなす薬液や不活性ガスなど
の処理流体を作用させることで、第１主面における異物
は処理流体とともに確実に外部に排除され、残留異物な
どの極めて少ない、高度に清浄な表面処理を行うことが
できる。[Function] According to the above-described plate-like object processing apparatus of the present invention, a chemical liquid that forms a rotational flow toward the first main surface of the plate-like object in a direction from the center of the first main surface toward the outer circumferential part. By applying a treatment fluid such as an inert gas, foreign matter on the first main surface is reliably removed to the outside together with the treatment fluid, and highly clean surface treatment with extremely few residual foreign matter can be performed.

【００３０】また、処理中の第１主面と表裏をなす第２
主面に、当該第２主面側から第１主面側に流れる不活性
ガスを作用させることで、第１主面において除去された
異物などを含む用済の処理流体や雰囲気が第２主面に回
り込んで付着することがなく、処理に関係しない第２主
面に対する異物付着などの汚染を確実に防止することが
できる。[0030] Also, a second main surface forming the front and back sides of the first main surface during processing is
By acting on the main surface with an inert gas flowing from the second main surface side to the first main surface side, the used processing fluid and atmosphere containing foreign matter removed on the first main surface are transferred to the second main surface. There is no possibility of the second main surface getting stuck onto the surface, and contamination such as foreign matter adhering to the second main surface that is not related to the processing can be reliably prevented.

【００３１】また、処理対象の板状物の種別や、予想さ
れる異物の種類などに応じて、処理流体として使用する
薬液の種類や組み合わせを適宜制御することで、第１主
面に存在するあらゆる種類の異物を確実に除去すること
ができる。[0031] Furthermore, by appropriately controlling the type and combination of chemicals used as the treatment fluid depending on the type of plate-like object to be treated and the type of foreign matter expected, it is possible to All kinds of foreign substances can be reliably removed.

【００３２】さらに、超音波エネルギや熱エネルギを必
要に応じて援用することにより、たとえば０．５μｍ以
下の微細な異物の除去や、乾燥処理などをより効果的に
遂行することができる。Furthermore, by using ultrasonic energy or thermal energy as necessary, it is possible to more effectively remove fine foreign matter of 0.5 μm or less, drying treatment, etc.

【００３３】また、板状物の第１主面の中央部から周辺
部に向かう流線を有する不活性ガスなどの処理流体を用
いることにより、第１主面上の液滴などの排除による乾
燥処理を効果的に行うことができ、液滴の再付着などに
よる汚染を確実に防止することができる。[0033] Furthermore, by using a processing fluid such as an inert gas having streamlines extending from the center of the first main surface of the plate to the peripheral part, drying can be achieved by removing droplets on the first main surface. Processing can be performed effectively, and contamination due to redeposition of droplets can be reliably prevented.

【００３４】また、板状物自体を動かす必要がないので
、チッピングなどの損傷の懸念を生じることなく、高度
に清浄な処理結果を得ることができる。Furthermore, since there is no need to move the plate itself, highly clean processing results can be obtained without worrying about damage such as chipping.

【００３５】[0035]

【実施例】以下、本発明の一実施例である板状物処理装
置について、図面を用いて具体的に説明する。図１は、
本発明の一実施例である板状物処理装置の構成の一例を
示す断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A plate-like material processing apparatus which is an embodiment of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. Figure 1 shows
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a plate-shaped material processing apparatus that is an embodiment of the present invention.

【００３６】たとえばカップ状に構成された処理室１の
内部には、開口部１ａを通じて、ウェハハンドラ３に保
持されたウェハ２の搬入および搬出が行われるとともに
、当該処理室１の内部の所定位置におけるウェハ２の位
置決めが行われる構造となっている。For example, a wafer 2 held by a wafer handler 3 is carried into and taken out of a cup-shaped processing chamber 1 through an opening 1a, and is also moved to a predetermined position inside the processing chamber 1. The structure is such that positioning of the wafer 2 is performed.

【００３７】処理室１の内部には、ウェハハンドラ３に
よって所定位置に位置決めされるウェハ２の処理面２ａ
（第１主面）に所定の間隙をなして対向する位置に、回
転流形成流体供給部４が配置されている。この回転流形
成流体供給部４の内部には、流体加圧調整室１４が設け
られているとともに、ウェハ２に対する対向面には、流
体加圧調整室１４に連通する複数の流体供給口５が開設
されている。Inside the processing chamber 1, a processing surface 2a of the wafer 2 is positioned at a predetermined position by the wafer handler 3.
A rotating flow forming fluid supply unit 4 is disposed at a position facing the (first main surface) with a predetermined gap therebetween. A fluid pressurization adjustment chamber 14 is provided inside the rotating flow forming fluid supply section 4, and a plurality of fluid supply ports 5 communicating with the fluid pressurization adjustment chamber 14 are provided on the surface facing the wafer 2. It has been established.

【００３８】複数の流体供給口５は、流体加圧調整室１
４を介して、たとえば有機溶剤供給部１５、メタノール
供給部１６、純水供給部１７、窒素ガス供給部１８に接
続されており、処理流体ｆとして、有機溶剤、メタノー
ル、純水、窒素ガスなどが供給される構造となっている
。また、有機溶剤、メタノール、純水、窒素ガスなど処
理流体ｆの、流体供給口５からの流出流量や供給の有無
などは、有機溶剤供給部１５、メタノール供給部１６、
純水供給部１７、窒素ガス供給部１８の各々に設けられ
た有機溶剤供給制御弁１９、メタノール供給制御弁２０
、純水供給制御弁２１、窒素ガス供給制御弁２２によっ
てそれぞれ制御されるように構成されている。流体加圧
調整室１４は、各流体供給口５を通じて流出供給される
処理流体ｆの流量などを均等にする働きをしている。[0038] The plurality of fluid supply ports 5 are connected to the fluid pressurization adjustment chamber 1.
4, and is connected to, for example, an organic solvent supply section 15, a methanol supply section 16, a pure water supply section 17, and a nitrogen gas supply section 18, and the processing fluid f includes an organic solvent, methanol, pure water, nitrogen gas, etc. The structure is such that it is supplied with Further, the flow rate of the processing fluid f such as organic solvent, methanol, pure water, nitrogen gas, etc. from the fluid supply port 5 and the presence or absence of supply are determined by the organic solvent supply section 15, the methanol supply section 16,
An organic solvent supply control valve 19 and a methanol supply control valve 20 provided in each of the pure water supply section 17 and the nitrogen gas supply section 18
, a pure water supply control valve 21, and a nitrogen gas supply control valve 22, respectively. The fluid pressurization adjustment chamber 14 functions to equalize the flow rate of the processing fluid f flowing out and being supplied through each fluid supply port 5 .

【００３９】さらに、処理室１の底部には、排気口２５
を介して排気廃液回収部２３が接続されており、当該処
理室１の内部の雰囲気を引き込む方向の排気動作を行う
とともに、後述のようにしてウェハ２の処理面２ａに供
給される処理流体ｆの回収を行うように構成されている
。すなわち、処理室１の内部には、排気廃液回収部２３
の排気動作によって、開口部１ａを通じて外部側から流
入するとともに、ウェハ２の非処理面２ｂ（第２主面）
に沿って流れ、当該ウェハ２の外周と開口部１ａの間隙
から処理室１の内部に流入する清浄気流２６が形成され
る。特に図示しないが、処理室１の開口部１ａの外側に
は、前記清浄気流２６となる清浄な不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給源が設けられている。Furthermore, an exhaust port 25 is provided at the bottom of the processing chamber 1.
An exhaust waste liquid recovery unit 23 is connected through the exhaust liquid recovery unit 23, which performs an exhaust operation to draw in the atmosphere inside the processing chamber 1, and also collects processing fluid f supplied to the processing surface 2a of the wafer 2 as described below. The system is configured to collect That is, inside the processing chamber 1, there is an exhaust waste liquid recovery section 23.
Due to the evacuation operation, the flow flows from the outside through the opening 1a, and the non-processed surface 2b (second main surface) of the wafer 2
A clean air flow 26 is formed that flows along the wafer 2 and flows into the processing chamber 1 from the gap between the outer periphery of the wafer 2 and the opening 1a. Although not particularly illustrated, an inert gas supply source is provided outside the opening 1a of the processing chamber 1 to supply a clean inert gas that becomes the clean air flow 26.

【００４０】回転流形成流体供給部４の周囲には、背面
側からウェハ２の周辺部に沿って処理室１の内部に流入
する清浄気流２６の流入状態を、当該ウェハ２の全周に
わたって均一化する気流調整板２４が設けられている。 すなわち、排気廃液回収部２３が接続される排気口２５
の数は限られているため、そのままでは、清浄気流２６
の流入状態がウェハ２の周囲において不均一になること
は避けられない。このため、たとえば、気流調整板２４
により、排気口２５に近く、より強い排気作用が行われ
る領域における清浄気流２６の通過面積を小さくし、排
気口２５から遠い領域における通過面積を大きくするこ
とで、清浄気流２６の流入状態の均一化を実現している
。Around the rotating flow forming fluid supply section 4, the clean air flow 26 that flows into the processing chamber 1 from the back side along the periphery of the wafer 2 is uniformly distributed over the entire circumference of the wafer 2. An airflow regulating plate 24 is provided. That is, the exhaust port 25 to which the exhaust waste liquid recovery section 23 is connected
Since the number of
It is unavoidable that the inflow state of the wafer 2 becomes non-uniform around the wafer 2. For this reason, for example, the airflow adjustment plate 24
By reducing the passage area of the clean air flow 26 in the region near the exhaust port 25 where a stronger exhaust action is performed, and increasing the passage area in the region far from the exhaust port 25, the inflow state of the clean air flow 26 can be made uniform. has been realized.

【００４１】図２は、回転流形成流体供給部４における
複数の流体供給口５の構成の一例を示した平面図である
。FIG. 2 is a plan view showing an example of the configuration of the plurality of fluid supply ports 5 in the rotating flow forming fluid supply section 4. As shown in FIG.

【００４２】同図に示されるように、複数の流体供給口
５は、回転流形成流体供給部４のウェハ２に対する対向
面に設定されたインボリュート基礎円７を、４５度分割
したインボリュート曲線上に配列されており、さらに、
個々の流体供給口５の開口方向６（処理流体ｆの流出方
向）は、当該インボリュート曲線の接線方向となるよう
に穿設されている。これにより、複数の流体供給口５か
ら流出する処理流体ｆは、ウェハ２の中央部から周辺部
へと螺線状の流線をなす回転流となって当該ウェハ２に
供給される状態となる。As shown in the figure, the plurality of fluid supply ports 5 are arranged on an involute curve obtained by dividing the involute base circle 7 set at the surface of the rotating flow forming fluid supply unit 4 facing the wafer 2 by 45 degrees. are arranged, and furthermore,
The opening direction 6 (outflow direction of the processing fluid f) of each fluid supply port 5 is tangential to the involute curve. As a result, the processing fluid f flowing out from the plurality of fluid supply ports 5 becomes a rotational flow forming a spiral streamline from the center of the wafer 2 to the periphery, and is supplied to the wafer 2. .

【００４３】次に、上述のように構成された本実施例の
板状物処理装置の作用の一例について説明する。なお、
以下の説明では、処理の一例として、ウェハ２の裏面の
洗浄処理を行う場合について説明する。すなわち、図１
におけるウェハ２の処理面２ａ（第１主面）は、所定の
半導体集積回路などが形成される表面とは反対側の裏面
である。Next, an example of the operation of the plate-shaped object processing apparatus of this embodiment constructed as described above will be explained. In addition,
In the following description, a case will be described in which a cleaning process is performed on the back surface of the wafer 2 as an example of the process. That is, Figure 1
The processing surface 2a (first main surface) of the wafer 2 in is the back surface opposite to the front surface on which a predetermined semiconductor integrated circuit or the like is formed.

【００４４】まず、排気廃液回収部２３を作動させ、処
理室１の開口部１ａを通じて清浄気流２６が常時内部に
流れ込む状態とする。First, the exhaust waste liquid recovery section 23 is activated so that the clean air stream 26 constantly flows into the processing chamber 1 through the opening 1a.

【００４５】この状態で、ウェハハンドラ３に保持され
たウェハ２を、処理対象となる処理面２ａが回転流形成
流体供給部４に対向する姿勢で、処理室１の内部に搬入
し、回転流形成流体供給部４と所定の間隙をなして平行
に対向する所定の位置に位置決めする。In this state, the wafer 2 held by the wafer handler 3 is carried into the processing chamber 1 with the processing surface 2a to be processed facing the rotational flow forming fluid supply unit 4, and the rotational flow is applied to the wafer 2. It is positioned at a predetermined position parallel to and facing the forming fluid supply section 4 with a predetermined gap therebetween.

【００４６】この位置決め状態では、気流調整板２４の
作用により、ウェハ２の全周にわたって、均一に処理室
１の内部に流入する清浄気流２６が形成される。In this positioning state, the action of the airflow adjustment plate 24 forms a clean airflow 26 that uniformly flows into the processing chamber 1 over the entire circumference of the wafer 2 .

【００４７】その後、まず、有機溶剤供給制御弁１９を
開き、処理流体ｆとして、たとえば、アセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン等の有機溶剤を
、有機溶剤供給部１５から流体供給口５を通じてウェハ
２に供給する。Thereafter, first, the organic solvent supply control valve 19 is opened, and an organic solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, etc. is supplied to the wafer 2 as the processing fluid f from the organic solvent supply section 15 through the fluid supply port 5. supply

【００４８】図２に例示した、前述のような流体供給口
５の配列状態および開口方向により、処理流体ｆは、ウ
ェハ２の中央部から周辺部に、螺線状の流線を呈して連
続的に流れ去る回転流となる。このため、ウェハ２の処
理面２ａに付着している有機異物などは、有機溶剤から
なる処理流体ｆに溶解して剥離されるとともに、回転流
を形成する処理流体ｆによってウェハ２の外部に運び去
られ、残留することなく確実に除去される。Due to the above-described arrangement and opening direction of the fluid supply ports 5, as illustrated in FIG. It becomes a rotating flow that flows away. Therefore, organic foreign matter adhering to the processing surface 2a of the wafer 2 is dissolved and peeled off by the processing fluid f made of an organic solvent, and is also carried to the outside of the wafer 2 by the processing fluid f forming the rotating flow. removed, ensuring that it is removed without any residue.

【００４９】所定の時間だけ、有機溶剤からなる処理流
体ｆの供給を継続し、ウェハ２の処理面２ａに付着した
異物を充分に除去した後、有機溶剤供給制御弁１９を閉
じて、有機溶剤からなる処理流体ｆの供給を停止する。After continuing to supply the processing fluid f made of an organic solvent for a predetermined period of time to sufficiently remove foreign matter adhering to the processing surface 2a of the wafer 2, the organic solvent supply control valve 19 is closed and the organic solvent The supply of processing fluid f consisting of

【００５０】次に、メタノール供給制御弁２０を開いて
、メタノール供給部１６から、処理流体ｆとしてメタノ
ールを供給する。Next, the methanol supply control valve 20 is opened, and methanol is supplied from the methanol supply section 16 as the processing fluid f.

【００５１】前述の有機溶剤の場合と同様に、流体供給
口５から流出供給されるメタノールは、ウェハ２の中央
部から周辺部に到る回転流となって処理面２ａに作用す
る。[0051] As in the case of the organic solvent described above, the methanol supplied and discharged from the fluid supply port 5 acts on the processing surface 2a as a rotating flow from the center to the peripheral part of the wafer 2.

【００５２】これにより、ウェハ２の処理面２ａに存在
する有機溶剤などの液滴全体が当該メタノールによって
置換される。[0052] As a result, the entire droplets of organic solvent and the like existing on the processing surface 2a of the wafer 2 are replaced by the methanol.

【００５３】所定の時間だけメタノールの供給を維持し
、メタノールによる置換が確実に行われた後、メタノー
ル供給制御弁２０を閉じ、メタノールの供給を停止する
。After the methanol supply is maintained for a predetermined period of time to ensure replacement with methanol, the methanol supply control valve 20 is closed to stop the methanol supply.

【００５４】その後、同様に、純水供給制御弁２１を開
いて、純水供給部１７から処理流体ｆとして純水の供給
を開始し、所定時間だけ純水の供給を行った後、純水供
給制御弁２１を閉じて、処理流体ｆとしての純水の供給
を停止する。Thereafter, similarly, the pure water supply control valve 21 is opened to start supplying pure water as the processing fluid f from the pure water supply section 17, and after supplying pure water for a predetermined time, the pure water The supply control valve 21 is closed to stop the supply of pure water as the processing fluid f.

【００５５】こうして、ウェハ２の処理面２ａを、有機
溶剤、メタノール、純水からなる処理流体ｆによって順
次処理した後、窒素ガス供給制御弁２２を開いて窒素ガ
ス供給部１８から、処理流体ｆとして窒素ガスを、流体
供給口５を通じて回転流として所定の量だけウェハ２の
処理面２ａに供給し、乾燥させる。所定の時間だけ処理
流体ｆとして窒素ガスを供給し、ウェハ２の処理面２ａ
が所望の乾燥状態となった後、窒素ガス供給制御弁２２
を閉じて、供給を停止する。After the processing surface 2a of the wafer 2 is thus sequentially processed with the processing fluid f consisting of organic solvent, methanol, and pure water, the nitrogen gas supply control valve 22 is opened to supply the processing fluid f from the nitrogen gas supply section 18. A predetermined amount of nitrogen gas is supplied in the form of a rotating flow through the fluid supply port 5 to the processing surface 2a of the wafer 2 for drying. Nitrogen gas is supplied as the processing fluid f for a predetermined period of time, and the processing surface 2a of the wafer 2 is
After reaching the desired dry state, the nitrogen gas supply control valve 22
Close and stop supply.

【００５６】こうして処理されたウェハ２は、ウェハハ
ンドラ３の搬送動作によって処理室１の外部に搬出され
る。The wafer 2 thus processed is carried out of the processing chamber 1 by the transport operation of the wafer handler 3.

【００５７】このように、本実施例の板状物処理装置に
よれば、処理流体ｆとしての有機溶剤、メタノール、純
水、窒素ガスが、ウェハ２の処理対象である処理面２ａ
の中央部から周辺部に螺線状の流線をなす回転流として
作用するので、有機溶剤、メタノール、純水、さらには
窒素ガスなどの処理流体ｆによる洗浄および乾燥処理に
おいて、当該処理面２ａから剥離／除去された異物が、
滞留することなく、確実にウェハ２の外部に排除され、
ウェハ２の処理面２ａを高度に清浄化することができる
。As described above, according to the plate processing apparatus of this embodiment, the organic solvent, methanol, pure water, and nitrogen gas as the processing fluid f are applied to the processing surface 2a of the wafer 2 to be processed.
The flow acts as a rotating flow forming a spiral streamline from the center to the periphery of the surface 2a. Foreign matter peeled off/removed from
It is reliably removed to the outside of the wafer 2 without stagnation,
The processing surface 2a of the wafer 2 can be highly cleaned.

【００５８】さらに、ウェハ２の処理面２ａと表裏をな
す非処理面２ｂ（表面）側から、当該ウェハ２の周辺部
と処理室１の開口部１ａとの間隙を通過して、清浄気流
２６が処理室１の内部に常時、強制的に流入するので、
当該処理室１の内部で遂行される処理面２ａの洗浄およ
び乾燥処理中に発生する処理流体ｆの飛沫や異物を含む
雰囲気などが、非処理面２ｂの側に回り込むことが阻止
され、処理面２ａに対する処理に関係しない非処理面２
ｂの汚染を確実に防止することができる。Furthermore, a clean air flow 26 passes through the gap between the periphery of the wafer 2 and the opening 1a of the processing chamber 1 from the non-processed surface 2b (front surface) side, which is opposite to the processed surface 2a of the wafer 2. is forced to flow into the processing chamber 1 at all times, so
Splashes of the processing fluid f generated during the cleaning and drying process of the processing surface 2a performed inside the processing chamber 1, atmosphere containing foreign matter, etc. are prevented from going around to the non-processing surface 2b side, and the processing surface 2a is Non-processed surface 2 not related to processing for 2a
b. contamination can be reliably prevented.

【００５９】また、処理中のウェハ２は、ウェハハンド
ラ３に安定に支持されているので、当該ウェハ２の周辺
部が処理室１の内壁面に衝突してチッピングを生じるな
どの懸念もない。Furthermore, since the wafer 2 being processed is stably supported by the wafer handler 3, there is no fear that the peripheral portion of the wafer 2 will collide with the inner wall surface of the processing chamber 1 and cause chipping.

【００６０】なお、上述の説明では、有機溶剤供給系、
メタノール供給系、純水供給系、窒素ガス供給系を、有
機溶剤供給制御弁１９、メタノール供給制御弁２０、純
水供給制御弁２１、窒素ガス供給制御弁２２の下流側で
同一ラインを使用しているが、これに限らず、回転流形
成流体供給部４に対する接続を独立にして、当該ライン
内の各処理流体ｆの配管系などにおける置換に要する時
間などを省略して、処理効率を高めるようにしてもよい
。[0060] In the above explanation, the organic solvent supply system,
The methanol supply system, pure water supply system, and nitrogen gas supply system are used on the same line downstream of the organic solvent supply control valve 19, methanol supply control valve 20, pure water supply control valve 21, and nitrogen gas supply control valve 22. However, the present invention is not limited to this, and the connection to the rotating flow forming fluid supply unit 4 may be made independent to eliminate the time required for replacing each processing fluid f in the piping system in the line, thereby increasing processing efficiency. You can do it like this.

【００６１】図３は、本発明の他の実施例である板状物
処理装置の要部を示す平面図である。この図３の実施例
の場合には、回転流形成流体供給部４Ａに、インボリュ
ート曲線の接線方向に開口方向９が設定された流体供給
口８を複数列に穿設するとともに、中央部には直上方、
すなわちウェハ２の処理面２ａにほぼ垂直となる方向に
開口する流体供給口１０を穿設したところが図１に例示
される板状物処理装置の場合と異なっている。FIG. 3 is a plan view showing the main parts of a plate-like object processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In the case of the embodiment shown in FIG. 3, a plurality of rows of fluid supply ports 8 whose opening direction 9 is set in the tangential direction of the involute curve are provided in the rotating flow forming fluid supply section 4A, and the fluid supply ports 8 are provided in the center part. directly above,
That is, this differs from the plate-like object processing apparatus illustrated in FIG. 1 in that a fluid supply port 10 is provided which opens in a direction substantially perpendicular to the processing surface 2a of the wafer 2.

【００６２】このような回転流形成流体供給部４Ａの構
成により、前記図１の実施例の場合と同様の効果が得ら
れるとともに、流体供給口８および１０から供給される
処理流体ｆの流量を大きくして処理効率を高めることが
できる。また、中央部に開口する流体供給口１０から噴
出する処理流体ｆによって、ウェハ２の処理面２ａに滞
留しようとする異物などの排除を、より確実に行うこと
ができる。With this configuration of the rotating flow forming fluid supply section 4A, the same effects as in the embodiment of FIG. 1 can be obtained, and the flow rate of the processing fluid f supplied from the fluid supply ports 8 and 10 can be It can be made larger to improve processing efficiency. In addition, the processing fluid f ejected from the fluid supply port 10 that opens in the center can more reliably remove foreign matter and the like that tend to stay on the processing surface 2a of the wafer 2.

【００６３】図４は、本発明のさらに他の実施例である
板状物処理装置の要部を示す平面図であり、図５は、図
４において線Ｖ−Ｖで示される部分の断面図である。FIG. 4 is a plan view showing the main parts of a plate-shaped material processing apparatus according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view of the portion indicated by line V-V in FIG. It is.

【００６４】この図４および図５の実施例の場合には、
回転流形成流体供給部４Ｂに、インボリュート曲線をな
して溝状に開口する流体供給口１１を形成したものであ
る。In the case of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5,
A fluid supply port 11 having an involute curve and opening in the shape of a groove is formed in the rotating flow forming fluid supply section 4B.

【００６５】この流体供給口１１の、回転流形成流体供
給部４Ｂの径方向における断面の開口方向１２は、処理
対象であるウェハ２の処理面２ａの中央部から周辺部に
向かう方向に傾斜して設定されている。The opening direction 12 of the cross section of the fluid supply port 11 in the radial direction of the rotating flow forming fluid supply section 4B is inclined in the direction from the center to the peripheral part of the processing surface 2a of the wafer 2 to be processed. is set.

【００６６】これにより、前記図３の実施例の場合と同
様に、ウェハ２に回転流となって作用する処理流体ｆの
供給流量を充分に大きくすることがてき、処理効率をよ
り向上させることができる。As a result, as in the case of the embodiment shown in FIG. 3, the supply flow rate of the processing fluid f acting on the wafer 2 in the form of a rotational flow can be made sufficiently large, and the processing efficiency can be further improved. Can be done.

【００６７】次に、図６によって、本発明のさらに他の
実施例である板状物処理装置を説明する。この図６の実
施例の場合には、ウェハ２の洗浄処理に超音波エネルギ
を援用するものである。Next, referring to FIG. 6, a plate-like material processing apparatus which is still another embodiment of the present invention will be explained. In the case of the embodiment shown in FIG. 6, ultrasonic energy is used for cleaning the wafer 2.

【００６８】すなわち、処理室２７の内部には、ウェハ
ハンドラ３に保持されたウェハ２の処理面２ａに対向す
る回転流形成流体供給部２８が配置されており、純水供
給部３１および窒素ガス供給部３２から、純水供給制御
弁３３および窒素ガス供給制御弁３４を介して、処理流
体ｆとして、純水および窒素ガスが供給されるように構
成されている。この回転流形成流体供給部２８の内部に
は、超音波発振源３０から与えられるエネルギによって
作動する超音波振動子２９が配置されている。That is, inside the processing chamber 27, a rotating flow forming fluid supply section 28 facing the processing surface 2a of the wafer 2 held by the wafer handler 3 is disposed, and a pure water supply section 31 and a nitrogen gas supply section 28 are provided. The supply unit 32 is configured to supply pure water and nitrogen gas as the processing fluid f via a pure water supply control valve 33 and a nitrogen gas supply control valve 34 . An ultrasonic vibrator 29 operated by energy given from an ultrasonic oscillation source 30 is arranged inside the rotating flow forming fluid supply section 28 .

【００６９】処理室２７の底部には、図示しない排気機
構が設けられており、ウェハ２の外周部と処理室２７の
開口部２７ａとの間隙を通じて、外部から清浄気流３７
を強制的に流入させることにより、強制排気流３６を形
成している。An exhaust mechanism (not shown) is provided at the bottom of the processing chamber 27, and a clean airflow 37 is supplied from the outside through the gap between the outer periphery of the wafer 2 and the opening 27a of the processing chamber 27.
A forced exhaust flow 36 is formed by forcibly inflowing the air.

【００７０】以下、この実施例の板状物処理装置の作用
の一例について説明する。An example of the operation of the plate-shaped object processing apparatus of this embodiment will be explained below.

【００７１】まず、強制排気流３６が形成されている状
態で、ウェハハンドラ３に保持された未処理のウェハ２
を、開口部２７ａを通じ処理室２７の内部に搬入し、回
転流形成流体供給部２８に所定の間隙をなして対向させ
る。First, while the forced exhaust flow 36 is being formed, the unprocessed wafer 2 held in the wafer handler 3 is
is carried into the processing chamber 27 through the opening 27a and opposed to the rotating flow forming fluid supply section 28 with a predetermined gap therebetween.

【００７２】その後、まず純水供給制御弁３３を開いて
純水を回転流形成流体供給部２８に供給し、流体供給口
３５を通じて、回転流としてウェハ２の処理面２ａに作
用させる。この状態で、超音波振動子２９を作動させて
、回転流形成流体供給部２８からウェハ２に作用しつつ
ある処理流体ｆとしての純水に超音波エネルギを与える
。この超音波エネルギによって、回転流となってウェハ
２に作用する処理流体ｆによる異物などの剥離除去作用
が促進され、かつ、剥離除去された異物は、回転流をな
す処理流体ｆによって滞留することなく、ウェハ２の外
部に速やかに排除される。[0072] Thereafter, first, the pure water supply control valve 33 is opened to supply pure water to the rotating flow forming fluid supply unit 28, and the pure water is applied to the processing surface 2a of the wafer 2 as a rotating flow through the fluid supply port 35. In this state, the ultrasonic vibrator 29 is operated to apply ultrasonic energy to the pure water serving as the processing fluid f that is acting on the wafer 2 from the rotating flow forming fluid supply unit 28 . This ultrasonic energy promotes the peeling and removal action of foreign matter etc. by the processing fluid f acting on the wafer 2 in the form of a rotational flow, and the peeled and removed foreign matter is retained by the processing fluid f forming the rotational flow. The wafer 2 is immediately expelled from the wafer 2.

【００７３】所定の時間だけ、この洗浄処理を行った後
、超音波エネルギの印加を停止するとともに、純水供給
制御弁３３を閉じて処理流体ｆとしての純水の供給を停
止する。その後、窒素ガス供給制御弁３４を開き、処理
流体ｆとしての窒素ガスの供給を開始し、流体供給口３
５からウェハ２の処理面２ａに窒素ガスを作用させ、当
該処理面２ａの乾燥処理を行う。所定時間の窒素ガスの
供給によって、ウェハ２を充分に乾燥させた後、窒素ガ
ス供給制御弁３４を閉じて窒素ガスの供給を停止し、処
理済みのウェハ２を外部に搬出する。After performing this cleaning process for a predetermined period of time, the application of ultrasonic energy is stopped, and the pure water supply control valve 33 is closed to stop the supply of pure water as the processing fluid f. Thereafter, the nitrogen gas supply control valve 34 is opened to start supplying nitrogen gas as the processing fluid f, and the fluid supply port 3
5, nitrogen gas is applied to the processing surface 2a of the wafer 2 to dry the processing surface 2a. After the wafer 2 is sufficiently dried by supplying nitrogen gas for a predetermined period of time, the nitrogen gas supply control valve 34 is closed to stop the supply of nitrogen gas, and the processed wafer 2 is carried outside.

【００７４】このように、本実施例の場合には、純水に
よる超音波洗浄によって、より微細な異物などを効果的
に除去できるとともに、ウェハ２から一旦除去された異
物などは、回転流をなす純水（処理流体ｆ）とともに滞
留することなく確実にウェハ２の外部に排除され、再汚
染などの懸念がない。このため、ウェハ２の処理面２ａ
を高度に清浄化することができる。また、前述した各実
施例の場合と同様に、外部から強制的に処理室１の内部
に流入する清浄気流３７によって、処理室２７の内部に
おいて発生する処理流体ｆの飛沫や異物などがウェハ２
の処理に関係しない非処理面２ｂの側に回り込んで付着
することがなく、処理面２ａの洗浄処理中における非処
理面２ｂの汚染の発生を確実に阻止できる。As described above, in the case of this embodiment, finer foreign matter can be effectively removed by ultrasonic cleaning with pure water, and foreign matter once removed from the wafer 2 can be removed by the rotational flow. It is reliably removed to the outside of the wafer 2 without remaining together with the pure water (processing fluid f), and there is no fear of re-contamination. For this reason, the processing surface 2a of the wafer 2
can be highly purified. In addition, as in the case of each of the above-described embodiments, the clean air flow 37 forcibly flowing into the processing chamber 1 from the outside removes droplets of the processing fluid f and foreign matter generated inside the processing chamber 27 from the wafer 2.
It does not wrap around and adhere to the side of the non-processed surface 2b that is not related to the processing, and it is possible to reliably prevent the occurrence of contamination of the non-processed surface 2b during the cleaning process of the processed surface 2a.

【００７５】図７は、本発明の他の実施例である板状物
処理装置の構成の一例を示す略断面図である。本実施例
の場合には、ウェハ２に対してベーパーエッチング処理
を行うように構成されている。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a plate-like object processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In the case of this embodiment, the wafer 2 is configured to undergo vapor etching processing.

【００７６】すなわち、処理室３８の内部には、ウェハ
ハンドラ４０に保持されたウェハ３９の処理面３９ａ（
第１主面）に対向する位置に、回転流形成流体供給部４
１が設けられている。この回転流形成流体供給部４１に
は、エッチング液蒸気制御弁４５，水蒸気供給制御弁４
６，窒素ガス供給制御弁４７を介して、エッチング液蒸
気生成部４２、水蒸気生成部４３、窒素ガス供給部４４
がそれぞれ接続されており、ウェハ３９の処理面３９ａ
に対向して開設された流体供給口５から、処理流体ｆと
してエッチング液蒸気、水蒸気、窒素ガスなどを当該処
理面３９ａに作用させることが可能となっている。That is, inside the processing chamber 38, there is a processing surface 39a (
A rotating flow forming fluid supply section 4 is located at a position facing the first main surface).
1 is provided. This rotating flow forming fluid supply section 41 includes an etching liquid vapor control valve 45 and a water vapor supply control valve 4.
6. Via the nitrogen gas supply control valve 47, the etching liquid vapor generation section 42, the water vapor generation section 43, and the nitrogen gas supply section 44
are connected to each other, and the processing surface 39a of the wafer 39
It is possible to apply etching liquid vapor, water vapor, nitrogen gas, etc. as the processing fluid f to the processing surface 39a from the fluid supply port 5 opened opposite to the processing surface 39a.

【００７７】また、ウェハ３９を挟んで回転流形成流体
供給部４１に対向する位置には、多数の透孔５０ａが穿
設された石英製の整流板５０および石英プレート５１が
配置されている。石英プレート５１の背面側には赤外線
ランプ５２が配置されており、石英プレート５１および
整流板５０越しに、ウェハ３９の非処理面３９ｂ（第２
主面）側に対して、赤外線５２ａを照射するように構成
されている。Further, a quartz rectifying plate 50 and a quartz plate 51 having a large number of through holes 50a are arranged at a position facing the rotating flow forming fluid supply section 41 with the wafer 39 in between. An infrared lamp 52 is arranged on the back side of the quartz plate 51, and it illuminates the non-processed surface 39b (second
It is configured to irradiate infrared rays 52a to the main surface) side.

【００７８】さらに、石英プレート５１と、整流板５０
との間の空間には、窒素ガス供給部４９が接続されてお
り、整流板５０の多数の透孔５０ａを通じて、窒素ガス
４９ａが、ウェハ３９の非処理面（非処理面３９ｂ）に
均一に供給される構造となっている。また、処理室３８
の底部には、排気廃液回収部４８が設けられており、後
述のような一連の処理において発生する廃液の回収を行
うとともに、ウェハ３９の背面側に供給される窒素ガス
４９ａを、当該ウェハ３９の外周部と処理室３８との間
の間隙を通じて引き込む方向に向けて、強制的な排気流
を形成する作用を行う。Furthermore, a quartz plate 51 and a rectifying plate 50
A nitrogen gas supply unit 49 is connected to the space between the two, and nitrogen gas 49a is uniformly supplied to the non-processed surface (non-processed surface 39b) of the wafer 39 through the numerous through holes 50a of the current plate 50. The structure is supplied. In addition, the processing chamber 38
An exhaust liquid waste recovery unit 48 is provided at the bottom of the wafer 39 to recover waste liquid generated in a series of processes as described below, and also to collect nitrogen gas 49a supplied to the back side of the wafer 39. The effect is to form a forced exhaust flow in the drawing direction through the gap between the outer peripheral portion of the processing chamber 38 and the processing chamber 38 .

【００７９】以下、図７の板状物処理装置の作用の一例
について説明する。An example of the operation of the plate-like material processing apparatus shown in FIG. 7 will be described below.

【００８０】まず、排気廃液回収部４８を作動させると
ともに、窒素ガス供給部４９から窒素ガス４９ａをウェ
ハ３９の非処理面側に供給することにより、処理室３８
の内部には、下向きの排気流（窒素ガス流）が形成され
る。First, the processing chamber 38 is opened by activating the exhaust waste liquid recovery section 48 and supplying nitrogen gas 49a from the nitrogen gas supply section 49 to the non-processing side of the wafer 39.
A downward exhaust flow (nitrogen gas flow) is formed inside.

【００８１】この状態で、ウェハハンドラ４０を作動さ
せ、ウェハ３９を、回転流形成流体供給部４１に対向す
る位置に位置決めする。In this state, the wafer handler 40 is operated to position the wafer 39 at a position facing the rotating flow forming fluid supply section 41.

【００８２】その後、窒素ガス供給制御弁４７を開いて
窒素ガス供給部４４から窒素ガスを供給すると同時に、
エッチング液蒸気制御弁４５を開いて、エッチング液蒸
気生成部４２から所定のエッチング液蒸気を供給する。 これにより窒素ガスをキャリアとするエッチング液蒸気
からなる処理流体ｆは、回転流形成流体供給部４１の流
体供給口５３を通じて回転流としてウェハ３９の処理面
３９ａに作用し、当該処理面３９ａに対するエッチング
処理を行う。Thereafter, the nitrogen gas supply control valve 47 is opened to supply nitrogen gas from the nitrogen gas supply section 44, and at the same time,
The etching liquid vapor control valve 45 is opened to supply predetermined etching liquid vapor from the etching liquid vapor generating section 42 . As a result, the processing fluid f consisting of etching liquid vapor using nitrogen gas as a carrier acts on the processing surface 39a of the wafer 39 as a rotational flow through the fluid supply port 53 of the rotational flow forming fluid supply section 41, and etching the processing surface 39a. Perform processing.

【００８３】所定時間のエッチング処理の後、まず、エ
ッチング液蒸気制御弁４５を閉じてエッチング液蒸気の
供給を停止するとともに、水蒸気供給制御弁４６を開い
て水蒸気生成部４３からの水蒸気の供給を開始する。こ
の水蒸気は、窒素ガス供給部４４から供給される前述の
窒素ガスをキャリアとする処理流体ｆとして、ウェハ３
９の処理面３９ａに回転流となって作用し、処理面３９
ａに残留するエッチング液などを洗い流す処理を行う。After the etching process for a predetermined time, first, the etching liquid vapor control valve 45 is closed to stop the supply of etching liquid vapor, and at the same time, the water vapor supply control valve 46 is opened to stop the supply of water vapor from the water vapor generating section 43. Start. This water vapor is applied to the wafer 3 as a processing fluid f using the aforementioned nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply section 44 as a carrier.
9 acts as a rotational flow on the processing surface 39a, and the processing surface 39
A process is performed to wash away the etching solution remaining in a.

【００８４】そして、所定時間の水蒸気による清浄処理
の後、水蒸気供給制御弁４６を閉じて水蒸気の供給を停
止し、処理流体ｆとして窒素ガスのみが供給される状態
にする。After the cleaning process using steam for a predetermined period of time, the steam supply control valve 46 is closed to stop the supply of steam, and only nitrogen gas is supplied as the processing fluid f.

【００８５】そして、この窒素ガスのみが処理流体ｆと
して供給される状態で、赤外線ランプ５２を点灯し、石
英プレート５１および整流板５０越しにウェハ３９の非
処理面３９ｂの側に赤外線５２ａを照射し、ウェハ３９
の乾燥を促進する。所定時間の赤外線５２ａの照射によ
る乾燥処理の後、赤外線ランプ５２を消灯して、赤外線
５２ａの照射を停止し、さらに、窒素ガス供給制御弁４
７を閉じて、窒素ガスの供給を停止する。Then, with only this nitrogen gas being supplied as the processing fluid f, the infrared lamp 52 is turned on, and the infrared ray 52a is irradiated onto the non-processing surface 39b of the wafer 39 through the quartz plate 51 and the rectifying plate 50. and wafer 39
promotes drying. After the drying process by irradiation with infrared rays 52a for a predetermined time, the infrared lamp 52 is turned off, the irradiation with infrared rays 52a is stopped, and the nitrogen gas supply control valve 4 is turned off.
7 to stop the supply of nitrogen gas.

【００８６】このように、本実施例の場合には、エッチ
ング液蒸気が回転流となってウェハ３９の処理面３９ａ
に作用するので、エッチングによって当該処理面３９ａ
から剥離する異物などが、確実にウェハ３９の外部に排
除され、さらに、水蒸気による清浄処理、窒素ガスによ
る乾燥処理においても、処理流体ｆが回転流となって処
理面３９ａに作用するので、残留異物を確実に減少し、
処理面３９ａを高度に洗浄な状態にすることができる。As described above, in the case of this embodiment, the etching liquid vapor becomes a rotating flow and reaches the processing surface 39a of the wafer 39.
, so the etching affects the treated surface 39a.
Foreign matter that peels off from the wafer 39 is reliably removed to the outside of the wafer 39, and furthermore, even in the cleaning process using water vapor and the drying process using nitrogen gas, the processing fluid f becomes a rotating flow and acts on the processing surface 39a, so that no residual particles are removed. Reliably reduces foreign substances,
The treated surface 39a can be brought into a highly clean state.

【００８７】また、窒素ガス供給部４９からウェハ３９
の非処理面に供給される窒素ガス４９ａは、強制的な排
気流となって回転流形成流体供給部４１の側に移動する
ため、処理中の処理面３９ａの側において発生した処理
流体ｆの飛沫が非処理面側に回り込むことがなく、非処
理面の汚染を防止することができる。Further, the wafer 39 is removed from the nitrogen gas supply section 49.
Since the nitrogen gas 49a supplied to the non-processing surface becomes a forced exhaust flow and moves toward the rotating flow forming fluid supply section 41, the processing fluid f generated on the processing surface 39a side during processing is removed. Splashes do not go around to the non-processed surface, and contamination of the non-processed surface can be prevented.

【００８８】図８は、本発明のさらに他の実施例である
板状物処理装置の構成の一例を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a plate-shaped object processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

【００８９】本実施例の板状物処理装置は、有機洗浄装
置として構成されている。The plate processing apparatus of this embodiment is configured as an organic cleaning apparatus.

【００９０】処理室５４の内部には、回転流形成流体供
給部５７が、複数の流体供給口５８の穿設面を上向きに
して配置されており、有機溶剤供給制御弁６１および窒
素ガス供給制御弁６２を介して、処理流体ｆとしての有
機溶剤および窒素ガスの供給源である有機溶剤供給部５
９および窒素ガス供給部６０が接続されている。Inside the processing chamber 54, a rotating flow forming fluid supply section 57 is arranged with the perforated surface of the plurality of fluid supply ports 58 facing upward, and an organic solvent supply control valve 61 and a nitrogen gas supply control valve 57 are arranged. Via the valve 62, the organic solvent supply section 5, which is a supply source of an organic solvent and nitrogen gas as the processing fluid f.
9 and a nitrogen gas supply section 60 are connected.

【００９１】この回転流形成流体供給部５７の周辺部を
貫通する位置にはウェハハンドラ５５が設けられており
、処理対象のウェハ５６の処理面５６ａ（第１主面）を
下向きにした姿勢で回転流形成流体供給部５７に対する
位置決め動作を行うように構成されている。A wafer handler 55 is provided at a position penetrating the periphery of the rotating flow forming fluid supply section 57, and handles a wafer 56 to be processed in an attitude with the processing surface 56a (first principal surface) facing downward. It is configured to perform a positioning operation with respect to the rotating flow forming fluid supply section 57.

【００９２】ウェハ５６を挟んで回転流形成流体供給部
５７と対向する位置には、導波管６４が開設されている
。導波管６４には、図示しないマイクロ波源が接続され
ており、所望の波長のマイクロ波電磁界６６を、ウェハ
５６の非処理面５６ｂ（第２主面）に照射する構造とな
っている。A waveguide 64 is provided at a position facing the rotating flow forming fluid supply section 57 with the wafer 56 in between. A microwave source (not shown) is connected to the waveguide 64, and is configured to irradiate a microwave electromagnetic field 66 of a desired wavelength onto the non-processed surface 56b (second principal surface) of the wafer 56.

【００９３】導波管６４の開口部には、多数の透孔６３
ａが穿設された整流板６３が、ウェハ５６とほぼ平行に
設けられているとともに、当該導波管６４には、窒素ガ
ス供給部６５が接続されており、当該整流板６３の多数
の透孔６３ａを通じて、窒素ガス６５ａがウェハ５６の
非処理面５６ｂの側に均等に吹き出す構造となっている
。The opening of the waveguide 64 has a large number of through holes 63.
A rectifying plate 63 with holes a is provided substantially parallel to the wafer 56, and a nitrogen gas supply section 65 is connected to the waveguide 64, and a large number of transparent plates in the rectifying plate 63 The structure is such that nitrogen gas 65a is evenly blown out toward the non-processed surface 56b of the wafer 56 through the hole 63a.

【００９４】回転流形成流体供給部５７におけるウェハ
ハンドラ５５の貫通部にはシールド機構６７が設けられ
ており、当該貫通部における処理流体ｆやマイクロ波電
磁界の漏洩を防止している。A shield mechanism 67 is provided at the penetrating portion of the wafer handler 55 in the rotating flow forming fluid supply section 57 to prevent leakage of the processing fluid f and the microwave electromagnetic field at the penetrating portion.

【００９５】また、特に図示しないが、処理室５４の底
部には、排気廃液回機構が設けられており、処理中に発
生する廃液の回収を行うとともに、前述の導波管６４内
から整流板６３を通じて流入する窒素ガス６５ａを、当
該処理室５４の内部に引き込む方向に強制的に排気流を
形成する働きをしている。Although not particularly shown, an exhaust liquid waste circulation mechanism is provided at the bottom of the processing chamber 54 to recover waste liquid generated during processing, and also to collect waste liquid from the waveguide 64 described above. It functions to forcibly form an exhaust flow in the direction of drawing the nitrogen gas 65a flowing through the processing chamber 63 into the processing chamber 54.

【００９６】以下、この図８の実施例の板状物処理装置
による有機洗浄処理について説明する。[0096] The organic cleaning process performed by the plate-shaped material processing apparatus of the embodiment shown in FIG. 8 will be described below.

【００９７】まず、導波管６４の内部から整流板６３を
通じて供給される窒素ガス６５ａを、図示しない排気廃
液回収機構による排気動作によって、処理室５４の内部
に強制的に引き込むことにより下向きの強制排気流を形
成する。First, the nitrogen gas 65a supplied from the inside of the waveguide 64 through the rectifying plate 63 is forcibly drawn into the processing chamber 54 by an exhaust operation by an exhaust waste liquid recovery mechanism (not shown), thereby forcing it downward. Form an exhaust flow.

【００９８】この状態で、ウェハハンドラ５５により、
ウェハ５６を搬入し、処理面５６ａが、回転流形成流体
供給部５７に所定の間隙をなして対向する位置に位置決
めする。In this state, the wafer handler 55
The wafer 56 is carried in and positioned at a position where the processing surface 56a faces the rotating flow forming fluid supply section 57 with a predetermined gap therebetween.

【００９９】その後、有機溶剤供給制御弁６１を開いて
、処理流体ｆとしての有機溶剤の供給を開始し、回転流
形成流体供給部５７の流体供給口５８から回転流として
ウェハ５６の処理面５６ａに作用させる。この有機溶剤
の作用により、ウェハ５６の処理面５６ａに存在する有
機異物などは、有機溶剤による溶解作用などによって剥
離除去され、滞留することなく、回転流をなす有機溶剤
とともにウェハ５６の外部に排除される。このような、
有機溶剤による洗浄処理を所定の時間だけ行った後、有
機溶剤供給制御弁６１を閉じて、有機溶剤の供給を停止
する。Thereafter, the organic solvent supply control valve 61 is opened to start supplying the organic solvent as the processing fluid f, and the processing surface 56a of the wafer 56 is supplied as a rotational flow from the fluid supply port 58 of the rotational flow forming fluid supply section 57. to act on. Due to the action of this organic solvent, organic foreign substances present on the processing surface 56a of the wafer 56 are peeled off and removed by the dissolving action of the organic solvent, and are ejected to the outside of the wafer 56 together with the rotating organic solvent without being retained. be done. like this,
After performing the cleaning process using the organic solvent for a predetermined period of time, the organic solvent supply control valve 61 is closed to stop the supply of the organic solvent.

【０１００】次に、窒素ガス供給制御弁６２を開いて、
処理流体ｆとしての窒素ガスの供給を開始し、流体供給
口５８を通じて、回転流としてウェハ５６の処理面５６
ａに作用させるとともに、導波管６４を介して、ウェハ
５６の非処理面５６ｂの側からマイクロ波電磁界６６を
印加する。これにより、ウェハ５６からの有機溶剤の蒸
発が促進され、ウェハ５６は、迅速に乾燥される。Next, open the nitrogen gas supply control valve 62,
The supply of nitrogen gas as the processing fluid f is started, and the processing surface 56 of the wafer 56 is supplied as a rotational flow through the fluid supply port 58.
At the same time, a microwave electromagnetic field 66 is applied from the non-processed surface 56b of the wafer 56 through the waveguide 64. This promotes evaporation of the organic solvent from the wafer 56, and the wafer 56 is quickly dried.

【０１０１】マイクロ波電磁界６６の照射による所定時
間の乾燥処理の後、マイクロ波電磁界６６の印加を停止
するとともに、窒素ガス供給制御弁６２を閉じ、処理流
体ｆとしての窒素ガスの供給を停止する。After the drying process for a predetermined time by irradiation with the microwave electromagnetic field 66, the application of the microwave electromagnetic field 66 is stopped, the nitrogen gas supply control valve 62 is closed, and the supply of nitrogen gas as the processing fluid f is stopped. Stop.

【０１０２】このように、本実施例の板状物処理装置に
よれば、処理流体ｆとしての有機溶剤を、回転流をなす
ようにウェハ５６の処理面５６ａに作用させることによ
り、残留異物などを生じることなく、高度な洗浄状態を
うることができる。また、処理流体ｆとしての窒素ガス
を回転流をなすようにウェハ５６の処理面５６ａに作用
させるとともに、マイクロ波電磁界６６による加熱によ
って有機溶剤の蒸発が促進され、有機溶剤による洗浄処
理後の乾燥処理の所要時間を短縮することができる。ま
た、処理流体ｆの種別などに応じて、最も加熱効率のよ
いマイクロ波電磁界６６の波長を設定することにより、
乾燥処理の効率化を実現できる。As described above, according to the plate processing apparatus of this embodiment, the organic solvent as the processing fluid f is applied to the processing surface 56a of the wafer 56 in a rotating flow, thereby removing residual foreign matter and the like. A high degree of cleaning can be achieved without causing any problems. In addition, nitrogen gas as the processing fluid f is applied to the processing surface 56a of the wafer 56 in a rotating flow, and the evaporation of the organic solvent is promoted by the heating by the microwave electromagnetic field 66, so that the The time required for drying treatment can be shortened. In addition, by setting the wavelength of the microwave electromagnetic field 66 with the highest heating efficiency according to the type of the processing fluid f,
Drying process can be made more efficient.

【０１０３】また、ウェハ５６の非処理面５６ｂの側か
ら処理面５６ａの側に強制的に流れ込む窒素ガス６５ａ
の排気流により、処理面５６ａの側において発生する有
機溶剤の飛沫や、異物を含む窒素ガス雰囲気などが、非
処理面５６ｂの側に回り込むことが確実に阻止され、処
理面５６ａの処理中における非処理面５６ｂの汚染の発
生を確実に防止できる。In addition, nitrogen gas 65a is forced to flow from the non-processed surface 56b side of the wafer 56 to the processed surface 56a side.
The exhaust flow reliably prevents organic solvent droplets generated on the treated surface 56a side, nitrogen gas atmosphere containing foreign substances, etc. from going around to the non-treated surface 56b side, and the It is possible to reliably prevent the occurrence of contamination on the non-processed surface 56b.

【０１０４】図９は、本発明のさらに他の実施例である
板状物処理装置の構成の一例を示す外観斜視図である。FIG. 9 is an external perspective view showing an example of the configuration of a plate-shaped object processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

【０１０５】この図９の実施例の場合には、たとえば、
前述の図１および図６に例示した板状物処理装置におい
て、処理室１（処理室２７）を縦型としたものである。In the case of the embodiment shown in FIG. 9, for example,
In the plate-shaped object processing apparatus illustrated in FIGS. 1 and 6 described above, the processing chamber 1 (processing chamber 27) is of a vertical type.

【０１０６】すなわち、各々の回転流形成流体供給部４
（回転流形成流体供給部２８）は、流体供給口５（流体
供給口３５）が開設された平面を、鉛直方向にした姿勢
で設置されている。That is, each rotating flow forming fluid supply section 4
The (rotating flow forming fluid supply section 28) is installed in such a manner that the plane in which the fluid supply port 5 (fluid supply port 35) is opened is in the vertical direction.

【０１０７】これにより、カセット１００に、ほぼ鉛直
な姿勢で配列・収納された状態で受け入れや払い出しが
行われる複数のウェハ２の姿勢を、当該カセット１００
における鉛直な姿勢のままで取り扱うことが可能となる
。このため、カセット１００から鉛直な姿勢で取り出さ
れるウェハ２を横倒しにして水平にしたり、水平姿勢の
ウェハ２を鉛直にするなどの、煩雑な機構をウェハハン
ドラ３から省略することができ、ウェハハンドラ３を含
むウェハ２の搬送機構を簡略化することができる。[0107] This allows the orientation of the plurality of wafers 2, which are arranged and stored in the cassette 100 in a substantially vertical orientation, to be received or delivered, to be adjusted to the cassette 100.
It is now possible to handle the product while maintaining its vertical position. Therefore, the wafer handler 3 can omit complicated mechanisms such as turning the wafer 2 taken out from the cassette 100 in a vertical position and making it horizontal, or making the wafer 2 in a horizontal position vertical. 3 can be simplified.

【０１０８】なお、ウェハの保持方法としては、前述し
た各実施例のウェハハンドラに限定されない。Note that the wafer holding method is not limited to the wafer handler of each of the embodiments described above.

【０１０９】たとえば、図１０に示されるように、ウェ
ハ２の全周を保持するリング状ハンドラ６８でもよく、
また、図１１に示されるように、ウェハ２の周辺部に接
して静吸着する静電チャック６９でもよい。さらに、図
１２に示されるように、ウェハ２のオリエンテーション
フラット部２ｃの位置にストッパ７２を有し、中央部か
ら吹き出す不活性ガス流７１による負圧の発生を利用し
て、ウェハ２をほぼ非接触に保持するストッパ付ベルヌ
ーイチャック７０を用いてもよい。For example, as shown in FIG. 10, a ring-shaped handler 68 that holds the entire circumference of the wafer 2 may be used.
Alternatively, as shown in FIG. 11, an electrostatic chuck 69 that contacts and electrostatically attracts the peripheral portion of the wafer 2 may be used. Furthermore, as shown in FIG. 12, a stopper 72 is provided at the orientation flat portion 2c of the wafer 2, and the wafer 2 is held in a substantially non-contact position by utilizing the generation of negative pressure by the inert gas flow 71 blown out from the center. A Bernoulli chuck 70 with a stopper that is held in contact may also be used.

【０１１０】前記実施例では、板状処理物の第１主面の
みに所定流線を形成した処理流体を供給して、第１主面
のみ処理する実施例であるが、これに限定されることは
ない。図１３に示すように、ウェハ２００の第１主面２
０１、第２主面２０２に対向して回転流形成流体供給部
を構成する方式が考えられる。[0110] In the above embodiment, the processing fluid forming a predetermined streamline is supplied to only the first main surface of the plate-shaped object to process only the first main surface, but the present invention is not limited to this. Never. As shown in FIG. 13, the first main surface 2 of the wafer 200
01, a method in which a rotating flow forming fluid supply section is configured opposite to the second main surface 202 is considered.

【０１１１】具体的には、第１主面２０１に、第１主面
回転流形成流体供給部２１０と第１主面流体供給制御部
２１１を構成し、第１主面回転流形成供給流体２１２を
供給し処理する。同時に、第２主面２０２には第２主面
回転流形成流体供給部２１３と第２主面流体供給制御部
２１４を構成し、第２主面回転流形成供給流体２１５を
供給し処理する。Specifically, a first main surface rotational flow forming fluid supply section 210 and a first main surface fluid supply control section 211 are configured on the first main surface 201, and a first main surface rotational flow forming fluid supply section 212 is provided on the first main surface 201. supply and process. At the same time, a second main surface rotational flow forming fluid supply section 213 and a second main surface fluid supply control section 214 are configured on the second main surface 202 to supply and process the second main surface rotational flow formation supply fluid 215 .

【０１１２】尚、この実施例のウェハハンドラ２０３は
、ウェハ周辺部面取り部分の角度変化を利用して機械的
にウェハを保持している。The wafer handler 203 of this embodiment mechanically holds the wafer by utilizing the angle change of the chamfered portion around the wafer.

【０１１３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。[0113] Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on examples, the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Needless to say.

【０１１４】たとえば、処理対象となる板状物としては
、前述の各実施例に例示したウェハに限らず、磁気ディ
スク、光ディスク、ホトマスクなどの精密な表面処理に
広く適用することができる。For example, the plate-shaped object to be processed is not limited to the wafers exemplified in the above embodiments, but can be widely applied to precision surface processing of magnetic disks, optical disks, photomasks, and the like.

【０１１５】[0115]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。[Effects of the Invention] Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by the typical inventions are briefly explained as follows.
It is as follows.

【０１１６】（１）．板状物の処理対象の処理面に、所
定の流線を形成しながら薬液などの処理流体を作用させ
るので、処理流体が処理面において停滞することがなく
、また、常に新鮮で清浄な処理流体の供給が行われるの
で、剥離異物の停滞や再付着などが確実に防止され、処
理流体による板状物の高度な清浄化処理を実現すること
ができる。(1). Processing fluids such as chemicals are applied to the processing surface of the plate-shaped object while forming predetermined streamlines, so the processing fluid does not stagnate on the processing surface, and the processing fluid is always fresh and clean. is supplied, reliably preventing stagnation and re-adhesion of the peeled foreign matter, making it possible to achieve high-level cleaning treatment of the plate-shaped object using the treatment fluid.

【０１１７】（２）．板状物の処理対象の処理面に、所
定の流線を形成しながら不活性ガスなどの処理流体を作
用させて乾燥処理を行うので、蒸発する薬液の蒸気や液
滴などが処理流体とともに確実に排除されるとともに、
板状物に対して再付着することがなく、高度に清浄で均
一な乾燥処理を実現することができる。(2). Since the drying process is performed by applying a processing fluid such as an inert gas to the processing surface of the plate-shaped object while forming a predetermined streamline, it is ensured that the vapor and droplets of the evaporating chemical solution are removed together with the processing fluid. Along with being excluded from
There is no re-adhesion to the plate-like object, and highly clean and uniform drying processing can be achieved.

【０１１８】（３）．板状物の処理面に作用させる処理
流体として、当該板状物の種類や、予想される異物など
に応じて複数の薬液などを組み合わせることにより、あ
らゆる種類の板状物および異物に対する清浄化処理を実
現することができる。(3). Cleaning treatment for all types of plate-like objects and foreign objects can be performed by combining multiple chemical solutions as the processing fluid that acts on the processing surface of the plate-like object, depending on the type of the plate-like object and the expected foreign objects. can be realized.

【０１１９】（４）．板状物の第２主面から、当該第２
主面と表裏をなす第１主面に到る方向に強制的に流れる
気流を形成しつつ、第１主面に対する処理を遂行するの
で、当該第１主面の処理において発生する飛沫や異物を
含む雰囲気などが、非処理面である第２主面の側に回り
込むことが確実に阻止され、処理中における非処理面の
汚染発生を確実に防止することができる。(4). From the second main surface of the plate-like object,
Processing is performed on the first main surface while forming an airflow that forcibly flows in the direction reaching the first main surface, which is the front and back sides of the main surface. The atmosphere contained therein is reliably prevented from entering the second main surface, which is the non-processed surface, and the occurrence of contamination on the non-processed surface during processing can be reliably prevented.

【０１２０】（５）．処理流体の作用に超音波エネルギ
を援用することにより、板状物の処理面のミクロな領域
での薬液処理反応、さらにはミクロな異物の剥離除去作
用が促進され、処理効率を高めることができる。(5). By applying ultrasonic energy to the action of the processing fluid, the chemical treatment reaction in the microscopic region of the processing surface of the plate-shaped object and the action of peeling off microscopic foreign matter are promoted, increasing the processing efficiency. .

【０１２１】（６）．処理流体の作用に熱エネルギを援
用することにより、たとえば、乾燥処理における所要時
間の短縮を実現することができる。たとえば、処理流体
の作用にマイクロ波電磁界のエネルギを援用することに
より、乾燥処理の対象となる板状物や、処理流体の誘電
率などの性質に応じて波長を設定することで、たとえば
、水分などの加熱促進による急速な乾燥処理が可能とな
り、たとえばウォーターマーク（液滴の蒸発痕）の発生
を確実に防止することができる。(6). By using thermal energy to act on the treatment fluid, it is possible, for example, to reduce the time required in the drying process. For example, by using the energy of a microwave electromagnetic field to act on the processing fluid, the wavelength can be set depending on the properties such as the plate-shaped object to be dried and the dielectric constant of the processing fluid, for example. It becomes possible to perform a rapid drying process by accelerating the heating of moisture, and for example, it is possible to reliably prevent the occurrence of water marks (evaporation marks of liquid droplets).

【０１２２】（７）．前記（１）　〜（６）　の結果、
たとえば、半導体装置の製造過程におけるウェハなどの
高度に洗浄な表面処理が可能となり、ウェハプロセスに
よって製造される半導体装置の品質や歩留りを向上させ
ることができる。(7). As a result of (1) to (6) above,
For example, highly clean surface treatment of wafers and the like in the process of manufacturing semiconductor devices becomes possible, and the quality and yield of semiconductor devices manufactured by the wafer process can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図１】本発明の一実施例である板状物処理装置の構成
の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of the configuration of a plate-shaped object processing apparatus that is an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の他の実施例である板状物処理装置の要
部の構成の一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of the configuration of essential parts of a plate-like object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図３】本発明の他の実施例である板状物処理装置の要
部を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the main parts of a plate-like object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図４】本発明の他の実施例である板状物処理装置の要
部を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the main parts of a plate-like object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図５】図４において線Ｖ−Ｖで示される部分の断面図
である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the portion indicated by line V-V in FIG. 4;

【図６】本発明のさらに他の実施例である板状物処理装
置の構成の一例を示す略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a plate-shaped object processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

【図７】本発明の他の実施例である板状物処理装置の構
成の一例を示す略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a plate-shaped object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図８】本発明のさらに他の実施例である板状物処理装
置の構成の一例を示す略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a plate-like object processing apparatus that is still another embodiment of the present invention.

【図９】本発明のさらに他の実施例である板状物処理装
置の構成の一例を示す外観斜視図である。FIG. 9 is an external perspective view showing an example of the configuration of a plate-shaped object processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

【図１０】リング状ハンドラの構成の一例を示す略断面
図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a ring-shaped handler.

【図１１】静電チャックの構成の一例を示す断面図であ
る。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of an electrostatic chuck.

【図１２】ストッパ付ベルヌーイチャックの一例を示す
断面図である。FIG. 12 is a sectional view showing an example of a Bernoulli chuck with a stopper.

【図１３】本発明のさらに他の実施例である板状物処理
装置の構成の一例を示す略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a plate-shaped object processing apparatus that is still another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

ｆ　　処理流体 １　　処理室 １ａ　　開口部 ２　　ウェハ ２ａ　　処理面（第１主面） ２ｂ　　非処理面（第２主面） ２ｃ　　オリエンテーションフラット部３　　ウェハハ
ンドラ ４　　回転流形成流体供給部 ４Ａ　　回転流形成流体供給部 ４Ｂ　　回転流形成流体供給部 ５　　流体供給口 ６　　開口方向 ７　　インボリュート基礎円 ８　　流体供給口 ９　　開口方向 １０　　流体供給口 １１　　流体供給口 １２　　開口方向 １４　　流体加圧調整室 １５　　有機溶剤供給部 １６　　メタノール供給部 １７　　純水供給部 １８　　窒素ガス供給部 １９　　有機溶剤供給制御弁 ２０　　メタノール供給制御弁 ２１　　純水供給制御弁 ２２　　窒素ガス供給制御弁 ２３　　排気廃液回収部 ２４　　気流調整板 ２５　　排気口 ２６　　清浄気流 ２７　　処理室 ２７ａ　　開口部 ２８　　回転流形成流体供給部 ２９　　超音波振動子 ３０　　超音波発振源 ３１　　純水供給部 ３２　　窒素ガス供給部 ３３　　純水供給制御弁 ３４　　窒素ガス供給制御弁 ３５　　流体供給口 ３６　　強制排気流 ３７　　清浄気流 ３８　　処理室 ３９　　ウェハ ３９ａ　　処理面（第１主面） ３９ｂ　　非処理面（第２主面） ４０　　ウェハハンドラ ４１　　回転流形成流体供給部 ４２　　エッチング液蒸気生成部 ４３　　水蒸気生成部 ４４　　窒素ガス供給部 ４５　　エッチング液蒸気制御弁 ４６　　水蒸気供給制御弁 ４７　　窒素ガス供給制御弁 ４８　　排気廃液回収部 ４９　　窒素ガス供給部 ４９ａ　　窒素ガス ５０　　整流板 ５０ａ　　透孔 ５１　　石英プレート ５２　　赤外線ランプ ５２ａ　　赤外線 ５３　　流体供給口 ５４　　処理室 ５５　　ウェハハンドラ ５６　　ウェハ ５６ａ　　処理面（第１主面） ５６ｂ　　非処理面（第２主面） ５７　　回転流形成流体供給部 ５８　　流体供給口 ５９　　有機溶剤供給部 ６０　　窒素ガス供給部 ６１　　有機溶剤供給制御弁 ６２　　窒素ガス供給制御弁 ６３　　整流板 ６３ａ　　透孔 ６４　　導波管 ６５　　窒素ガス供給部 ６５ａ　　窒素ガス ６６　　マイクロ波電磁界 ６７　　シールド機構 ６８　　リング状ハンドラ ６９　　静電チャック ７０　　ストッパ付ベルヌーイチャック７１　　不活性
ガス流 ７２　　ストッパ １００　　カセット ２００　　ウェハ ２０１　　ウェハ第１主面 ２０２　　ウェハ第２主面 ２０３　　ウェハハンドラ ２１０　　第１主面回転流形成流体供給部２１１　　第
１主面流体供給制御部 ２１２　　第１主面回転流形成供給流体２１３　　第２
主面回転流形成流体供給部２１４　　第２主面流体供給
制御部f Processing fluid 1 Processing chamber 1a Opening 2 Wafer 2a Processing surface (first main surface) 2b Non-processing surface (second main surface) 2c Orientation flat section 3 Wafer handler 4 Rotating flow forming fluid supply section 4A Rotating flow forming fluid supply Part 4B Rotating flow forming fluid supply section 5 Fluid supply port 6 Opening direction 7 Involute base circle 8 Fluid supply port 9 Opening direction 10 Fluid supply port 11 Fluid supply port 12 Opening direction 14 Fluid pressurization adjustment chamber 15 Organic solvent supply section 16 Methanol Supply section 17 Pure water supply section 18 Nitrogen gas supply section 19 Organic solvent supply control valve 20 Methanol supply control valve 21 Pure water supply control valve 22 Nitrogen gas supply control valve 23 Exhaust waste liquid recovery section 24 Air flow adjustment plate 25 Exhaust port 26 Clean air flow 27 Processing chamber 27a Opening 28 Rotating flow forming fluid supply section 29 Ultrasonic vibrator 30 Ultrasonic oscillation source 31 Pure water supply section 32 Nitrogen gas supply section 33 Pure water supply control valve 34 Nitrogen gas supply control valve 35 Fluid supply port 36 Forced exhaust flow 37 Clean air flow 38 Processing chamber 39 Wafer 39a Processing surface (first main surface) 39b Non-processing surface (second main surface) 40 Wafer handler 41 Rotating flow forming fluid supply section 42 Etching liquid vapor generation section 43 Water vapor generation section 44 Nitrogen gas supply section 45 Etching liquid vapor control valve 46 Water vapor supply control valve 47 Nitrogen gas supply control valve 48 Exhaust liquid recovery section 49 Nitrogen gas supply section 49a Nitrogen gas 50 Rectifying plate 50a Through hole 51 Quartz plate 52 Infrared lamp 52a Infrared 53 Fluid supply port 54 Processing chamber 55 Wafer handler 56 Wafer 56a Processing surface (first main surface) 56b Non-processing surface (second main surface) 57 Rotating flow forming fluid supply section 58 Fluid supply port 59 Organic solvent supply section 60 Nitrogen gas supply Part 61 Organic solvent supply control valve 62 Nitrogen gas supply control valve 63 Rectifier plate 63a Through hole 64 Waveguide 65 Nitrogen gas supply part 65a Nitrogen gas 66 Microwave electromagnetic field 67 Shield mechanism 68 Ring-shaped handler 69 Electrostatic chuck 70 With stopper Bernoulli chuck 71 Inert gas flow 72 Stopper 100 Cassette 200 Wafer 201 Wafer first main surface 202 Wafer second main surface 203 Wafer handler 210 First main surface rotating flow forming fluid supply section 211 First main surface fluid supply control section 212 1 Main surface rotating flow forming supply fluid 213 2nd
Principal surface rotational flow forming fluid supply section 214 Second principal surface fluid supply control section

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】　　板状物の処理面に、所定の流線を形成
しながら処理流体を作用させる処理流体供給手段を備え
、前記処理流体による前記板状物の処理を行うことを特
徴とする板状物処理装置。1. A processing fluid supply means for applying a processing fluid to a processing surface of a plate-like object while forming a predetermined streamline, the processing of the plate-like object using the processing fluid. Plate processing equipment. 【請求項２】　　前記処理流体の前記流線が、前記板状
物の中央部から周辺部に到る螺線状を呈し、前記処理流
体は回転流となって前記板状物に作用することを特徴と
する請求項１記載の板状物処理装置。2. The streamline of the processing fluid has a spiral shape extending from the center of the plate-like object to the peripheral part, and the processing fluid acts on the plate-like object as a rotational flow. The plate-shaped object processing apparatus according to claim 1, characterized by: 【請求項３】　　前記板状物に作用する前記処理流体に
超音波エネルギを印加する超音波印加手段を備え、前記
処理流体に超音波エネルギを印加しつつ、前記処理を遂
行することを特徴とする請求項１または２記載の板状物
処理装置。3. The method is characterized by comprising an ultrasonic applying means for applying ultrasonic energy to the processing fluid acting on the plate-like object, and performing the processing while applying the ultrasonic energy to the processing fluid. The plate-shaped object processing apparatus according to claim 1 or 2. 【請求項４】　　前記板状物に熱エネルギを印加する加
熱手段を備え、前記板状物に熱エネルギを印加しつつ、
前記処理流体による前記処理を遂行することを特徴とす
る請求項１，２または３記載の板状物処理装置。4. A heating means for applying thermal energy to the plate-like object, while applying thermal energy to the plate-like object,
4. The plate-shaped material processing apparatus according to claim 1, wherein said processing is performed using said processing fluid. 【請求項５】　　前記板状物の前記第１主面と表裏をな
す第２主面に、当該第２主面の側から、前記処理中の前
記第１主面の側に流れる不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給手段を備えたことを特徴とする請求項１，２，３
または４記載の板状物処理装置。5. An inert gas flowing from a side of the second main surface to a side of the first main surface during the processing on a second main surface that is opposite to the first main surface of the plate-like object. Claims 1, 2, and 3 further comprising an inert gas supply means for supplying
or 4. The plate-like object processing apparatus according to 4. 【請求項６】　　前記処理流体が、液体からなることを
特徴とする請求項１，２，３，４または５記載の板状物
処理装置。6. The plate-shaped object processing apparatus according to claim 1, wherein the processing fluid is a liquid. 【請求項７】　　前記処理流体が、液体蒸気からなるこ
とを特徴とする請求項１，２，３，４または５記載の板
状物処理装置。7. The plate-like material processing apparatus according to claim 1, wherein the processing fluid is composed of liquid vapor. 【請求項８】　　前記処理流体が、気体からなることを
特徴とする請求項１，２，３，４または５記載の板状物
処理装置。8. The plate-shaped object processing apparatus according to claim 1, wherein the processing fluid is made of gas. 【請求項９】　　前記処理流体が、液体、液体蒸気、お
よび気体の組み合わせからなることを特徴とする請求項
１，２，３，４または５記載の板状物処理装置。9. The plate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing fluid is a combination of liquid, liquid vapor, and gas. 【請求項１０】　　前記板状物の第１主面と表裏をなす
第２主面に所定の流線を形成しながら処理流体を作用さ
せる処理流体供給手段を備え、前記処理流体により、前
記第１主面と前記第２主面の処理を行なうことを特徴と
する請求項１，２，３または４記載の板状物処理装置。10. A processing fluid supply means for applying a processing fluid to a second main surface that is opposite to the first main surface of the plate while forming a predetermined streamline, the processing fluid supplying means for applying a processing fluid to a second main surface that is opposite to the first main surface of the plate-shaped object. 5. The plate-shaped material processing apparatus according to claim 1, wherein the processing is performed on the first main surface and the second main surface.