JPH04304424A - Projection type liquid crystal display device - Google Patents
Projection type liquid crystal display deviceInfo
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Landscapes
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、投射型液晶表示装置に
関し、特に、光変調器として光導電層を有する光書込み
型の液晶ライトバルブ、ガラス基板を使用したＴＦＴマ
トリクス駆動方式の液晶ライトバルブ、あるいはシリコ
ン基板を使用したＭＯＳＦＥＴマトリクス駆動方式の液
晶ライトバルブを用いた投射型液晶表示装置に関するも
のである。FIELD OF INDUSTRIAL APPLICATION This invention relates to a projection type liquid crystal display device, and more particularly to an optical writing type liquid crystal light valve having a photoconductive layer as a light modulator, and a TFT matrix driving type liquid crystal light valve using a glass substrate. Alternatively, the present invention relates to a projection type liquid crystal display device using a MOSFET matrix drive type liquid crystal light valve using a silicon substrate.
【０００２】0002
【従来の技術】図１０は光導電層を有する光書込み型の
液晶ライトバルブ１２を用いた液晶表示装置の従来例の
光学的構成を示す図である。この液晶表示装置において
画像を表示させるときは、ＣＲＴ１０によってレンズ１
１を介して液晶ライトバルブ１２に画像を書き込み、ラ
ンプ１４とレンズ１５からなる照明光学系とミラー１６
とレンズ１７とで スクリーン１８に投影する。２８は
、液晶ライトバルブ１２の交流電源である。2. Description of the Related Art FIG. 10 is a diagram showing the optical configuration of a conventional example of a liquid crystal display device using an optical writing type liquid crystal light valve 12 having a photoconductive layer. When displaying an image on this liquid crystal display device, the lens 1 is
1, an image is written on the liquid crystal light valve 12 through an illumination optical system consisting of a lamp 14 and a lens 15, and a mirror 16.
and a lens 17 to project it onto a screen 18. 28 is an AC power source for the liquid crystal light valve 12.
【０００３】図１１は液晶ライトバルブ１２の一構成例
を示す断面図である。液晶ライトバルブ１２は２つのガ
ラス基板２１ａ、２１ｂを備え、一方のガラス基板２１
ａの片面側には、ＩＴＯ透明導電膜とＳｎＯ２透明導電
膜からなる透明電極２２ａが形成されている。他方のガ
ラス基板２１ｂの片面には、同様な材料からなる透明電
極２２ｂが形成され、更にその上には順に、非晶質水素
化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光導電層２３、吸
収層２５及びＳｉＯ２／ＴｉＯ２の多層膜からなる誘導
体層２４が形成されている。上述の透明基板２２ｂ及び
各層２３等は、スパッタ法あるいはＥＢ蒸着によって形
成される。なお、上記ａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、シランガスと
水素ガスとを原料とし、プラズマＣＶＤ法を用いて作成
する。FIG. 11 is a sectional view showing an example of the structure of the liquid crystal light valve 12. The liquid crystal light valve 12 includes two glass substrates 21a and 21b, one of which is the glass substrate 21.
A transparent electrode 22a made of an ITO transparent conductive film and a SnO2 transparent conductive film is formed on one side of a. A transparent electrode 22b made of the same material is formed on one side of the other glass substrate 21b, and a photoconductive layer 23 made of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H), an absorbing layer A layer 25 and a dielectric layer 24 made of a multilayer film of SiO2/TiO2 are formed. The transparent substrate 22b, each layer 23, etc. described above are formed by sputtering or EB deposition. Note that the above a-Si:H film is produced using silane gas and hydrogen gas as raw materials and using a plasma CVD method.
【０００４】次に、このようになしたガラス基板２１ａ
、２１ｂを、図示のごとく対向させて、スペーサ２６を
介して貼合わせ、基板２１ａ，２１ｂの間に重合性硬化
樹脂とネマチック液晶の混合物を注入、封止して液晶層
２７が形成され、これにより液晶ライトバルブ１２が構
成される。上記透明電極２２ａ、２２ｂ間には、交流電
源２８によって電圧が印加される。Next, the glass substrate 21a made in this way
, 21b are placed facing each other as shown in the figure, and bonded together via a spacer 26, and a mixture of polymerizable cured resin and nematic liquid crystal is injected and sealed between the substrates 21a and 21b to form a liquid crystal layer 27. A liquid crystal light valve 12 is configured. A voltage is applied between the transparent electrodes 22a and 22b by an AC power source 28.
【０００５】このような構造の液晶ライトバルブ１２を
図１０の液晶表示装置に使用した場合、前述のようにＣ
ＲＴ１０からの書き込み光がガラス基板２１ｂ側から入
射されると、光の当たった領域（明状態）では、光導電
層２３のインピーダンスが減少し、交流電源２８によっ
て印加された電圧は液晶層２７に加わる。一方、光の当
たらない領域（暗状態）では、光導電層２３のインピー
ダンスは変化せず液晶層２７には電圧が加わらない。こ
の明状態と暗状態の違いにより液晶ライトバルブ１２に
画像が形成される。When the liquid crystal light valve 12 having such a structure is used in the liquid crystal display device shown in FIG.
When the writing light from the RT 10 is incident from the glass substrate 21b side, the impedance of the photoconductive layer 23 decreases in the area hit by the light (bright state), and the voltage applied by the AC power supply 28 is applied to the liquid crystal layer 27. join. On the other hand, in a region not exposed to light (dark state), the impedance of the photoconductive layer 23 does not change and no voltage is applied to the liquid crystal layer 27. An image is formed on the liquid crystal light valve 12 based on the difference between the bright state and the dark state.
【０００６】このようにして画像が形成された液晶ライ
トバルブ１２に、ランプ１４からの光がレンズ１５を介
して入射すると、電圧印加状態にある所では入射光は、
光反射層として機能する誘電体層２４によって反射され
る。無印加状態である所では液晶層２７が分散型液晶で
あるため散乱して暗状態にある。誘電体層２４からの反
射光はレンズ１７によって拡大され、これによって液晶
ライトバルブ１２に形成された画像がスクリーン１８に
投影される。When light from the lamp 14 enters the liquid crystal light valve 12 on which an image has been formed in this manner through the lens 15, the incident light becomes
The light is reflected by the dielectric layer 24, which functions as a light reflecting layer. In a place where no voltage is applied, since the liquid crystal layer 27 is a dispersed liquid crystal, the light is scattered and is in a dark state. The reflected light from the dielectric layer 24 is magnified by the lens 17, whereby the image formed on the liquid crystal light valve 12 is projected onto the screen 18.
【０００７】ところで、このような投射型液晶表示装置
をカラー表示装置として用いる場合には、光源からの光
をダイクロイックミラーやプリズムによりＲ、Ｇ、Ｂの
３色に分離し、各分離光を色毎に用意した液晶ライトバ
ルブを通した後、再びプリズムなどで合成しスクリーン
上に投影する構成をとることにより可能である。By the way, when such a projection type liquid crystal display device is used as a color display device, the light from the light source is separated into three colors of R, G, and B using a dichroic mirror or a prism, and each separated light is divided into three colors. This is possible by having a configuration in which the images are passed through a liquid crystal light valve prepared for each case, then combined again using a prism, etc., and projected onto a screen.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来の反
射型液晶プロジェクション装置では、ランプ１４からの
光が照射される側にあるガラス基板２１ａの光入射側表
面、ガラス基板２１ａと透明電極２２ａとの間、および
透明電極２２ａと液晶層２７との間においてそれぞれ反
射光が生じるが、そのとき上述した散乱型液晶ライトバ
ルブ１２を使用している場合には、反射光の発生が問題
になっていた。即ち、散乱型液晶ライトバルブではこれ
らの反射光がスクリーン上に写し出され、十分な黒表示
ができなかった。また、散乱型液晶ライトバルブに代え
てＨＦＥ（ハイブリッド電界効果）型液晶ライトバルブ
を使用した場合には、液晶層へ達する入射光が低減し、
そのためコントラストが悪くなるという問題が生じてい
た。Therefore, in the conventional reflective liquid crystal projection device, the light incident side surface of the glass substrate 21a on the side where the light from the lamp 14 is irradiated, and the contact between the glass substrate 21a and the transparent electrode 22a. Reflected light is generated between the transparent electrode 22a and the liquid crystal layer 27, but when the above-mentioned scattering type liquid crystal light valve 12 is used, the generation of reflected light has been a problem. . That is, with the scattering type liquid crystal light valve, these reflected lights are projected onto the screen, making it impossible to display sufficient black. Additionally, when an HFE (hybrid field effect) type liquid crystal light valve is used instead of a scattering type liquid crystal light valve, the incident light reaching the liquid crystal layer is reduced.
This has caused a problem of poor contrast.
【０００９】本発明はこのような従来技術の問題を解決
するものであり、十分な黒表示ができ、より高コントラ
スト表示を可能とする投影型液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention solves the problems of the prior art, and aims to provide a projection type liquid crystal display device that can display a sufficient amount of black and display a higher contrast.
【００１０】0010
【課題を解決するための手段】本発明の投射型液晶表示
装置は、対向配置した２つの基板間に液晶層及び光導電
層が形成された光変調器と、一方の基板側から画像を書
き込む画像書き込み手段と、他方の基板に光を照射して
光変調器に書き込まれた画像をスクリーンに投影する照
明手段とを備えた投射型液晶表示装置において、該他方
の基板に誘電体薄膜を形成してなり、そのことにより上
記目的が達成される。[Means for Solving the Problems] A projection type liquid crystal display device of the present invention includes an optical modulator in which a liquid crystal layer and a photoconductive layer are formed between two substrates arranged facing each other, and an image is written from one substrate side. In a projection type liquid crystal display device comprising an image writing means and an illumination means for irradiating light onto the other substrate and projecting the image written on the light modulator onto a screen, a dielectric thin film is formed on the other substrate. Thus, the above objective is achieved.
【００１１】また、本発明の投射型液晶表示装置は、薄
膜トランジスタと絵素電極が形成されたガラス基板と、
対向電極が形成されたガラス基板との間に液晶層が設け
られた液晶表示素子を光変調器として用い、該対向電極
が形成されたガラス基板にスクリーン投影用の光を照射
する投射型液晶表示装置において、該対向電極が形成さ
れているガラス基板に誘電体薄膜を形成してなり、その
ことにより上記目的が達成される。Further, the projection type liquid crystal display device of the present invention includes a glass substrate on which a thin film transistor and a picture element electrode are formed,
A projection type liquid crystal display that uses a liquid crystal display element, which has a liquid crystal layer between it and a glass substrate on which a counter electrode is formed, as a light modulator, and irradiates the glass substrate on which the counter electrode is formed with light for screen projection. In the device, a dielectric thin film is formed on the glass substrate on which the counter electrode is formed, thereby achieving the above object.
【００１２】更に、本発明の投射型液晶表示装置は、ス
イッチング素子と絵素電極が形成されたＳｉ基板と、対
向電極が形成されたガラス基板との間に液晶層が設けら
れた液晶表示素子を光変調器として用い、該対向電極が
形成されているガラス基板にスクリーン投影用の光を照
射する投射型液晶表示装置において、該対向電極が形成
されているガラス基板に誘電体薄膜を形成してなり、そ
のことにより上記目的が達成される。Furthermore, the projection type liquid crystal display device of the present invention is a liquid crystal display element in which a liquid crystal layer is provided between a Si substrate on which switching elements and picture element electrodes are formed, and a glass substrate on which a counter electrode is formed. In a projection type liquid crystal display device that uses as a light modulator and irradiates light for screen projection onto a glass substrate on which the counter electrode is formed, a dielectric thin film is formed on the glass substrate on which the counter electrode is formed. Thus, the above objective is achieved.
【００１３】なお、上記液晶層としては、散乱型液晶又
は高分子散乱型液晶を使用することもできる。Incidentally, as the liquid crystal layer, a scattering type liquid crystal or a polymer scattering type liquid crystal can also be used.
【００１４】[0014]
【作用】上記構成の投射型液晶表示装置においては、光
変調器のスクリーン投影用の光が照射される側にある基
板に誘電体薄膜が形成されているので、スクリーン投影
用の光の反射が極めて少なくなる。このため、光変調に
関係の少ない反射光の発生を押さえることが可能となり
、コントラストの向上と明るさの増加を可能とする。[Operation] In the projection type liquid crystal display device having the above configuration, a dielectric thin film is formed on the substrate on the side of the light modulator that is irradiated with light for screen projection, so that reflection of light for screen projection is prevented. It becomes extremely small. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of reflected light that has little relation to optical modulation, and it is possible to improve contrast and increase brightness.
【００１５】[0015]
【実施例】以下に実施例にしたがって詳細に説明する。[Example] The following is a detailed explanation based on an example.
【００１６】（実施例１）図１は本発明にかかる投射型
液晶表示装置に使用する光変調器の一例を示す断面図で
ある。この光変調器は、スペーサ２６を間に介装して対
向するガラス基板３１ａ，３１ｂを有し、基板３１ａ側
をスクリーン投影用の光の照射側とし、基板３１ｂ側を
画像書き込み側として用いられる。画像書き込み側にあ
るガラス基板３１ｂの基板３１ａ側の表面上には、ＩＴ
Ｏ透明導電膜とＳｎＯ２透明導電膜からなる透明電極３
２ｂがスパッタ法を用いて形成され、その上に非晶質水
素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光導電層３３が
形成されている。このａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電層３
３は、シランガス（ＳｉＨ４）、水素ガス（Ｈ２）を原
料とし、プラズマＣＶＤ法を用いて作成する。膜厚は約
３μｍである。更に、光導電層３３の上に吸収層３５と
してカーボンブラックを分散したアクリル系樹脂がスピ
ンナーにより形成され、その上に誘電体層３４としてシ
リコン／酸化シリコンの多層膜がＥＢ蒸着によって形成
されている。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing an example of a light modulator used in a projection type liquid crystal display device according to the present invention. This optical modulator has glass substrates 31a and 31b facing each other with a spacer 26 interposed therebetween, and the substrate 31a side is used as the irradiation side of light for screen projection, and the substrate 31b side is used as the image writing side. . On the surface of the substrate 31a side of the glass substrate 31b on the image writing side, an IT
Transparent electrode 3 consisting of an O transparent conductive film and a SnO2 transparent conductive film
2b is formed using a sputtering method, and a photoconductive layer 33 made of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) is formed thereon. This photoconductive layer 3 made of a-Si:H
No. 3 is produced using silane gas (SiH4) and hydrogen gas (H2) as raw materials and using a plasma CVD method. The film thickness is approximately 3 μm. Further, an acrylic resin in which carbon black is dispersed is formed as an absorbing layer 35 on the photoconductive layer 33 using a spinner, and a multilayer film of silicon/silicon oxide is formed thereon as a dielectric layer 34 by EB evaporation. .
【００１７】スクリーン投影用の光の照射側にあるガラ
ス基板３１ａには、両面に誘電体薄膜３９ａ、３９ｂが
形成され、基板３１ｂ側（右側）にある誘電体薄膜３９
ｂ上には透明電極３２ａが形成されている。Dielectric thin films 39a and 39b are formed on both surfaces of the glass substrate 31a on the side irradiated with light for screen projection, and the dielectric thin film 39 on the substrate 31b side (right side)
A transparent electrode 32a is formed on b.
【００１８】左側にある誘電体薄膜３９ａは、図２に示
すように例えば３層からなり、ガラス基板３１ａ側から
順にＡｌ２Ｏ３層４２が１１３０オングストローム、Ｚ
ｒＯ２層４１が２３０オングストローム、ＭｇＦ２層４
０が１１６０オングストロームで形成されている。右側
にある誘電体薄膜３９ｂは例えば４層からなり、ガラス
基板３１ａ側から順にＩＴＯ膜４３が６００オングスト
ローム、ＴｉＯ２層４４が７２０オングストローム、Ａ
ｌ２Ｏ３層４５が８９０オングストローム、ＭｇＦ２層
４６が７９０オングストロームで形成されている。上述
した誘電体薄膜３９ａ，３９ｂの形成は、電子ビーム蒸
着装置により蒸着すること等にて行った。The dielectric thin film 39a on the left side is composed of, for example, three layers as shown in FIG.
rO2 layer 41 is 230 angstroms, MgF2 layer 4
0 is formed with 1160 angstroms. The dielectric thin film 39b on the right side is composed of, for example, four layers, and in order from the glass substrate 31a side, the ITO film 43 has a thickness of 600 angstroms, the TiO2 layer 44 has a thickness of 720 angstroms, and A
The l2O3 layer 45 is formed with a thickness of 890 angstroms, and the MgF2 layer 46 is formed with a thickness of 790 angstroms. The dielectric thin films 39a and 39b described above were formed by evaporation using an electron beam evaporation device.
【００１９】そして、このようなガラス基板３１ａと３
１ｂが、図１に示すごとく、その間にスペーサ３６を介
装させてシール剤により貼合わされ、両基板３１ａ，３
１ｂ間であって、スペーサ３６の内部には、ＵＶ重合化
合物である２官能性アクリレート（日本化薬製ＨＸ−６
２０）のネマチック液晶（ＢＤＨ社製Ｅ−８）と、少量
の重合開始剤（メルック社製ダロキュア１１７３）を混
合した均一溶液が注入、封止された後、ＵＶ光の照射に
よりポリマー分散型液晶層３７が形成される。即ち、こ
の光変調器においては、反射光の発生が問題となるガラ
ス基板３１ａのスクリーン投影用の光が入射する側の表
面に誘電体薄膜３９ａが形成され、またガラス基板３１
ａと透明電極３２ａとの間に誘電体薄膜３９ｂが形成さ
れる。[0019] Then, such glass substrates 31a and 3
1b are bonded together with a sealant with a spacer 36 interposed therebetween, as shown in FIG.
1b, and inside the spacer 36, bifunctional acrylate (HX-6 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
After a homogeneous solution of nematic liquid crystal (E-8 manufactured by BDH Co., Ltd.) and a small amount of polymerization initiator (Dalocure 1173 manufactured by Merck Co., Ltd.) was injected and sealed, polymer-dispersed liquid crystal was formed by irradiation with UV light. Layer 37 is formed. That is, in this optical modulator, a dielectric thin film 39a is formed on the surface of the glass substrate 31a on the side where light for screen projection is incident, and the generation of reflected light is a problem.
A dielectric thin film 39b is formed between the transparent electrode 32a and the transparent electrode 32a.
【００２０】図３は、このように構成された光変調器の
散乱時（暗状態）における反射型分光特性を、横軸に波
長（ｎｍ）をとり、縦軸に反射率（％）をとって示して
いる。なお、破線は実施例、実線は誘電体薄膜を形成し
ない従来例である。この図より理解されるごとく、本実
施による場合には従来の場合に比べて表面反射を大幅に
減少させ得る。FIG. 3 shows the reflection type spectral characteristics of the optical modulator configured as described above during scattering (dark state), with wavelength (nm) plotted on the horizontal axis and reflectance (%) plotted on the vertical axis. It shows. Note that the broken line represents the example, and the solid line represents the conventional example in which no dielectric thin film is formed. As can be understood from this figure, according to this embodiment, surface reflection can be significantly reduced compared to the conventional case.
【００２１】したがって、この液晶ライトバルブを用い
て、図１０に示す構成の液晶表示装置を組み立てた場合
、ＣＲＴ１０によってレンズ１１を介して液晶ライトバ
ルブに画像を書き込み、ランプ１４とレンズ１５からな
る照明光学系でスクリーン１８に投影すると、ガラス基
板３１ａに誘電体薄膜３９ａ，３９ｂを形成した本実施
例では充分な黒表示が得られ、高コントラストの表示が
可能となった。Therefore, when this liquid crystal light valve is used to assemble a liquid crystal display device having the configuration shown in FIG. When projected onto the screen 18 using an optical system, a sufficient black display was obtained in this embodiment in which dielectric thin films 39a and 39b were formed on a glass substrate 31a, making it possible to display with high contrast.
【００２２】なお、ここでは光導電層３３としてａ−Ｓ
ｉ層を用いた場合を示したが、ａ−ＳｉＣ、ＣｄＳ等の
他の材料を用いてもよく、その場合にも同様の結果が得
られることを確認している。Note that here, as the photoconductive layer 33, a-S
Although the case where an i-layer is used is shown, other materials such as a-SiC and CdS may also be used, and it has been confirmed that similar results can be obtained in that case as well.
【００２３】（実施例２）図４は、図２で示したガラス
基板３１ａの右側に形成した誘電体薄膜３９ｂを変更し
た例を示す。具体的には、ガラス基板３１ａの左側には
図２と同一にして誘電体薄膜３９ａが形成されている。
即ち、ガラス基板３１ａ側からＡｌ２Ｏ３層４２が１１
３０オングストローム、ＺｒＯ２層４１が２３０オング
ストローム、ＭｇＦ２層４０が１１６０オングストロー
ムで形成されている。右側の表面には、図２とは形成す
る順を逆にして誘電体薄膜４９ｂが形成されている。即
ち、ガラス基板３１ａ側から順にＭｇＦ２層５３が１６
００オングストローム、Ａｌ２Ｏ３層５４が７００オン
グストローム、ＴｉＯ２層５５が２００オングストロー
ム、ＩＴＯ層５６が１０００オングストロームで形成さ
れる。この場合においても、誘電体薄膜３９ａ，４９ｂ
は、電子ビーム蒸着装置による蒸着にて形成した。(Embodiment 2) FIG. 4 shows an example in which the dielectric thin film 39b formed on the right side of the glass substrate 31a shown in FIG. 2 is changed. Specifically, a dielectric thin film 39a is formed on the left side of the glass substrate 31a in the same manner as in FIG. That is, from the glass substrate 31a side, the Al2O3 layer 42 is 11
The ZrO2 layer 41 has a thickness of 230 angstroms, and the MgF2 layer 40 has a thickness of 1160 angstroms. On the right surface, a dielectric thin film 49b is formed in the reverse order of that in FIG. 2. That is, 16 MgF2 layers 53 are arranged in order from the glass substrate 31a side.
00 angstroms, the Al2O3 layer 54 has a thickness of 700 angstroms, the TiO2 layer 55 has a thickness of 200 angstroms, and the ITO layer 56 has a thickness of 1000 angstroms. Also in this case, dielectric thin films 39a, 49b
was formed by vapor deposition using an electron beam evaporator.
【００２４】このようなガラス基板を用い、実施例１と
同じ要領で液晶ライトバルブを作成した。[0024] Using such a glass substrate, a liquid crystal light valve was produced in the same manner as in Example 1.
【００２５】図５は、このようなガラス基板を用いて実
施例１と同じ容量で作製した液晶ライトバルブの散乱時
（暗状態）における反射型分光特性を示す。横軸は波長
（ｎｍ）、縦軸は反射率（％）であり、図中の破線は実
施例、実線は従来例である。この図より理解されるごと
く、本実施例の場合においても誘電体薄膜の形成がない
従来例の場合に比べて、表面反射を大幅に減少できるこ
とが分かる。FIG. 5 shows the reflection type spectral characteristics during scattering (dark state) of a liquid crystal light valve manufactured using such a glass substrate and having the same capacity as in Example 1. The horizontal axis is wavelength (nm), the vertical axis is reflectance (%), and the broken line in the figure is the example, and the solid line is the conventional example. As can be understood from this figure, it can be seen that surface reflection can be significantly reduced in this example as well, compared to the conventional example in which no dielectric thin film is formed.
【００２６】したがって、この液晶ライトバルブを用い
て図１０に示す構成の液晶表示装置を組み立て、ＣＲＴ
１０によってレンズ１１を介して液晶ライトバルブに画
像を書き込み、ランプ１４とレンズ１５からなる照明光
学系でスクリーン１８に投影した場合、この本実施例に
おいても充分な黒表示が得られ、高コントラスト表示が
可能となった。Therefore, using this liquid crystal light valve, a liquid crystal display device having the configuration shown in FIG. 10 is assembled, and a CRT
When an image is written on the liquid crystal light valve 10 through the lens 11 and projected onto the screen 18 using the illumination optical system consisting of the lamp 14 and lens 15, a sufficient black display can be obtained in this embodiment as well, resulting in a high contrast display. became possible.
【００２７】なお、この実施例においても、図４に示す
ガラス基板３１ａと対向させるもう一つのガラス基板に
形成する光導電層としては、ａ−Ｓｉ層を用いても、あ
るいはａ−ＳｉＣ、ＣｄＳ等の他の材料を用いても同様
の結果が得られることを確認している。In this embodiment as well, an a-Si layer, a-SiC, CdS, etc. may be used as the photoconductive layer formed on another glass substrate facing the glass substrate 31a shown in FIG. It has been confirmed that similar results can be obtained using other materials such as.
【００２８】（実施例３）図６は、実施例２において用
いたガラス基板３１ａの右側に形成した誘電体薄膜に、
更にもう一層、誘電体膜を形成した場合を示す。具体的
には、ガラス基板３１ａの左側表面には、実施例１及び
実施例２と同様に誘電体薄膜３９ａとし、ガラス基板３
１ａ側からＡｌ２Ｏ３層４２が１１３０オングストロー
ム、ＺｒＯ２層４１が２３０オングストローム、ＭｇＦ
２層４０が１１６０オングストロームで形成されている
。
右側の表面には、ガラス基板３１ａ側からＭｇＦ２層５
３が１６００オングストローム、Ａｌ２Ｏ３層５４が５
８０オングストローム、ＴｉＯ２層５５が１７０オング
ストローム、ＩＴＯ層５６が１０００オングストローム
、ＭｇＦ２層５７が１２０オングストロームで形成され
ている。即ち、実施例２とは一部の層の厚みを変更し、
かつ右側の最外側にＭｇＦ２ 層５７を一層加えている
。なお、この場合にもすべての誘電体薄膜は電子ビーム
蒸着装置を用いた蒸着等にて形成した。(Example 3) FIG. 6 shows a dielectric thin film formed on the right side of the glass substrate 31a used in Example 2.
The case where one more dielectric film is formed is shown. Specifically, a dielectric thin film 39a is formed on the left surface of the glass substrate 31a as in the first and second embodiments, and a dielectric thin film 39a is formed on the left surface of the glass substrate 31a.
From the 1a side, the Al2O3 layer 42 has a thickness of 1130 angstroms, the ZrO2 layer 41 has a thickness of 230 angstroms, and MgF
Two layers 40 are formed with a thickness of 1160 angstroms. On the right surface, a MgF2 layer 5 is formed from the glass substrate 31a side.
3 is 1600 angstroms, and the Al2O3 layer 54 is 5
The TiO2 layer 55 is 170 angstroms thick, the ITO layer 56 is 1000 angstroms thick, and the MgF2 layer 57 is 120 angstroms thick. That is, the thickness of some layers was changed from Example 2,
Moreover, an MgF2 layer 57 is added to the outermost layer on the right side. In this case as well, all dielectric thin films were formed by vapor deposition using an electron beam evaporator.
【００２９】この透明基板を用いて実施例１と同じ要領
で液晶ライトバルブを作成した。この液晶ライトバルブ
の散乱時（暗状態）における反射型分光特性を測定した
ところ実施例２と同様の結果が得られた。A liquid crystal light valve was fabricated using this transparent substrate in the same manner as in Example 1. When the reflection type spectral characteristics of this liquid crystal light valve during scattering (dark state) were measured, the same results as in Example 2 were obtained.
【００３０】さらに図１に示すようにＣＲＴ１０によっ
てレンズ１１を介して液晶ライトバルブに画像を書き込
み、ランプ１４とレンズ１５からなる照明光学系でスク
リーン１８に投影したが、その結果として、本実施例で
も充分な黒表示が得られ、高コントラスト表示が可能で
あった。Furthermore, as shown in FIG. 1, an image was written on the liquid crystal light valve through the lens 11 by the CRT 10 and projected onto the screen 18 by the illumination optical system consisting of the lamp 14 and the lens 15. However, sufficient black display was obtained and high contrast display was possible.
【００３１】なお、この実施例においては、液晶ライト
バルブのスクリーン投影用の光照射側のガラス基板３１
ａに誘電体薄膜層を形成することに加えて、書き込み光
側のガラス基板にも誘電体薄膜層を施すことにした場合
には、より良好な表示が得られる。In this embodiment, the glass substrate 31 on the light irradiation side for screen projection of the liquid crystal light valve is
In addition to forming a dielectric thin film layer on a, a better display can be obtained if a dielectric thin film layer is also formed on the glass substrate on the writing light side.
【００３２】（実施例４）図７は、本発明をＴＦＴ型液
晶表示装置に適用した場合を示す平面図であり、図８は
図７の切断面線Ｉ−Ｉからみた断面図である。(Embodiment 4) FIG. 7 is a plan view showing the case where the present invention is applied to a TFT type liquid crystal display device, and FIG. 8 is a sectional view taken along the section line II in FIG.
【００３３】図８に表れている下側のガラス基板１００
上に、図７に示すごとくゲートバス電極９３とソースバ
ス電極９１とが絶縁膜９４を介して相互に絶縁され、マ
トリクス状に形成されている。このガラス基板１００上
には樹脂絶縁膜が形成される。ソースバス電極９１とソ
ース電極９５は接続され、ＴＦＴチャネル部９６を介し
てドレイン電極９７を形成し、これがコンタクトホール
を介して絵素電極９２と接続される。Lower glass substrate 100 shown in FIG.
Above, as shown in FIG. 7, gate bus electrodes 93 and source bus electrodes 91 are insulated from each other via an insulating film 94 and formed in a matrix. A resin insulating film is formed on this glass substrate 100. Source bus electrode 91 and source electrode 95 are connected to form drain electrode 97 via TFT channel portion 96, which is connected to picture element electrode 92 via a contact hole.
【００３４】次に、図８にしたがって製造工程を以下に
説明する。まずガラス基板１００上にタンタル金属層を
堆積し、次いでフォトリソグラフィー法及びエッチング
によりこの金属層をパターンニングし、図７に示すとお
り互いに平行する多数のゲートバス電極９３を形成する
。この一部が後に形成されるＴＦＴ１０１のゲート電極
１０２として機能する。Next, the manufacturing process will be explained below with reference to FIG. First, a tantalum metal layer is deposited on the glass substrate 100, and then this metal layer is patterned by photolithography and etching to form a large number of mutually parallel gate bus electrodes 93 as shown in FIG. A part of this functions as a gate electrode 102 of a TFT 101 that will be formed later.
【００３５】次にゲートバス電極９３及びゲート電極１
０２を覆って全面にＳｉＮＸからなるゲート絶縁膜１０
３を堆積し、このゲート絶縁膜１０３の上に、後に半導
体層１０４になるノンドープのアモルファスシリコン（
以下ではａ−Ｓｉ（ｉ）と略称する）層及び、同じく後
に絶縁膜１０５となるＳｉＮＸ層を所定の形状にパター
ンニングし、ゲート電極１０２の上方のみを残して絶縁
層１０５を形成した。次いで、絶縁層１０５を覆って全
面に、後にコンタクト層１０６となるＰ（リン）をドー
プしたアモルファスシリコン（以下ではａ−Ｓｉ（Ｎ＋
）と略称する）をプラズマＣＶＤ法により堆積した。Next, gate bus electrode 93 and gate electrode 1
A gate insulating film 10 made of SiNX covers the entire surface of the
3 is deposited, and on this gate insulating film 103, non-doped amorphous silicon (which will later become the semiconductor layer 104) is deposited.
The a-Si(i) layer (hereinafter abbreviated as a-Si(i)) and the SiNX layer, which will later become the insulating film 105, were patterned into a predetermined shape to form the insulating layer 105, leaving only the area above the gate electrode 102. Next, amorphous silicon doped with P (phosphorus) (hereinafter, a-Si (N+
) was deposited by plasma CVD method.
【００３６】その後、このａ−Ｓｉ（Ｎ＋）層及び上述
のａ−Ｓｉ（ｉ）層を所定の形状にパターニングし、半
導体層１０４及びコンタクト層１０６を形成した。コン
タクト層１０６は、半導体層１０４と、後に形成される
ソース電極１０７ａ及びドレイン電極１０７との間のオ
ーミックコンタクトのために設けられている。この時点
ではコンタクト層１０６は絶縁層１０５上でつながって
いる。この基板の全面にスパッタリング法によりＴｉ金
属層を堆積し、このＴｉ金属層をエッチングによりパタ
ーニングしてソース電極１０７ａ及びドレイン電極１０
７ｂを形成した。この時、絶縁層１０５上のコンタクト
層１０６も同時にエッチング除去し、ソース電極１０７
ａの下方部とドレイン電極１０７ｂの下方部とに分割し
た。以上のようにしてＴＦＴ１０１を形成した。なお、
図７に示されるソースバス電極９１は、ソース電極１０
７ａ及びドレイン電極１０７ｂと同時に形成され、ゲー
トバス電極９３と直交して配置される。Thereafter, this a-Si(N+) layer and the above-mentioned a-Si(i) layer were patterned into a predetermined shape to form a semiconductor layer 104 and a contact layer 106. Contact layer 106 is provided for ohmic contact between semiconductor layer 104 and source electrode 107a and drain electrode 107 that will be formed later. At this point, the contact layer 106 is connected on the insulating layer 105. A Ti metal layer is deposited on the entire surface of this substrate by a sputtering method, and this Ti metal layer is patterned by etching to form a source electrode 107a and a drain electrode 107a.
7b was formed. At this time, the contact layer 106 on the insulating layer 105 is also etched away, and the source electrode 107 is removed by etching.
It was divided into a lower part of the drain electrode 107b and a lower part of the drain electrode 107b. The TFT 101 was formed as described above. In addition,
The source bus electrode 91 shown in FIG.
7a and the drain electrode 107b, and are arranged perpendicular to the gate bus electrode 93.
【００３７】次いで、このようになしたガラス基板１０
０上に、全面にわたってゼラチンなどで樹脂絶縁膜１０
８を形成し、その後、ＴＦＴ１０１のドレイン電極１０
７ｂ上の樹脂絶縁膜１０８をフォトリソグラフィー法に
より除去し、コンタクトホールを形成した。次に、樹脂
絶縁膜１０８を形成した基板１００上の全面に、Ａｌ金
属層を蒸着させた。このＡｌ金属層を所定の形状にパタ
ーニングし、マトリクス状に配列された絵素電極１０９
を形成した。絵素電極１０９は上述のコンタクトホール
にも形成されるため、絵素電極１０９とＴＦＴ１０１の
ドレイン電極１０７ｂとは電気的に接続されることにな
る。Next, the glass substrate 10 made in this way
0, a resin insulating film 10 made of gelatin or the like is formed over the entire surface.
8, and then the drain electrode 10 of the TFT 101.
The resin insulating film 108 on 7b was removed by photolithography to form a contact hole. Next, an Al metal layer was deposited on the entire surface of the substrate 100 on which the resin insulating film 108 was formed. This Al metal layer is patterned into a predetermined shape, and picture element electrodes 109 are arranged in a matrix.
was formed. Since the picture element electrode 109 is also formed in the above-mentioned contact hole, the picture element electrode 109 and the drain electrode 107b of the TFT 101 are electrically connected.
【００３８】このようにして最終的に形成されたガラス
基板１００に対し、図８に示すように透明な対向電極１
１３が形成されたガラス基板１１０を対向させて両基板
１１０と１００を貼り合わせる。このガラス基板１１０
の上下面には、他の実施例と同様に誘電体薄膜１１２ａ
、１１２ｂが形成されている。誘電体薄膜１１２ａは図
２の左側の誘電体薄膜３９ａと同一であり、誘電体薄膜
１１２ｂは同図の右側の誘電体薄膜３９ｂと同一に形成
されている。つまり、このガラス基板１１０は、図２に
示したガラス基板３１ａと同一である。そして、両基板
１００、１１０の間に、実施例１と同様の方法でポリマ
ー分散型液晶層１１１を形成し、アクティブマトリクス
型液晶ライトバルブを作製した。即ち、この液晶ライト
バルブは、ガラス基板にＴＦＴを表示の各絵素に付加し
たＴＦＴマトリックス駆動方式である。As shown in FIG. 8, a transparent counter electrode 1 is attached to the glass substrate 100 finally formed in this way.
Both substrates 110 and 100 are bonded together with the glass substrate 110 on which 13 is formed facing each other. This glass substrate 110
Dielectric thin films 112a are provided on the upper and lower surfaces of the
, 112b are formed. The dielectric thin film 112a is the same as the dielectric thin film 39a on the left side of FIG. 2, and the dielectric thin film 112b is formed the same as the dielectric thin film 39b on the right side of the figure. In other words, this glass substrate 110 is the same as the glass substrate 31a shown in FIG. Then, a polymer-dispersed liquid crystal layer 111 was formed between both substrates 100 and 110 in the same manner as in Example 1, to produce an active matrix liquid crystal light valve. That is, this liquid crystal light valve uses a TFT matrix driving method in which a TFT is added to each picture element of the display on a glass substrate.
【００３９】このアクティブマトリクス型液晶ライトバ
ルブを用いて反射型プロジェクション液晶表示装置を作
製し、スクリーンに投影した場合にも、充分な黒表示が
得られ、良好な表示が可能となった。なお、ガラス基板
１１０としては、図２に示したガラス基板３１ａに代え
て、図４又は図６に示す構成のものを使用してもよく、
そのようにした場合にあっても、同様な効果がある。[0039] Even when a reflective projection liquid crystal display device was manufactured using this active matrix type liquid crystal light valve and the image was projected onto a screen, a sufficient black display was obtained and a good display was possible. Note that as the glass substrate 110, a structure shown in FIG. 4 or 6 may be used instead of the glass substrate 31a shown in FIG.
Even in such a case, the same effect can be obtained.
【００４０】（実施例５）この実施例は、本発明を、Ｓ
ｉ基板上にＭＯＳトランジスタを形成したＭＯＳ−ＦＥ
Ｔマトリックス駆動方式に適用した場合を示す。(Example 5) This example demonstrates the present invention in S
MOS-FE with MOS transistors formed on an i-substrate
A case where it is applied to the T-matrix drive method is shown.
【００４１】即ち、Ａｌ等の金属からなる絵素電極を有
するＭＯＳ−ＦＥＴ（金属酸化膜半導体電解効果トラン
ジスタ）が、マトリックスアレイ状に形成されたＳｉ基
板に対し、実施例４で使用した、誘電体薄膜１１２ａ，
１１２ｂおよび対向電極１１３が形成されたガラス基板
１１０を、対向基板１１３側を内側として対向させ、そ
の後、実施例４と同様にして液晶ライトバルブを形成し
、この液晶ライトバルブを用いて反射型プロジェクショ
ン液晶表示装置を作製した。That is, a MOS-FET (metal oxide semiconductor field effect transistor) having a pixel electrode made of a metal such as Al is placed on a Si substrate formed in a matrix array using the dielectric film used in Example 4. body thin film 112a,
The glass substrates 110 on which the counter electrode 112b and the counter electrode 113 are formed are placed to face each other with the counter substrate 113 side facing inside, and then a liquid crystal light valve is formed in the same manner as in Example 4, and this liquid crystal light valve is used for reflective projection. A liquid crystal display device was manufactured.
【００４２】そして、その液晶表示装置を使用してスク
リーンに投影した結果、本実施例でも充分な黒表示が得
られ、良好な表示が可能となった。As a result of projecting the image onto a screen using the liquid crystal display device, a sufficient black display was obtained in this example as well, and a good display was possible.
【００４３】（実施例６）この実施例においては、上述
した実施例４で用いた液晶ライトバルブを構成する２枚
の基板に、それぞれに配向膜としてポリイミド膜をスピ
ンコートによって形成した後、ラビングによる分子配向
処理を施し、その後、両基板を貼り合わせ、ツイスティ
ドネマティックモードの液晶を注入、封止することによ
って作成した液晶ライトバルブを使用した。(Example 6) In this example, a polyimide film was formed as an alignment film on each of the two substrates constituting the liquid crystal light valve used in Example 4 by spin coating, and then rubbed. A liquid crystal light valve was used, which was created by subjecting the substrates to molecular orientation treatment, then bonding the two substrates together, injecting twisted nematic mode liquid crystal, and sealing.
【００４４】そして、図９に示すように、この液晶ライ
トバルブ１２６を使用して、照明光源１２３、レンズ１
２４、偏光ビームスプリッタ１２５及びスクリーン１２
７を備えた反射型プロジェクション液晶表示装置を作成
し、前記スクリーン１２７に投影した。この実施例にお
いても、明るい良好な表示が得られた。As shown in FIG. 9, using this liquid crystal light valve 126, the illumination light source 123 and lens 1
24, polarizing beam splitter 125 and screen 12
A reflective projection liquid crystal display device equipped with 7 was fabricated and projected onto the screen 127. In this example as well, a bright and good display was obtained.
【００４５】なお、上記実施例では誘電体薄膜を基板の
両面に形成しているが、本発明はこれに限らず、基板の
片面側のみに誘電体薄膜を形成してもよい。また、基板
のすぐ上に対向電極が形成されている場合には、誘電体
薄膜は対向電極の上に、すなわち基板とは対向電極を間
に挟んだ状態で誘電体薄膜を形成するようにしてもよい
。この場合には、対向電極と液晶層との間で生じる反射
を抑制することもできる。Although the dielectric thin film is formed on both sides of the substrate in the above embodiment, the present invention is not limited to this, and the dielectric thin film may be formed only on one side of the substrate. In addition, when a counter electrode is formed directly above the substrate, the dielectric thin film is formed on the counter electrode, that is, with the counter electrode sandwiched between the substrate and the dielectric thin film. Good too. In this case, reflection occurring between the counter electrode and the liquid crystal layer can also be suppressed.
【００４６】また、上記実施例ではスクリーン投影用の
光が照射される基板に形成する１つの誘電体薄膜が材質
の異なる３層以上のもので構成されているが、１つの誘
電体薄膜としては、反射を所望程度抑制できれば１層以
上の適当な層数としてもよい。Furthermore, in the above embodiment, one dielectric thin film formed on the substrate irradiated with light for screen projection is composed of three or more layers of different materials. , the number of layers may be one or more as long as reflection can be suppressed to a desired degree.
【００４７】そして、また、上述した６つの実施例にお
いて、明言はしていないがスクリーンに光を投影する液
晶表示装置につき５５０ｎｍの光で実験を行ったが、カ
ラー表示装置として用いる場合には、Ｒ．Ｇ．Ｂ．の３
色を最適状態で色分解できる誘電体薄膜層を備えた液晶
ライトバルブを用いればよい。Furthermore, in the six embodiments described above, experiments were conducted using 550 nm light for a liquid crystal display device that projects light onto a screen, although this is not stated explicitly, but when used as a color display device, R. G. B. No. 3
A liquid crystal light valve equipped with a dielectric thin film layer that can perform color separation in an optimal state may be used.
【００４８】更に、液晶表示モードとしては、上述した
実施例で取り上げたネマティック液晶を用いた高分子分
散モード、ＨＦＥモードの他に、ツイスティッドネマテ
ィックモード、電界誘起複屈折モード、動的散乱モード
、ゲストホストモード、相転移モードなどが利用できる
。また、スメクティック液晶を用いた場合には、複屈折
モード、ゲストホストモード、光散乱モードが利用でき
ると共に、このほかに強誘電液晶を用いることができる
。よって、本発明にあっては、液晶として散乱型液晶及
び高分子分散型液晶などを適宜使用して実施できる。Furthermore, as liquid crystal display modes, in addition to the polymer dispersion mode and HFE mode using nematic liquid crystal taken up in the above-mentioned embodiments, twisted nematic mode, electric field-induced birefringence mode, dynamic scattering mode, Guest-host mode, phase transition mode, etc. can be used. Further, when smectic liquid crystal is used, birefringence mode, guest-host mode, and light scattering mode can be used, and ferroelectric liquid crystal can also be used. Therefore, the present invention can be carried out using a scattering type liquid crystal, a polymer dispersed type liquid crystal, or the like as the liquid crystal.
【００４９】[0049]
【発明の効果】本発明の投影型液晶表示装置では、スク
リーン投影用の光が照射される基板における表面反射を
抑制できるため、スクリーン上で充分な黒表示を行うこ
とができ、また明るい表示をすることが可能となり、高
コントラスト表示のプロジェクションディスプレイを実
現することが出来る。[Effects of the Invention] In the projection type liquid crystal display device of the present invention, since surface reflection on the substrate to which screen projection light is irradiated can be suppressed, a sufficient black display can be performed on the screen, and a bright display can also be achieved. This makes it possible to realize a projection display with high contrast display.
【図１】実施例１の液晶ライトバルブを示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a liquid crystal light valve of Example 1.
【図２】図１の液晶ライトバルブに使用した左側のガラ
ス基板３１ａを示す断面図。2 is a cross-sectional view showing the left glass substrate 31a used in the liquid crystal light valve of FIG. 1. FIG.
【図３】実施例１における表面反射の分光特性を示すグ
ラフ。FIG. 3 is a graph showing the spectral characteristics of surface reflection in Example 1.
【図４】実施例２の液晶ライトバルブに用いたスクリー
ン投影用光の照射側の基板を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a substrate on the irradiation side of screen projection light used in the liquid crystal light valve of Example 2.
【図５】実施例２における表面反射の分光特性を示すグ
ラフ。FIG. 5 is a graph showing spectral characteristics of surface reflection in Example 2.
【図６】実施例３の液晶ライトバルブに用いたスクリー
ン投影用光の照射側の基板を示す断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a substrate on the irradiation side of screen projection light used in the liquid crystal light valve of Example 3.
【図７】ＴＦＴ型液晶ライトバルブの簡略化した平面図
。FIG. 7 is a simplified plan view of a TFT type liquid crystal light valve.
【図８】図７に示す液晶ライトバルブの切断面線Ｉ−Ｉ
における断面図。[Fig. 8] Cutting plane line I-I of the liquid crystal light valve shown in Fig. 7
A cross-sectional view.
【図９】偏光ビームスプリッタを用いた反射型プロジェ
クション液晶表示装置を示す模式図。FIG. 9 is a schematic diagram showing a reflective projection liquid crystal display device using a polarizing beam splitter.
【図１０】従来の投影型表示装置を示す模式図。FIG. 10 is a schematic diagram showing a conventional projection display device.
【図１１】従来の液晶ライトバルブを示す断面図。FIG. 11 is a sectional view showing a conventional liquid crystal light valve.
１０ ＣＲＴ １１ レンズ １４ 照明光源 １５ レンズ １６ ミラー １７ レンズ １８ スクリーン ３１ａ、ｂ ガラス基板 ３２ａ、ｂ 透明電極 ３３ 光導電層 ３７ 液晶層 ３９ａ、３９ｂ 誘電体薄膜 ４０ ＭｇＦ２層 ４１ ＺｒＯ２層 ４２ Ａｌ２Ｏ３層 ４３ ＩＴＯ層 ４４ ＴｉＯ２層 ４５ Ａｌ２Ｏ３層 ４６ ＭｇＦ２層 ４９ｂ 誘電体薄膜 ５３ ＭｇＦ２層 ５４ Ａｌ２Ｏ３層 ５５ ＴｉＯ２層 ５６ ＩＴＯ層 ５７ ＭｇＦ２層 ９１ ソースバス電極 ９２ 絵素電極 ９３ ゲートバス電極 ９４ 絶縁膜 ９５ ソース電極 ９６ ＴＦＴチャンネル部 ９７ ドレイン電極 １００ ガラス基板 １０１ ＴＦＴ １０２ ゲート電極 １０３ ゲート絶縁膜 １０４ 半導体層 １０５ 絶縁層 １０６ コンタクト層 １０７ａ ソース電極 １０７ｂ ドレイン電極 １０８ 樹脂絶縁膜 １０９ 絵素電極 １１０ 対向基板 １１１ ポリマー分散型液晶 １１２ａ 誘電体薄膜 １１２ｂ 誘電体薄膜 １１３ 対向電極 １２３ 照明光源 １２４ レンズ １２５ 偏光ビームスプリッタ １２６ 液晶ライトバルブ １２７ スクリーン 10 CRT 11 Lens 14 Illumination light source 15 Lens 16 Mirror 17 Lens 18 Screen 31a, b Glass substrate 32a,b Transparent electrode 33 Photoconductive layer 37 Liquid crystal layer 39a, 39b Dielectric thin film 40 MgF2 layer 41 ZrO2 layer 42 Al2O3 layer 43 ITO layer 44 TiO2 layer 45 Al2O3 layer 46 MgF2 layer 49b Dielectric thin film 53 MgF2 layer 54 Al2O3 layer 55 TiO2 layer 56 ITO layer 57 MgF2 layer 91 Source bus electrode 92 Picture element electrode 93 Gate bus electrode 94 Insulating film 95 Source electrode 96 TFT channel section 97 Drain electrode 100 Glass substrate 101 TFT 102 Gate electrode 103 Gate insulating film 104 Semiconductor layer 105 Insulating layer 106 Contact layer 107a Source electrode 107b Drain electrode 108 Resin insulation film 109 Picture element electrode 110 Opposite board 111 Polymer dispersed liquid crystal 112a Dielectric thin film 112b Dielectric thin film 113 Counter electrode 123 Illumination light source 124 Lens 125 Polarizing beam splitter 126 LCD light bulb 127 Screen
Claims (3)
び光導電層が形成された光変調器と、一方の基板側から
画像を書き込む画像書き込み手段と、他方の基板に光を
照射して光変調器に書き込まれた画像をスクリーンに投
影する照明手段とを備えた投射型液晶表示装置において
、該他方の基板に誘電体薄膜を形成した投射型液晶表示
装置。Claim 1: An optical modulator in which a liquid crystal layer and a photoconductive layer are formed between two substrates arranged facing each other, an image writing means for writing an image from one substrate side, and an image writing means for irradiating light onto the other substrate. 1. A projection type liquid crystal display device comprising an illumination means for projecting an image written on a light modulator onto a screen, the projection type liquid crystal display device comprising a dielectric thin film formed on the other substrate.
れたガラス基板と、対向電極が形成されたガラス基板と
の間に液晶層が設けられた液晶表示素子を光変調器とし
て用い、該対向電極が形成されたガラス基板にスクリー
ン投影用の光を照射する投射型液晶表示装置において、
該対向電極が形成されているガラス基板に誘電体薄膜を
形成した投射型液晶表示装置。2. A liquid crystal display element in which a liquid crystal layer is provided between a glass substrate on which a thin film transistor and a picture element electrode are formed and a glass substrate on which a counter electrode is formed is used as an optical modulator, and the counter electrode is In a projection type liquid crystal display device that irradiates a formed glass substrate with light for screen projection,
A projection type liquid crystal display device in which a dielectric thin film is formed on a glass substrate on which the counter electrode is formed.
れたＳｉ基板と、対向電極が形成されたガラス基板との
間に液晶層が設けられた液晶表示素子を光変調器として
用い、該対向電極が形成されているガラス基板にスクリ
ーン投影用の光を照射する投射型液晶表示装置において
、該対向電極が形成されているガラス基板に誘電体薄膜
を形成した投射型液晶表示装置。3. A liquid crystal display element in which a liquid crystal layer is provided between a Si substrate on which a switching element and a picture element electrode are formed and a glass substrate on which a counter electrode is formed is used as an optical modulator, and the counter electrode A projection type liquid crystal display device in which a dielectric thin film is formed on the glass substrate on which the counter electrode is formed, in which a glass substrate on which the counter electrode is formed is irradiated with light for screen projection.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070090A JPH04304424A (en) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | Projection type liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070090A JPH04304424A (en) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | Projection type liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304424A true JPH04304424A (en) | 1992-10-27 |
Family
ID=13421496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070090A Withdrawn JPH04304424A (en) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | Projection type liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04304424A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100282933B1 (en) * | 1993-12-01 | 2001-03-02 | 모리시타 요이찌 | LCD panel and projection display device using same |
| JP2010079154A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device and electronic equipment |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP3070090A patent/JPH04304424A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100282933B1 (en) * | 1993-12-01 | 2001-03-02 | 모리시타 요이찌 | LCD panel and projection display device using same |
| JP2010079154A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device and electronic equipment |
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