JPH04299871A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、特に超小型に構成す
ることができるようにするようにした半導体圧力センサ
およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】小型化した圧力センサとして、従来から
半導体によって構成したものが知られている。この様な
半導体圧力センサは、例えば特開昭５８−７８４７０号
公報に示されるように、半導体基板をエッチング技術等
によって薄く形成し、圧力を検知するダイヤフラムを構
成し、このダイヤフラム部にピエゾ抵抗素子を形成する
ことによって、圧力によるダイヤフラムの変形を電気的
な信号に変換し、圧力検出信号として出力されるように
している。

【０００３】しかし、この様な従来の半導体圧力センサ
にあっては、例えば多数の圧力センサを１チップの半導
体基板上に並べて形成することが困難であり、しかも同
時にその信頼性を向上させることができない。

【０００４】また、この様な圧力センサを超小型化する
ためには、半導体によって構成されるダイヤフラムの膜
厚を充分に薄く構成することが要求される。しかし、こ
の膜厚を薄く構成しようとすると、加工精度上からその
膜厚制御が困難であり、高精度の圧力センサを製造する
ことが非常に困難となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、ダイヤフラムを容易且つ確
実に薄く構成することができ、超小型化することが容易
とされると共に、例えば１チップの半導体基板に対して
他数個構成可能として、その精度が充分に保証可能とさ
れるようにした半導体圧力センサおよびその製造方法を
提供しようとするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体圧
力センサは、半導体基板にセンサ形成領域を取り囲むよ
うにしてＬＯＣＯＳ　酸化膜を形成すると共に、その表
面に絶縁膜を形成する。そして、この半導体基板の前記
絶縁膜の形成面に他の台座基板を対設接合し、前記半導
体基板の絶縁膜を形成した面と反対側の面を、ＬＯＣＯ
Ｓ　酸化膜の位置まで切削研磨し、このＬＯＣＯＳ　酸
化膜で形成された段差部に残る半導体基板部分によって
ダイヤフラムが形成されるようにしている。そして、前
記台座基板に接してＬＯＣＯＳ　酸化膜の段差部に対応
して形成された空間部に連通する圧力導入孔を前記台座
基板に形成させる。

【０００７】

【作用】この様に構成される圧力センサにあっては、半
導体基板に通常の半導体装置の製造工程と同様に形成さ
れるＬＯＣＯＳ　酸化膜の段差部を用いて、非常に肉薄
にした半導体によるダイヤフラムが形成されるようにな
る。この場合、半導体基板面に形成した絶縁膜の層が、
ダイヤフラムの強度部材として作用されるようになり、
特に超小型の圧力センサが容易に構成できるようになる
。特にダイヤフラムは、ＬＯＣＯＳ　酸化膜が現れるま
で研磨すればよいものであり、ＬＯＣＯＳ　酸化膜の上
に存在する半導体の厚さをモニタしながら研磨すること
によって、容易且つ確実に薄いダイヤフラムを構成する
ことができ、その膜厚はＬＯＣＯＳ　酸化膜の厚さで決
定可能とされ、さらに１チップの半導体基板に対して他
数個の圧力センサを形成することも容易となる。

【０００８】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
説明する。図１はその断面構造を示すもので、例えばシ
リコン基板によって構成された台座基板１１を備え、こ
の台座基板１１の上にセンサ本体１２が対設接合されて
いる。 このセンサ本体１２は、センサ形成領域を取り囲むよう
に形成されたＬＯＣＯＳ　酸化膜１３を備え、このＬＯ
ＣＯＳ　酸化膜１３の台座基板１１に接する面には、例
えば酸化シリコンによる絶縁膜１４が形成されている。

【０００９】ここで、このＬＯＣＯＳ　酸化膜１３で取
り囲まれた領域において、絶縁膜１４と反対側の面には
、ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３の段差部の厚さに相当する肉
厚のシリコン層１５が存在し、その反対側の台座基板１
１に対向する面には、同じくＬＯＣＯＳ　酸化膜１３で
形成された段差部に相当する空間１６が形成されている
。そして、シリコン層１５の表面には、ピエゾ抵抗１７
が形成され、台座基板１１には空間１６に連通される圧
力導入孔１８が形成されている。

【００１０】すなわち、この様に構成される圧力センサ
にあっては、絶縁膜１４で支えられたシリコン層１５に
よって圧力の変化によってたわむダイヤフラムが構成さ
れるもので、このダイヤフラムの厚さは、ＬＯＣＯＳ　
酸化膜１３の厚さに対応して設定される。したがって非
常に肉薄に構成され、超小型化した圧力センサが構成さ
れるようになる。１９はピエゾ抵抗１７に接続される導
出配線である。

【００１１】図２はこの様な半導体圧力センサの製造過
程を示すもので、まず（Ａ）図で示すようにシリコン半
導体基板２１を用意し、この半導体基板２１の表面にＬ
ＯＣＯＳ　酸化膜１３を形成する。このＬＯＣＯＳ　酸
化膜１３はセンサの形成領域を取り囲むようにして形成
されている。そして、このＬＯＣＯＳ　酸化膜１３の形
成された半導体基板２１の表面を酸化し、全面に酸化膜
による絶縁膜１４を形成する。この絶縁膜１４は、ダイ
ヤフラムを守るストッパとして機能されるようになる。

【００１２】次に、（Ｂ）図で示すようにシリコン基板
による台座基板１１を別に用意し、この台座基板１１を
（Ａ）図で示すように構成した半導体基板２１の上、す
なわち絶縁膜１４の形成された面に載置し、ＬＯＣＯＳ
　酸化膜１３の上に直接接合する。この場合、ＬＯＣＯ
Ｓ　酸化膜１３に段差が存在するものであるため、この
ＬＯＣＯＳ　酸化膜で囲まれた領域において、絶縁膜１
４と台座基板１１との間に空間１６が形成される。

【００１３】この様に台座基板１１に半導体基板２１が
接合されたならば、（Ｃ）図で示すように半導体基板２
１の台座基板１１と反対側の面を、ＬＯＣＯＳ　酸化膜
１３に当たるまで切削研磨する（尚、この図からは（Ｂ
）図の状態を上下反転して示している）。したがって、
この状態では半導体基板２１がＬＯＣＯＳ　酸化膜１３
で囲まれた領域においてのみ残存し、シリコン層１５が
形成されるようになるもので、このシリコン層１５の肉
厚はＬＯＣＯＳ　酸化膜１３の段差部の高さに相当する
ようになる。

【００１４】すなわち、このシリコン層１５部分がダイ
ヤフラムとして機能するようになるものであるが、空間
１６部を残したまま基板２１を研磨することによって、
このダイヤフラムが破損することが考えられる場合は、
空間１６部に例えばポリシリコンを埋め込んでおくと効
果的である。このポリシリコンは後述の圧力導入孔１８
を形成する際に、適宜取り除くようにすればよい。

【００１５】この様にしてダイヤフラムが形成されたな
らば、（Ｄ）図で示すようにダイヤフラムとして作用さ
れるシリコン層１５の表面に、適宜レジストパターンを
形成してボロン等の不純物を注入し、拡散することによ
ってピエゾ抵抗１７を形成してセンサ本体１２が形成さ
れ、さらに台座基板１１に対して空間１６に連通される
圧力導入孔１８を形成する。そして、ピエゾ抵抗に１７
に接続されるようにして、図１で示されるように配線１
９を形成することによって、半導体圧力センサが完成さ
れる。

【００１６】この様に構成される圧力センサにあっては
、圧力導入孔１８から導入されたガスあるいは液体の圧
力を受けて、ダイヤフラムとされるシリコン層１５が変
形し、ピエゾ抵抗１７の抵抗値が変化して、圧力が電気
信号として出力され、圧力測定が行われるようになる。 この様な測定動作に際して、この様に構成されるセンサ
において最大の利点は、ピエソ抵抗１７素子がシリコン
基板によって構成される台座基板１１と絶縁分離されて
いることであり、例えば測定対象が導電性を有するガス
若しくは液体であっても、圧力測定上で問題は生じない
。

【００１７】図３は第２の実施例に係る圧力センサの製
造過程を示すもので、（Ａ）図で示すように前実施例と
同様にシリコン半導体基板２１の表面にＬＯＣＯＳ　酸
化膜１３を形成し、さらに絶縁膜１４を形成した後に、
ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３で囲まれた領域にボロンイオン
を注入拡散する。そして、ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３で囲
まれた領域の絶縁膜１４の下部にＰ＋　領域２２を形成
する。この場合、絶縁膜１３はその強度が充分なものと
されるように、例えばＳｉ　ＯＮで構成している。

【００１８】そして、（Ｂ）図で示すように前実施例と
同様に台座基板１１を絶縁膜１４が存在する面に接合し
、半導体基板２１をＬＯＣＯＳ　酸化膜１３が存在する
部分まで研磨して、Ｐ＋　シリコン層１５１　が形成さ
れるようにする。

【００１９】この実施例においては、このシリコン層１
５１　部分によってピエゾ抵抗素子を形成するようにし
ているもので、（Ｃ）図に示すようにこのシリコン層１
５１　を折り返しパターンにエッチングによって成形す
る。具体的には、シリコン層１５１　をこのパターンに
したがってアルカリ性のエッチング液を用いて絶縁膜１
４に達するまで選択エッチングし、これをピエゾ抵抗１
７素子とするようにしている。

【００２０】この様に構成すれば、ダイヤフラム部をよ
り微小な圧力に対応して動き易いように構成できるもの
であり、特に微小圧力を測定する圧力センサとして効果
的に機能されるようになる。

【００２１】これまでの実施例ではピエゾ抵抗素子によ
って圧力を検出するようにした。しかし、この圧力セン
サにあっては、静電容量の変化によって圧力変化を検出
することができるように構成することもできる。

【００２２】図４は第３の実施例に係る圧力センサを示
すもので、台座基板１１のセンサ本体１２に接する面に
、Ｐ＋　拡散層２３を形成する。またセンサ本体１２は
、第２の実施例で示したと同様に、ＬＯＣＯＳ　酸化膜
１３で囲まれた領域にＰ＋　のシリコン層５１１　を形
成している。そして、この様に構成されるセンサ本体１
２の表面に絶縁層２４を形成し、この絶縁層２４に形成
された開口を介してシリコン層１５１　に接続されるア
ルミニウム配線１９１　を形成し、さらにＬＯＣＯＳ　
酸化膜１３を貫通してＰ＋　拡散層２３に接続される配
線１９２　を形成する。シリコン層１５１　の台座基板
１１方向の面に形成される空間１６には、台座基板１１
を貫通して圧力導入孔１８が連通される。

【００２３】すなわち、この様に構成される圧力センサ
にあっては、圧力導入孔１８から導入されるガスまたは
液体の圧力に対応して、ダイヤフラムとされるシリコン
層１５１が変形し、空間１６部の間隔が圧力と共に変化
する。 したがって、シリコン層１５１とＰ＋　拡散層２３との
間の静電容量が圧力に対応して変化する。したがって、
上下電極とされるこのシリコン層１５１　とＰ＋　拡散
層２３との間に設定される電位差を一定に設定し、この
両電極間の電荷量を測定することによって、微弱な圧力
変化までも高精度に測定できるようになる。

【００２４】図５はこの実施例で示した圧力センサの製
造過程を示すもので、まず（Ａ）図で示すようにシリコ
ン半導体基板２１の表面にＬＯＣＯＳ　酸化膜１３およ
び絶縁膜１４を形成した後、ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３に
囲まれた領域にボロンを注入拡散し、Ｐ＋　型領域２２
を形成する。

【００２５】また、（Ｂ）図で示すように台座基板１１
とされるシリコン基板のセンサ本体と接合される面に、
特にＬＯＣＯＳ　酸化膜１３で囲まれた領域に対向する
部分を含んでボロンイオンを注入拡散し、Ｐ＋　拡散層
２３を形成する。そして、この台座基板１１を（Ｃ）図
で示すように半導体基板２１の絶縁膜１４が存在する面
に、Ｐ＋拡散層２３が対接されるようにして載置し、接
合する。

【００２６】そして、（Ｄ）図で示すように半導体基板
２１をＬＯＣＯＳ酸化膜１３の位置まで研磨し、拡散領
域２２によって構成されたＰ＋　型のシリコン層１５１
　が台座基板１１のＰ＋拡散層２３に、空間１６を介し
て対向設定され、台座基板１１にセンサ本体１２が一体
化されるようにする。その後、図４で示したようにセン
サ本体１２の表面部に絶縁層２４を形成し、この絶縁層
２４に端子孔を形成すると共にＬＯＣＯＳ　絶縁膜１３
にＰ＋拡散層２３に至る開口を形成し、アルミニウムに
よる配線１９１　、１９２　を形成する。そして、圧力
導入孔１６を開口してこの圧力センサが完成される。

【００２７】この様に構成される圧力センサに対して、
その周辺部に同時に回路素子を形成することができる。 まず、図６の（Ａ）で示すように半導体基板２１の表面
にセンサ領域および素子形成領域をそれぞれ残した状態
でＬＯＣＯＳ　酸化膜１３を形成し、その表面部に絶縁
膜１４を形成する。そして、センサ形成領域に対応して
ボロンを注入拡散してＰ＋　領域２２形成する。そして
、（Ｂ）図に示すように絶縁膜１４の上のＬＯＣＯＳ　
酸化膜１３の段差によって形成された凹みの部分に、す
なわちセンサ領域および素子形成領域部分に、それぞれ
ポリシリコン層２５および２６を堆積する。

【００２８】次に、（Ｃ）図に示すように台座基板１１
を用意し、半導体基板２１の絶縁膜１４が存在する面に
接合するものであるが、この台座基板２１の半導体基板
２１のセンサ領域に対応する部分にはＰ＋　拡散層２３
が形成されている。そして、（Ｄ）図のように半導体基
板２１部をＬＯＣＯＳ　酸化膜１３部分まで研磨し、台
座基板１１の上にセンサ本体１２が接合された構造とす
る。この場合、ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３に囲まれたセン
サ領域部分にＰ＋　型のシリコン層１５１　が形成され
、また素子領域にはノンドープのシリコン層１５２　が
形成される。

【００２９】図７はさらにこの製造過程に連続する過程
を示すもので、（Ａ）図に示すようにノンドープのシリ
コン層１５２　にＰ型不純物およびＮ型不純物を選択拡
散し、ＰＮ接合を形成するものであり、さらにこの様に
構成されたセンサ本体１２部の表面の全体にゲート酸化
膜２７を形成する。そして、このゲート酸化膜２７の上
に、シリコン層１５２　にＮ型領域の上にその両側のＰ
型領域に重なるようにしてゲート電極２８をポリシリコ
ン等によって形成する。そして、その上にさらにＢＰＳ
Ｇ等の絶縁膜２９を堆積形成する。

【００３０】次に、レジストパターンを用いて絶縁膜２
９およびゲート絶縁膜２７を（Ｂ）図のようにエッチン
グし、シリコン層１５１　をできるだけの範囲で露出さ
せるようにすると共に、このシリコン層５１に達する端
子孔３１、ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３を貫通してＰ＋拡散
層２３に至る端子孔３２、シリコン層１５２　のＰ型領
域にそれぞれ達する端子孔３３および３４、さらにシリ
コン層１５２　部のゲート電極２８に至る端子孔３５を
形成し、さらに（Ｃ）図で示すように各端子孔３１〜３
５にそれぞれ対応してアルミニウムによる端子電極３６
〜４０を形成する。

【００３１】ここで、台座基板１１にはポリシリコン層
２５に至る圧力導入孔１８を形成するものであり、また
この圧力導入孔１８からアルカリ性エッチング液を入れ
ることによって、ポリシリコン層２５を除去して空間１
６を形成し、シリコン層１５１　がダイヤフラムとして
作用させられるようにする。すなわち、静電容量型の圧
力センサと共にＭＯＳトランジスタが同一チップ内に形
成されるようになる。

【００３２】ここで、ポリシリコン層２５をエッチング
除去するに際して、圧力導入孔１８の周辺部がエッチン
グ液によって削られ、問題が生ずる虞があるときは、図
６の（Ｃ）あるいは（Ｄ）の工程において圧力導入孔１
８を形成する。この様にすれば最後に圧力導入孔１８か
らエッチング液をと導入し、ポリシリコン層２５を除去
するときには、圧力導入孔１８の周辺に酸化膜が形成さ
れており、したがってアルカリ性エッチング液に対して
充分に耐えられるようになる。

【００３３】図８は第４の実施例を説明する。これまで
の実施例ではＰ＋　シリコン層１５１　の上に直接アル
ミニウム等の電極を付けている。したがって大きな温度
変化があった場合に熱膨脹係数の相違から応力が発生し
、ダイヤフラムがそのために歪む可能性がある。この実
施例はこの様な問題点を解決している。

【００３４】まず、（Ａ）図で示すようにシリコン半導
体基板２１の表面に、センサ領域を取り囲むようにして
ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３を形成し、その上に絶縁膜１４
を形成する。 その後、（Ｂ）図で示すように絶縁膜１４の上に、ＬＯ
ＣＯＳ　酸化膜１３で囲まれた領域の周辺部を残す状態
で例えばＳｉ　３　Ｎ４　によるマスクパターン４１を
形成し、ＬＯＣＯＳ　酸化を行って、（Ｃ）図で示すよ
うにＬＯＣＯＳ　酸化膜１３の内周部に第２のＬＯＣＯ
Ｓ　酸化膜１３１　を形成する。この場合、この第２の
ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３１　の厚さは、ＬＯＣＯＳ　酸
化膜１３の厚さに比較して小さく構成される。そして（
Ｄ）図で示すように最初に形成されたＬＯＣＯＳ　酸化
膜１３を、第２のＬＯＣＯＳ　酸化膜１３１　の部分ま
で研磨し、センサ本体１２が形成される。

【００３５】また、図９の（Ａ）に示すようにシリコン
による台座基板１１を用意し、この台座基板１１の表面
に絶縁膜４２を形成した後第２の台座基板１１１　を接
合し、この第２の台座基板１１１　を（Ｄ）図で示すよ
うに切削研磨して薄く構成する。そして、この第２の台
座基板１１１　に対してボロン等を注入拡散して、Ｐ＋
　型の半導体層４３とする。

【００３６】この様に構成された台座基板１１部は、（
Ｃ）図に示すように図８の（Ｄ）で構成された半導体基
板２１の研磨されたＬＯＣＯＳ　酸化膜１３の上に、半
導体層４３が対設されるようにして接合する。ここで、
ＬＯＣＯＳ　酸化膜１３の段差に対応した空間１６が、
半導体層４３と絶縁膜１４との間のセンサ領域において
形成される。

【００３７】この様にして台座基板１１部に対してセン
サ本体部１２が、図１０の（Ａ）に示すように接合され
る。 その後、（Ｂ）図で示すように表面に絶縁層４４を形成
し、この絶縁層４４にコンタクトホールを形成してＡｌ
　−Ｓｉ　等の電極４５および４６を形成するものであ
るが、シリコン層１５１　に接触される電極４５は、第
２のＬＯＣＯＳ酸化膜１３１　が存在する領域に対応し
て形成され、したがって温度が変化した時にダイヤフラ
ム部に作用する応力が充分に軽減される。

【００３８】そして、（Ｃ）図で示すように第２のＬＯ
ＣＯＳ　酸化膜１３１　の段差部に対応して形成された
空間１６に連通するようにして、台座基板１１および第
２の台座基板１１１　を貫通して、圧力導入孔１８を形
成する。

【００３９】図１１は第５の実施例の製造過程を示すも
ので、まず（Ａ）図で示すように図９の（Ｂ）で示した
ように台座基板１１の上に絶縁膜４２を形成し、この絶
縁膜４２の上にＰ＋　型の半導体層４３を形成する。そ
して、この半導体層４３には、センサ領域を取り囲むよ
うにして絶縁膜４２に至る溝４７を形成し、その露出面
の全体に熱酸化による絶縁膜４８を形成する。そして、
この台座部にセンサ本体１２を（Ｂ）図のように接合し
、（Ｃ）図のように電極４５、４６を形成すると共に、
圧力導入孔１８を形成する。

【００４０】この様に構成すれば、Ｐ＋　拡散層部分で
構成される容量電極部分が、効果的に絶縁体分離され、
安定した信頼性の高い圧力センサが構成され、特に超小
型化した場合の信頼性が向上される。

【００４１】尚、実施例においては不純物を拡散する部
分においてボロンを注入拡散し、Ｐ型の半導体領域を形
成するようにしているが、これはもちろんＮ型に構成し
てもよいものである。

【００４２】

【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体圧力
センサによれば、ダイヤフラム部を充分に薄く加工する
ことができ、特にＬＯＣＯＳ　酸化膜の形成工程によっ
てダイヤフラムの厚さが制御できる。この場合、ダイヤ
フラムの圧力の作用面の部分に空間が形成されるもので
あるため、圧力導入孔が小さなものであっても、圧力変
化に対応してダイヤフラムが確実にたわむようになり、
特に小型化して圧力センサが容易且つ確実に製造される
ようになる。また、この様な圧力センサにあっては、こ
の圧力センサ領域に隣接した状態で、例えばＭＯＳトラ
ンジスタ等の他の半導体素子を組み合わせ構成すること
ができ、超小型化したセンサによる圧力センサを含む圧
力測定装置が、同一チップ内に容易に構成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例に係る圧力センサを示
す断面構成図。

【図２】上記圧力センサの製造過程を示す図。

【図３】第２の実施例に係る圧力センサの製造過程を示
す図。

【図４】第３の実施例に係る圧力センサを示す断面構成
図。

【図５】上記実施例の製造過程を示す図。

【図６】上記製造過程に続く製造過程を示す図。

【図７】さらに上記製造過程に続く製造過程を示す図。

【図８】第４の実施例に係る圧力センサの製造過程を示
す図。

【図９】上記製造過程に続く製造過程を示す図。

【図１０】さらに上記製造過程に続く製造過程を示す図
。

【図１１】第５の実施例に係る圧力センサの製造過程を
示す図。

【符号の説明】

１１…台座基板、１２…センサ本体、１３…ＬＯＣＯＳ
　酸化膜、１４…絶縁膜、１５…シリコン層、１６…空
間、１７…ピエゾ抵抗、１８…圧力導入孔、２１…半導
体基板、２２…Ｐ＋拡散領域、２３…Ｐ＋　拡散層、２
５、２６…ポリシリコン層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　表面に絶縁膜の層を形成した半導体基
   板と、この半導体基板の表面部ににセンサ領域を取り囲
   むように形成したＬＯＣＯＳ　酸化膜と、この半導体基
   板の前記絶縁膜の形成される面に、前記ＬＯＣＯＳ　酸
   化膜の段差部分に対応した空間を残して対設接合された
   台座基板と、この台座基板に前記空間部に連通するよう
   に形成された圧力導入孔とを具備し、前記半導体基板は
   、前記空間を有する面と反対側で、前記ＬＯＣＯＳ　酸
   化膜の存在する部分まで切削研磨され、前記ＬＯＣＯＳ
   　酸化膜で取り囲まれた領域に設定された前記絶縁膜を
   含む半導体基板の残余部分で、ダイヤフラムが形成され
   るようにしたことを特徴とする半導体圧力センサ。
2. 【請求項２】　　半導体基板の表面に絶縁膜の層を形成
   する第１の工程と、前記半導体基板の表面部に、センサ
   形成領域を取り囲むようにしてＬＯＣＯＳ　酸化膜を形
   成する第２の工程と、前記半導体基板の前記絶縁膜の形
   成された面に、前記ＬＯＣＯＳ　酸化膜で形成された段
   差部による空間を残して台座基板を接合する第３の工程
   と、前記半導体基板を、前記台座基板とは反対側の面で
   前記ＬＯＣＯＳ　酸化膜に接するまで切削研磨する第４
   の工程と、前記台座基板に前記ＬＯＣＯＳ　酸化膜で囲
   まれた空間部に連通する圧力導入孔を形成する第５の工
   程と、を具備したことを特徴とする半導体圧力センサの
   製造方法。