JPH04297001A

JPH04297001A - 無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体

Info

Publication number: JPH04297001A
Application number: JP3062204A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Aisaka; 哲彌逢坂; Jun Kawaguchi; 純川口
Original assignee: Waseda University; Nihon Parkerizing Co Ltd
Current assignee: Waseda University; Nihon Parkerizing Co Ltd
Priority date: 1991-03-26
Filing date: 1991-03-26
Publication date: 1992-10-21
Anticipated expiration: 2014-03-08
Also published as: JP2866486B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属・セラミックス・
合成樹脂等で形成された基材表面を覆う無電解Ｎｉ−Ｒ
ｅ−Ｐ合金により作製された、極めて高い比抵抗と低い
温度抵抗係数（ＴＣＲ）を有し、しかもこれらの電気抵
抗特性が極めて高温まで安定に維持する薄膜抵抗体に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】無電解めっき法により作製されたりん含
有量５〜１５重量％のＮｉ−Ｐ合金薄膜は、微結晶、な
いしはアモルファス層で形成されており、比較的高い比
抵抗と低い温度抵抗係数（以下ＴＣＲと称する）を有す
ることから、金属薄膜型の電気抵抗材料として断続通電
用部品（ディスクリート部品）やハイブリッドＩＣ等に
利用されている。ただし、この良好な電気抵抗特性はＮ
ｉ−Ｐ合金の微結晶構造、ないしはアモルファス構造に
より得られており、これらの構造は熱力学的に準安定状
態なので耐熱性に劣るという欠点を有する。これは、抵
抗材料自体が本質的に発熱部品であること、しかもその
製造工程、組み付け工程には必ずといってよいほど加熱
過程が存在することを考慮すると極めて重要な問題であ
る。

【０００３】この問題に対処する方法として、第３元素
としてＷ、Ｍｏなどの高融点金属をＮｉ−Ｐ合金に共析
させることが検討されてきた。例えば、無電解Ｎｉ−１
３重量％Ｐ合金薄膜では比抵抗１４０μΩｃｍ、ＴＣＲ
１１８ｐｐｍ／℃の特性を高々３００℃までしか維持で
きないが、Ｗを共析させた無電解Ｎｉ−２０重量％Ｗ−
６重量％Ｐ合金薄膜ではより高い比抵抗１９０μΩｃｍ
、およびより低いＴＣＲ５６ｐｐｍ／℃を有し、しかも
これらの特性を約４００℃まで維持することができる。さらに、Ｍｏを共析させた無電解Ｎｉ−１９重量％Ｍｏ
−１重量％Ｐ合金薄膜では、比抵抗１５０μΩｃｍ、Ｔ
ＣＲ１３０ｐｐｍ／℃の特性を約５００℃まで維持する
ことができる（抵抗特性の絶対値はＮｉ−Ｗ−Ｐ合金よ
り劣る）。なお、これらのデータの詳細については、「
逢坂，小岩，川口；　表面技術，　４０．　８０７　（
１９８９）」等の文献に記載されている。

【０００４】ただし、これらの無電解めっき法により作
製された薄膜抵抗材料を、通常の金属薄膜型抵抗材料と
比較するとＴＣＲがやや劣ることがわかる（表１）。さ
らに、一般に金属材料は薄膜化することにより比抵抗が
上昇し、ＴＣＲが減少することが知られているので（Ｌ
．Ｉ．Ｍａｉｓｓｅｌ　ａｎｄ　Ｒ．Ｇｌａｎｇ；　”
Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｔｈｉｎ　ＦｉｌｍＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ”，　ｐ．１８−６　（ＭｃＧｒａｗ−Ｈ
ｉｌｌ，　１９７０）　等）、表１に示した金属抵抗材
料が実際には真空蒸着やスパッタリングなどの乾式成膜
法を用いて作製されていることを考慮すると、表１に示
す以上の特性を発現することも可能である。これに対し
、無電解めっき法などの湿式成膜法は、乾式成膜法に比
較して、コスト・量産性において優れるものの、極薄膜
領域での膜厚や物性が不安定であるために、薄膜化する
ことにより抵抗特性の向上を期待するのは困難である。従って、無電解めっき法による薄膜抵抗材料は、その用
途が比較的抵抗値の低い領域、ＴＣＲが高くても許容さ
れる領域に限定されているのが現状である。

【０００５】

【表１】

【０００６】

【本発明が解決しようとする課題】しかるに、無電解め
っき法の低コストで、しかも量産性に優れるという長所
を活かしつつ、かつ高抵抗領域、高精密領域にその用途
を広げるためには以下に述べる特性を満足することが課
題となる。イ．より比抵抗値の高い材料を開発すること。ロ．より温度抵抗係数（ＴＣＲ）の低い材料を開発する
こと。ハ．これらの比抵抗値、ＴＣＲがより高い温度まで安定
に維持されること。

【０００７】

【課題を解決するための手段および作用】本発明はかか
る技術的背景の下に創案されたものであり、極めて高い
比抵抗と低いＴＣＲを有し、しかもこれらの電気抵抗特
性が極めて高い温度まで安定に維持することが可能な無
電解Ｎｉ系合金薄膜抵抗材料の開発を目的としたもので
ある。そして、この目的はＮｉ−Ｐ合金に対し、Ｗ・Ｍ
ｏと並ぶ高融点金属であるレニウム（以下Ｒｅと称する
）を第３元素として共析させた無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合
金を作製することにより達成される。

【０００８】本発明者らは、無電解Ｎｉ−Ｐ合金に対す
るＲｅの共析、並びにこれにより作製された無電解Ｎｉ
−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜の熱変化挙動に関する研究を行った
。Ｒｅの共析は従来の無電解めっき浴に対し、過レニウ
ム酸アンモニウムを添加することにより行ったが、めっ
き浴を最適化することによりＲｅについては０〜７５重
量％、Ｐについては０〜１６重量％の範囲で共析が可能
となった。これはＷの最大共析量２０重量％（Ｉ．Ｋｏ
ｉｗａ，　Ｍ．Ｕｓｕｄａ　ａｎｄ　Ｔ．Ｏｓａｋａ；
　Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，　１３５，
　１２２２　（１９８８）等）、Ｍｏの最大共析量２２
重量％（Ｉ．Ｋｏｉｗａ，　Ｍ．Ｕｓｕｄａ，Ｋ．　Ｙ
ａｍａｄａ　ａｎｄ　Ｔ．Ｏｓａｋａ；　Ｊ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，　１３５，　７１８　（１
９８８）　等）と比較すると飛躍的な共析量と言うこと
ができる。以下、これらの無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄
膜の電気抵抗特性とそれらの加熱による変化について概
説する。

【０００９】無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜は、薄膜中
のＲｅ含有量が大きければ大きいほど高い比抵抗を有す
るが、６０重量％を境にその性質が大きく２つに分類さ
れる。イ．Ｒｅ含有量６０重量％以下の場合Ｒｅ含有量
の増加とともに比抵抗は徐々に上昇し、例えばＲｅ含有
量４５重量％のとき比抵抗は約１５０μΩｃｍとなり、
通常の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金薄膜と同様の値を示し、６
０重量％になると比抵抗は約３５０μΩｃｍと極めて高
い値を示す。また、ＴＣＲは負の値ではあるが、それぞ
れ−３０〜−３５ｐｐｍ／℃と通常のＮｉ−Ｐ系合金に
比較するとその絶対値は明らかに低い。また、これらの
皮膜に熱処理を施すと比抵抗値は温度の上昇にともない
徐々に減少するが、５００℃までは通常のＮｉ−Ｐ系合
金より優れた値を示す。しかも、ＴＣＲはむしろ熱処理
を施した方が、その絶対値は低く、１０〜２０ｐｐｍ／
℃と極めて良好な値を示す。従って、精密用途に用いる
場合や、高温で使用する場合は熱処理を施すことが推奨
される。

【００１０】ロ．Ｒｅ含有量６０重量％を超える場合こ
の領域では薄膜中のＲｅ含有量が増加すると、比抵抗は
指数関数的に増加し、最大約３６００μΩｃｍにもなる
。通常の無電解めっき皮膜でこのような大きな比抵抗を
示す場合には、めっき時の内部応力による皮膜の割れや
、酸化物の形成などが考えられるが、走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）やＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）などによる観
察によればこれらのような異常はみられなかった。現在
のところこの原因は不明であるが、めっき時に発生する
ガス等が吸着し、絶縁層を形成したものと考えられる。事実、この領域の薄膜はＴＣＲが−６０〜−１５０ｐｐ
ｍ／℃と大きく負の値を示し、半導体的な性質を示唆し
ている。しかも、この領域の皮膜の比抵抗値は高々１０
０〜２００℃での加熱で急激に４００μΩｃｍ程度まで
減少してしまうのでそのままでは使用できない。これに
対して２００〜５００℃で熱処理を施すことにより安定
化することができる。

【００１１】イ．の領域の皮膜と比較すると、同じ温度
で熱処理した場合の比抵抗は、ロ．の領域の方が大きな
値を示すので、高比抵抗でかつ高温まで安定であること
が必要な場合はロ．の領域の皮膜を熱処理して用いるべ
きである。ＴＣＲについてはイ．と同様、熱処理を施す
ことにより±２０ｐｐｍ／℃程度になり、極めて良好な
値を示す。

【００１２】以上のことより、無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合
金薄膜抵抗体は従来の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金薄膜抵抗体
に比較して、全てにおいて極めて良好な電気抵抗特性を
有することがわかる。しかし、これらの良好な電気抵抗
特性は他のＮｉ−Ｐ系合金薄膜同様、皮膜構造が非晶質
であることにより説明できる。前述のイ，ロの組成領域
全てについて、Ｘ線回折（ＸＲＤ）や電子線回折（ＴＨ
ＥＥＤ）による構造解析を行うと、５００℃まで熱処理
しても非晶質状態が維持されていることがわかる。

【００１３】例えば、無電解Ｎｉ−Ｐ合金薄膜では３０
０℃、無電解Ｎｉ−Ｗ−Ｐ合金薄膜では４００℃で非晶
質状態が失われるので、Ｒｅは非晶質状態を極めて安定
化する効果を有するといえる。これは先に述べたように
、ＲｅはＷ、Ｍｏ等に比較してその共析量が極めて大き
く、これがその一因となっているのであろう。一方、無
電解Ｎｉ−Ｍｏ−Ｐ合金薄膜では適度に熱処理を施すこ
とによりＮｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜同様５００℃までの熱
的安定性を有するが、この皮膜は一部意識的に結晶質層
を形成させることにより熱的安定化を図っているので、
結晶質部分が金属的な電気物性を示すので抵抗特性がや
や劣る（比抵抗が低く、ＴＣＲが高い）。

【００１４】本発明で対象とする無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ
合金薄膜抵抗体の好適なるＲｅ含有量は５〜７５重量％
、Ｐ含有量１〜１４重量％である。しかし、不純物とし
て微量のＣｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ等の金属元素が薄膜中
に共存しても支障はない。また、他の無電解Ｎｉ系薄膜
抵抗材料では、実際の使用において安定化のための熱処
理を施されていることを考慮すると、本発明による無電
解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体においても、より精密
で、より高い熱的安定性を要求するために２００〜５０
０℃の温度で熱処理（例えば１時間程度）することが推
奨される。特に、Ｒｅ含有量６０重量％以上の抵抗体で
はこの熱処理は不可欠である。

【００１５】

【実施例】（実施例１）＜Ｎｉ−４５重量％Ｒｅ−６重
量％Ｐ合金薄膜形成＞９６％α−アルミナセラミックスを基板として用い、無
電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体を作製した。

【００１６】無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体製造
工程は以下の通りである。イ．脱脂…セラミックス基板を常温でエタノール中に浸
漬し、１０分間超音波洗浄を施した。ロ．活性化、水洗…ＳｎＣｌ２（１ｇ／ｌ）、３６％Ｈ
Ｃｌ（１ｍｌ／ｌ）水溶液に１分間浸漬（常温）した後
、脱イオン水洗を行った。ハ．触媒化…ＰｄＣｌ２（０．１ｇ／ｌ）、３６％ＨＣ
ｌ（０．１ｍｌ／ｌ）水溶液中に１分間浸漬（常温）し
た後、脱イオン水洗を行った。ニ．反復処理…前記ロ、ハの処理を再度行った。ホ．無電解めっき、水洗…前記処理後のセラミックス基
板を無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金めっき浴中に浸漬し、Ｒ
ｅ含有量４５重量％、Ｐ含有量６重量％、膜厚１．５μ
ｍのＮｉ−Ｒｅ−Ｐ合金皮膜を得た後、脱イオン水洗を
行い熱風にて乾燥した。めっき浴組成は以下に示す通り
である。なお、膜厚の調整は処理時間の選択によって行
われる。　　　　　　　　ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ　　　　　　
　　　　　　　　　０．１０　　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　
　　　　Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７・２Ｈ２Ｏ　　　　　　　
　　　　０．４０　　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　Ｎ
ｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　
０．０７５　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　ＮＨ４ＲｅＯ
４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．
００５　ｍｏｌ／Ｌ＊注：ＮａＯＨ、Ｈ２ＳＯ４によりｐＨを９．０に調整
した。めっき浴温度は９０℃とした。

【００１７】抵抗特性の評価イ．比抵抗値は４探針直流法により測定した。ロ．ＴＣＲは冷凍器付恒温槽中において−６０〜７０℃
の温度範囲で温度に対する抵抗変化を測定し、その時の
温度−抵抗直線の傾きを２５℃における抵抗値で除算し
て求めた。ハ．加熱に対する皮膜の安定性は、真空熱処理炉にて２
００、３００、４００、５００、６００、７００、８０
０℃の各温度で１時間熱処理した後の皮膜について、イ
．ロで述べた比抵抗、ＴＣＲを測定することにより評価
した。

【００１８】（実施例２）　　Ｎｉ−６０重量％Ｒｅ−
３重量％Ｐ合金薄膜形成基本的に実施例１と同様の方法で試料を作製した。ただ
し、無電解めっき浴のＮＨ４ＲｅＯ４を０．０１ｍｏｌ
／Ｌ　とすることにより、Ｒｅ含有量６０重量％、Ｐ含
有量３重量％なる無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体
を得た。また、抵抗特性の評価方法も実施例１と同様の
方法を用いた。加えて、５００℃で１時間熱処理するこ
とにより十分に安定化させた皮膜を作製し、真空炉中で
加熱過程の抵抗変化を連続的に測定（昇温速度：１０℃
／分）することにより、より実際的に熱的安定性を立証
した。

【００１９】（実施例３）　　Ｎｉ−７０重量％Ｒｅ−
２重量％Ｐ合金薄膜形成基本的に実施例１と同様の方法で試料を作製した。ただ
し、無電解めっき浴のＮＨ４ＲｅＯ４を０．０２ｍｏｌ
／Ｌ　とすることにより、Ｒｅ含有量７０重量％、Ｐ含
有量２重量％なる無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体
を得た。また、抵抗特性の評価方法も実施例１と同様の
方法を用いた。

【００２０】（実施例４）　　Ｎｉ−７５重量％Ｒｅ−
１重量％Ｐ合金薄膜形成基本的に実施例１と同様の方法で試料を作製した。ただ
し、無電解めっき浴のＮＨ４ＲｅＯ４を０．０３ｍｏｌ
／Ｌ　とすることにより、Ｒｅ含有量７５重量％、Ｐ含
有量１重量％なる無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体
を得た。また、抵抗特性の評価方法も実施例１と同様の
方法を用いた。

【００２１】（比較例１）　　Ｎｉ−１５重量％Ｐ合金
薄膜形成基本的に実施例１と同様の方法で試料を作製した。ただ
し、無電解めっきは以下に示す浴を用いて行い、Ｐ含有
量１５重量％なる無電解Ｎｉ−Ｐ合金薄膜抵抗体を得た
。また、抵抗特性の評価方法は実施例１と同様の方法を
用いた。ただし、熱処理温度は３００℃のみとした。　　　　　　　　ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ　　　　　　
　　　　　　　　　０．１５　　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　
　　（ＮＨ４）２ＳＯ４　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　０．５０　　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　
　　　Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７・２Ｈ２Ｏ　　　　　　　　
　　　０．２０　　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　Ｎｉ
ＳＯ４・６Ｈ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　０
．１０　　　ｍｏｌ／Ｌ＊注：ＮａＯＨによりｐＨを６．０に調整した。めっき
浴温度は９０℃とした。

【００２２】（比較例２）　　Ｎｉ−２０重量Ｗ−６重
量％Ｐ合金薄膜形成基本的に実施例１と同様の方法で試料を作製した。ただ
し、無電解めっきは以下に示す浴を用いて行い、Ｗ含有
量２０重量％、Ｐ含有量６重量％なる無電解Ｎｉ−Ｗ−
Ｐ合金薄膜抵抗体を得た。また、抵抗特性の評価方法は
実施例１と同様の方法を用いた。ただし、熱処理温度は
４００℃のみとした。また、この皮膜を４００℃にて１
時間熱処理することにより安定化させ、実施例２で行っ
た真空熱処理炉による連続昇温中の抵抗変化についても
測定した。　　　　　　　　ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ　　　　　　
　　　　　　　　　０．１０　　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　
　　　　Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７・２Ｈ２Ｏ　　　　　　　
　　　　０．６０　　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　Ｎ
ｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　
０．０７５　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　Ｎａ２ＷＯ４
・２Ｈ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　０．６０　
　　ｍｏｌ／Ｌ＊注：ＮａＯＨによりｐＨを９．０に調整した。めっき
浴温度は９０℃とした。

【００２３】（比較例３）　　Ｎｉ−１９重量％Ｍｏ−
１重量％Ｐ合金薄膜形成基本的に実施例１と同様の方法で試料を作製した。ただ
し、無電解めっきは以下に示す浴を用いて行い、Ｍｏ含
有量１９重量％、Ｐ含有量１重量％なる無電解Ｎｉ−Ｍ
ｏ−Ｐ合金薄膜抵抗体を得た。また、抵抗特性の評価方
法は実施例１と同様の方法を用いた。ただし、熱処理温
度は５００℃のみとした。また、この皮膜を５００℃に
て１時間熱処理することにより安定化させ、実施例２で
行った真空熱処理炉による連続昇温中の抵抗変化につい
ても測定した。　　　　　　　　ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ　　　　　　
　　　　　　　　０．２０　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　
　　Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７・２Ｈ２Ｏ　　　　　　　　　
　０．１０　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　Ｃ２Ｈ４Ｏ
３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
０．２０　　ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　ＮｉＳＯ４・
６Ｈ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　０．１０　　
ｍｏｌ／Ｌ　　　　　　　　Ｎａ２ＭｏＯ４・２Ｈ２Ｏ
　　　　　　　　　　　　０．０１　　ｍｏｌ／Ｌ＊注：ＮａＯＨによりｐＨを９．０に調整した。めっき
浴温度は９０℃とした。

【００２４】（試験結果）図１、図２に種々の温度で熱
処理後の実施例１〜４で述べた無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合
金薄膜抵抗体の比抵抗値とＴＣＲの変化を示す。図１の
比抵抗値の変化を見ると実施例１、２の皮膜（Ｒｅ含有
量６０重量％以下の皮膜）は熱処理温度が上昇するに従
い、徐々に比抵抗値が減少し、５００℃を超えると、さ
らに大きく減少することがわかる。一方、実施例３、４
の皮膜（Ｒｅ含有量６０重量％を超える皮膜）では、め
っきしたままでは極めて大きな比抵抗を示すが、２００
℃での熱処理で急激に減少し、その後５００℃までは緩
やかに減少する。そして、５００℃を超えると再び大き
く減少する。５００℃以上での変化は図２のＴＣＲの変
化を見るとより明らかである。実施例１、２の皮膜は熱
処理温度５００℃まではほぼゼロに近い値を維持し、５
００℃を超えると急激に増加する。また、実施例３、４
の皮膜ではめっきしたままの状態では大きく負の値を取
るが、２００〜５００℃でほぼゼロ付近に安定し、５０
０℃を超えると急激に増加する。

【００２５】以上の結果より、「課題を解決するための
手段および作用」において述べた次の事項が立証される
。１）Ｒｅ含有量６０重量％以下の皮膜は常温から５００
℃にかけて安定な抵抗特性を有する。２）Ｒｅ含有量６０重量％を超える皮膜では、めっきし
たままでは不安定なため、２００〜５００℃での熱処理
が必要であるが、Ｒｅ含有量６０重量％以下の皮膜に比
べて高い比抵抗を有し、同様に５００℃まで抵抗特性は
安定である。

【００２６】次に、表２に各々の実施例、及び比較例に
おいて作製した皮膜のめっきしたままと、熱処理後の電
気抵抗特性（比抵抗、ＴＣＲ）を比較する。表２で（　
　）内は熱処理後の値を示す。ここで、熱処理温度は各
々の皮膜の最大耐熱温度を採用した。すなわち、Ｎｉ−
Ｒｅ−Ｐ合金については５００℃、Ｎｉ−Ｐ合金につい
ては３００℃、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ合金については４００℃、
Ｎｉ−Ｍｏ−Ｐ合金については５００℃である。

【００２７】表２より、明らかに無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ
合金薄膜は高い比抵抗と低いＴＣＲを有し、しかも高い
温度までそれらの抵抗特性が安定であることがわかる。また、比較例で示した皮膜では、熱処理することにより
ＴＣＲの絶対値は増加するが、Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜
では逆に減少しており、安定化のための熱処理効果がよ
り顕著であることが示されている。

【００２８】

【表２】

【００２９】表２　各種無電解Ｎｉ−Ｐ系合金薄膜の比
抵抗とＴＣＲ。熱処理後の値を（　　）にて示す。さら
に、図３では実施例２（Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ）、及び比較例
２（Ｎｉ−Ｗ−Ｐ）、比較例３（Ｎｉ−Ｍｏ−Ｐ）の皮
膜について、昇温に対する連続的な抵抗変化を示した。これによれば、以上の比抵抗測定等からもわかるように
全温度領域において実施例２が高い比抵抗を維持し、し
かも５００℃を超えるまでその抵抗値には殆ど変化がみ
られない。これに対し、比較例２では３００〜４００℃
付近に比抵抗値の僅かな振動がみられ、４００℃を超え
ると急激に減少する。さらに、比較例３では５００℃ま
で比抵抗の減少はみられないが、ＴＣＲが大きなことに
起因する連続的な比抵抗値の増大が認められる。

【００３０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、無電解
Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体では従来の無電解Ｎｉ系
合金薄膜抵抗体に比較して、イ．約１．５〜２倍の比抵
抗値を有する、ロ．極めて低いＴＣＲを有し、しかも熱
処理を施すことによりその絶対値はほぼゼロに近づく、
ハ．安定化のための熱処理を施すことにより、５００℃
までの耐熱性を有する、という利点を得ることができる
。これらのことは、先に述べたように従来低抵抗用途に
限定されていた無電解めっき薄膜抵抗体の応用範囲を、
より高い抵抗領域、より精密さを要求される領域に広げ
るものである。

【図面の簡単な説明】

図１は本発明による無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗
体の熱的安定性を示すために、種々の温度で熱処理した
後の比抵抗の変化を示した図（黒塗り三角：実施例１、
△：実施例２、●：実施例３、○：実施例４）、図２は
同じく本発明による無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜を種
々の温度で熱処理した後のＴＣＲ変化を示した図（黒塗
り三角：実施例１、△：実施例２、●：実施例３、○：
実施例４）、図３は無電解Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜（実
施例２）を最適温度（５００℃１時間）で安定化熱処理
した皮膜の実際の熱的安定性を調べるために、無電解Ｎ
ｉ−Ｗ−Ｐ合金薄膜（比較例２、４００℃１時間熱処理
）と無電解Ｎｉ−Ｍｏ−Ｐ合金薄膜（比較例３、５００
℃１時間熱処理）と比較しながら、真空加熱炉中にて連
続的に昇温した場合の比抵抗変化を示した図、である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】無電解めっき法により基材上に形成された
、レニウム含有量５〜７５重量％、りん含有量１〜１４
重量％のＮｉ−Ｒｅ−Ｐ合金薄膜抵抗体。