JPH04295587A - 粗ネオン製造方法及び装置 - Google Patents
粗ネオン製造方法及び装置Info
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- JPH04295587A JPH04295587A JP4018166A JP1816692A JPH04295587A JP H04295587 A JPH04295587 A JP H04295587A JP 4018166 A JP4018166 A JP 4018166A JP 1816692 A JP1816692 A JP 1816692A JP H04295587 A JPH04295587 A JP H04295587A
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- F25J2230/42—Processes or apparatus involving steps for increasing the pressure of gaseous process streams the fluid being nitrogen
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- F25J2245/00—Processes or apparatus involving steps for recycling of process streams
- F25J2245/42—Processes or apparatus involving steps for recycling of process streams the recycled stream being nitrogen
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S62/00—Refrigeration
- Y10S62/923—Inert gas
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- Thermal Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、空気の極低温蒸留によ
るその構成成分への分離によるネオンの製造方法及び装
置に関するものである。
るその構成成分への分離によるネオンの製造方法及び装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ネオンは、ランプ及び発光信号管、ネオ
ンサインへの充填気体として有用である。加えて、ネオ
ンは、ネオン光が他の光が透過しえない霧中を透過する
ことができるから、航空機標識においても使用されてい
る。
ンサインへの充填気体として有用である。加えて、ネオ
ンは、ネオン光が他の光が透過しえない霧中を透過する
ことができるから、航空機標識においても使用されてい
る。
【０００３】ネオンは空気中に微量存在する。ネオンは
空気の極低温蒸留により製造され、この場合極低温空気
分離プラントからのネオン含有流れは、ネオン塔及び極
低温吸着システムを含むネオン精製系統に通されて粗ネ
オンを生成し、生成された粗ネオンはその後ネオン精製
設備に通されて精製されたネオン製品を製造する。
空気の極低温蒸留により製造され、この場合極低温空気
分離プラントからのネオン含有流れは、ネオン塔及び極
低温吸着システムを含むネオン精製系統に通されて粗ネ
オンを生成し、生成された粗ネオンはその後ネオン精製
設備に通されて精製されたネオン製品を製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ネオンは空気中に約１
８ｐｐｍの濃度において存在する。この低濃度によりそ
してまたネオン塔及び極低温吸着システムがうまく作動
するには多量の冷凍力を必要とするから、粗ネオンを製
造するには、極低温空気分離プラントから比較的多量の
流れが取り込まれねばならない。空気分離プラントから
のこの多量の流れの取り出しは、プラントに著しい負担
をかけそしてその運転を空気の他の成分の製造（酸素や
窒素）に関して犠牲とする。
８ｐｐｍの濃度において存在する。この低濃度によりそ
してまたネオン塔及び極低温吸着システムがうまく作動
するには多量の冷凍力を必要とするから、粗ネオンを製
造するには、極低温空気分離プラントから比較的多量の
流れが取り込まれねばならない。空気分離プラントから
のこの多量の流れの取り出しは、プラントに著しい負担
をかけそしてその運転を空気の他の成分の製造（酸素や
窒素）に関して犠牲とする。
【０００５】従って、従来の粗ネオン製造プロセス程に
は空気分離プラントに負担をかけることなく空気分離プ
ラントから粗ネオンを製造することのできるシステムへ
の要望が存在する。
は空気分離プラントに負担をかけることなく空気分離プ
ラントから粗ネオンを製造することのできるシステムへ
の要望が存在する。
【０００６】本発明の課題は、従来からの粗ネオン製造
プロセスにより空気分離プラントに賦課された負担を軽
減しつつ極低温空気分離プラントを使用する粗ネオン製
造方法を開発することである。
プロセスにより空気分離プラントに賦課された負担を軽
減しつつ極低温空気分離プラントを使用する粗ネオン製
造方法を開発することである。
【０００７】本発明のまた別の課題は、従来からの粗ネ
オン製造プロセスにより空気分離プラントに賦課された
負担を軽減しつつ極低温空気分離プラントを使用する粗
ネオン製造装置を開発することである。
オン製造プロセスにより空気分離プラントに賦課された
負担を軽減しつつ極低温空気分離プラントを使用する粗
ネオン製造装置を開発することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）ネオン
を含有する供給空気を空気分離プラントに提供しそして
該空気分離プラントにおいて極低温精留により供給空気
における窒素濃度を超える窒素濃度と供給空気における
ネオン濃度を超えるネオン濃度とを有する第１ネオン含
有流体を生成する段階と、（Ｂ）前記空気分離プラント
からの第１ネオン含有流体をネオン塔に通入しそして該
ネオン塔において該第１ネオン含有流体の窒素濃度未満
の窒素濃度と該第１ネオン含有流体のネオン濃度を超え
るネオン濃度を有する第２ネオン含有流体を生成する段
階と、（Ｃ）前記第２ネオン含有流体を吸着床を通して
流しそして該吸着床において窒素を優先的に吸着して該
第２ネオン含有流体のネオン濃度を超えるネオン濃度を
有する粗ネオン生成物を生成する段階と、（Ｄ）吸着床
を段階（Ｃ）の吸着を実施した圧力未満の圧力において
脱着しそして脱着から生じたテールガスを前記空気分離
プラントに通入する段階とを包含する粗ネオン製造方法
を提供する。
を含有する供給空気を空気分離プラントに提供しそして
該空気分離プラントにおいて極低温精留により供給空気
における窒素濃度を超える窒素濃度と供給空気における
ネオン濃度を超えるネオン濃度とを有する第１ネオン含
有流体を生成する段階と、（Ｂ）前記空気分離プラント
からの第１ネオン含有流体をネオン塔に通入しそして該
ネオン塔において該第１ネオン含有流体の窒素濃度未満
の窒素濃度と該第１ネオン含有流体のネオン濃度を超え
るネオン濃度を有する第２ネオン含有流体を生成する段
階と、（Ｃ）前記第２ネオン含有流体を吸着床を通して
流しそして該吸着床において窒素を優先的に吸着して該
第２ネオン含有流体のネオン濃度を超えるネオン濃度を
有する粗ネオン生成物を生成する段階と、（Ｄ）吸着床
を段階（Ｃ）の吸着を実施した圧力未満の圧力において
脱着しそして脱着から生じたテールガスを前記空気分離
プラントに通入する段階とを包含する粗ネオン製造方法
を提供する。
【０００９】本発明はまた、（Ａ）空気分離プラントと
、（Ｂ）ネオン塔及び前記空気分離プラントから該ネオ
ン塔に流体を提供するための手段と、（Ｃ）吸着床及び
前記ネオン塔から該吸着床に流体を流すための手段及び
該吸着床から粗ネオン生成物を回収する手段と、（Ｄ）
前記吸着床を脱着してテールガスを生成せしめるための
手段及び該吸着床から前記空気分離プラントへテールガ
スを通入するための手段とを備える粗ネオン製造装置を
も提供する。
、（Ｂ）ネオン塔及び前記空気分離プラントから該ネオ
ン塔に流体を提供するための手段と、（Ｃ）吸着床及び
前記ネオン塔から該吸着床に流体を流すための手段及び
該吸着床から粗ネオン生成物を回収する手段と、（Ｄ）
前記吸着床を脱着してテールガスを生成せしめるための
手段及び該吸着床から前記空気分離プラントへテールガ
スを通入するための手段とを備える粗ネオン製造装置を
も提供する。
【００１０】（用語の定義）本明細書において「塔」と
は、蒸留或いは精留塔乃至帯域、即ち例えば塔内に設け
られた一連の即ち垂直方向に離間されたトレイ或いはプ
レートにおいての蒸気及び液体相の接触により、液体及
び蒸気相を向流で接触して流体混合物の分離をもたらす
接触塔乃至接触帯域を意味する。蒸留塔の詳細について
は、「ケミカル・エンジニアズ・ハンドブック」、第５
版（マックグロウ−ヒル・ブック・カンパニー刊）、１
３節、「蒸留」１３−３頁「連続蒸留プロセス」を参照
されたい。用語「複塔」とは、高圧塔及び低圧塔を有し
、高圧塔の上端部が低圧塔の下端部と熱交換関係にある
塔を云う。複塔の詳細は、「気体の分離」（オックスフ
ォード・ユニバーシティ・プレス刊）１９４９年ＶＩＩ
章「工業的空気分離」を参照されたい。
は、蒸留或いは精留塔乃至帯域、即ち例えば塔内に設け
られた一連の即ち垂直方向に離間されたトレイ或いはプ
レートにおいての蒸気及び液体相の接触により、液体及
び蒸気相を向流で接触して流体混合物の分離をもたらす
接触塔乃至接触帯域を意味する。蒸留塔の詳細について
は、「ケミカル・エンジニアズ・ハンドブック」、第５
版（マックグロウ−ヒル・ブック・カンパニー刊）、１
３節、「蒸留」１３−３頁「連続蒸留プロセス」を参照
されたい。用語「複塔」とは、高圧塔及び低圧塔を有し
、高圧塔の上端部が低圧塔の下端部と熱交換関係にある
塔を云う。複塔の詳細は、「気体の分離」（オックスフ
ォード・ユニバーシティ・プレス刊）１９４９年ＶＩＩ
章「工業的空気分離」を参照されたい。
【００１１】蒸気及び液体接触分離プロセスは、成分間
の蒸気圧の差を利用するプロセスである。高い蒸気圧（
即ち、一層揮発性、低沸騰性）成分は蒸気相に集中する
傾向を示し、他方低い蒸気圧（即ち、揮発性の少ない、
高沸騰性）成分は液体相に集中する傾向を示す。 「蒸留」は、単数乃至複数の成分を蒸気相中に分配せし
め、残りの低揮発性の成分を液体相中に残留せしめるの
に液体混合物の加熱を利用する分離プロセスである。 「部分凝縮」は、単数乃至複数の成分を蒸気相中に分配
せしめ、残りの低揮発性の成分を液体相中に分配せしめ
るのに蒸気混合物の冷却を利用する分離プロセスである
。「精留即ち連続蒸留」は、蒸気及び液体相の向流処理
により得られるような順次しての部分蒸発と凝縮とを組
み合わせる分離プロセスである。蒸気及び液体相の向流
接触は、断熱式でありそして相間の積分的な（連続的な
）或いは微分的な（段階的な）接触方式を含むことがで
きる。混合物を分離するのに精留原理を利用する分離プ
ロセス設備は、「精留塔」、「蒸留塔」或いは「分留塔
」と互換的に呼ばれることが多い。
の蒸気圧の差を利用するプロセスである。高い蒸気圧（
即ち、一層揮発性、低沸騰性）成分は蒸気相に集中する
傾向を示し、他方低い蒸気圧（即ち、揮発性の少ない、
高沸騰性）成分は液体相に集中する傾向を示す。 「蒸留」は、単数乃至複数の成分を蒸気相中に分配せし
め、残りの低揮発性の成分を液体相中に残留せしめるの
に液体混合物の加熱を利用する分離プロセスである。 「部分凝縮」は、単数乃至複数の成分を蒸気相中に分配
せしめ、残りの低揮発性の成分を液体相中に分配せしめ
るのに蒸気混合物の冷却を利用する分離プロセスである
。「精留即ち連続蒸留」は、蒸気及び液体相の向流処理
により得られるような順次しての部分蒸発と凝縮とを組
み合わせる分離プロセスである。蒸気及び液体相の向流
接触は、断熱式でありそして相間の積分的な（連続的な
）或いは微分的な（段階的な）接触方式を含むことがで
きる。混合物を分離するのに精留原理を利用する分離プ
ロセス設備は、「精留塔」、「蒸留塔」或いは「分留塔
」と互換的に呼ばれることが多い。
【００１２】「極低温精留システム」という用語は、約
１２０Ｋ以下の温度で蒸気−液体向流分離を実施するた
めの、少なくとも一つの塔を備える装置を意味するもの
である。
１２０Ｋ以下の温度で蒸気−液体向流分離を実施するた
めの、少なくとも一つの塔を備える装置を意味するもの
である。
【００１３】「空気分離プラント」とは、空気を供給物
としてその成分への分離をもたらす極低温精留システム
を意味するものである。
としてその成分への分離をもたらす極低温精留システム
を意味するものである。
【００１４】「ネオン塔」とは、ネオンと窒素とを含む
供給物を分離してネオン富化流体を生成する極低温精留
システムを意味するものである。
供給物を分離してネオン富化流体を生成する極低温精留
システムを意味するものである。
【００１５】「テールガス」とは、吸着分離ユニットか
ら脱着されたネオン含有ガスを意味するものである。
ら脱着されたネオン含有ガスを意味するものである。
【００１６】
【作用】供給空気は、極低温空気分離ユニットにおいて
、高圧塔にまず供給されて、極低温精留により窒素富化
成分と酸素富化成分とに分離される。窒素富化成分は、
蒸気として主凝縮器中に通され、還流として高圧塔に戻
される。酸素富化成分は低圧塔に通入される。ネオンは
窒素より著しく低い沸点を有しているから、供給空気中
のネオンは蒸気が主凝縮器内で凝縮するにつれ、主凝縮
の上部における未凝縮蒸気は、水素やヘリウムのような
空気中の他の種低沸騰成分と共に、ネオンで次第に富化
されるようになる。第１ネオン含有流体が、主凝縮器か
ら取り出されそして空気分離プラントへの供給空気の流
量の０．１〜１．０％の範囲内の少量ネオン塔へ通入さ
れる。第１ネオン含有流体のネオン濃度は０．２〜２．
０％の範囲内にある。ネオン塔内で、第１ネオン含有流
体は、極低温精留により、ネオンに富む蒸気と窒素に富
む液体とに分離される。この蒸気は、上部還流凝縮器に
通入され、ここで凝縮されそしてネオン塔に還流として
戻される。蒸気の一部は、上部還流凝縮器において凝縮
せずそしてこの蒸気部分中には第１ネオン含有流体とし
てネオン塔に供給されたネオンが濃縮している。また、
水素やヘリウムのような空気の低沸騰成分もまたこの蒸
気中に濃縮している。第１ネオン含有流体の窒素濃度よ
り低い窒素濃度を有しそしてそのネオン濃度を超えるネ
オン濃度を有する第２ネオン含有流体が、上部凝縮器か
ら取り出される。第２ネオン含有流体の窒素濃度は一般
に、１０〜３０％の範囲にありそしてそのネオン濃度は
一般に５０〜６５％の範囲にある。第２ネオン含有流体
の残部は主にヘリウムと水素とから構成される。この後
、好ましくは触媒反応器により水素が除去される。 第２ネオン含有流体は、上記のように好ましくは水素を
除去した後、昇圧下で吸着床に通される。この昇高され
た圧力においては、窒素はネオンより優先的に床に吸着
され、実質上窒素を含まない粗ネオンの生成をもたらす
。粗ネオン製品は７０〜８０％範囲内のネオン濃度を有
しそして残部は実質上すべてヘリウムである。吸着床は
塔システムとほぼ同じ圧力で運転され、従って追加的な
圧縮設備が不要である。第２ネオン含有流体は、常温の
圧力スイング式吸着床の一つに通入される。粗ネオン生
成物が回収されると共に、吸着床を脱着しそして生成す
るテールガスを空気分離プラントに戻して再循環する。
、高圧塔にまず供給されて、極低温精留により窒素富化
成分と酸素富化成分とに分離される。窒素富化成分は、
蒸気として主凝縮器中に通され、還流として高圧塔に戻
される。酸素富化成分は低圧塔に通入される。ネオンは
窒素より著しく低い沸点を有しているから、供給空気中
のネオンは蒸気が主凝縮器内で凝縮するにつれ、主凝縮
の上部における未凝縮蒸気は、水素やヘリウムのような
空気中の他の種低沸騰成分と共に、ネオンで次第に富化
されるようになる。第１ネオン含有流体が、主凝縮器か
ら取り出されそして空気分離プラントへの供給空気の流
量の０．１〜１．０％の範囲内の少量ネオン塔へ通入さ
れる。第１ネオン含有流体のネオン濃度は０．２〜２．
０％の範囲内にある。ネオン塔内で、第１ネオン含有流
体は、極低温精留により、ネオンに富む蒸気と窒素に富
む液体とに分離される。この蒸気は、上部還流凝縮器に
通入され、ここで凝縮されそしてネオン塔に還流として
戻される。蒸気の一部は、上部還流凝縮器において凝縮
せずそしてこの蒸気部分中には第１ネオン含有流体とし
てネオン塔に供給されたネオンが濃縮している。また、
水素やヘリウムのような空気の低沸騰成分もまたこの蒸
気中に濃縮している。第１ネオン含有流体の窒素濃度よ
り低い窒素濃度を有しそしてそのネオン濃度を超えるネ
オン濃度を有する第２ネオン含有流体が、上部凝縮器か
ら取り出される。第２ネオン含有流体の窒素濃度は一般
に、１０〜３０％の範囲にありそしてそのネオン濃度は
一般に５０〜６５％の範囲にある。第２ネオン含有流体
の残部は主にヘリウムと水素とから構成される。この後
、好ましくは触媒反応器により水素が除去される。 第２ネオン含有流体は、上記のように好ましくは水素を
除去した後、昇圧下で吸着床に通される。この昇高され
た圧力においては、窒素はネオンより優先的に床に吸着
され、実質上窒素を含まない粗ネオンの生成をもたらす
。粗ネオン製品は７０〜８０％範囲内のネオン濃度を有
しそして残部は実質上すべてヘリウムである。吸着床は
塔システムとほぼ同じ圧力で運転され、従って追加的な
圧縮設備が不要である。第２ネオン含有流体は、常温の
圧力スイング式吸着床の一つに通入される。粗ネオン生
成物が回収されると共に、吸着床を脱着しそして生成す
るテールガスを空気分離プラントに戻して再循環する。
【００１７】本発明の吸着段階は、極低温吸着を回避し
ほぼ周囲温度において実施される。従って、本発明の所
要冷凍量は従来システムに比較して減少され、そのため
空気分離プラントからネオン塔への流れは従来の実施方
法におけるより著しく少なくしうる。これは、空気分離
プラントの全体的性能を改善しそして更に従来のシステ
ムを使用して可能であったよりもはるかに低水準の窒素
しか存在しない粗ネオン生成物の生成を可能ならしめる
。空気分離プラントへのテールガスの再循環により、そ
うでなければ失われることになるネオンが空気分離プラ
ントに戻して再循環され、そして最終的に粗ネオンとし
て回収され、粗ネオン生成物は、従来システムを使用し
て達成されうる水準を超える著しく改善された効率で産
出されうる。
ほぼ周囲温度において実施される。従って、本発明の所
要冷凍量は従来システムに比較して減少され、そのため
空気分離プラントからネオン塔への流れは従来の実施方
法におけるより著しく少なくしうる。これは、空気分離
プラントの全体的性能を改善しそして更に従来のシステ
ムを使用して可能であったよりもはるかに低水準の窒素
しか存在しない粗ネオン生成物の生成を可能ならしめる
。空気分離プラントへのテールガスの再循環により、そ
うでなければ失われることになるネオンが空気分離プラ
ントに戻して再循環され、そして最終的に粗ネオンとし
て回収され、粗ネオン生成物は、従来システムを使用し
て達成されうる水準を超える著しく改善された効率で産
出されうる。
【００１８】
【実施例】図面を参照すると、圧縮され、水や二酸化炭
素のような高沸騰性不純物を除去されそして冷却された
供給空気１が、極低温空気分離プラント２に提供される
。プラントの温度の高い側の入口端部を通常の態様で構
成する供給空気圧縮機、予備精製器及び熱交換器を含む
設備は図面には示されていない。図面に例示した具体例
では、空気分離プラントは高圧塔３と低圧塔４とを主凝
縮器５において熱交換関係で備える複塔設備である。 供給空気１は、一般に４．９〜１０．５ｋｇ／ｃｍ２（
７０〜１５０ｐｓｉａ）絶対圧の範囲内の圧力で作動す
る高圧塔３内にまず供給される。高圧塔３内で、供給空
気は極低温精留により窒素富化成分と酸素富化成分とに
分離される。
素のような高沸騰性不純物を除去されそして冷却された
供給空気１が、極低温空気分離プラント２に提供される
。プラントの温度の高い側の入口端部を通常の態様で構
成する供給空気圧縮機、予備精製器及び熱交換器を含む
設備は図面には示されていない。図面に例示した具体例
では、空気分離プラントは高圧塔３と低圧塔４とを主凝
縮器５において熱交換関係で備える複塔設備である。 供給空気１は、一般に４．９〜１０．５ｋｇ／ｃｍ２（
７０〜１５０ｐｓｉａ）絶対圧の範囲内の圧力で作動す
る高圧塔３内にまず供給される。高圧塔３内で、供給空
気は極低温精留により窒素富化成分と酸素富化成分とに
分離される。
【００１９】窒素富化成分は、蒸気６として、主凝縮器
５中に通され、ここで低圧塔（再沸騰塔）４の底液との
間接熱交換により凝縮される。精製する凝縮窒素富化成
分７は還流として高圧塔３に戻される。
５中に通され、ここで低圧塔（再沸騰塔）４の底液との
間接熱交換により凝縮される。精製する凝縮窒素富化成
分７は還流として高圧塔３に戻される。
【００２０】酸素富化成分は、液体流れ８として、高圧
塔３内の圧力より低くそして一般に１．０５〜１．７５
ｋｇ／ｃｍ２（１５〜２５ｐｓｉｇ）の範囲内にある圧
力で作動する低圧塔４に通入される。加えて、流れ７の
一部５０は、膨張されそして低圧塔４内に導入される。 低圧塔４内で、供給流れは窒素と酸素とに分離され、窒
素は流れ９として取り出され、他方酸素は流れ１０とし
て取り出される。これら流れの一方或いは両方は、生成
物として回収されうる。
塔３内の圧力より低くそして一般に１．０５〜１．７５
ｋｇ／ｃｍ２（１５〜２５ｐｓｉｇ）の範囲内にある圧
力で作動する低圧塔４に通入される。加えて、流れ７の
一部５０は、膨張されそして低圧塔４内に導入される。 低圧塔４内で、供給流れは窒素と酸素とに分離され、窒
素は流れ９として取り出され、他方酸素は流れ１０とし
て取り出される。これら流れの一方或いは両方は、生成
物として回収されうる。
【００２１】ネオンは窒素より著しく低い沸点を有して
いるから、供給空気中のネオンは、高圧塔の頂部におい
て濃縮しそして流れ６と共に主凝縮器５中で凝縮する。 流れ６における蒸気が主凝縮器５内で凝縮するにつれ、
主凝縮器５の上部において残留する未凝縮蒸気は、水素
やヘリウムのような空気中の他の種の低沸騰成分と共に
、ネオンで次第に富化されるようになる。第１ネオン含
有流体が、主凝縮器５から蒸気流れ１１として取り出さ
れそして空気分離プラントへの供給空気の流量の０．１
〜１．０％の範囲内の低い流量でネオン塔１２への供給
物として通入される。好ましくは、主凝縮器５は微分型
即ちディファレンシャル型の凝縮器である。第１ネオン
含有流体１１は、供給空気のネオン濃度を超えるネオン
濃度を有しそして一般にこの第１ネオン含有流体のネオ
ン濃度は０．２〜２．０％の範囲内にある。
いるから、供給空気中のネオンは、高圧塔の頂部におい
て濃縮しそして流れ６と共に主凝縮器５中で凝縮する。 流れ６における蒸気が主凝縮器５内で凝縮するにつれ、
主凝縮器５の上部において残留する未凝縮蒸気は、水素
やヘリウムのような空気中の他の種の低沸騰成分と共に
、ネオンで次第に富化されるようになる。第１ネオン含
有流体が、主凝縮器５から蒸気流れ１１として取り出さ
れそして空気分離プラントへの供給空気の流量の０．１
〜１．０％の範囲内の低い流量でネオン塔１２への供給
物として通入される。好ましくは、主凝縮器５は微分型
即ちディファレンシャル型の凝縮器である。第１ネオン
含有流体１１は、供給空気のネオン濃度を超えるネオン
濃度を有しそして一般にこの第１ネオン含有流体のネオ
ン濃度は０．２〜２．０％の範囲内にある。
【００２２】図面に例示した具体例では、第１ネオン含
有流体流れ１１は、ネオン塔１２内に直接通入される第
１部分１３と、底部再沸器１５に通される第２部分１４
とに分割される。再沸器１５において、第２部分１４は
、ネオン塔底液との間接熱交換により冷却されて、それ
を沸騰せしめ、ネオン塔のための蒸気沸騰分を提供する
。生成する再沸器１５からの流れ１６は、第１部分流れ
１３と合流されそして合流流れ１７はネオン塔１２に通
入される。空気分離プラントからネオン塔への供給物に
より提供される冷凍作用を補充するために、少量の液体
窒素をネオン塔に添加しうる。
有流体流れ１１は、ネオン塔１２内に直接通入される第
１部分１３と、底部再沸器１５に通される第２部分１４
とに分割される。再沸器１５において、第２部分１４は
、ネオン塔底液との間接熱交換により冷却されて、それ
を沸騰せしめ、ネオン塔のための蒸気沸騰分を提供する
。生成する再沸器１５からの流れ１６は、第１部分流れ
１３と合流されそして合流流れ１７はネオン塔１２に通
入される。空気分離プラントからネオン塔への供給物に
より提供される冷凍作用を補充するために、少量の液体
窒素をネオン塔に添加しうる。
【００２３】ネオン塔１２内で、第１ネオン含有流体は
、極低温精留により、ネオンに富む蒸気１８と窒素に富
む液体とに分離される。蒸気１８は、上部還流凝縮器１
９に通入され、ここで凝縮されそしてネオン塔１２に還
流２０として戻される。ネオン塔１２の底部から液体２
１が取り出されそして膨張されて、還流凝縮器１９の沸
騰側に通入されそして沸騰して蒸気１８の上述した凝縮
をもたらす。生成する気体状窒素２２はネオン塔１２か
ら放出される。
、極低温精留により、ネオンに富む蒸気１８と窒素に富
む液体とに分離される。蒸気１８は、上部還流凝縮器１
９に通入され、ここで凝縮されそしてネオン塔１２に還
流２０として戻される。ネオン塔１２の底部から液体２
１が取り出されそして膨張されて、還流凝縮器１９の沸
騰側に通入されそして沸騰して蒸気１８の上述した凝縮
をもたらす。生成する気体状窒素２２はネオン塔１２か
ら放出される。
【００２４】蒸気１８の一部は、上部還流凝縮器１９に
おいて凝縮せずそしてこの蒸気部分中には第１ネオン含
有流体としてネオン塔１２に供給されたネオンが濃縮し
ている。また、水素やヘリウムのような空気の低沸騰成
分もまたこの蒸気中に濃縮している。
おいて凝縮せずそしてこの蒸気部分中には第１ネオン含
有流体としてネオン塔１２に供給されたネオンが濃縮し
ている。また、水素やヘリウムのような空気の低沸騰成
分もまたこの蒸気中に濃縮している。
【００２５】第１ネオン含有流体の窒素濃度より低い窒
素濃度を有しそしてそのネオン濃度を超えるネオン濃度
を有する第２ネオン含有流体としての流れ２３が、上部
凝縮器１９から取り出される。第２ネオン含有流体２３
の窒素濃度は一般に、１０〜３０％の範囲にありそして
そのネオン濃度は一般に５０〜６５％の範囲にある。第
２ネオン含有流体の残部は主にヘリウムと水素とから構
成される。
素濃度を有しそしてそのネオン濃度を超えるネオン濃度
を有する第２ネオン含有流体としての流れ２３が、上部
凝縮器１９から取り出される。第２ネオン含有流体２３
の窒素濃度は一般に、１０〜３０％の範囲にありそして
そのネオン濃度は一般に５０〜６５％の範囲にある。第
２ネオン含有流体の残部は主にヘリウムと水素とから構
成される。
【００２６】図面に例示した具体例は、第２ネオン含有
流体を吸着床に通す前にそこから水素を除去する好まし
い具体例である。この具体例において、第２ネオン含有
流体流れ２３は、加熱器２４を通して加熱されそして加
熱された流れ２５は酸素２７と共に触媒反応器２６内に
提供される。一般に、触媒反応器２６における触媒はパ
ラジウム触媒である。触媒反応器２６内で、酸素と水素
とは発熱反応において反応して水を形成する。流れ２８
が、触媒反応器２６から取り出されそして冷却器２９を
通して冷却されそして後分離器３１に通され、ここで凝
縮水３２が除去される。生成する、水素を除去した第２
ネオン含有流体３３はその後吸着床に通される。
流体を吸着床に通す前にそこから水素を除去する好まし
い具体例である。この具体例において、第２ネオン含有
流体流れ２３は、加熱器２４を通して加熱されそして加
熱された流れ２５は酸素２７と共に触媒反応器２６内に
提供される。一般に、触媒反応器２６における触媒はパ
ラジウム触媒である。触媒反応器２６内で、酸素と水素
とは発熱反応において反応して水を形成する。流れ２８
が、触媒反応器２６から取り出されそして冷却器２９を
通して冷却されそして後分離器３１に通され、ここで凝
縮水３２が除去される。生成する、水素を除去した第２
ネオン含有流体３３はその後吸着床に通される。
【００２７】本発明において使用するに有用な吸着床は
、ネオンより窒素を優先的に吸着する吸着剤を収蔵して
いる。好ましくは、吸着剤はタイプ５Ａのようなモレキ
ュラーシーブである。
、ネオンより窒素を優先的に吸着する吸着剤を収蔵して
いる。好ましくは、吸着剤はタイプ５Ａのようなモレキ
ュラーシーブである。
【００２８】第２ネオン含有流体は、上記のように好ま
しくは水素を除去した後、一般には４．２〜９．８ｋｇ
／ｃｍ２（６０〜１４０ｐｓｉａ）の範囲内にある昇圧
下で吸着床に通される。この昇圧下においては、窒素は
ネオンより優先的に床に吸着され、実質上窒素を含まな
い粗ネオンの生成をもたらす。もちろん、一部のネオン
は吸着床にやはり吸着される。粗ネオン生成物は７０〜
８０％範囲内のネオン濃度を有しそして残部は実質上す
べてヘリウムである。粗ネオン生成物中の窒素濃度は一
般に５０ｐｐｍ未満である。本発明の有利な点は、吸着
床が塔システムとほぼ同じ圧力で運転され、従って追加
的な圧縮設備が不要なことである。
しくは水素を除去した後、一般には４．２〜９．８ｋｇ
／ｃｍ２（６０〜１４０ｐｓｉａ）の範囲内にある昇圧
下で吸着床に通される。この昇圧下においては、窒素は
ネオンより優先的に床に吸着され、実質上窒素を含まな
い粗ネオンの生成をもたらす。もちろん、一部のネオン
は吸着床にやはり吸着される。粗ネオン生成物は７０〜
８０％範囲内のネオン濃度を有しそして残部は実質上す
べてヘリウムである。粗ネオン生成物中の窒素濃度は一
般に５０ｐｐｍ未満である。本発明の有利な点は、吸着
床が塔システムとほぼ同じ圧力で運転され、従って追加
的な圧縮設備が不要なことである。
【００２９】好ましくは吸着床はまた活性炭をも収蔵し
、この場合モレキュラーシーブが吸着床の上半分を占め
そして活性炭が吸着床の下半分を占めるものとされる。 上述したように触媒による水素除去が実施されるとき、
吸着床に提供される第２ネオン含有流体は、追加的に酸
素及び水蒸気をも含んでいよう。この酸素は、水素が完
全に除去されることを保証するように触媒反応器に過剰
の酸素が供給されることから生じる。水蒸気は、触媒反
応器流出流れからの水蒸気の凝縮の不完全さから生じる
。活性炭は水蒸気を吸着しそして酸素を化学的に収着し
、その結果粗ネオン生成物は酸素及び水蒸気を実質上含
まなくなる。
、この場合モレキュラーシーブが吸着床の上半分を占め
そして活性炭が吸着床の下半分を占めるものとされる。 上述したように触媒による水素除去が実施されるとき、
吸着床に提供される第２ネオン含有流体は、追加的に酸
素及び水蒸気をも含んでいよう。この酸素は、水素が完
全に除去されることを保証するように触媒反応器に過剰
の酸素が供給されることから生じる。水蒸気は、触媒反
応器流出流れからの水蒸気の凝縮の不完全さから生じる
。活性炭は水蒸気を吸着しそして酸素を化学的に収着し
、その結果粗ネオン生成物は酸素及び水蒸気を実質上含
まなくなる。
【００３０】加えて、酸素の一部は、モレキュラーシー
ブ吸着剤によっても吸着される。粗ネオン生成物中の酸
素濃度は一般に５０ｐｐｍ未満である。
ブ吸着剤によっても吸着される。粗ネオン生成物中の酸
素濃度は一般に５０ｐｐｍ未満である。
【００３１】生成する粗ネオン生成物はその後、回収さ
れそして９９．９９％以上のネオン純度を有する製品等
級ネオンの製造のためにネオン精製設備に送られる。
れそして９９．９９％以上のネオン純度を有する製品等
級ネオンの製造のためにネオン精製設備に送られる。
【００３２】吸着床は上記の吸着が実施された圧力より
低い圧力で脱着される。一般に、脱着は０．２１〜０．
９８ｋｇ／ｃｍ２（３〜１４ｐｓｉａ）の範囲内の圧力
実施される。好ましくは、吸着中の圧力即ち吸着圧力対
脱着中の圧力即ち脱着圧力の比率は、７対２０の範囲内
である。 低圧脱着は、床に接続されたラインにおける真空ポンプ
により実施されうる。
低い圧力で脱着される。一般に、脱着は０．２１〜０．
９８ｋｇ／ｃｍ２（３〜１４ｐｓｉａ）の範囲内の圧力
実施される。好ましくは、吸着中の圧力即ち吸着圧力対
脱着中の圧力即ち脱着圧力の比率は、７対２０の範囲内
である。 低圧脱着は、床に接続されたラインにおける真空ポンプ
により実施されうる。
【００３３】吸着床の脱着から生じるテールガスは、第
２ネオン含有流体中に存在した窒素の実質上すべてを含
んでいる。一般に、テールガス中の窒素濃度は４０〜６
０％の範囲内にある。テールガスはまた、一般に３０〜
５０％の範囲内にある濃度にある僅かのネオンを含有し
そしてまた酸素、水蒸気及びヘリウムを含有しうる。テ
ールガスは吸着床から空気分離プラントに通される。
２ネオン含有流体中に存在した窒素の実質上すべてを含
んでいる。一般に、テールガス中の窒素濃度は４０〜６
０％の範囲内にある。テールガスはまた、一般に３０〜
５０％の範囲内にある濃度にある僅かのネオンを含有し
そしてまた酸素、水蒸気及びヘリウムを含有しうる。テ
ールガスは吸着床から空気分離プラントに通される。
【００３４】図面に例示した具体例は、少なくとも一つ
の吸着床が吸着操作を行なっている間、別の吸着床が脱
着操作を受け、以って一層一様な生成物流れを提供する
ようスイング式４吸着床を使用する特に好ましい具体例
である。
の吸着床が吸着操作を行なっている間、別の吸着床が脱
着操作を受け、以って一層一様な生成物流れを提供する
ようスイング式４吸着床を使用する特に好ましい具体例
である。
【００３５】図面に戻って、第２ネオン含有流体３３は
、４つの吸着床３４、３５、３６及び３７の一つに通入
される。この床が吸着操作下に置かれている間、残りの
３つの床は減圧、脱着及び再加圧をそれぞれ受けている
。これら床を通しての流れは図示していない適当な弁や
タイマーにより制御される。粗ネオン生成物は、流れ３
８として回収される。真空ポンプ４０が適当な吸着床を
ライン３９を通して脱着しそしてテールガス４１を空気
分離プラントに戻して流す役目を為す。例示されるよう
に、テールガスは供給空気と組み合わせて空気分離プラ
ントに通入されうる。好ましくは、テールガスは、図示
していないが、最初に説明したプラントの温度の高い入
口端部分の最初に存在する供給空気圧縮機の取り込み側
に通入される。
、４つの吸着床３４、３５、３６及び３７の一つに通入
される。この床が吸着操作下に置かれている間、残りの
３つの床は減圧、脱着及び再加圧をそれぞれ受けている
。これら床を通しての流れは図示していない適当な弁や
タイマーにより制御される。粗ネオン生成物は、流れ３
８として回収される。真空ポンプ４０が適当な吸着床を
ライン３９を通して脱着しそしてテールガス４１を空気
分離プラントに戻して流す役目を為す。例示されるよう
に、テールガスは供給空気と組み合わせて空気分離プラ
ントに通入されうる。好ましくは、テールガスは、図示
していないが、最初に説明したプラントの温度の高い入
口端部分の最初に存在する供給空気圧縮機の取り込み側
に通入される。
【００３６】
【発明の効果】本発明の吸着段階はほぼ周囲温度におい
て実施される。極低温吸着は回避され従って本発明の所
要冷凍量は従来システムに比較して減少される。空気分
離プラントからネオン塔への流れは従来の実施方法にお
けるより著しく少なくしうる。これは、空気分離プラン
トの全体的性能を改善しそして更に従来のシステムを使
用して可能であったよりもはるかに低水準の窒素しか存
在しない粗ネオン生成物の生成を可能ならしめる。
て実施される。極低温吸着は回避され従って本発明の所
要冷凍量は従来システムに比較して減少される。空気分
離プラントからネオン塔への流れは従来の実施方法にお
けるより著しく少なくしうる。これは、空気分離プラン
トの全体的性能を改善しそして更に従来のシステムを使
用して可能であったよりもはるかに低水準の窒素しか存
在しない粗ネオン生成物の生成を可能ならしめる。
【００３７】空気分離プラントへのテールガスの再循環
は、総合的なネオン回収率を著しく増大する役目を為す
。本発明の使用により、そうでなければ失われることに
なるネオンが空気分離プラントに戻して再循環され、そ
して最終的に粗ネオンとして回収される。こうして、本
発明により、粗ネオン生成物は、従来システムを使用し
て達成されうる水準を超える著しく改善された効率で産
出される。
は、総合的なネオン回収率を著しく増大する役目を為す
。本発明の使用により、そうでなければ失われることに
なるネオンが空気分離プラントに戻して再循環され、そ
して最終的に粗ネオンとして回収される。こうして、本
発明により、粗ネオン生成物は、従来システムを使用し
て達成されうる水準を超える著しく改善された効率で産
出される。
【００３８】以上、本発明をその好ましい実施例と関連
して詳しく説明したが、本発明の範囲内で多くの変更を
為しうることを銘記されたい。
して詳しく説明したが、本発明の範囲内で多くの変更を
為しうることを銘記されたい。
【図１】本発明の粗ネオン製造システムの好ましい具体
例の概略流れ図である。
例の概略流れ図である。
１ 供給空気
２ 極低温空気分離プラント
３ 高圧塔
４ 低圧塔
５ 主凝縮器
６ 窒素富化成分蒸気
７ 凝縮窒素富化成分還流
８ 酸素富化成分流れ
９ 窒素流れ
１０ 酸素流れ
１１ 第１ネオン含有流体
１２ ネオン塔
１３ 第１部分
１４ 第２部分
１５ 底部再沸器
１６ 再沸器生成流れ
１７ 合流流れ
１８ ネオンに富む蒸気
１９ 上部還流凝縮器
２０ 還流
２１ ネオン塔底部液体
２２ 気体状窒素
２３ 第２ネオン含有流体
２４ 加熱器
２６ 触媒反応器
２７ 酸素
２９ 冷却器
３１ 分離器
３２ 凝縮水
３３ 水素除去第２ネオン含有流体
３４、３５、３５、３７ 吸着床
３８ 粗ネオン生成物
４０ 真空ポンプ
４１ テールガス
Claims (18)
- 【請求項１】 粗ネオンを製造する方法であって、（
Ａ）ネオンを含有する供給空気を空気分離プラントに提
供しそして該空気分離プラントにおいて極低温精留によ
り供給空気における窒素濃度を超える窒素濃度と供給空
気におけるネオン濃度を超えるネオン濃度とを有する第
１ネオン含有流体を生成する段階と、（Ｂ）前記空気分
離プラントからの第１ネオン含有流体をネオン塔に通入
しそして該ネオン塔において該第１ネオン含有流体の窒
素濃度未満の窒素濃度と該第１ネオン含有流体のネオン
濃度を超えるネオン濃度を有する第２ネオン含有流体を
生成する段階と、（Ｃ）前記第２ネオン含有流体を吸着
床を通して流しそして該吸着床において窒素を優先的に
吸着して該第２ネオン含有流体のネオン濃度を超えるネ
オン濃度を有する粗ネオン生成物を生成する段階と、（
Ｄ）吸着床を段階（Ｃ）の吸着を実施した圧力未満の圧
力において脱着しそして脱着から生じたテールガスを前
記空気分離プラントに通入する段階とを包含する粗ネオ
ン製造方法。 - 【請求項２】 空気分離プラントからネオン塔への第
１ネオン含有流体が空気分離プラントへの供給空気の流
量の０．１〜１．０％の範囲内にある請求項１の方法。 - 【請求項３】 第１ネオン含有流体のネオンの濃度が
０．２〜２．０％の範囲内にある請求項１の方法。 - 【請求項４】 第２ネオン含有流体のネオンの濃度が
５０〜６５％の範囲内にある請求項１の方法。 - 【請求項５】 粗ネオン生成物中のネオン濃度が７０
〜８０％の範囲内にある請求項１の方法。 - 【請求項６】 段階（Ｃ）の吸着段階を４．２〜９．
８ｋｇ／ｃｍ２（６０〜１４０ｐｓｉａ）の範囲内の圧
力で実施する請求項１の方法。 - 【請求項７】 段階（Ｄ）の脱着段階を０．２１〜０
．９８ｋｇ／ｃｍ２（３〜１４ｐｓｉａ）の範囲内の圧
力で実施する請求項１の方法。 - 【請求項８】 吸着圧力対脱着圧力比が７：２０の範
囲内にある請求項１の方法。 - 【請求項９】 第２ネオン含有流体が更に水素を含ん
でおり、第２ネオン含有流体に酸素を提供しそして酸素
と水素とを反応せしめて水蒸気を生成する段階を更に含
む請求項１の方法。 - 【請求項１０】 吸着床において水蒸気を更に吸着す
る段階を含む請求項９の方法。 - 【請求項１１】 粗ネオンを製造する装置であって、
（Ａ）空気分離プラントと、（Ｂ）ネオン塔及び前記空
気分離プラントからネオン塔に流体を提供するための手
段と、（Ｃ）吸着床及び前記ネオン塔から該吸着床に流
体を流すための手段及び該吸着床から粗ネオン製品を回
収する手段と、（Ｄ）前記吸着床を脱着してテールガス
を生成せしめるための手段及び該吸着床から前記空気分
離プラントへテールガスを通入するための手段とを備え
る粗ネオン製造装置。 - 【請求項１２】 空気分離プラントが主凝縮器を具備
する複塔設備である請求項１１の装置。 - 【請求項１３】 空気分離プラントからネオン塔に流
体を提供するための手段が主凝縮器から流体を通入する
手段である請求項１２の装置。 - 【請求項１４】 吸着床がモレキュラーシーブを含む
請求項１１の装置。 - 【請求項１５】 吸着床がモレキュラーシーブと活性
炭とを含む請求項１１の装置。 - 【請求項１６】 ネオン塔と吸着床との間に配置され
る触媒反応器を更に含む請求項１１の装置。 - 【請求項１７】 吸着床を脱着するための手段が真空
ポンプを含む請求項１１の装置。 - 【請求項１８】 少なくとも一つの床が吸着操作下に
ある間少なくとも一つの床が脱着操作下にあるよう順次
接続された４つの吸着床を含む請求項１１の装置。
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|---|---|---|---|
| US07/637,688 US5100446A (en) | 1991-01-07 | 1991-01-07 | Crude neon production system |
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Publications (2)
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|---|---|
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| JP2579261B2 JP2579261B2 (ja) | 1997-02-05 |
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| JP (1) | JP2579261B2 (ja) |
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| DE (1) | DE4200069C2 (ja) |
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