JPH0429344A - 半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法 - Google Patents
半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法Info
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- JPH0429344A JPH0429344A JP2133850A JP13385090A JPH0429344A JP H0429344 A JPH0429344 A JP H0429344A JP 2133850 A JP2133850 A JP 2133850A JP 13385090 A JP13385090 A JP 13385090A JP H0429344 A JPH0429344 A JP H0429344A
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
LSIの動作を試験評価する技術に係わり、特に、電気
光学効果を利用してLSI内部の配線電圧を非接触且つ
非破壊で計測するLSI試験装置の構成と、該LSI試
験装置に用いられる試験用プローブの位置を制御する方
法に関し、微細な配線に対する電圧測定を正確に行い、
ひいては高精度な試験を可能にし、また検出感度を一定
に保ち、より安定した高精度な電圧測定を可能にするこ
とを目的とし、 ■LSI内部の測定対象となる配線部分に試験時に近接
配置される試験用プローブと、該試験用プローブに光学
的に結合されて前記配線部分の電圧測定用に供される測
定光学系とを具備し、前記試験用プローブは、前記測定
光学系からの光が内部を透過して表面で反射するように
板状に形成され且つ裏面が接地されている電気光学効果
をもつ結晶と、前記配線部分と同程度の大きさを有する
ように該結晶の表面に形成された導電性の針状部材とを
備え、前記配線部分の電位により前記針状部材を通して
前記結晶内部に誘起される電界の変化を、該結晶内を反
射往復する光の偏光状態の変化として検出し、該検出に
基づき当該配線部分の電圧波形を測定してLSIの動作
を試験評価するように構成し、または、■上述した構成
のLSI試験装置において前記測定対象の配線部分を含
む被測定部と試験用プローブとの距離が常に一定となる
よう該プローブの位置を制御するように構成する。
光学効果を利用してLSI内部の配線電圧を非接触且つ
非破壊で計測するLSI試験装置の構成と、該LSI試
験装置に用いられる試験用プローブの位置を制御する方
法に関し、微細な配線に対する電圧測定を正確に行い、
ひいては高精度な試験を可能にし、また検出感度を一定
に保ち、より安定した高精度な電圧測定を可能にするこ
とを目的とし、 ■LSI内部の測定対象となる配線部分に試験時に近接
配置される試験用プローブと、該試験用プローブに光学
的に結合されて前記配線部分の電圧測定用に供される測
定光学系とを具備し、前記試験用プローブは、前記測定
光学系からの光が内部を透過して表面で反射するように
板状に形成され且つ裏面が接地されている電気光学効果
をもつ結晶と、前記配線部分と同程度の大きさを有する
ように該結晶の表面に形成された導電性の針状部材とを
備え、前記配線部分の電位により前記針状部材を通して
前記結晶内部に誘起される電界の変化を、該結晶内を反
射往復する光の偏光状態の変化として検出し、該検出に
基づき当該配線部分の電圧波形を測定してLSIの動作
を試験評価するように構成し、または、■上述した構成
のLSI試験装置において前記測定対象の配線部分を含
む被測定部と試験用プローブとの距離が常に一定となる
よう該プローブの位置を制御するように構成する。
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体集積回路(以下、LSIと称する)の
動作を試験評価する技術に係わり、特に、電気光学効果
を利用してLSI内部の配線電圧を非接触且つ非破壊で
計測するLSI試験装置の構成と、該LSI試験装置に
用いられる試験用プローブの位置を制御する方法に関す
る。
動作を試験評価する技術に係わり、特に、電気光学効果
を利用してLSI内部の配線電圧を非接触且つ非破壊で
計測するLSI試験装置の構成と、該LSI試験装置に
用いられる試験用プローブの位置を制御する方法に関す
る。
〔従来の技術、および発明が解決しようとする課題]
LSI等の半導体素子を製造する上で、素子内外の信号
波形を正確に測定しておくことが必要不可欠となってい
る。
波形を正確に測定しておくことが必要不可欠となってい
る。
ところが、近年のLSIの高速化に伴い、従来のLSI
テスタを用いた電気的な測定方式では、正確な測定が困
難になってきている。そのため、半導体素子基板結晶の
電気光学効果を用いた光学式の信号波形測定方式が提案
されており、それによって高速信号を計測できることが
確認されている。この技術については例えば、J、A、
νaldmanisand G、Mourou、 ”5
ubpicosecond electronicss
ampling: principles and a
pplication” IEEEJOURNAL O
F Q[IANTUVI ELECTl?0NIC5,
VOL、 QE−22pp、69−78に開示されてい
る。
テスタを用いた電気的な測定方式では、正確な測定が困
難になってきている。そのため、半導体素子基板結晶の
電気光学効果を用いた光学式の信号波形測定方式が提案
されており、それによって高速信号を計測できることが
確認されている。この技術については例えば、J、A、
νaldmanisand G、Mourou、 ”5
ubpicosecond electronicss
ampling: principles and a
pplication” IEEEJOURNAL O
F Q[IANTUVI ELECTl?0NIC5,
VOL、 QE−22pp、69−78に開示されてい
る。
また、電気光学効果を用いた別の技術として、検出用結
晶の上に被試験LSIを積載して電気信号の波形測定を
行うようにした方式が知られている(例えば特開平1−
28566号公報参照)が、この方式では、LSI内部
配線のような微細部分に対して電圧測定を正確に行うこ
とができない。
晶の上に被試験LSIを積載して電気信号の波形測定を
行うようにした方式が知られている(例えば特開平1−
28566号公報参照)が、この方式では、LSI内部
配線のような微細部分に対して電圧測定を正確に行うこ
とができない。
そのため、そのような微細部分の電圧測定を正確に行な
い、ひいては測定精度の向上を図るようにした技術の開
発が要望されでいる。
い、ひいては測定精度の向上を図るようにした技術の開
発が要望されでいる。
従来、微細部分に対する測定方式としては、基板結晶自
体が有する電気光学効果を利用するか、あるいは偏光面
保存ファイバの先端に結晶を接着して所望の部分に近接
させて測定を行う方式が提案されている。
体が有する電気光学効果を利用するか、あるいは偏光面
保存ファイバの先端に結晶を接着して所望の部分に近接
させて測定を行う方式が提案されている。
しかしながら、基板結晶自体がもつ電気光学効果を利用
する方式では、現在の半導体の主流であるシリコン(S
i)基板には電気光学効果が無いために通用できないと
いう問題点がある。また、ファイバを利用する方式では
、ファイバ先端の結晶を配線幅(最近のサブミクロン程
度の幅)に対応させて細くするには技術的に限度がある
ため、配線パターンが微細化されてくると、近接する配
線による影響(クロストーク)が無視できなくなり、そ
のために測定精度が低下するという欠点がある。
する方式では、現在の半導体の主流であるシリコン(S
i)基板には電気光学効果が無いために通用できないと
いう問題点がある。また、ファイバを利用する方式では
、ファイバ先端の結晶を配線幅(最近のサブミクロン程
度の幅)に対応させて細くするには技術的に限度がある
ため、配線パターンが微細化されてくると、近接する配
線による影響(クロストーク)が無視できなくなり、そ
のために測定精度が低下するという欠点がある。
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作され
たもので、微細な配線に対する電圧測定を正確に行い、
ひいては高精度な試験を可能にしたLSI試験装置を提
供することを目的としている。
たもので、微細な配線に対する電圧測定を正確に行い、
ひいては高精度な試験を可能にしたLSI試験装置を提
供することを目的としている。
また、本発明の他の目的は、検出感度を一定に保ち、よ
り安定した高精度な電圧測定を可能にすることにある。
り安定した高精度な電圧測定を可能にすることにある。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するため、本発明では、電気光学効果を
もつ結晶に所望の電界(すなわち測定対象となる配線部
分の電位により誘起される電界)のみを有効に導引でき
るようにプローブの構成を工夫している。
もつ結晶に所望の電界(すなわち測定対象となる配線部
分の電位により誘起される電界)のみを有効に導引でき
るようにプローブの構成を工夫している。
従って、本発明の基本的な形態によれば、LSI内部の
測定対象となる配線部分に試験時に近接配置される試験
用プローブと、該試験用プローブに光学的に結合されて
前記配線部分の電圧測定用に供される測定光学系とを具
備し、前記試験用プローブは、前記測定光学系からの光
が内部を透過して表面で反射するように板状に形成され
且つ裏面が接地されている電気光学効果をもつ結晶と、
前記配線部分と同程度の大きさを有するように該結晶の
表面に形成された導電性の針状部材とを備え、前記配線
部分の電位により前記針状部材を通して前記結晶内部に
誘起される電界の変化を、該結晶内を反射往復する光の
偏光状態の変化として検出し、該検出に基づき当該配線
部分の電圧波形を測定してLSIの動作を試験評価する
ようにしたことを更に具備するLSI試験装置が提供さ
れる。
測定対象となる配線部分に試験時に近接配置される試験
用プローブと、該試験用プローブに光学的に結合されて
前記配線部分の電圧測定用に供される測定光学系とを具
備し、前記試験用プローブは、前記測定光学系からの光
が内部を透過して表面で反射するように板状に形成され
且つ裏面が接地されている電気光学効果をもつ結晶と、
前記配線部分と同程度の大きさを有するように該結晶の
表面に形成された導電性の針状部材とを備え、前記配線
部分の電位により前記針状部材を通して前記結晶内部に
誘起される電界の変化を、該結晶内を反射往復する光の
偏光状態の変化として検出し、該検出に基づき当該配線
部分の電圧波形を測定してLSIの動作を試験評価する
ようにしたことを更に具備するLSI試験装置が提供さ
れる。
本発明のより好適な実施形態によれば、試験用プローブ
は、前記電気光学効果をもつ結晶を覆い隠し且つ前記針
状部材の周囲を囲むように形成された絶縁層と、該絶縁
層を覆って形成され且つ接地されている導電層とを更に
有していてもよい。
は、前記電気光学効果をもつ結晶を覆い隠し且つ前記針
状部材の周囲を囲むように形成された絶縁層と、該絶縁
層を覆って形成され且つ接地されている導電層とを更に
有していてもよい。
また、本発明の他の形態によれば、上述した構成のLS
I試験装置において、前記測定対象の配線部分を含む被
測定部と試験用プローブとの距離が常に一定となるよう
に該プローブの位置を制御するようにした様々なプロー
ブ位置制御方法が提供される。
I試験装置において、前記測定対象の配線部分を含む被
測定部と試験用プローブとの距離が常に一定となるよう
に該プローブの位置を制御するようにした様々なプロー
ブ位置制御方法が提供される。
(作用]
上述した基本的な形態によれば、電気光学効果をもつ結
晶の表面に測定対象の配線部分と同程度の大きさをもつ
導電性の針状部材が形成され、この針状部材は一種の誘
電プローブとして機能するため、当該配線部分の電位に
より誘起される電界は該誘電プローブを介して効率良く
結晶に導かれる。
晶の表面に測定対象の配線部分と同程度の大きさをもつ
導電性の針状部材が形成され、この針状部材は一種の誘
電プローブとして機能するため、当該配線部分の電位に
より誘起される電界は該誘電プローブを介して効率良く
結晶に導かれる。
つまり、針状部材(誘電プローブ)により結晶への電界
の結合効率が高められるので、結晶のサイズと比較して
極めて微細なサブミクロン幅の配線に対して電圧測定を
正確に測定することが可能となる。
の結合効率が高められるので、結晶のサイズと比較して
極めて微細なサブミクロン幅の配線に対して電圧測定を
正確に測定することが可能となる。
また、より好適な実施形態によれば、配線パターンの幅
および間隔がより微細な構造のLSIに対して、接地さ
れた導電層は静電遮蔽として機能する。従って、この導
電層の作用により、隣接配線等の周囲からの漏れ電界に
よる影響(クロストーク)を無くすことができ、それに
よって更に高精度な電圧測定が可能となる。
および間隔がより微細な構造のLSIに対して、接地さ
れた導電層は静電遮蔽として機能する。従って、この導
電層の作用により、隣接配線等の周囲からの漏れ電界に
よる影響(クロストーク)を無くすことができ、それに
よって更に高精度な電圧測定が可能となる。
また、上述した他の形態によれば、被測定部と試験用プ
ローブの間隔が常に一定となるように制御が行われるた
め、該間隔の変動に起因して測定光学系の検出感度が変
化するという不具合を解消することができる。つまり、
検出感度を一定に保つことができ、より安定した高精度
な電圧測定が可能となる。
ローブの間隔が常に一定となるように制御が行われるた
め、該間隔の変動に起因して測定光学系の検出感度が変
化するという不具合を解消することができる。つまり、
検出感度を一定に保つことができ、より安定した高精度
な電圧測定が可能となる。
なお、本発明の他の構成上の特徴および作用の詳細につ
いては、添付図面を参照しつつ以下に記述される実施例
を用いて説明する。
いては、添付図面を参照しつつ以下に記述される実施例
を用いて説明する。
〔実施例]
第1図には本発明の一実施例としてのLSI試験装置の
全体的な構成が示される。
全体的な構成が示される。
同図において、1は被測定対象となるLSI、2は該L
SIを搭載するボード、3は該ボードを積載するLSI
テスタヘッド、10は被測定LSIに近接配置された試
験用プローブ(後述)、20は該プローブに光学的に結
合された光学系(後述)、21は測定用のレーザ光を出
射するレーザ、22は該レーザ光の分割および試験用プ
ローブlOからのレーザ光の分割を行うビームスプリッ
タ、23は該ビームスプリッタと同様の機能をもつグイ
クロックミラー、24は試験用プローブ10から出射し
てグイクロックミラー23で反射されたレーザ光を撮像
する光学系、25は試験用プローブ10からダイクロツ
クミラー23およびビームスプリッタ22を介して入射
されたレーザ光を受けてその強度に応じた電気信号に変
換する受光部、26は該受光部の出力信号に基づき適宜
信号処理を行い測定電圧値を演算する信号処理部、27
は該信号処理部の出力に基づきレーザ21を駆動するド
ライバ、28は信号処理部26の出力に基づき電圧測定
制御を行う制御部、29は該制御部の制御を受けて光学
系20の位置制御を行う位置合わせ機構、そして、30
は制御部28の制御を受けて外部LSIを駆動する機構
を示す。
SIを搭載するボード、3は該ボードを積載するLSI
テスタヘッド、10は被測定LSIに近接配置された試
験用プローブ(後述)、20は該プローブに光学的に結
合された光学系(後述)、21は測定用のレーザ光を出
射するレーザ、22は該レーザ光の分割および試験用プ
ローブlOからのレーザ光の分割を行うビームスプリッ
タ、23は該ビームスプリッタと同様の機能をもつグイ
クロックミラー、24は試験用プローブ10から出射し
てグイクロックミラー23で反射されたレーザ光を撮像
する光学系、25は試験用プローブ10からダイクロツ
クミラー23およびビームスプリッタ22を介して入射
されたレーザ光を受けてその強度に応じた電気信号に変
換する受光部、26は該受光部の出力信号に基づき適宜
信号処理を行い測定電圧値を演算する信号処理部、27
は該信号処理部の出力に基づきレーザ21を駆動するド
ライバ、28は信号処理部26の出力に基づき電圧測定
制御を行う制御部、29は該制御部の制御を受けて光学
系20の位置制御を行う位置合わせ機構、そして、30
は制御部28の制御を受けて外部LSIを駆動する機構
を示す。
第2図には本発明の特徴をなす試験用プローブの先端部
の形状の一例が示される。
の形状の一例が示される。
例示される試験用プローブは、測定光学系からの光が内
部を透過して表面(反射面13)で反射するように薄板
状に形成された電気光学効果をもつ結晶(本実施例では
ガリウム砒素[GaAs1) 11と、被測定配線部分
5と同程度の大きさを有して結晶11の表面に形成され
た導電性の針状部材(誘電プローブ12)と、結晶11
の裏面側に接着され且つ接地されている導電N14と、
該導電層を保持する絶縁性(例えば二酸化珪素[5iO
z]から成る)保持部15とから構成され、第4図に示
されるように撮像光学系の対物レンズ41上に搭載され
ている。なお、結晶11の裏面に導電層14を形成した
後、結晶保護用の透明板(図示せず)を接着することが
好ましい。この場合、保護用の透明板の表面に導電層1
4を形成した後に結晶11に接着してもよい。
部を透過して表面(反射面13)で反射するように薄板
状に形成された電気光学効果をもつ結晶(本実施例では
ガリウム砒素[GaAs1) 11と、被測定配線部分
5と同程度の大きさを有して結晶11の表面に形成され
た導電性の針状部材(誘電プローブ12)と、結晶11
の裏面側に接着され且つ接地されている導電N14と、
該導電層を保持する絶縁性(例えば二酸化珪素[5iO
z]から成る)保持部15とから構成され、第4図に示
されるように撮像光学系の対物レンズ41上に搭載され
ている。なお、結晶11の裏面に導電層14を形成した
後、結晶保護用の透明板(図示せず)を接着することが
好ましい。この場合、保護用の透明板の表面に導電層1
4を形成した後に結晶11に接着してもよい。
この構造において、結晶11の裏面に形成された導電層
14は接地されているので、結晶11の内部には配線部
分の電位に比例した電位勾配(電界)が形成される。こ
の場合、誘電プローブ12は、被測定配線部分(第2図
の例示では中央の配線5)からの電界を結晶11に集中
させるように機能する。
14は接地されているので、結晶11の内部には配線部
分の電位に比例した電位勾配(電界)が形成される。こ
の場合、誘電プローブ12は、被測定配線部分(第2図
の例示では中央の配線5)からの電界を結晶11に集中
させるように機能する。
次に、測定系の動作について説明する。
まず、外部LSI駆動11M30により被測定LSIを
動作させる。一方、測定系においては、信号処理部26
からのタイミング信号に基づきドライバ27にレーザ光
照射タイミングを通知する。これにより、レーザ21が
発振を行い、ストロボ測定動作が開始される。
動作させる。一方、測定系においては、信号処理部26
からのタイミング信号に基づきドライバ27にレーザ光
照射タイミングを通知する。これにより、レーザ21が
発振を行い、ストロボ測定動作が開始される。
レーザ21から出射されたレーザ光は、ビームスプリッ
タ22、グイクロックミラー23および光学系20を介
して円偏光となった後に、予め所望の配線(第2図の例
示では中央の配線5)に近接するように位置決めされた
試験用プローブに入射する。
タ22、グイクロックミラー23および光学系20を介
して円偏光となった後に、予め所望の配線(第2図の例
示では中央の配線5)に近接するように位置決めされた
試験用プローブに入射する。
試験用プローブは、当該配線の電位により誘起される電
界(破線で示される)のみを誘電プローブ12を通して
結晶11に導く。
界(破線で示される)のみを誘電プローブ12を通して
結晶11に導く。
試験用プローブに入射したレーザ光は、結晶11と誘電
プローブ12の接合面に形成した反射面13で反射往復
し、電気光学効果により偏光状態を変化させられた後、
プローブから出射する。この偏光状態の変化量は、被測
定配線の電位により結晶11内に誘起された電界の変化
量に対応している。試験用プローブから出射されたレー
ザ光は、光学系(20,23,22)を介して受光部2
5に入射する。
プローブ12の接合面に形成した反射面13で反射往復
し、電気光学効果により偏光状態を変化させられた後、
プローブから出射する。この偏光状態の変化量は、被測
定配線の電位により結晶11内に誘起された電界の変化
量に対応している。試験用プローブから出射されたレー
ザ光は、光学系(20,23,22)を介して受光部2
5に入射する。
受光部25では、入射レーザ光の偏光状態の円偏光から
のずれを測定し、信号処理部26に通知する。
のずれを測定し、信号処理部26に通知する。
信号処理部26では、レーザ光量の変動補正、加算平均
処理等を行って得られた測定電圧を制御部28に通知す
る。制御部28では、測定した電圧が確定した後に、順
次タイミングをずらしながら電圧測定を行ない、電圧波
形全体を確定させた後、測定を終了する。
処理等を行って得られた測定電圧を制御部28に通知す
る。制御部28では、測定した電圧が確定した後に、順
次タイミングをずらしながら電圧測定を行ない、電圧波
形全体を確定させた後、測定を終了する。
以上説明した測定方式により、所望の配線の電圧変化の
みを測定することが可能となる。また、試験用プローブ
は既存のLSIプロセスにより容易に形成することがで
きるため、プローブを結晶の全面に多数個形成し、測定
用のレーザ光を走査することにより、測定箇所が複数に
亘る場合の全体の測定時間を短縮することが可能となる
。
みを測定することが可能となる。また、試験用プローブ
は既存のLSIプロセスにより容易に形成することがで
きるため、プローブを結晶の全面に多数個形成し、測定
用のレーザ光を走査することにより、測定箇所が複数に
亘る場合の全体の測定時間を短縮することが可能となる
。
第3図には試験用プローブの先端部の形状の他の構成例
が示される。
が示される。
この例では、第2図の構成に加えて、結晶11を覆い隠
し且つ誘電プローブ12の周囲を囲むように形成された
絶縁層16と、該絶縁層を覆って形成された導電層17
とが付加されている。なお、導電層17は導電層14と
ともに接地されている。この構造によれば、配線5の輻
あるいは配線開隔がより微細となっている構造のLSI
に対して、導電層17は、隣接配線からの漏れ電界(図
中、A、Bで示される)が結晶11に達するのを防止す
るための静電遮蔽(ブロック層)として機能する。従っ
て、所望の配線(図示の例では中央の配線)の電圧変化
のみを隣接配線からのクロストークなく測定することが
でき、ひいては更に高精度な電圧測定が可能となる。
し且つ誘電プローブ12の周囲を囲むように形成された
絶縁層16と、該絶縁層を覆って形成された導電層17
とが付加されている。なお、導電層17は導電層14と
ともに接地されている。この構造によれば、配線5の輻
あるいは配線開隔がより微細となっている構造のLSI
に対して、導電層17は、隣接配線からの漏れ電界(図
中、A、Bで示される)が結晶11に達するのを防止す
るための静電遮蔽(ブロック層)として機能する。従っ
て、所望の配線(図示の例では中央の配線)の電圧変化
のみを隣接配線からのクロストークなく測定することが
でき、ひいては更に高精度な電圧測定が可能となる。
上述した実施例では試験用プローブの先端と被測定配線
との間隔が一定であるものとして説明したが、仮に何ら
かの原因によりその間隔が変動した場合、測定光学系の
検出感度が変化して電圧測定の精度が損なわれるという
可能性がある。そこで、プローブの先端と被測定配線と
の間隔を一定に保つための手段を備えていれば、さらに
好適なLSI試験装置を提供することができる。
との間隔が一定であるものとして説明したが、仮に何ら
かの原因によりその間隔が変動した場合、測定光学系の
検出感度が変化して電圧測定の精度が損なわれるという
可能性がある。そこで、プローブの先端と被測定配線と
の間隔を一定に保つための手段を備えていれば、さらに
好適なLSI試験装置を提供することができる。
以下、プローブの位置を制御するための実施例について
説明する。
説明する。
第4図は、直交方向に配置されたプローブ位置測定用光
学系の片側のみを模式的に示した図である。
学系の片側のみを模式的に示した図である。
光学系の中央には、対物レンズ41の先端に取り付けた
試験用プローブ(ハツチングで図示)が配置され、この
光学系全体はフィードバック・サーボ・ステージ40に
搭載されている。試料表面(すなわち被測定配線部分)
に対するプローブの位置を測定するセンサ系47.48
からの制御信号に基づき、該プローブの先端(第2図、
第3図の誘電プローブ12)と被測定配線部分との間隔
が一定となるようにステージ40が微動調整される。
試験用プローブ(ハツチングで図示)が配置され、この
光学系全体はフィードバック・サーボ・ステージ40に
搭載されている。試料表面(すなわち被測定配線部分)
に対するプローブの位置を測定するセンサ系47.48
からの制御信号に基づき、該プローブの先端(第2図、
第3図の誘電プローブ12)と被測定配線部分との間隔
が一定となるようにステージ40が微動調整される。
また、試験用プローブが取り付けられた対物レンズ41
は独自の上下機構(太い矢印で図示)を有し、共焦点光
学系24により試料表面が最適な結像位置となるように
位置合わせが行われる。この試験用プローブの周囲4方
向には、2対の対物レンズ44.45(図示の例では1
対のみ示される)が配置され、2方向のライン光投受光
光学系を構成している。
は独自の上下機構(太い矢印で図示)を有し、共焦点光
学系24により試料表面が最適な結像位置となるように
位置合わせが行われる。この試験用プローブの周囲4方
向には、2対の対物レンズ44.45(図示の例では1
対のみ示される)が配置され、2方向のライン光投受光
光学系を構成している。
ライン光発生用光学系は、直線状のライン光を出射する
光tA42と、該光源からの光を集光させるシリンドリ
カルレンズ43と、該集光されたライン光を試料表面上
に結像させる対物レンズ44により構成され、第5図(
a)に示されるように配線5の方向と直交するライン光
りを試料表面に投影する。
光tA42と、該光源からの光を集光させるシリンドリ
カルレンズ43と、該集光されたライン光を試料表面上
に結像させる対物レンズ44により構成され、第5図(
a)に示されるように配線5の方向と直交するライン光
りを試料表面に投影する。
なお、光源42にはシャッターが装備されており、配線
の方向と垂直な方向のライン光のみが選択されるように
なっている。
の方向と垂直な方向のライン光のみが選択されるように
なっている。
また、ステージ40に光軸を中心として回転する機構を
具備させることにより、1&flの投受光系で、全方位
の配線に対応させることが可能となる。
具備させることにより、1&flの投受光系で、全方位
の配線に対応させることが可能となる。
ライン光検出用光学系は、試料表面からの反射光を所定
の位置に結像させる対物レンズ45と、該所定の位置に
配置されたハーフミラ−46と、該ハーフミラ−を透過
した光を検出するフォーカスエラー検出用ライン光セン
サ47と、ハーフミラ−46で反射された光を検出する
移動方向検出用ライン光センサ48とにより構成される
。第5図(b)および(c)に、それぞれライン光セン
サ47および48上に投影されるライン光パターンが示
される。
の位置に結像させる対物レンズ45と、該所定の位置に
配置されたハーフミラ−46と、該ハーフミラ−を透過
した光を検出するフォーカスエラー検出用ライン光セン
サ47と、ハーフミラ−46で反射された光を検出する
移動方向検出用ライン光センサ48とにより構成される
。第5図(b)および(c)に、それぞれライン光セン
サ47および48上に投影されるライン光パターンが示
される。
試料表面と光学系の間隔が変化した場合、ラインセンサ
上に結像されるライン光の像は、第5図(b) 、 (
c)に点線で示したパターンのように、ジャスト・フォ
ーカス位置での像と比べて大きく変化する。従って、像
ぼけ(すなわちフォーカスエラー)の発生によりプロー
ブの先端と被測定配線部分との間隔が変化したことが判
り、一方、像の移動方向からその変化の方向が判る。
上に結像されるライン光の像は、第5図(b) 、 (
c)に点線で示したパターンのように、ジャスト・フォ
ーカス位置での像と比べて大きく変化する。従って、像
ぼけ(すなわちフォーカスエラー)の発生によりプロー
ブの先端と被測定配線部分との間隔が変化したことが判
り、一方、像の移動方向からその変化の方向が判る。
なお、全光学系は、第6図に示されるように凹型架台か
らXYZステージ40を介してLSIテスタヘッド3の
上方に吊り下げられる。
らXYZステージ40を介してLSIテスタヘッド3の
上方に吊り下げられる。
以下、試験用プローブの位置制御の手順について順次記
述する。
述する。
■LSIテスタヘッド3に測定対象のLSIを搭載し、
試験を開始する。
試験を開始する。
■LSIの設計データに基づいて、光学系の所定位置ま
でステージを移動させる。
でステージを移動させる。
■Z軸を動かし、光学系を基準位置まで降下させる。な
お、この位置は測定位置よりは高く設定する。ただし、
ライン光センサ、17.48のダイナミックレンジ内と
する。
お、この位置は測定位置よりは高く設定する。ただし、
ライン光センサ、17.48のダイナミックレンジ内と
する。
■ライン光センサ系のジャスト・フォーカス位置付近ま
で、光学系を徐々に降下させる。この時、設計データか
ら絶縁膜の有無を受信し、絶縁膜を破っている場合、結
像される2本の線の片側のみに注目する。なお、この2
本の綿は、絶縁膜上部での反射に基づく線と、配線から
の反射に基づく線である。
で、光学系を徐々に降下させる。この時、設計データか
ら絶縁膜の有無を受信し、絶縁膜を破っている場合、結
像される2本の線の片側のみに注目する。なお、この2
本の綿は、絶縁膜上部での反射に基づく線と、配線から
の反射に基づく線である。
■ライン光センサ系のサーボ機構を動作開始させる。こ
の時、サーボ信号はライン光センサの出力(フォーカス
エラーと移動方向)に基づき発生される。
の時、サーボ信号はライン光センサの出力(フォーカス
エラーと移動方向)に基づき発生される。
■共焦点光学系を利用して試験用プローブを降下させ、
焦点位置にて固定する。
焦点位置にて固定する。
■測定位置として、ステージ40のXY軸方位の微動調
整により最大信号変化の得られる場所を決定する。
整により最大信号変化の得られる場所を決定する。
■測定を開始し、波形を取得する。
■測定終了後、試験用プローブを上昇させ、次の測定位
置に移動させる。
置に移動させる。
以上の手順により、測定系の震動によって発生する試料
表面とプローブの間隔変化を補正し、その間隔を常に一
定に保つことができる。その結果、測定精度を低下させ
ずに、配線部分の電圧波形を安定的に検出することがで
きる。
表面とプローブの間隔変化を補正し、その間隔を常に一
定に保つことができる。その結果、測定精度を低下させ
ずに、配線部分の電圧波形を安定的に検出することがで
きる。
以上説明したように本発明によれば、LSI内部の微細
な配線の電圧信号を非接触で高精度に読み出すことが可
能となり、LSIの非破壊検査を実施でき、ひいては製
品の信頼性を向上させることができる。また、検出恣度
を一定に保ち、より安定した高精度な電圧測定を実現す
ることができる。
な配線の電圧信号を非接触で高精度に読み出すことが可
能となり、LSIの非破壊検査を実施でき、ひいては製
品の信頼性を向上させることができる。また、検出恣度
を一定に保ち、より安定した高精度な電圧測定を実現す
ることができる。
第1図は本発明の一実施例としてのLSI試験装置の全
体的な構成を示すブロック図、第2図は第1図装置にお
けるプローブの先端部の形状の一例を示す断面図、 第3図は第1図装置におけるプローブの先端部の形状の
他の例を示す断面図、 第4図は第1図装置におけるプローブ位置測定用光学系
の構成を模式的に示す図、 第5図(a)〜(c)は第4図の光学系におけるプロー
ブ位置測定用投受光パターンを示す図、第6図は第1図
装置における光学系とLSIテスタヘッドの位置関係を
示す図、 である。 (符号の説明) 1・・・半導体集積回路(LSI)、5・・・配線部分
、10・・・試験用プローブ、11・・・(電気光学効
果をもつ)結晶、12・・・針状部材(誘電プローブ)
、13・・・反射面、14・・・導電層、16・・・絶
縁層、17・・・導電層(ブロック層)、20・・・光
学系、21・・・レーザ、22・・・ビームスプリッタ
、23・・・グイクロックミラ、24・・・撮像光学系
、25・・・受光部、40・・・ステージ、41・・・
対物レンズ、47.48・・・ライン光センサ、L・・
・ライン光。 第1図装置におけるプローブの先端部の形状の一夕]を
示す断面図 13・・・反射面 14・・・導電層 第1図装置におけるプローブの先端部ノ形状の他の例を
示す断面図 第 3図 16・・・絶縁層 17・・・導電層(ブロック層) センサ方向 (C)移動方向検出用 第4図の光学系1こあけるプローブ位置測定用投受光パ
ターンを示す図 第5図 5・・・配線 し・・・ライン光
体的な構成を示すブロック図、第2図は第1図装置にお
けるプローブの先端部の形状の一例を示す断面図、 第3図は第1図装置におけるプローブの先端部の形状の
他の例を示す断面図、 第4図は第1図装置におけるプローブ位置測定用光学系
の構成を模式的に示す図、 第5図(a)〜(c)は第4図の光学系におけるプロー
ブ位置測定用投受光パターンを示す図、第6図は第1図
装置における光学系とLSIテスタヘッドの位置関係を
示す図、 である。 (符号の説明) 1・・・半導体集積回路(LSI)、5・・・配線部分
、10・・・試験用プローブ、11・・・(電気光学効
果をもつ)結晶、12・・・針状部材(誘電プローブ)
、13・・・反射面、14・・・導電層、16・・・絶
縁層、17・・・導電層(ブロック層)、20・・・光
学系、21・・・レーザ、22・・・ビームスプリッタ
、23・・・グイクロックミラ、24・・・撮像光学系
、25・・・受光部、40・・・ステージ、41・・・
対物レンズ、47.48・・・ライン光センサ、L・・
・ライン光。 第1図装置におけるプローブの先端部の形状の一夕]を
示す断面図 13・・・反射面 14・・・導電層 第1図装置におけるプローブの先端部ノ形状の他の例を
示す断面図 第 3図 16・・・絶縁層 17・・・導電層(ブロック層) センサ方向 (C)移動方向検出用 第4図の光学系1こあけるプローブ位置測定用投受光パ
ターンを示す図 第5図 5・・・配線 し・・・ライン光
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体集積回路(1)内部の測定対象となる配線部
分(5)に試験時に近接配置される試験用プローブ(1
0)と、 該試験用プローブに光学的に結合されて前記配線部分の
電圧測定用に供される測定光学系(20〜25)とを具
備し、 前記試験用プローブは、前記測定光学系からの光が内部
を透過して表面(13)で反射するように板状に形成さ
れ且つ裏面(14)が接地されている電気光学効果をも
つ結晶(11)と、前記配線部分と同程度の大きさを有
するように該結晶の表面に形成された導電性の針状部材
(12)とを備え、 前記配線部分の電位により前記針状部材を通して前記結
晶内部に誘起される電界の変化を、該結晶内を反射往復
する光の偏光状態の変化として検出し、該検出に基づき
当該配線部分の電圧波形を測定して半導体集積回路の動
作を試験評価するようにしたことを特徴とする半導体集
積回路用試験装置。 2、前記試験用プローブ(10)は、前記電気光学効果
をもつ結晶(11)を覆い隠し且つ前記針状部材(12
)の周囲を囲むように形成された絶縁層(16)と、該
絶縁層を覆って形成され且つ接地されている導電層(1
7)とを更に有することを特徴とする請求項1に記載の
半導体集積回路用試験装置。 3、前記試験用プローブと共に前記測定光学系の少なく
とも一部を搭載し、前記配線部分を含む被測定部と前記
試験用プローブを結ぶ軸線方向に移動可能な微動機構を
備えたステージ(40)を更に具備する請求項1または
2のいずれかに記載の半導体集積回路用試験装置におい
て、 前記被測定部に対する前記試験用プローブの位置をセン
サ手段(47、48)により検出し、該検出に基づく信
号を前記微動機構へフィードバックして前記被測定部と
の距離が常に一定となるように前記試験用プローブの位
置を制御するようにしたことを特徴とする半導体集積回
路用試験装置のプローブ位置制御方法。 4、前記測定光学系の少なくとも一部が前記試験用プロ
ーブと協働するように配設された請求項1または2のい
ずれかに記載の半導体集積回路用試験装置において、 測定光とは別の直線状のライン光(L)を前記配線部分
を含む被測定部の表面に投影し、 該投影されたライン光のフォーカスエラーおよび移動方
向を常時観測し、 該観測に基づき前記被測定部の表面の形状を検出し、 該検出結果により前記試験用プローブと協働する測定光
学系を微動させて前記被測定部の表面との距離が常に一
定となるように前記試験用プローブの位置を制御するよ
うにしたことを特徴とする半導体集積回路用試験装置の
プローブ位置制御方法。 5、前記測定光学系が共焦点光学系を含み、該共焦点光
学系の対物レンズ(41)の先端に前記試験用プローブ
を取り付けて電圧測定系とは別の撮像光学系(24)が
構成されている請求項1または2のいずれかに記載の半
導体集積回路用試験装置において、 前記撮像光学系のフォーカスエラーを検出し、該検出に
基づき前記対物レンズを微動させて前記配線部分を含む
被測定部との距離が常に一定となるように前記試験用プ
ローブの位置を制御するようにしたことを特徴とする半
導体集積回路用試験装置のプローブ位置制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2133850A JP2947288B2 (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2133850A JP2947288B2 (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0429344A true JPH0429344A (ja) | 1992-01-31 |
JP2947288B2 JP2947288B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=15114495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2133850A Expired - Lifetime JP2947288B2 (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2947288B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07151837A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-06-16 | Tektronix Inc | 特性測定システム |
US5479106A (en) * | 1993-09-28 | 1995-12-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electro-optic voltage detector |
JPH0980083A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | プリント基板の信号波形測定装置 |
JP2002039738A (ja) * | 2000-05-18 | 2002-02-06 | Advantest Corp | プローブの位置ずれ検出方法・プローブの位置決定方法・プローブの位置ずれ検出装置・プローブの位置決定装置 |
JP2002130422A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Sankyo Mfg Co Ltd | カム装置 |
JP2009257858A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Fujitsu Ltd | 電界検知プローブ及びその製造方法 |
KR20220062130A (ko) * | 2019-09-27 | 2022-05-13 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 전자광학 파형 분석 프로세스 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4624648B2 (ja) | 2003-02-07 | 2011-02-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電気光学素子用CdTe系化合物半導体単結晶 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP2133850A patent/JP2947288B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07151837A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-06-16 | Tektronix Inc | 特性測定システム |
US5479106A (en) * | 1993-09-28 | 1995-12-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electro-optic voltage detector |
JPH0980083A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | プリント基板の信号波形測定装置 |
JP2002039738A (ja) * | 2000-05-18 | 2002-02-06 | Advantest Corp | プローブの位置ずれ検出方法・プローブの位置決定方法・プローブの位置ずれ検出装置・プローブの位置決定装置 |
JP2002130422A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Sankyo Mfg Co Ltd | カム装置 |
JP2009257858A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Fujitsu Ltd | 電界検知プローブ及びその製造方法 |
KR20220062130A (ko) * | 2019-09-27 | 2022-05-13 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 전자광학 파형 분석 프로세스 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2947288B2 (ja) | 1999-09-13 |
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