JPH04291916A - 気相成長方法及び装置 - Google Patents

気相成長方法及び装置

Info

Publication number
JPH04291916A
JPH04291916A JP3056931A JP5693191A JPH04291916A JP H04291916 A JPH04291916 A JP H04291916A JP 3056931 A JP3056931 A JP 3056931A JP 5693191 A JP5693191 A JP 5693191A JP H04291916 A JPH04291916 A JP H04291916A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
pulsed light
raw material
vapor phase
phase growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3056931A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2680202B2 (ja
Inventor
Junichi Murota
室田　淳一
Shoichi Ono
昭一 小野
Masao Sakuraba
政夫 櫻庭
Yoshio Mikoshiba
御子柴　宜夫
Harushige Kurokawa
黒河　治重
Fumihide Ikeda
文秀 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP3056931A priority Critical patent/JP2680202B2/ja
Priority to KR1019920004239A priority patent/KR100311893B1/ko
Priority to DE69224541T priority patent/DE69224541T2/de
Priority to EP92104795A priority patent/EP0504886B1/en
Publication of JPH04291916A publication Critical patent/JPH04291916A/ja
Priority to US08/393,821 priority patent/US5705224A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2680202B2 publication Critical patent/JP2680202B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • H01L21/205—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/08—Germanium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反応室内の試料に原料ガ
スの供給により原子層状に薄膜を気相成長する方法及び
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常の気相成長方法は図１を参照して説
明すると、反応室１内にガス供給源６により原料ガスを
流通させながら反応室１内の試料７を高周波加熱装置１
９により加熱して試料７表面にＣＶＤ膜を成長させる方
法であり、このような方法では試料７表面に吸着と反応
が連続的に生じ、原子層状の薄膜形成は極めて困難であ
った。
【０００３】従来、原子層状に成長させる気相成長では
、対象物質として化合物半導体が用いられていた。例え
ばＧａＡｓにおいて、Ａｓの上にはＡｓが付着しないと
いう特徴を生かして原子層状にＧａＡｓを形成する方法
がある。
【０００４】又、原料ガスを表面に吸着させ、その後気
相中の原料ガスを排気し、光照射などの方法で吸着した
物質を分解・反応させるということを繰り返す方法があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
方法ではＳｉやＧｅなどの元素半導体で実現されていな
い。後者の方法では、有機系あるいはハロゲン系の原料
ガスで実現されうるが、水素化物系では、気相中の原料
ガス排気時に、表面から吸着物質が脱離するという課題
があった。
【０００６】本発明は原料ガスが試料に単分子吸着し、
しかもその吸着物が分解・反応後、次の吸着が完了する
までに時間を要するという現象を利用するもので、原料
ガスの試料表面への吸着と表面での吸着した原料ガスの
分解・反応を分離するために、試料表面に原料ガスを吸
着させた後、パルス光により、吸着物を瞬時に分解・反
応させることを特徴とし、その目的は原子層状に形成す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明方法は上記の課題
を解決し上記の目的を達成するため、図１に示すように
反応室１内に設置された試料７をガス供給源６より導入
された原料ガスに曝した状態で、パルス光照射光源９に
よりパルス光を試料７に照射することによって１回の照
射毎に１原子層又は数原子層の薄膜を成長させることを
特徴とする。
【０００８】又、本発明装置は同じ課題を解決し同じ目
的を達成するため、図１に示すように試料７を設けた反
応室１と、この反応室１内に原料ガスを導入するガス供
給源６と、反応室１内の試料７表面に透光性窓８を通し
てパルス光を照射するパルス光照射光源９とよりなる。
【０００９】
【作用】このような構成であるから、反応室１内にガス
供給源６より原料ガスを導入して反応室１内の試料７を
この原料ガスで曝した状態で、パルス光照射光源９によ
りパルス光を試料７に照射することによって１回の照射
毎に１原子層又は数原子層の薄膜を成長させることがで
きることになる。
【００１０】換言すれば、試料７表面に原料ガスを吸着
させた後、パルス光により吸着物を瞬時に分解・反応さ
せ、原子層状に薄膜を形成することができることになる
。
【００１１】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の１実施例の概略
構成説明図である。本実施例は、反応室１、この反応室
１に扉２を介して連なる予備室３、反応室１及び予備室
３をそれぞれ減圧するための反応室，予備室用排気装置
４，５、反応室１及び予備室３にガスを供給するための
ガス供給源６及び反応室１内の試料７の表面に透光性窓
８を通してフラッシュランプ光を照射するためのフラッ
シュランプ光源９とを備えている。
【００１２】そして試料７を補助加熱するための試料台
１０とワークコイル室１１、高周波をワークコイル室１
１内のワークコイル１２に供給するための高周波発振器
１３、ワークコイル室１１を減圧するためのワークコイ
ル室用排気装置１４、反応室１に試料７を搬送するため
に予備室３内に設けられた試料搬送機１５、外部から試
料７を予備室３に搬入するために予備室３に設けられた
扉１６及びガス供給源６による反応室１内への原料ガス
の導入とフラッシュランプ光源９による試料７へのフラ
ッシュ光の照射を関連付けて制御する制御装置１８とを
備えた構成となっている。なお、１７は圧力計である。
【００１３】次に、上述した装置を用いて膜を形成する
方法について説明する。膜の形成は、次のような手順で
行う。■反応室１とワークコイル室１１をそれぞれ排気
装置４，１４で真空排気する。■次に真空排気状態の反
応室１内にガス供給源６より水素などのキャリアガスを
流入させる。
【００１４】■予備室３を窒素などのガスで大気圧状態
にし扉１６を開け、試料７を予備室３内の試料搬送機１
５に乗せた後、扉１６を締める。■反応室１内に流入さ
せているガスと同種のガスを予備室３内に流入させなが
ら、予備室３内を排気装置５で減圧にする。
【００１５】■扉２を開け、試料７を試料搬送機１５に
より予備室３内から反応室１内に搬送し、試料台１０上
に乗せ、搬送機１５を予備室３内に戻し、扉２を閉める
。■ワークコイル１２に高周波発振器１３より高周波を
加え、試料台１０を加熱し、その熱で試料７を加熱する
。
【００１６】なお、この加熱はフラッシュランプ光の照
射時の原料ガスの分解・反応を促進させるため、もしく
は、試料７表面の不要吸着物を昇温脱離させるため，も
しくは、通常の化学気相成長法で薄膜を形成するために
用いる。
【００１７】■その後、原料ガスをガス供給源６より反
応室１に流入させる。■次に、原料ガスが試料７表面に
吸着するのに必要な時間の後、フラッシュランプ光をフ
ラッシュランプ光源９より透光性窓８を通して試料７表
面に照射する。
【００１８】ここで、反応室１内への原料ガスの流入と
フラッシュランプ光の照射を制御装置１８により関連付
けて制御し、２種以上の原料ガスを同時にもしくは交互
に入れ換えてもよい。またフラッシュランプ光を照射後
、別の原料ガスを流入させ、試料７の加熱により、異種
の物質を成長させてもよい。
【００１９】このような工程でたとえば単結晶シリコン
上にゲルマニウムを形成する場合の手順の一例について
図２を用いて説明する。反応室１に水素ガス２００ｃｃ
／ｍｉｎ　を流入させ、反応室１内圧力２７０Ｐａとな
っている状態で、単結晶シリコンウェハ（試料７）を試
料台１０に乗せ、図２の時間ｔ１　で単結晶シリコンウ
ェハを加熱（ウェハ温度ＴＧ　）し、４００℃以上の温
度ＴＤ　のウェハ表面の不要吸着物を昇温脱離させたの
ち、図２の時間ｔ２　で２３０〜２９０℃の温度ＴＧ　
に下げる。
【００２０】次に、時間ｔ３　でゲルマンガス（ＧｅＨ
４　）を反応室１内で１〜２０Ｐａの分圧になるように
導入し、ゲルマンガスが試料表面に吸着するのに要する
時間τ′Ｇ　以上経た後の時間ｔ４　よりパルス幅約１
ｍｓｅｃ　，パルス強度２０Ｊ／ｃｍ２　のキセノンフ
ラッシュランプ光を単結晶シリコンウェハ表面に繰り返
し照射した（τＧ　はパルス光の繰り返し間隔）。
【００２１】このような方法でゲルマニウムを堆積させ
た時の１パルス当たりの堆積ゲルマニウムの膜厚を調べ
た。全圧力（ＧｅＨ４　＋Ｈ２　）が２８０Ｐａ，ゲル
マンガス（ＧｅＨ４　）分圧が１３Ｐａでパルス間隔τ
Ｇ　＝２０秒間の場合、図３に示すように、２６０〜２
７５℃の範囲で、温度によらず、ウェハの面方位がＳｉ
（１００）とＳｉ（１１１）上でそれぞれ１原子層／パ
ルスのゲルマニウムの堆積が認められる。
【００２２】図３中、○はＳｉ（１１１）上での１パル
ス当たりの堆積ゲルマニウムの厚さ，●はＳｉ（１００
）上での１パルス当たりの堆積ゲルマニウムの厚さ，ａ
の破線はＧｅ（１１１）の１原子層の厚さ，ｂの破線は
Ｇｅ（１００）の１原子層の厚さを示す（以下図４〜５
同じ）。
【００２３】パルス間隔が２０秒間，全圧力（ＧｅＨ４
　＋Ｈ２　）が２８０Ｐａ，ウェハ補助加熱温度２６８
℃の場合、ゲルマンガス分圧が１３Ｐａ以上で、図４に
示すように１原子層／パルスのゲルマニウムの堆積が認
められる。
【００２４】全圧力（ＧｅＨ４　＋Ｈ２　）が２８０Ｐ
ａ，ウェハ補助加熱温度が２６８℃の場合、ゲルマンガ
ス分圧が４．５Ｐａでも、図５に示すように、パルス間
隔が長くなれば、１原子層／パルスのゲルマニウムの堆
積が認められる。
【００２５】なお、２３０〜２９０℃の温度では、フラ
ッシュランプ光を照射しなければ、ゲルマニウムの堆積
は認められない。ウェハの面方位を変えると、ウェハ補
助加熱温度が２６８℃、パルス間隔が２０秒間、全圧力
（ＧｅＨ４　＋Ｈ２　）が２８０Ｐａ、ゲルマンガス分
圧が１３Ｐａの場合、図６に示すように、それぞれの面
方位に対応して、１原子層／パルスのゲルマニウムの堆
積が認められる。
【００２６】以上述べたように、試料を原料ガスに曝し
た状態で、パルス光を照射することにより、１回の照射
ごとに、１原子層の薄膜を成長させることができること
は明らかである。また、２種以上の原料ガスを同時に流
入させ、混晶物質を原子層状に成長させることができる
ことは、容易に類推できる。
【００２７】さらに、反応室内への原料ガスの導入とフ
ラッシュランプ光の照射を制御装置１８により関連付け
て制御し、■２種以上の原料ガスを図７に示すように交
互に入れ換え、図８に示すような１原子層ごとに異種の
物質のある多層原子層状の薄膜を形成することができる
。ここで、τＡ　，τＢ　はそれぞれＡ，Ｂ物質を形成
するときのパルス間隔、τ′Ａ　，τ′Ｂ　はそれぞれ
Ａ，Ｂ物質の原料となるガスが試料表面に吸着するのに
要する時間、Ｃはウェハである。
【００２８】■２種以上の原料ガスを図９に示すように
ある時間毎に入れ換え、図１０に示すような数原子層あ
るいは数十原子層ごとに異種の物質のある多層膜を形成
することができる。
【００２９】また■反応室内への原料ガスの導入とウェ
ハの補助加熱温度も図１１のように関連付けて制御し、
図１２に示すような数原子層あるいは数十原子層ごとに
異種の物質のある多層膜を形成することができることは
明らかである。
【００３０】なお、上記において、パルス間隔は原料ガ
スが試料表面に完全に吸着被覆するのに要する時間以上
であることが望ましく、また異種の原料ガスに入れ換え
た後のパルス光の照射は、入れ換えた後の異種の原料ガ
スが試料表面に完全に吸着被覆するのに要する時間の後
に行うことが望ましい。
【００３１】また上記方法は、同一の反応室で異種の物
質の多層構造を実現する例であるが、同様の反応室をつ
なげて、物質毎に、反応室を使い分け、異種物質の多層
構造を実現してもよい。
【００３２】また、パルス光照射光源９を用いない別の
手段、例えば、図１３に示すように、通常の気相成長方
法による薄膜形成と上記方法とを組合せ、図１４に示す
ような多層構造も実現可能になることは明らかである。 図１４でＡは通常の化学気相成長方法を用いて形成した
薄膜、Ｂはフラッシュランプ光により形成した薄膜、Ｃ
はウェハを示す。
【００３３】なお、図１３では、同一の反応室内で図１
４に示すような多層構造を実現する手順を示したが、フ
ラッシュランプを用いない別の手段での薄膜形成する機
能をフラッシュランプを用いて薄膜形成する反応室につ
なげて、図１４に示すような多層構造を実現できること
は明らかである。
【００３４】
【発明の効果】上述の説明より明らかなように本発明に
よれば、試料７を設けた反応室１と、この反応室１内に
原料ガスを導入するガス供給源６と、反応室１内の試料
７表面に透光性窓８を通してパルス光を照射するパルス
光照射光源９とよりなるので、反応室１内にガス供給源
６より原料ガスを導入して反応室１内の試料７をこの原
料ガスで曝した状態で、パルス光照射光源９によりパル
ス光を試料７に照射することによって１回の照射毎に１
原子層又は数原子層の薄膜を成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法及び装置の１実施例の概略構成説明
図である。
【図２】キセノンフラッシュランプ光を単結晶シリコン
ウェハ表面に繰り返し照射した時のゲルマニウムを堆積
させる手順の１例を示す説明図である。
【図３】キセノンフラッシュランプ光を単結晶シリコン
ウェハ表面に繰り返し照射した時の、１パルス当たりの
堆積ゲルマニウムの膜厚の単結晶シリコンウェハの温度
依存性の説明図である。
【図４】キセノンフラッシュランプ光を単結晶シリコン
ウェハ表面に繰り返し照射した時の、１パルス当たりの
堆積ゲルマニウムの膜厚の反応室内のゲルマンガス分圧
依存性の説明図である。
【図５】キセノンフラッシュランプ光を単結晶シリコン
ウェハ表面に繰り返し照射した時の、１パルス当たりの
堆積ゲルマニウムの膜厚のパルス間隔依存性の説明図で
ある。
【図６】キセノンフラッシュランプ光を単結晶シリコン
ウェハ表面に繰り返し照射した時の、１パルス当たりの
堆積ゲルマニウムの膜厚の基板面方位依存性の説明図で
ある。
【図７】反応室内への原料ガスの導入とフラッシュラン
プ光の照射を関連付けて制御し、Ａ物質の原料となるガ
スとＢ物質の原料となるガスを交互に入れ換え、１原子
層ごとに異種の物質のある多層原子層状の薄膜を形成す
る手順の１例を示す説明図である。
【図８】図７に示す手順で１原子層ごとにＡとＢの物質
のある多層原子層状の薄膜を形成した試料の断面図であ
る。
【図９】反応室内への原料ガスの導入とフラッシュラン
プ光の照射を関連付けて制御し、Ａ物質の原料となるガ
スとＢ物質の原料となるガスをある時間毎に入れ換え、
数原子層あるいは数十原子層ごとに異種の物質のある多
層膜を形成する手順の１例を示す説明図である。
【図１０】図９に示す手順で数原子層あるいは数十原子
層ごとに異種の物質のある多層膜を形成した試料の断面
図である。
【図１１】反応室内への原料ガスの導入とフラッシュラ
ンプ光の照射を関連付けて制御し、かつ反応室内への原
料ガスの導入と基板の補助加熱温度も関連付けて制御し
、数原子層あるいは数十原子層ごとに異種の物質のある
多層膜を形成する手順の１例を示す説明図である。
【図１２】図１１に示す手順で数原子層あるいは数十原
子層ごとに異種の物質のある多層膜を形成した試料の断
面図である。
【図１３】通常の気相成長方法による薄膜形成とフラッ
シュランプ光を用いた薄膜形成を組合せ、異種物質の多
層構造も実現する手順の１例を示す説明図である。
【図１４】図１３に示す手順で異種物質の多層構造も実
現した試料の断面図である。
【符号の説明】
１　　　　反応室 ２　　　　扉 ３　　　　予備室 ４　　　　反応室用排気装置 ５　　　　予備室用排気装置 ６　　　　ガス供給源 ７　　　　試料 ８　　　　透光性窓 ９　　　　パルス光照射光源（フラッシュランプ光源）
１０　　試料台 １１　　ワークコイル室 １２　　ワークコイル １３　　高周波発振器 １４　　ワークコイル室用排気装置 １５　　試料搬送機 １６　　扉 １７　　圧力計 １８　　制御装置 １９　　（高周波）加熱装置

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　反応室（１）内に設置された試料（７
    ）をガス供給源（６）より導入された原料ガスに曝した
    状態で、パルス光照射光源（９）によりパルス光を試料
    （７）に照射することによって１回の照射毎に１原子層
    又は数原子層の薄膜を成長させることを特徴とする気相
    成長方法。
  2. 【請求項２】　　反応室（１）内への原料ガスの導入と
    パルス光の照射を制御装置（１８）により関連付けて制
    御し、２種以上の原料ガスを同時に又は交互に入れ換え
    、試料（７）に混晶物質や異種物質を原子層状に成長さ
    せることを特徴とする請求項１の気相成長方法。
  3. 【請求項３】　　原料ガスの導入中にパルス光を１回又
    は２回以上照射することを特徴とする請求項２の気相成
    長方法。
  4. 【請求項４】　　パルス光を照射する前に、試料（７）
    を加熱装置（１９）により加熱することにより、試料（
    ７）表面の吸着物を昇温脱離させる工程と、その後試料
    （７）温度を脱離温度より低くした後、原料ガスを導入
    して試料（７）を原料ガスに曝す工程とを含むことを特
    徴とする請求項１〜３の気相成長方法。
  5. 【請求項５】　　パルス光照射による薄膜の形成の前又
    は後或いはパルス光照射の間に、試料（７）を一定に加
    熱し、原料ガスを化学的に反応させて薄膜を形成させる
    工程を含むことを特徴とする請求項１〜４の気相成長方
    法。
  6. 【請求項６】　　パルス光はフラッシュランプ光である
    ことを特徴とする請求項１〜５の気相成長方法。
  7. 【請求項７】　　試料（７）を設けた反応室（１）と、
    この反応室（１）内に原料ガスを導入するガス供給源（
    ６）と、反応室（１）内の試料（７）表面に透光性窓（
    ８）を通してパルス光を照射するパルス光照射光源（９
    ）とよりなる気相成長装置。
  8. 【請求項８】　　ガス供給源（６）による反応室（１）
    内への原料ガスの導入とパルス光照射光源（９）による
    試料（７）へのパルス光の照射を関連付けて制御する制
    御装置（１８）を設けることを特徴とする請求項７の気
    相成長装置。
  9. 【請求項９】　　試料（７）を加熱する加熱装置（１９
    ）を具備してなる請求項７、８の気相成長装置。
  10. 【請求項１０】　　加熱装置（１９）は高周波加熱装置
    であることを特徴とする請求項９の気相成長装置。
  11. 【請求項１１】　　パルス光照射光源（９）はフラッシ
    ュランプ光源であることを特徴とする請求項７〜１０の
    気相成長装置。
JP3056931A 1991-03-20 1991-03-20 気相成長方法及び装置 Expired - Fee Related JP2680202B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3056931A JP2680202B2 (ja) 1991-03-20 1991-03-20 気相成長方法及び装置
KR1019920004239A KR100311893B1 (ko) 1991-03-20 1992-03-16 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치
DE69224541T DE69224541T2 (de) 1991-03-20 1992-03-19 Verfahren und Gebrauch einer Vorrichtung zur Dampfphasen-Abscheidung
EP92104795A EP0504886B1 (en) 1991-03-20 1992-03-19 A vapour depositing method and use of an apparatus therefor
US08/393,821 US5705224A (en) 1991-03-20 1995-01-31 Vapor depositing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3056931A JP2680202B2 (ja) 1991-03-20 1991-03-20 気相成長方法及び装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11147797A Division JP3163267B2 (ja) 1991-03-20 1997-04-28 気相成長方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04291916A true JPH04291916A (ja) 1992-10-16
JP2680202B2 JP2680202B2 (ja) 1997-11-19

Family

ID=13041260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3056931A Expired - Fee Related JP2680202B2 (ja) 1991-03-20 1991-03-20 気相成長方法及び装置

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0504886B1 (ja)
JP (1) JP2680202B2 (ja)
KR (1) KR100311893B1 (ja)
DE (1) DE69224541T2 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6866746B2 (en) 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6868859B2 (en) 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
JP2005093858A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2005093750A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US6994319B2 (en) 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
JP2006294750A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Toshiba Corp 薄膜堆積装置及び方法
JP2009539270A (ja) * 2006-05-31 2009-11-12 ティーガル コーポレイション 半導体加工のためのシステム及び方法
US7732325B2 (en) 2002-01-26 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers
US7781326B2 (en) 2001-02-02 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US7860597B2 (en) 2001-07-27 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US8187970B2 (en) 2001-07-25 2012-05-29 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
JP2013030772A (ja) * 2003-12-19 2013-02-07 Mattson Technology Canada Inc 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
US9032906B2 (en) 2005-11-04 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US10280509B2 (en) 2001-07-16 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5994829A (ja) * 1982-11-22 1984-05-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS6016416A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Hitachi Ltd 気相成長装置
JPS61124123A (ja) * 1984-11-21 1986-06-11 Hitachi Ltd 表面光処理方法
JPS63110A (ja) * 1986-06-19 1988-01-05 Nec Corp 薄膜形成方法
JPS6355929A (ja) * 1986-08-26 1988-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体薄膜の製造方法
JPH02208925A (ja) * 1989-02-09 1990-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体膜の形成方法
JPH04254499A (ja) * 1991-02-06 1992-09-09 Fujitsu Ltd 化合物半導体結晶の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60227858A (ja) * 1984-04-27 1985-11-13 Asahi Okuma Ind Co Ltd エアレス塗装機のノズル詰まり検知装置
JPH0766906B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 ＧａＡｓエピタキシャル成長方法
JPH04235282A (ja) * 1991-01-09 1992-08-24 Toshiba Corp 光ｃｖｄ法及び光ｃｖｄ装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5994829A (ja) * 1982-11-22 1984-05-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS6016416A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Hitachi Ltd 気相成長装置
JPS61124123A (ja) * 1984-11-21 1986-06-11 Hitachi Ltd 表面光処理方法
JPS63110A (ja) * 1986-06-19 1988-01-05 Nec Corp 薄膜形成方法
JPS6355929A (ja) * 1986-08-26 1988-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体薄膜の製造方法
JPH02208925A (ja) * 1989-02-09 1990-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体膜の形成方法
JPH04254499A (ja) * 1991-02-06 1992-09-09 Fujitsu Ltd 化合物半導体結晶の製造方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781326B2 (en) 2001-02-02 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US10280509B2 (en) 2001-07-16 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US8187970B2 (en) 2001-07-25 2012-05-29 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US9209074B2 (en) 2001-07-25 2015-12-08 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US7860597B2 (en) 2001-07-27 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US9031685B2 (en) 2001-07-27 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6866746B2 (en) 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US7732325B2 (en) 2002-01-26 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers
US6994319B2 (en) 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US7935913B2 (en) 2003-09-18 2011-05-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and method for thermal processing of substrate
JP2005093750A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP4618705B2 (ja) * 2003-09-18 2011-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP2005093858A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2013030772A (ja) * 2003-12-19 2013-02-07 Mattson Technology Canada Inc 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
JP2006294750A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Toshiba Corp 薄膜堆積装置及び方法
US9032906B2 (en) 2005-11-04 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
JP2009539270A (ja) * 2006-05-31 2009-11-12 ティーガル コーポレイション 半導体加工のためのシステム及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR920018831A (ko) 1992-10-22
EP0504886A1 (en) 1992-09-23
DE69224541D1 (de) 1998-04-09
EP0504886B1 (en) 1998-03-04
JP2680202B2 (ja) 1997-11-19
KR100311893B1 (ko) 2001-12-15
DE69224541T2 (de) 1998-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5705224A (en) Vapor depositing method
JPH04291916A (ja) 気相成長方法及び装置
US6645574B1 (en) Method of forming a thin film
US5593497A (en) Method for forming a deposited film
US4877650A (en) Method for forming deposited film
JP3163267B2 (ja) 気相成長方法
EP0240314B1 (en) Method for forming deposited film
EP0240305B1 (en) Method for forming a deposited film
JP2577542B2 (ja) 半導体結晶成長装置
JPH03274275A (ja) 有機金属ガス利用薄膜形成装置
JPS6355929A (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPH02199820A (ja) 気相処理装置
JP2577543B2 (ja) 単結晶薄膜成長装置
JPS6143413A (ja) 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法
JPH04111418A (ja) 結晶成長法および結晶成長装置
JPS61260622A (ja) ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法
JPH05198518A (ja) 化合物半導体薄膜形成法
JP4014700B2 (ja) 結晶薄膜製造方法
JPH04345017A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6390833A (ja) ２族および６族からなる化合物薄膜の製造方法
JPH08264460A (ja) 窒素化合物半導体結晶成長方法および成長装置
JPS63179073A (ja) 窒化ガリウム膜の製法
JPH0652717B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH05259089A (ja) 半導体結晶の製造方法
JPH0282615A (ja) 半導体膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees