JPH04286460A - Image sensor - Google Patents
Image sensorInfo
- Publication number
- JPH04286460A JPH04286460A JP3074244A JP7424491A JPH04286460A JP H04286460 A JPH04286460 A JP H04286460A JP 3074244 A JP3074244 A JP 3074244A JP 7424491 A JP7424491 A JP 7424491A JP H04286460 A JPH04286460 A JP H04286460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance
- output
- signal
- sensor
- pixels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 102100028673 HORMA domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101000985274 Homo sapiens HORMA domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、イメージセンサに関し
、特にイメージセンサの信号読み出し回路に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image sensor, and more particularly to a signal readout circuit for an image sensor.
【0002】0002
【従来の技術】従来ファクシミリ等の情報処理装置の画
像読取装置として、複数のセンサチップを配列したマル
チチップ型イメージセンサが利用されている。図3は、
このようなマルチチップ型イメージセンサの一例のセン
サチップつなぎ目部の概略を示す平面図である。2. Description of the Related Art Conventionally, a multi-chip image sensor in which a plurality of sensor chips are arranged has been used as an image reading device for an information processing device such as a facsimile machine. Figure 3 shows
FIG. 2 is a plan view schematically showing a sensor chip joint portion of an example of such a multi-chip image sensor.
【0003】図3において、71,72はセンサチップ
、73〜79は各画素の開口、aは画素ピッチ、d1
はつなぎ目マージン、d2 はセンサチップのダイシン
グマージンである。マルチチップ型イメージセンサでは
、センサチップ間のつなぎ目においても画素ピッチaを
等しくする必要がある。ところが、センサチップのつな
ぎ目部では、つなぎ目マージンd1 とダイシングマー
ジンd2 があるため、図3に示すように、端部画素の
開口75、76の面積は、他の画素の開口に比べて小さ
くなっている。In FIG. 3, 71 and 72 are sensor chips, 73 to 79 are apertures of each pixel, a is a pixel pitch, and d1
is the joint margin, and d2 is the dicing margin of the sensor chip. In a multi-chip image sensor, it is necessary to make the pixel pitch a equal even at the joint between sensor chips. However, since there is a seam margin d1 and a dicing margin d2 at the joint part of the sensor chip, the area of the openings 75 and 76 of the end pixels is smaller than that of the other pixels, as shown in FIG. There is.
【0004】従来、このようなイメージセンサの信号読
み出し回路の1つとして、センサとしてバイポーラトラ
ンジスタを用い、ベース領域に光電荷を蓄積する増幅型
センサが知られている。図2はこのような信号読み出し
回路のセンサチップ1個分の各画素に対応した回路を示
した図である。Conventionally, as one of the signal readout circuits of such an image sensor, an amplification type sensor is known that uses a bipolar transistor as a sensor and accumulates photoelectric charges in a base region. FIG. 2 is a diagram showing a circuit corresponding to each pixel of one sensor chip in such a signal readout circuit.
【0005】図2において、11〜16はベースに光電
荷を蓄積し、エミッタに信号を出力するセンサバイポー
ラトランジスタ、1〜6はセンサバイポーラトランジス
タ11〜16のベースをベースリセット電圧VBBにリ
セットするためのMOSトランジスタ、21〜26はセ
ンサバイポーラトランジスタ11〜16のエミッタをエ
ミッタリセット電圧VR にリセットするためのMOS
トランジスタである。In FIG. 2, numerals 11 to 16 are sensor bipolar transistors that accumulate photocharges in their bases and output signals to their emitters, and 1 to 6 are sensor bipolar transistors for resetting the bases of the sensor bipolar transistors 11 to 16 to the base reset voltage VBB. MOS transistors 21 to 26 are MOS transistors for resetting the emitters of the sensor bipolar transistors 11 to 16 to the emitter reset voltage VR.
It is a transistor.
【0006】また41〜46は、センサバイポーラトラ
ンジスタ11〜16のエミッタに出力された信号を、一
時保持しておくための転送容量CT 、31〜36はセ
ンサバイポーラトランジスタ11〜16のエミッタに出
力された信号を、転送容量CT41〜46へ読み出すた
めのMOSトランジスタである。Further, 41 to 46 are transfer capacitors CT for temporarily holding the signals output to the emitters of the sensor bipolar transistors 11 to 16, and 31 to 36 are transfer capacitors CT for temporarily holding the signals output to the emitters of the sensor bipolar transistors 11 to 16. These are MOS transistors for reading out signals to the transfer capacitors CT41 to CT46.
【0007】また71,72はそれぞれ前半、後半部分
の水平出力線、51〜56は転送容量CT 41〜46
に一時保持された信号を、水平出力線71または72へ
転送するためのMOSトランジスタである。Further, 71 and 72 are the horizontal output lines of the first half and the second half, respectively, and 51 to 56 are transfer capacitors CT 41 to 46.
This is a MOS transistor for transferring a signal temporarily held in the horizontal output line 71 or 72 to the horizontal output line 71 or 72.
【0008】また、61,62はそれぞれMOSのドレ
イン容量及び配線容量からなる水平出力線容量CH 、
66はバッファ・アンプ、69は出力線、68は出力線
の配線容量及びアンプ66の入力容量からなる容量CA
である。Further, 61 and 62 are horizontal output line capacitances CH, which are composed of a MOS drain capacitance and a wiring capacitance, respectively.
66 is a buffer amplifier, 69 is an output line, and 68 is a capacitance CA consisting of the wiring capacitance of the output line and the input capacitance of the amplifier 66.
It is.
【0009】また、63,64は、出力線69と水平出
力線71,72との接続を切り替えるMOSトランジス
タ、67はMOSトランジスタ51〜56を順次開閉す
るパルスを出力するシフトレジスタ。80は出力線69
をリセットするためのMOSトランジスタである。Further, 63 and 64 are MOS transistors that switch the connection between the output line 69 and the horizontal output lines 71 and 72, and 67 is a shift register that outputs pulses that sequentially open and close the MOS transistors 51 to 56. 80 is the output line 69
This is a MOS transistor for resetting the .
【0010】また73、74はそれぞれセンサチップの
両端画素に対応した信号を出力する出力線であり、他の
画素の出力線と同様に水平出力線71、72に接続され
、他の画素と同一の水平出力線容量CH 61,62に
転送されている。Further, 73 and 74 are output lines for outputting signals corresponding to the pixels at both ends of the sensor chip, and are connected to the horizontal output lines 71 and 72 in the same way as the output lines of other pixels, and are connected to the same output lines as the other pixels. are transferred to the horizontal output line capacitances CH 61 and 62.
【0011】以下に上記構成における各部の動作を説明
する。The operation of each part in the above configuration will be explained below.
【0012】まず、センサバイポーラ11〜16のベー
ス、転送容量41〜46を、MOSトランジスタ21〜
26,31〜36を用いてリセットする。First, the bases of the sensor bipolar circuits 11 to 16 and the transfer capacitors 41 to 46 are connected to the MOS transistors 21 to 46.
26, 31-36 to reset.
【0013】次にセンサバイポーラ11〜16のエミッ
タを、MOSトランジスタ1〜6を用いてリセットする
。Next, the emitters of the sensor bipolars 11-16 are reset using the MOS transistors 1-6.
【0014】次にセンサバイポーラ11〜16は蓄積状
態に入り、光電荷をベースに蓄積する。Next, the sensor bipolars 11 to 16 enter an accumulation state and accumulate photocharges on the base.
【0015】蓄積期間の後、MOSトランジスタ31〜
36を開いて、信号を転送容量41〜46へ出力する。After the accumulation period, the MOS transistors 31 to
36 is opened and the signal is output to the transfer capacitors 41 to 46.
【0016】次にMOSトランジスタ31〜36を閉じ
、シフトレジスタ67から順次出力されるパルスにより
、MOSトランジスタ51〜56が順次開き、水平出力
線71,72に信号が転送される。この時、信号の前半
部分の水平転送が行なわれている時はMOSトランジス
タ63のφF がHになり、後半部分ではMOSトラン
ジスタ64のφB がHになり、水平出力線71,72
のどちらか一方が出力線69へ接続される。Next, the MOS transistors 31 to 36 are closed, and the MOS transistors 51 to 56 are sequentially opened by pulses sequentially output from the shift register 67, and signals are transferred to the horizontal output lines 71 and 72. At this time, when the first half of the signal is horizontally transferred, φF of the MOS transistor 63 becomes H, and in the second half, φB of the MOS transistor 64 becomes H, and the horizontal output lines 71, 72
Either one of them is connected to the output line 69.
【0017】またこのように、MOSトランジスタ51
〜56が順次開閉されている時に、次のMOSトランジ
スタが開くまでの、全てのMOSトランジスタ51〜5
6が閉じている間に、MOSトランジスタ80のφHR
S により出力線69がリセットされる。Furthermore, in this way, the MOS transistor 51
When MOS transistors 51 to 56 are sequentially opened and closed, all MOS transistors 51 to 5 until the next MOS transistor opens.
6 is closed, φHR of MOS transistor 80
S resets the output line 69.
【0018】このような動作をするイメージセンサチッ
プをマルチチップ型イメージセンサに使用することによ
り、より高画素数のイメージセンサができる。By using an image sensor chip that operates in this manner in a multi-chip image sensor, an image sensor with a higher number of pixels can be obtained.
【0019】[0019]
【発明が解決しようとしている課題】上述した従来のマ
ルチチップ型イメージセンサでは、端部画素の開口が他
の画素よりも小さくなるため、他の画素に比べて感度が
低く、出力信号が小さくなるという問題がある。そのた
め従来、画素の感度をイメージセンサ全体で一定にする
ため、端部画素以外の他の画素の開口面積も端部画素に
合わせて小さくしたり、端部画素の出力信号だけを特に
増幅したりすることが行なわれていた。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional multi-chip image sensor described above, the aperture of the end pixels is smaller than other pixels, resulting in lower sensitivity and smaller output signals than other pixels. There is a problem. Conventionally, in order to make the pixel sensitivity constant across the entire image sensor, the aperture area of other pixels other than the edge pixels was made smaller to match the edge pixels, or only the output signals of the edge pixels were specifically amplified. Something was being done.
【0020】しかし、端部画素以外の画素の開口面積も
小さくすることはイメージセンサ全体としての感度を低
下させることになるため、あまり好ましい方法とはいえ
ない。また、両端部の開口が中央と同じ場合でも、両端
部はクロストーク量等の要因により感度が低下する傾向
があり、出力の均一性に悪影響を与えていた。However, reducing the aperture area of pixels other than the end pixels also reduces the sensitivity of the image sensor as a whole, and is therefore not a very preferable method. Furthermore, even when the openings at both ends are the same as the center, sensitivity tends to decrease at both ends due to factors such as the amount of crosstalk, which has an adverse effect on the uniformity of output.
【0021】また、端部画素の信号だけを特に増幅する
ためには、専用の増幅回路が必要となったりするため、
工程やコストの点に問題を有している。[0021] Furthermore, in order to specifically amplify only the signals of the end pixels, a dedicated amplifying circuit may be required.
There are problems with the process and costs.
【0022】[0022]
【発明の目的】本発明の目的は、信号増幅手段を特に設
けることなく、また画素開口面積の変更手段によらずに
、各画素の感度を調整することのできるイメージセンサ
を提供することにある。OBJECTS OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an image sensor in which the sensitivity of each pixel can be adjusted without particularly providing a signal amplification means or without using means for changing the pixel aperture area. .
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段および作用】本発明では、
センサチップ内の一部の画素の出力信号を、他の画素と
異なる水平出力線容量に転送することにより、他の画素
と読み出しゲインを変え、これにより、各画素の感度調
整をするようにしたものである。[Means and effects for solving the problems] In the present invention,
By transferring the output signal of some pixels in the sensor chip to a horizontal output line capacitance that is different from that of other pixels, the readout gain is changed from that of other pixels, thereby adjusting the sensitivity of each pixel. It is something.
【0024】従来例の読み出し方法では、各画素の読み
出しゲインGは、転送容量CT (41〜46)から、
水平出力線容量CH (61〜62)+アンプ入力容量
CA (68)への容量分割と考えて良いので、以下の
ように示すことができる。In the conventional readout method, the readout gain G of each pixel is calculated from the transfer capacitance CT (41 to 46) as follows:
It can be considered as capacitance division into horizontal output line capacitance CH (61-62)+amplifier input capacitance CA (68), and can be expressed as follows.
【0025】[0025]
【数1】
そこで本発明によれば、数1式の分子のCH の値
をかえることにより、読み出しゲインGを調整すること
ができる。##EQU00001## Therefore, according to the present invention, the readout gain G can be adjusted by changing the value of CH.sub.2 in the numerator of the equation (1).
【0026】[0026]
【実施例】図1は、本発明の特徴を最もよく表わす実施
例の回路図であり、イメージセンサチップの各画素に対
応した出力信号読み出し回路を示す図である。同図にお
いて、図2で説明した従来例の回路図と同様の部分には
、同一の番号を付けることで説明は省略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment that best represents the features of the present invention, and shows an output signal readout circuit corresponding to each pixel of an image sensor chip. In this figure, the same parts as those in the conventional circuit diagram explained in FIG. 2 are given the same numbers and the explanation will be omitted.
【0027】図1において、65はアンプ66の入力容
量及び出力線69、73、74の配線容量の和の容量C
A ’。73、74はそれぞれセンサチップの両端画素
に対応した信号を出力する線である。In FIG. 1, 65 is a capacitance C that is the sum of the input capacitance of the amplifier 66 and the wiring capacitance of the output lines 69, 73, and 74.
A'. Lines 73 and 74 output signals corresponding to pixels at both ends of the sensor chip, respectively.
【0028】上記構成において、従来例と同様にしてセ
ンサバイポーラトランジスタ11〜16から信号が順次
読み出されていくが、両端部の画素に対応する信号は、
水平出力線71,72を通さず、MOSトランジスタ5
1、56の出力線73、74により、直接出力線69に
出力している。従って、端部画素以外の信号は、水平線
出力容量CH 61、62に転送されるが、端部画素の
信号は、異なる水平線出力容量としてのアンプ入力容量
CA ’65に転送されることになる。In the above configuration, signals are sequentially read out from the sensor bipolar transistors 11 to 16 in the same way as in the conventional example, but the signals corresponding to the pixels at both ends are as follows.
The horizontal output lines 71 and 72 are not passed through, and the MOS transistor 5
1 and 56 output lines 73 and 74 directly output to the output line 69. Therefore, signals from pixels other than the end pixels are transferred to the horizontal line output capacitors CH 61, 62, but signals from the end pixels are transferred to the amplifier input capacitor CA'65 as a different horizontal line output capacitor.
【0029】このような本実施例の読み出し方法では、
中央画素(センサチップの端部画素以外の画素)の読み
出しゲインGcenterは、転送容量CT (41〜
46)から、水平出力線容量CH (61〜62)+ア
ンプ入力容量CA ’(65)への容量分割と考えて良
いので、以下のように示すことができる。In the reading method of this embodiment as described above,
The readout gain Gcenter of the center pixel (pixels other than the end pixels of the sensor chip) is determined by the transfer capacitance CT (41~
46) can be considered as capacitance division into horizontal output line capacitance CH (61-62)+amplifier input capacitance CA' (65), and can be expressed as follows.
【0030】[0030]
【数2】
また端部画素の読み出しゲインGcornerは、
転送容量CT (41〜46)から水平出力線容量とし
てのアンプ入力容量CA ’(65)への容量分割であ
ると考えることができるので、以下のように示すことが
できる。[Formula 2] Also, the readout gain Gcorner of the edge pixel is
Since it can be considered to be a capacitance division from the transfer capacitance CT (41 to 46) to the amplifier input capacitance CA' (65) as the horizontal output line capacitance, it can be expressed as follows.
【0031】[0031]
【数3】
従って、数2,3式より、Gcenter<Gco
rnerとなり、端部画素の感度低下を読み出しゲイン
で補なうことができる。[Equation 3] Therefore, from Equations 2 and 3, Gcenter<Gco
rner, and the decrease in sensitivity of the edge pixels can be compensated for by the readout gain.
【0032】(他の実施例)本発明は、他のイメージセ
ンサにも実施可能であり、例えばカラーラインセンサに
実施した例について、以下に説明する。(Other Embodiments) The present invention can be implemented in other image sensors, and an example in which it is implemented in a color line sensor, for example, will be described below.
【0033】従来、カラーラインセンサのセンサチップ
は複数の画素を有し、これらの画素上にはブルー(B)
、グリーン(G)、レッド(R)のカラーフィルターが
のせられている(図示せず)。そのため、同一光量の光
が入射しても、フィルターによる吸収等の違いにより、
同一の出力信号レベルを得ることが難しく、通常、ブル
ー(G)の出力信号は、グリーン(G)、レッド(R)
の出力信号のレベルより低くなる。Conventionally, a sensor chip of a color line sensor has a plurality of pixels, and a blue (B) color is displayed on these pixels.
, green (G), and red (R) color filters (not shown). Therefore, even if the same amount of light is incident, due to differences in absorption by the filter, etc.
It is difficult to obtain the same output signal level, and usually the blue (G) output signal is different from the green (G) and red (R) output signals.
is lower than the level of the output signal.
【0034】図4は本発明を、カラーラインセンサのセ
ンサチップ出力信号読み取り回路に実施した回路図を示
したものである。FIG. 4 shows a circuit diagram in which the present invention is implemented in a sensor chip output signal reading circuit of a color line sensor.
【0035】同図において91〜102は信号を一時保
持しておくための転送容量CT である。図4に示され
るように、各画素からの出力信号として、転送容量91
,94,97,100へはB信号、転送容量92,95
,98,101へはG信号、転送容量93,96,99
,102へはR信号が転送されるようになっている。In the figure, reference numerals 91 to 102 are transfer capacitors CT for temporarily holding signals. As shown in FIG. 4, as an output signal from each pixel, a transfer capacitor 91
, 94, 97, 100 are B signals, transfer capacity 92, 95
, 98, 101 is a G signal, transfer capacity 93, 96, 99
, 102, the R signal is transferred.
【0036】また131〜134は水平出力線、111
〜122は転送容量91〜102の信号を水平出力線1
31〜134へ転送するためのMOSトランジスタ、1
36はシフトレジスタ、135はB信号の出力線、13
6,137はB信号の水平出力線131,132の出力
を交互に切り替えて出力線135へ出力するMOSトラ
ンジスタである。Further, 131 to 134 are horizontal output lines, 111
~122 is the horizontal output line 1 for the signals of transfer capacitors 91~102.
MOS transistor for transfer to 31 to 134, 1
36 is a shift register, 135 is a B signal output line, 13
Reference numerals 6 and 137 designate MOS transistors that alternately switch the output of the horizontal output lines 131 and 132 of the B signal and output it to the output line 135.
【0037】また141〜144はそれぞれ水平出力線
131〜134の水平出力線容量、151〜155は出
力線131〜135をリセットするためのMOSトラン
ジスタである。Further, 141 to 144 are horizontal output line capacitances of the horizontal output lines 131 to 134, respectively, and 151 to 155 are MOS transistors for resetting the output lines 131 to 135.
【0038】上記構成において、転送容量91〜102
に一時保持された信号のうち、G,R信号は水平出力線
133,134に、またB信号は、1つずつ交互に水平
出力線131,132に、シフトレジスタ67の出力パ
ルスによって順次出力される。In the above configuration, the transfer capacity 91 to 102
Among the signals temporarily held, the G and R signals are sequentially output to the horizontal output lines 133 and 134, and the B signal is output one by one to the horizontal output lines 131 and 132 alternately by the output pulse of the shift register 67. Ru.
【0039】MOSトランジスタ136,137は、そ
れぞれφ1 ,φ2 パルスにより交互に開閉し、φ1
1,φ12がシフトレジスタ67から出力されるときは
、φ1 が開き、φ21,φ22が出力されるときはφ
2 が開く。MOS transistors 136 and 137 are alternately opened and closed by φ1 and φ2 pulses, respectively, and
When 1 and φ12 are output from the shift register 67, φ1 is opened, and when φ21 and φ22 are output, φ1 is opened.
2 opens.
【0040】またφ1 が立ち下がってからφ2 が立
ち上がるまでの間に、φHRS のパルスが入り、MO
Sトランジスタ151〜155が開き、出力線131〜
135がリセットされる。Furthermore, a pulse of φHRS is input between the fall of φ1 and the rise of φ2, and the MO
S transistors 151-155 open and output lines 131-155 open.
135 is reset.
【0041】このような回路では、B信号の水平出力線
容量141,142と、G信号の水平出力線容量143
,R信号の水平出力線容量144では、G,R信号の水
平出力線容量143,144の方が約2倍大きくなるた
め、最初に述べた実施例と同様に、読み出しゲインはB
信号がG,R信号に比べて大きくなる。In such a circuit, the horizontal output line capacitances 141 and 142 of the B signal and the horizontal output line capacitance 143 of the G signal are
, R signal horizontal output line capacitance 144 is approximately twice as large as the horizontal output line capacitance 143, 144 for G, R signals, so as in the first embodiment, the readout gain is B
The signal becomes larger than the G and R signals.
【0042】通常、B信号は信号出力が小さいため、こ
のような読み出し系回路を用いてB信号の読み出しゲイ
ンを上げることにより、R,G,Bの出力差を小さくす
ることができる。Normally, the signal output of the B signal is small, so by increasing the readout gain of the B signal using such a readout circuit, the output difference between R, G, and B can be reduced.
【0043】[0043]
【発明の効果】以上説明したように、センサチップ内の
一部の画素の出力信号を、他の画素と異なる水平出力線
容量に転送することにより、他の画素と読み出しゲイン
を変えることができ、これによって、センサ全体の画素
の感度の違いを補正したり、同一の感度のセンサ出力を
、異なるゲインで読み出したりすることが可能になると
いう効果が得られる。。[Effects of the Invention] As explained above, by transferring the output signal of some pixels in the sensor chip to a horizontal output line capacitance different from that of other pixels, it is possible to change the readout gain from that of other pixels. As a result, it is possible to correct differences in sensitivity of pixels in the entire sensor, and to read out sensor outputs having the same sensitivity with different gains. .
【0044】すなわち、本発明によれば、特定の画素の
信号増幅手段を特に設けることなく、また画素開口面積
の変更手段によらずに、容易に各画素の感度を調整する
ことができるという効果が得られる。That is, according to the present invention, the sensitivity of each pixel can be easily adjusted without specifically providing a signal amplification means for a particular pixel or without using means for changing the pixel aperture area. is obtained.
【図1】本発明を実施したセンサの等価回路を示した図
。FIG. 1 is a diagram showing an equivalent circuit of a sensor implementing the present invention.
【図2】従来例のセンサの等価回路を示した図。FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional sensor.
【図3】マルチチップ型イメージセンサのチップ間つな
ぎ目の開口を示した平面図。FIG. 3 is a plan view showing an opening at a joint between chips of a multi-chip image sensor.
【図4】本発明を実施したカラーラインセンサの読み出
し回路を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a readout circuit of a color line sensor implementing the present invention.
11〜16 センサバイポーラトランジスタ41〜4
6,91〜102 転送容量CT61,62 水平
出力線容量CH
65,68 アンプ入力容量CA ’,CA (他の
水平出力線容量)
71,72 水平出力線
73,74 端部画素の信号出力線
67 シフトレジスタ
69 出力線
131,132 B信号水平出力線
133 G信号水平出力線
134 R信号水平出力線
141,142 B信号の水平出力線容量143
G信号の水平出力線容量
144 R信号の水平出力線容量11-16 Sensor bipolar transistors 41-4
6,91-102 Transfer capacitance CT61,62 Horizontal output line capacitance CH 65,68 Amplifier input capacitance CA', CA (other horizontal output line capacitance) 71,72 Horizontal output line 73,74 Signal output line 67 of end pixel Shift register 69 Output lines 131, 132 B signal horizontal output line 133 G signal horizontal output line 134 R signal horizontal output line 141, 142 B signal horizontal output line capacitance 143
Horizontal output line capacity of G signal 144 Horizontal output line capacity of R signal
Claims (3)
部の前記画素の出力信号を、他の画素と異なる水平出力
線容量に転送することを特徴とするイメージセンサ。1. An image sensor characterized in that output signals of some pixels of a sensor chip having a plurality of pixels are transferred to a horizontal output line capacitance different from that of other pixels.
数含んで構成されるマルチチップ型イメージセンサにお
いて、前記一部の画素の出力信号を、他の画素と異なる
水平出力線容量に転送することを特徴とするイメージセ
ンサ。2. In a multi-chip image sensor including a plurality of sensor chips each having a plurality of pixels, the output signal of some of the pixels is transferred to a horizontal output line capacitance different from that of other pixels. Featured image sensor.
端部画素であることを特徴とする請求項1又は2に記載
のイメージセンサ。3. The image sensor according to claim 1, wherein the some of the pixels are end pixels of the sensor chip.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3074244A JPH04286460A (en) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3074244A JPH04286460A (en) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | Image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04286460A true JPH04286460A (en) | 1992-10-12 |
Family
ID=13541558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3074244A Pending JPH04286460A (en) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | Image sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04286460A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054276A (en) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Sony Corp | Solid state image sensor |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3074244A patent/JPH04286460A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054276A (en) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Sony Corp | Solid state image sensor |
JP4492250B2 (en) * | 2004-08-11 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | Solid-state image sensor |
US7812878B2 (en) | 2004-08-11 | 2010-10-12 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5004775B2 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
JP3120237B2 (en) | Image sensor | |
US6867806B1 (en) | Interlace overlap pixel design for high sensitivity CMOS image sensors | |
US6914227B2 (en) | Image sensing apparatus capable of outputting image by converting resolution by adding and reading out a plurality of pixels, its control method, and image sensing system | |
US20020036257A1 (en) | Image pickup apparatus | |
US7486320B2 (en) | Photoelectric conversion device and image pickup system using the photoelectric conversion device | |
JPH1084507A (en) | Active picture element image sensor and its manufacture | |
JP2003009003A (en) | Image pickup device and image pickup system | |
JPS58219889A (en) | Solid-state image pickup device | |
US6580455B1 (en) | High definition image sensor | |
JPH08264743A (en) | Solid state image sensor | |
JPH06178198A (en) | Solid state image pickup device | |
JPH04286460A (en) | Image sensor | |
JPH0461573A (en) | Picture element amplification solid-state image pickup element | |
US7199828B2 (en) | Active pixel sensor cell array | |
JPH09246517A (en) | Amplification-type solid image pickup element | |
JP3950726B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging system | |
JP7115067B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging system | |
JP3548244B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
US20230370750A1 (en) | Image sensor and operation method thereof | |
JPH06104418A (en) | Solid-state image sensing device | |
KR0121226Y1 (en) | Highly integrated and highly sensitive double hccd-double-amplifier structure | |
JPH02296470A (en) | Photoelectric converter | |
JP2934537B2 (en) | Image sensor output circuit | |
JPH0269081A (en) | Method for reading out solid-state image pickup device |