JPH04286177A - 半導体レーザ用サブマウント - Google Patents
半導体レーザ用サブマウントInfo
- Publication number
- JPH04286177A JPH04286177A JP7469891A JP7469891A JPH04286177A JP H04286177 A JPH04286177 A JP H04286177A JP 7469891 A JP7469891 A JP 7469891A JP 7469891 A JP7469891 A JP 7469891A JP H04286177 A JPH04286177 A JP H04286177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- submount
- plate
- diamond
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ用サブマ
ウントに関する。より詳細には、本発明は、半導体レー
ザを搭載するためのサブマウントであって、特に、半導
体レーザとの熱的な不整合を軽減した新規な半導体レー
ザ用サブマウントの構成に関する。
ウントに関する。より詳細には、本発明は、半導体レー
ザを搭載するためのサブマウントであって、特に、半導
体レーザとの熱的な不整合を軽減した新規な半導体レー
ザ用サブマウントの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩＩ−Ｖ族化合物であるＧａＡｓ等に
代表される化合物半導体により形成された半導体レーザ
は、動作中に半導体レーザ自体が発熱する。そこで、自
身の放熱性を向上させる目的と、その装置を構成する他
の素子への熱の影響を軽減する目的とで、サブマウント
と呼ばれる部材に搭載して実装される。
代表される化合物半導体により形成された半導体レーザ
は、動作中に半導体レーザ自体が発熱する。そこで、自
身の放熱性を向上させる目的と、その装置を構成する他
の素子への熱の影響を軽減する目的とで、サブマウント
と呼ばれる部材に搭載して実装される。
【０００３】図２は、従来の一般的なサブマウント１と
、そのサブマウント１上に実装された半導体レーザ２と
の構成を示す断面図である。
、そのサブマウント１上に実装された半導体レーザ２と
の構成を示す断面図である。
【０００４】同図に示すように、サブマウント１は、両
面にＡｕ鍍金層１２を備えた板状部材１１により構成さ
れている。板状部材１１の材料としては、ダイヤモンド
、Ｃｕ−Ｗ合金、シリコン等が知られている。
面にＡｕ鍍金層１２を備えた板状部材１１により構成さ
れている。板状部材１１の材料としては、ダイヤモンド
、Ｃｕ−Ｗ合金、シリコン等が知られている。
【０００５】一方、半導体レーザ２は、ｐ側電極２１、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２、ｎ型ブロック層２３、
ｐ型クラッド層２４、活性層２５、ｎ型クラッド層２６
、ｎ型ＧａＡｓ基板２７およびｎ側電極層２８を順次積
層した構成となっている。
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２、ｎ型ブロック層２３、
ｐ型クラッド層２４、活性層２５、ｎ型クラッド層２６
、ｎ型ＧａＡｓ基板２７およびｎ側電極層２８を順次積
層した構成となっている。
【０００６】以上のように構成された半導体レーザ２は
、サブマウント１上に熱間圧着により固定される。
、サブマウント１上に熱間圧着により固定される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２に示すようにして
使用されるサブマウント１において、その主要部材であ
る板状部材１１の材料はそれぞれ以下のような特徴を有
している。
使用されるサブマウント１において、その主要部材であ
る板状部材１１の材料はそれぞれ以下のような特徴を有
している。
【０００８】即ち、ダイヤモンドは、特に熱伝導性に優
れ、半導体レーザ２の発生する熱を速やかに拡散すると
いう点では極めて優れた材料である。しかしながら、ダ
イヤモンドの熱膨張率は、半導体レーザ２の主材料であ
るＧａＡｓの熱膨張率と大きく異なっている。このため
、熱間圧着により半導体レーザ２をサブマウント１上に
実装する際に、両者の熱的な不整合に起因する応力が発
生し、半導体レーザ２の信頼性が劣化するという問題が
ある。
れ、半導体レーザ２の発生する熱を速やかに拡散すると
いう点では極めて優れた材料である。しかしながら、ダ
イヤモンドの熱膨張率は、半導体レーザ２の主材料であ
るＧａＡｓの熱膨張率と大きく異なっている。このため
、熱間圧着により半導体レーザ２をサブマウント１上に
実装する際に、両者の熱的な不整合に起因する応力が発
生し、半導体レーザ２の信頼性が劣化するという問題が
ある。
【０００９】一方、Ｃｕ−Ｗ合金は、ＣｕとＷとの配合
比によって調整することにより、その熱膨張率をＧａＡ
ｓと実質的に等しくすることができる。従って、半導体
レーザと熱間圧着を行っても、半導体レーザに歪みが発
生することはない。しかしながら、Ｃｕ−Ｗ合金の熱伝
導率は、ダイヤモンドには遠く及ばず、放熱性が劣ると
いう点では、依然として半導体レーザの信頼性に寄与す
るものではない。
比によって調整することにより、その熱膨張率をＧａＡ
ｓと実質的に等しくすることができる。従って、半導体
レーザと熱間圧着を行っても、半導体レーザに歪みが発
生することはない。しかしながら、Ｃｕ−Ｗ合金の熱伝
導率は、ダイヤモンドには遠く及ばず、放熱性が劣ると
いう点では、依然として半導体レーザの信頼性に寄与す
るものではない。
【００１０】このように、従来のサブマウントでは、そ
の放熱路としての特性と、熱的な不整合とがトレードオ
フの関係にあり、理想的なサブマウントは未だ実現され
ていない。
の放熱路としての特性と、熱的な不整合とがトレードオ
フの関係にあり、理想的なサブマウントは未だ実現され
ていない。
【００１１】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、ＧａＡｓとの熱膨張率の整合性が高く、且つ
、熱伝導性にも優れた新規なサブマウントを提供するこ
とをその目的としている。
を解決し、ＧａＡｓとの熱膨張率の整合性が高く、且つ
、熱伝導性にも優れた新規なサブマウントを提供するこ
とをその目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
半導体レーザを搭載するための半導体レーザ用サブマウ
ントであって、半導体レーザと実質的に熱膨張率が等し
い材料により構成された第１の板状部材と、熱伝導性に
優れたダイヤモンドで構成された第２の板状部材とを備
え、前記第１の板状部材上に半導体レーザが実装される
ように、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材とを
互いに積層してなることを特徴とする半導体レーザ用の
サブマウントが提供される。
半導体レーザを搭載するための半導体レーザ用サブマウ
ントであって、半導体レーザと実質的に熱膨張率が等し
い材料により構成された第１の板状部材と、熱伝導性に
優れたダイヤモンドで構成された第２の板状部材とを備
え、前記第１の板状部材上に半導体レーザが実装される
ように、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材とを
互いに積層してなることを特徴とする半導体レーザ用の
サブマウントが提供される。
【００１３】
【作用】本発明に係るサブマウントは、ＧａＡｓ等の化
合物半導体と実質的に等しい熱膨張率を有する第１の板
状部材と、放熱性に優れたダイヤモンドにより形成され
た第２の板状部材との積層構造となっていることをその
主要な特徴としている。
合物半導体と実質的に等しい熱膨張率を有する第１の板
状部材と、放熱性に優れたダイヤモンドにより形成され
た第２の板状部材との積層構造となっていることをその
主要な特徴としている。
【００１４】従来のサブマウントは、その主要部分であ
る板状部材を単一の材料により形成していたので、材料
固有の問題点がそのままサブマウントの問題点として残
っていた。
る板状部材を単一の材料により形成していたので、材料
固有の問題点がそのままサブマウントの問題点として残
っていた。
【００１５】これに対して、本発明に係るサブマウント
は、半導体レーザと熱膨張率が等しい材料により構成さ
れた第１の板状部材と、熱伝導性に優れたダイヤモンド
により形成された第２の板状部材とを積層した構造とな
っており、半導体レーザは、第１の板状部材上に搭載さ
れる。
は、半導体レーザと熱膨張率が等しい材料により構成さ
れた第１の板状部材と、熱伝導性に優れたダイヤモンド
により形成された第２の板状部材とを積層した構造とな
っており、半導体レーザは、第１の板状部材上に搭載さ
れる。
【００１６】従って、熱間圧着に際して半導体レーザに
熱応力が作用することがなくなる一方、動作中に半導体
レーザの発生した熱は、第２の板状部材を介して良好に
拡散される。また、第１の板状部材と第２の板状部材と
の間の熱膨張率の不整合は、接合面積の広いサブマウン
ト内で吸収されるので、理想的な特性を有するサブマウ
ントが実現される。
熱応力が作用することがなくなる一方、動作中に半導体
レーザの発生した熱は、第２の板状部材を介して良好に
拡散される。また、第１の板状部材と第２の板状部材と
の間の熱膨張率の不整合は、接合面積の広いサブマウン
ト内で吸収されるので、理想的な特性を有するサブマウ
ントが実現される。
【００１７】尚、以上のように構成された本発明に係る
サブマウントは、半導体レーザの実装面が予め規定され
ている点を除けば、従来のサブマウントと全く同じよう
に取り扱うことができる。
サブマウントは、半導体レーザの実装面が予め規定され
ている点を除けば、従来のサブマウントと全く同じよう
に取り扱うことができる。
【００１８】また、上記各層の機能に鑑みて、第１の板
状部材は、熱間圧着時の影響を受ける範囲の厚さとすれ
ば良く、残余の厚さは、全てダイヤモンドで構成するこ
とが望ましい。また、第１の板状部材と第２の板状部材
との接合は、Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ合金等の公知の接合材料
を使用することができる。
状部材は、熱間圧着時の影響を受ける範囲の厚さとすれ
ば良く、残余の厚さは、全てダイヤモンドで構成するこ
とが望ましい。また、第１の板状部材と第２の板状部材
との接合は、Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ合金等の公知の接合材料
を使用することができる。
【００１９】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００２０】
【実施例】図１は、本発明に係るサブマウント１ａの具
体的な構成例を、半導体レーザ２を実装した状態で示す
断面図である。尚、ここで使用されている半導体レーザ
２は、図２において示した従来の半導体レーザ２と全く
同じものなので、各構成要素には図２と共通の参照番号
を付して、その説明は省略している。
体的な構成例を、半導体レーザ２を実装した状態で示す
断面図である。尚、ここで使用されている半導体レーザ
２は、図２において示した従来の半導体レーザ２と全く
同じものなので、各構成要素には図２と共通の参照番号
を付して、その説明は省略している。
【００２１】図１に示すように、ここで使用されている
サブマウント１ａは、接合材１３により一体に貼り合わ
された、第１および第２の板状部材１１ａ、１１ｂと、
その表裏に形成されたＡｕ鍍金層１２とから構成されて
いる。
サブマウント１ａは、接合材１３により一体に貼り合わ
された、第１および第２の板状部材１１ａ、１１ｂと、
その表裏に形成されたＡｕ鍍金層１２とから構成されて
いる。
【００２２】ここで、第１の板状部材１１ａは、半導体
レーザ２の材料であるＧａＡｓ基板２７か、サブマウン
ト１に直接接合されるｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１と
熱膨張率を一致させたＣｕ−Ｗ合金により形成されてい
る。また、第２の板状部材１１ｂは、熱伝導率の極めて
高いダイヤモンドにより形成されている。尚、第１およ
び第２の板状部材１１ａ、１１ｂを接合する接合部材１
３としてはＡｕ−Ｓｎ（Ａｕを７０％程度含有する）を
使用し、両者は熱間圧着により接合している。
レーザ２の材料であるＧａＡｓ基板２７か、サブマウン
ト１に直接接合されるｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１と
熱膨張率を一致させたＣｕ−Ｗ合金により形成されてい
る。また、第２の板状部材１１ｂは、熱伝導率の極めて
高いダイヤモンドにより形成されている。尚、第１およ
び第２の板状部材１１ａ、１１ｂを接合する接合部材１
３としてはＡｕ−Ｓｎ（Ａｕを７０％程度含有する）を
使用し、両者は熱間圧着により接合している。
【００２３】以上のように構成されたサブマウント１ａ
は、図１に示すように、Ｃｕ−Ｗ合金により形成された
第１の板状部材１１ａ上に、半導体レーザ２を実装して
使用される。実装方法としては、従来のサブマウントと
同様に、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を下にして、熱
間圧着により実装することができる。
は、図１に示すように、Ｃｕ−Ｗ合金により形成された
第１の板状部材１１ａ上に、半導体レーザ２を実装して
使用される。実装方法としては、従来のサブマウントと
同様に、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を下にして、熱
間圧着により実装することができる。
【００２４】尚、本実施例においてサブマウント１ａ上
に搭載した半導体レーザ２は、その幅×奥行×高さが、
それぞれ ０．４ｍｍ×０．２５ｍｍ×０．０７ｍｍの
半導体レーザであり、サブマウントは、その幅×奥行を
０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍとした。また、第１の板状
部材１１ａの厚さは０．１５ｍｍとし、第２の板状部材
１１ｂの厚さは ０．２ｍｍとした。また、第１の板状
部材１１ａの材料は、Ｃｕ：Ｗの比を１０：９０とした
。
に搭載した半導体レーザ２は、その幅×奥行×高さが、
それぞれ ０．４ｍｍ×０．２５ｍｍ×０．０７ｍｍの
半導体レーザであり、サブマウントは、その幅×奥行を
０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍとした。また、第１の板状
部材１１ａの厚さは０．１５ｍｍとし、第２の板状部材
１１ｂの厚さは ０．２ｍｍとした。また、第１の板状
部材１１ａの材料は、Ｃｕ：Ｗの比を１０：９０とした
。
【００２５】以上のように構成されたサブマウント１ａ
は、実装面側が、ＧａＡｓと熱膨張率の等しいＣｕ−Ｗ
合金の板状部材により構成されているので、半導体レー
ザ２の熱間圧着時に、半導体レーザ２に熱応力が発生す
ることがなく、半導体レーザの特性に最も影響の深い活
性層２５に対して作用する熱応力を解消することができ
る。また、サブマウント１ａの殆どの部分は熱伝導性に
優れたダイヤモンドにより形成されているので、半導体
レーザ２で発生した熱は、サブマウント１ａを介して速
やかにステムに伝導される。
は、実装面側が、ＧａＡｓと熱膨張率の等しいＣｕ−Ｗ
合金の板状部材により構成されているので、半導体レー
ザ２の熱間圧着時に、半導体レーザ２に熱応力が発生す
ることがなく、半導体レーザの特性に最も影響の深い活
性層２５に対して作用する熱応力を解消することができ
る。また、サブマウント１ａの殆どの部分は熱伝導性に
優れたダイヤモンドにより形成されているので、半導体
レーザ２で発生した熱は、サブマウント１ａを介して速
やかにステムに伝導される。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るサブ
マウントは、半導体レーザの実装面側が半導体レーザと
熱膨張率の等しい材料により構成されており、熱間圧着
により半導体レーザに熱応力が作用することがない。一
方、実装面と反対の側は、熱伝導率に優れたダイヤモン
ドにより構成されており、半導体レーザの発生した熱を
速やかに拡散する機能を有している。
マウントは、半導体レーザの実装面側が半導体レーザと
熱膨張率の等しい材料により構成されており、熱間圧着
により半導体レーザに熱応力が作用することがない。一
方、実装面と反対の側は、熱伝導率に優れたダイヤモン
ドにより構成されており、半導体レーザの発生した熱を
速やかに拡散する機能を有している。
【００２７】従って、接着時に半導体レーザに歪みが生
じることが無く、且つ、高出力動作時の放熱性に優れて
いるので、半導体レーザの信頼性が著しく向上される。
じることが無く、且つ、高出力動作時の放熱性に優れて
いるので、半導体レーザの信頼性が著しく向上される。
【００２８】このような本発明に係る半導体レーザ用サ
ブマウントは、特に、半導体レーザを高出力動作状態で
使用し、且つ、高い信頼性が要求される分野において有
利に使用することができる。
ブマウントは、特に、半導体レーザを高出力動作状態で
使用し、且つ、高い信頼性が要求される分野において有
利に使用することができる。
【図１】本発明に係るサブマウントの具体的な構成例を
、半導体レーザを実装した状態で示す断面図である
、半導体レーザを実装した状態で示す断面図である
【図
２】従来のサブマウントの典型的な構成を、半導体レー
ザを実装した状態で示す断面図である
２】従来のサブマウントの典型的な構成を、半導体レー
ザを実装した状態で示す断面図である
１ サブマウント、
１１ 板状部材、
１１ａ 板状部材（Ｃｕ−Ｗ合金）、１１ｂ
板状部材（ダイヤモンド）、１２ Ａｕ鍍金
層、 １３ 接合材、 ２ 半導体レーザ、 ２１ ｐ側電極、 ２２ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、２３
ｎ型ブロック層、 ２４ ｐ型クラッド層、 ２５ 活性層、 ２６ ｎ型クラッド層、 ２７ ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２８ およびｎ側電極層
板状部材（ダイヤモンド）、１２ Ａｕ鍍金
層、 １３ 接合材、 ２ 半導体レーザ、 ２１ ｐ側電極、 ２２ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、２３
ｎ型ブロック層、 ２４ ｐ型クラッド層、 ２５ 活性層、 ２６ ｎ型クラッド層、 ２７ ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２８ およびｎ側電極層
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザを搭載するための半導体レー
ザ用サブマウントであって、半導体レーザと実質的に熱
膨張率が等しい材料により構成された第１の板状部材と
、熱伝導性に優れたダイヤモンドで構成された第２の板
状部材とを備え、前記第１の板状部材上に半導体レーザ
が実装されるように、前記第１の板状部材と前記第２の
板状部材とを互いに積層してなることを特徴とする半導
体レーザ用のサブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7469891A JPH04286177A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7469891A JPH04286177A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286177A true JPH04286177A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=13554708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7469891A Withdrawn JPH04286177A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286177A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0766354A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Laserdiodenbauelement mit Wärmesenke |
| US7653098B2 (en) | 2007-11-26 | 2010-01-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2010278364A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
| JP2018508979A (ja) * | 2015-02-18 | 2018-03-29 | ツーシックス、インコーポレイテッドＩｉ−Ｖｉ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 間隔が密なレーザダイオードの構成 |
| JP2018173626A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-08 | 三菱電機株式会社 | 光集積回路および干渉計の最大透過波長を調整する方法 |
| US11418004B2 (en) | 2016-07-22 | 2022-08-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Element structure and light-emitting device |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP7469891A patent/JPH04286177A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0766354A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Laserdiodenbauelement mit Wärmesenke |
| US5812570A (en) * | 1995-09-29 | 1998-09-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Laser diode component with heat sink and method of producing a plurality of laser diode components |
| US7653098B2 (en) | 2007-11-26 | 2010-01-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2010278364A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
| JP2018508979A (ja) * | 2015-02-18 | 2018-03-29 | ツーシックス、インコーポレイテッドＩｉ−Ｖｉ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 間隔が密なレーザダイオードの構成 |
| US11418004B2 (en) | 2016-07-22 | 2022-08-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Element structure and light-emitting device |
| JP2018173626A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-08 | 三菱電機株式会社 | 光集積回路および干渉計の最大透過波長を調整する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100688317B1 (ko) | 반도체 발광소자, 그 제조방법 및 탑재기판 | |
| US7801190B2 (en) | Carrier for a vertical arrangement of laser diodes with a stop | |
| US6954034B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP2001168442A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板 | |
| JPH1051065A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2006344743A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4811629B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04286177A (ja) | 半導体レーザ用サブマウント | |
| JPH11307875A (ja) | 電子装置 | |
| WO2019163276A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2000261088A (ja) | 発光素子 | |
| JP2002009385A (ja) | 大出力ダイオードレーザバーの接触方法、並びに、熱的に副次的な機能を有する電気的な接触部を備えた大出力ダイオードレーザバー・接触部・装置 | |
| US20100046563A1 (en) | Multibeam laser diode | |
| WO2001065614A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| US6870866B2 (en) | Powerpack laser diode assemblies | |
| JP2002299744A (ja) | 半導体レーザアセンブリ | |
| JPH10308560A (ja) | 半導体発光素子および発光装置 | |
| JPH0537089A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US8121163B2 (en) | Semiconductor laser diode apparatus and method of fabricating the same | |
| JPH0429374A (ja) | 面出射型半導体発光素子およびその作製方法 | |
| JPH04286178A (ja) | 半導体レーザ用ヒートシンク | |
| US7123640B2 (en) | Nitride semiconductor laser device chip and laser apparatus including the same | |
| JPH11214791A (ja) | 光デバイスの組立構造 | |
| TWI411183B (zh) | 雷射二極體元件 | |
| JP2003258365A (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |