JPH04277643A - 透明基板の光学的検査装置 - Google Patents
透明基板の光学的検査装置Info
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- JPH04277643A JPH04277643A JP3039871A JP3987191A JPH04277643A JP H04277643 A JPH04277643 A JP H04277643A JP 3039871 A JP3039871 A JP 3039871A JP 3987191 A JP3987191 A JP 3987191A JP H04277643 A JPH04277643 A JP H04277643A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明基板の表面を光ス
ポットの走査により検査するための光学的検査装置に関
する。
ポットの走査により検査するための光学的検査装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の製造工程における
光リソグラフィ用のパターンを備えたレチクルやマスク
は、極めて清浄な状態で露光に使用される必要があり、
そのため表面上のゴミやホコリを完全に除去することが
必要である。このためにゴミやホコリ等の検査装置とし
て、被検物体の表面上でレーザスポットを斜めから照射
して走査させ、ゴミやホコリ等により散乱される光を検
出する装置が用いられている。
半導体の製造工程における
光リソグラフィ用のパターンを備えたレチクルやマスク
は、極めて清浄な状態で露光に使用される必要があり、
そのため表面上のゴミやホコリを完全に除去することが
必要である。このためにゴミやホコリ等の検査装置とし
て、被検物体の表面上でレーザスポットを斜めから照射
して走査させ、ゴミやホコリ等により散乱される光を検
出する装置が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが従来の装置に
おいては、レチクル（マスク）が透明であるため、表面
の検査の際に、裏面上の形成された所定のパターンによ
る散乱光が迷光として検出系に混入して、誤検出の原因
となり、検出精度を低下させるという問題があった。
おいては、レチクル（マスク）が透明であるため、表面
の検査の際に、裏面上の形成された所定のパターンによ
る散乱光が迷光として検出系に混入して、誤検出の原因
となり、検出精度を低下させるという問題があった。
【０００４】そこで本発明は、このような問題点に鑑み
てなされたもので、レチクルやマスク等の透明基板の表
面検査に際して、裏面での散乱光の影響を極力少なくし
て高い検出精度を有する検査装置を提供することを目的
とする。
てなされたもので、レチクルやマスク等の透明基板の表
面検査に際して、裏面での散乱光の影響を極力少なくし
て高い検出精度を有する検査装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上記問題点解決の為に本発
明では、基本的には図１の断面光路図に示す如く、被検
透明基板５０上に光スポットを形成して所定の方向（図
１では紙面に垂直方向）で走査するための照射光学系１
０と、該被検透明基板５０上表面からの反射散乱光を検
出するための検出光学系２０とを有する光学的検査装置
において、前記検出光学系２０として、被検透明基板５
０上の光スポットの像を形成するための受光対物レンズ
２１と、該受光対物レンズ２１の像面上にて前記光スポ
ットの走査軌跡と共役なスリット開口２４を有する遮光
板２３と、該遮光板２３のスリット開口２４を通過する
光を検出する光検出手段６０とを設け、被検透明基板５
０上において検出光学系２０の光軸Ａｘ２０を前記照射
光学系１０の光軸Ａｘ１０と同一方向に傾斜させたもの
である。ここで、被検透明基板５０表面からの散乱光が
受光対物レンズ２２により集光され、スリット開口２４
を通して検出される。そして、照射光学系１０光軸の傾
斜角Ａ、検出光学系２０光軸の傾斜角Ｂ、受光対物レン
ズ２１の倍率及び前記スリット２４の幅は、前記被検透
明基板の裏面からの散乱光が該スリット内に入射しない
ように組み合わせて構成したものである。
明では、基本的には図１の断面光路図に示す如く、被検
透明基板５０上に光スポットを形成して所定の方向（図
１では紙面に垂直方向）で走査するための照射光学系１
０と、該被検透明基板５０上表面からの反射散乱光を検
出するための検出光学系２０とを有する光学的検査装置
において、前記検出光学系２０として、被検透明基板５
０上の光スポットの像を形成するための受光対物レンズ
２１と、該受光対物レンズ２１の像面上にて前記光スポ
ットの走査軌跡と共役なスリット開口２４を有する遮光
板２３と、該遮光板２３のスリット開口２４を通過する
光を検出する光検出手段６０とを設け、被検透明基板５
０上において検出光学系２０の光軸Ａｘ２０を前記照射
光学系１０の光軸Ａｘ１０と同一方向に傾斜させたもの
である。ここで、被検透明基板５０表面からの散乱光が
受光対物レンズ２２により集光され、スリット開口２４
を通して検出される。そして、照射光学系１０光軸の傾
斜角Ａ、検出光学系２０光軸の傾斜角Ｂ、受光対物レン
ズ２１の倍率及び前記スリット２４の幅は、前記被検透
明基板の裏面からの散乱光が該スリット内に入射しない
ように組み合わせて構成したものである。
【０００６】また、上記の基本構成において、検出光学
系２０は、照射光学系１０の光軸を挟んで、前記光スポ
ットの走査方向に偏芯して並列配置された２つの受光対
物レンズを有する構成とすることが好ましい。
系２０は、照射光学系１０の光軸を挟んで、前記光スポ
ットの走査方向に偏芯して並列配置された２つの受光対
物レンズを有する構成とすることが好ましい。
【０００７】
【作用】図１に示した如く、被検透明基板５０上におい
て検出光学系２０の光軸Ａｘ２０を前記照射光学系１０
の光軸Ａｘ１０と同一方向に傾斜させた構成における、
具体的な構成を図２を用いて説明する。図２は照射光学
系により被検透明基板５０の表面５０ａ 上に形成され
る光スポットを中心として、照射ビーム１００ と受光
ビーム２００ との様子を示した概略断面の拡大図であ
る。被検透明基板５０の上面５０ａ 上に集光された光
スポットは、被検透明基板５０内で屈折し、裏面５０ｂ
に達し、ここに形成されたパターン面からの散乱光が
発生する。この散乱光のうち、検出光学系に入射して最
も大きな影響を与える恐れがある光は、検出光学系の光
軸Ａｘ２０にほぼ平行で被検透明基板５０表面５０ａ
上にて受光ビーム２００ に最も近い位置に到達する光
線３０である。
て検出光学系２０の光軸Ａｘ２０を前記照射光学系１０
の光軸Ａｘ１０と同一方向に傾斜させた構成における、
具体的な構成を図２を用いて説明する。図２は照射光学
系により被検透明基板５０の表面５０ａ 上に形成され
る光スポットを中心として、照射ビーム１００ と受光
ビーム２００ との様子を示した概略断面の拡大図であ
る。被検透明基板５０の上面５０ａ 上に集光された光
スポットは、被検透明基板５０内で屈折し、裏面５０ｂ
に達し、ここに形成されたパターン面からの散乱光が
発生する。この散乱光のうち、検出光学系に入射して最
も大きな影響を与える恐れがある光は、検出光学系の光
軸Ａｘ２０にほぼ平行で被検透明基板５０表面５０ａ
上にて受光ビーム２００ に最も近い位置に到達する光
線３０である。
【０００８】図２に示すように、照射光学系１０のビー
ム照射角すわなち照射光学系光軸と被検面法線との角度
Ａ、検出光学系２０のビーム受光角すわなち検出光学系
光軸と被検面法線との角度Ｂ、受光対物レンズ２１の倍
率及び前記スリット２４の幅に関して、被検透明基板５
０の裏面５０ｂ から生ずる迷光を遮光する為の条件に
ついて説明する。
ム照射角すわなち照射光学系光軸と被検面法線との角度
Ａ、検出光学系２０のビーム受光角すわなち検出光学系
光軸と被検面法線との角度Ｂ、受光対物レンズ２１の倍
率及び前記スリット２４の幅に関して、被検透明基板５
０の裏面５０ｂ から生ずる迷光を遮光する為の条件に
ついて説明する。
【０００９】被検透明基板５０の裏面での散乱光が迷光
とならない条件は、受光光学系２０のスリット開口２４
に到達できない条件であり、散乱光３０が被検透明基板
５０から空気中に射出する時の位置と光スポット位置と
の距離Δが、スリット幅δに受光対物レンズによる倍率
Ｍ（実際の光線の向きとは逆に、スリットが被検透明物
体上に投影される倍率）を掛けたものより大きくなるこ
とである。このとき、スリット幅δは、受光対物レンズ
の収差によるスポットの拡がりを考慮して決定されるこ
とが望ましい。
とならない条件は、受光光学系２０のスリット開口２４
に到達できない条件であり、散乱光３０が被検透明基板
５０から空気中に射出する時の位置と光スポット位置と
の距離Δが、スリット幅δに受光対物レンズによる倍率
Ｍ（実際の光線の向きとは逆に、スリットが被検透明物
体上に投影される倍率）を掛けたものより大きくなるこ
とである。このとき、スリット幅δは、受光対物レンズ
の収差によるスポットの拡がりを考慮して決定されるこ
とが望ましい。
【００１０】ここで、受光対物レンズ２２のスリット開
口２４と被検透明基板表面５０ａ 間の倍率Ｍ、及びス
リット幅δに対して、被検透明基板表面５０ａ 上での
スリット開口の幅はＭδに相当する。図２で照射光学系
１０による集光スポットの開口数、即ち集光対物レンズ
１１の開口数ＮＡ１ 、受光対物レンズ２２の被検透明
基板５０側開口数ＮＡ２ については、以下の関係が成
り立つ。
口２４と被検透明基板表面５０ａ 間の倍率Ｍ、及びス
リット幅δに対して、被検透明基板表面５０ａ 上での
スリット開口の幅はＭδに相当する。図２で照射光学系
１０による集光スポットの開口数、即ち集光対物レンズ
１１の開口数ＮＡ１ 、受光対物レンズ２２の被検透明
基板５０側開口数ＮＡ２ については、以下の関係が成
り立つ。
【００１１】α ＝ Ａ − ｓｉｎ−１ＮＡ１
■β ＝ Ｂ ＋ ｓｉｎ−１Ｎ
Ａ２ ■ここで、α、βはそれぞれ、
照射ビーム内の最大角度の光の入射角、及び受光ビーム
内の最大角度の光の射出角であり、α’、β’はそれぞ
れの被検透明基板５０内での屈折角である。従って、 ｎｓｉｎ α’＝ｓｉｎ α
■ｎｓｉｎ β’＝ｓｉｎ β
■の関係が成立しており、散乱光３０が被検
透明基板５０から空気中に射出する時の位置と光スポッ
ト位置との距離Δは、 Δ＝ｄ（ｔａｎ α’− ｔａｎ β’） ■
と与えられる。
■β ＝ Ｂ ＋ ｓｉｎ−１Ｎ
Ａ２ ■ここで、α、βはそれぞれ、
照射ビーム内の最大角度の光の入射角、及び受光ビーム
内の最大角度の光の射出角であり、α’、β’はそれぞ
れの被検透明基板５０内での屈折角である。従って、 ｎｓｉｎ α’＝ｓｉｎ α
■ｎｓｉｎ β’＝ｓｉｎ β
■の関係が成立しており、散乱光３０が被検
透明基板５０から空気中に射出する時の位置と光スポッ
ト位置との距離Δは、 Δ＝ｄ（ｔａｎ α’− ｔａｎ β’） ■
と与えられる。
【００１２】ここで、最も大きな影響を生ずる恐れのあ
る散乱光線３０の射出角をβと考えれば、受光光学系か
ら見た照射スポットとの距離は、Δｃｏｓβとなる。従
って、被検透明基板５０の裏面での散乱光が迷光となら
ない条件、即ち受光光学系２０のスリット開口２４に到
達できない条件は、 Δｃｏｓ β ≧ Ｍδ となる。
る散乱光線３０の射出角をβと考えれば、受光光学系か
ら見た照射スポットとの距離は、Δｃｏｓβとなる。従
って、被検透明基板５０の裏面での散乱光が迷光となら
ない条件、即ち受光光学系２０のスリット開口２４に到
達できない条件は、 Δｃｏｓ β ≧ Ｍδ となる。
【００１３】いま、■式を用いて書換えれば、α（ｔａ
ｎ α’−ｔａｎ β’）ｃｏｓ β≧Ｍδ ■
となり、この■式が迷光を除くための条件を与える。計
算の都合上■式において、ｃｏｓ βをｃｏｓ β’に
置き換えると ｄ（ｔａｎ α’−ｔａｎ β’）ｃｏｓ β’＞ｄ（
ｔａｎ α’ −ｔａｎ β’）ｃｏｓ β≧Ｍδ
■ ｔａｎ α’ｃｏｓ β’−ｓｉｎ β’≧
Ｍδ／ｄ
ｎ α’−ｔａｎ β’）ｃｏｓ β≧Ｍδ ■
となり、この■式が迷光を除くための条件を与える。計
算の都合上■式において、ｃｏｓ βをｃｏｓ β’に
置き換えると ｄ（ｔａｎ α’−ｔａｎ β’）ｃｏｓ β’＞ｄ（
ｔａｎ α’ −ｔａｎ β’）ｃｏｓ β≧Ｍδ
■ ｔａｎ α’ｃｏｓ β’−ｓｉｎ β’≧
Ｍδ／ｄ
【００１４】
【数２】
【００１５】ここで、■式を用いて書き直せば、満たす
べき条件は、
べき条件は、
【００１６】
【数３】
【００１７】となる。パターンからの迷光を小さくする
為には、検出光学系の射出角Ｂを照射光学系によるビー
ム入射側と同じ側にとり、しかも可能な限り大きくとる
ことが望ましい。その為には■式よりα、ｎ、ｄ一定の
条件下ではＭδを小さくすればよいことになる。
為には、検出光学系の射出角Ｂを照射光学系によるビー
ム入射側と同じ側にとり、しかも可能な限り大きくとる
ことが望ましい。その為には■式よりα、ｎ、ｄ一定の
条件下ではＭδを小さくすればよいことになる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。好
適な実施例の基本構成は、前述した第１図の断面光路図
に示すとおりであり、光源手段４０からのレーザ光が対
物レンズ１１及び反射鏡１２を介して被検透明基板５０
上に集光さる。被検透明基板５０からの散乱光は、反射
鏡２１を介して受光対物レンズ２２により遮光板２３の
スポット開口２４上に集光され、フィールドレンズ２５
を介して検出手段６０により光電検出される。
適な実施例の基本構成は、前述した第１図の断面光路図
に示すとおりであり、光源手段４０からのレーザ光が対
物レンズ１１及び反射鏡１２を介して被検透明基板５０
上に集光さる。被検透明基板５０からの散乱光は、反射
鏡２１を介して受光対物レンズ２２により遮光板２３の
スポット開口２４上に集光され、フィールドレンズ２５
を介して検出手段６０により光電検出される。
【００１９】図３は本発明の実施例の構成を示す斜視図
である。レーザ光源４１から供給されるビームは、振動
ミラー４２で偏向され、照射対物レンズとしてのｆθレ
ンズ１１によって、被検透明基板としての被検レチクル
５０上の表面５０ａ 上にレーザスポットを形成し、振
動ミラー４２の振動に伴って軌跡５１が描かれる。反射
鏡１２及び１３は光路を屈曲して所定の照射角Ａでビー
ムを照射するための機能を有している。そして、照射光
学系の光軸Ａｘ２０ｂ を挟んで、一対の検出光学系が
並列かつ対象に配置されている。各検出光学系は図１に
示したのと同様の基本構成を有している。具体的には、
被検レチクル５０の表面５０ａ 上のゴミやホコリ等の
異物からの散乱光２００ は、反射鏡２１で反射された
後受光対物レンズ２２ａ，２２ｂ により遮光板２３ａ
，２３ｂ のスリット開口２４ａ，２４ｂ 上に集光さ
れ、フィールドレンズ２５ａ，２５ｂ を通して光電検
出器６０ａ，６０ｂ によって光電検出される。ここで
、検出光学系の反射鏡２２は、検出光学系の受光角度Ｂ
を前述した条件を満たすように適切な角度に配置されて
いる。そして、この構成においても、各遮光板のスリッ
ト開口２４ａ，２４ｂ が被検透明基板表面５０ａ 上
のレーザスポット軌跡５１と共役なのは言うまでもない
。
である。レーザ光源４１から供給されるビームは、振動
ミラー４２で偏向され、照射対物レンズとしてのｆθレ
ンズ１１によって、被検透明基板としての被検レチクル
５０上の表面５０ａ 上にレーザスポットを形成し、振
動ミラー４２の振動に伴って軌跡５１が描かれる。反射
鏡１２及び１３は光路を屈曲して所定の照射角Ａでビー
ムを照射するための機能を有している。そして、照射光
学系の光軸Ａｘ２０ｂ を挟んで、一対の検出光学系が
並列かつ対象に配置されている。各検出光学系は図１に
示したのと同様の基本構成を有している。具体的には、
被検レチクル５０の表面５０ａ 上のゴミやホコリ等の
異物からの散乱光２００ は、反射鏡２１で反射された
後受光対物レンズ２２ａ，２２ｂ により遮光板２３ａ
，２３ｂ のスリット開口２４ａ，２４ｂ 上に集光さ
れ、フィールドレンズ２５ａ，２５ｂ を通して光電検
出器６０ａ，６０ｂ によって光電検出される。ここで
、検出光学系の反射鏡２２は、検出光学系の受光角度Ｂ
を前述した条件を満たすように適切な角度に配置されて
いる。そして、この構成においても、各遮光板のスリッ
ト開口２４ａ，２４ｂ が被検透明基板表面５０ａ 上
のレーザスポット軌跡５１と共役なのは言うまでもない
。
【００２０】被検透明基板５０の裏面での散乱光が迷光
とならない為に、前述した■式よりα、ｎ、ｄ一定の条
件下ではＭδを小さくすればよいのであるが、実際上ス
リット幅δは、受光対物レンズの収差による拡がりて決
まり、その値を小さくすることは困難である。このため
、受光対物レンズによる結像倍率Ｍを小さくすれば良い
ことになるが、スリットの長さが長くなるため、走査軌
跡と受光対物レンズの大きさとの関係から、実用的には
、Ｍ≧２．５ 程度とすることが好ましい。
とならない為に、前述した■式よりα、ｎ、ｄ一定の条
件下ではＭδを小さくすればよいのであるが、実際上ス
リット幅δは、受光対物レンズの収差による拡がりて決
まり、その値を小さくすることは困難である。このため
、受光対物レンズによる結像倍率Ｍを小さくすれば良い
ことになるが、スリットの長さが長くなるため、走査軌
跡と受光対物レンズの大きさとの関係から、実用的には
、Ｍ≧２．５ 程度とすることが好ましい。
【００２１】すなわち、このような比較的小さい倍率範
囲においては、レチクル側の開口数を一定とした場合、
スリット側の開口数が小さくなり、スリット長は長くな
るものの、収差によるスポットの拡がりをより小さくす
ることができるのでスリット幅を小さくすることが可能
となり、迷光をより良好に除去することが可能となり、
相乗効果を生ずる。
囲においては、レチクル側の開口数を一定とした場合、
スリット側の開口数が小さくなり、スリット長は長くな
るものの、収差によるスポットの拡がりをより小さくす
ることができるのでスリット幅を小さくすることが可能
となり、迷光をより良好に除去することが可能となり、
相乗効果を生ずる。
【００２２】このような観点から求められた好適な数値
例は以下のとおりである。 Ａ＝４５°、ＮＡ１ ＝０．０３５７（Ｆ／１４に相当
）、ｄ＝２．３ 、ｎ＝１．５ 、Ｍ＝３．５ 、δ＝
０．２のときβ’≒１１．３° と求められる。従っ
て、受光ビーム内の最大角度β＝１７．１°となり、検
出光学系により集光されるべきビームの射出角、即ち検
出光学系の光軸の傾き角は、Ｂ＝１４．２°となる。こ
れらはほぼ前述の条件■を満足している。
例は以下のとおりである。 Ａ＝４５°、ＮＡ１ ＝０．０３５７（Ｆ／１４に相当
）、ｄ＝２．３ 、ｎ＝１．５ 、Ｍ＝３．５ 、δ＝
０．２のときβ’≒１１．３° と求められる。従っ
て、受光ビーム内の最大角度β＝１７．１°となり、検
出光学系により集光されるべきビームの射出角、即ち検
出光学系の光軸の傾き角は、Ｂ＝１４．２°となる。こ
れらはほぼ前述の条件■を満足している。
【００２３】また、一般に被検透明基板の裏面５０ｂ
からの散乱光のうち、ビームスポットの走査軌跡に垂直
な方向の光の散乱光強度が強く迷光になり易い傾向にあ
るが、上記の構成においては、照射光学系１０の光軸を
挟んで、光スポットの走査方向に偏芯して並列に対象に
配置された２つの受光対物レンズを有する構成として、
検出光学系を二組持っていることにより、検出精度の向
上が可能である。すなわち、被検透明基板５０上のゴミ
やホコリ等の異物からの散乱光はほぼ一様であるから、
並列に対象配置した二組の検出光学系による検出信号の
アンドを取る等、両者の信号を比較することによって、
迷光によるノイズを取り除くことがで容易となるのであ
る。
からの散乱光のうち、ビームスポットの走査軌跡に垂直
な方向の光の散乱光強度が強く迷光になり易い傾向にあ
るが、上記の構成においては、照射光学系１０の光軸を
挟んで、光スポットの走査方向に偏芯して並列に対象に
配置された２つの受光対物レンズを有する構成として、
検出光学系を二組持っていることにより、検出精度の向
上が可能である。すなわち、被検透明基板５０上のゴミ
やホコリ等の異物からの散乱光はほぼ一様であるから、
並列に対象配置した二組の検出光学系による検出信号の
アンドを取る等、両者の信号を比較することによって、
迷光によるノイズを取り除くことがで容易となるのであ
る。
【００２４】尚、本実施例の構成においては、被検透明
基板５０としてのレチクルの厚さが変化した場合には、
受光対物レンズの光軸方向の移動によりピント合わせを
行い、また遮光板を偏芯移動させてスリット開口の位置
を調整することによって、対応することが可能である。
基板５０としてのレチクルの厚さが変化した場合には、
受光対物レンズの光軸方向の移動によりピント合わせを
行い、また遮光板を偏芯移動させてスリット開口の位置
を調整することによって、対応することが可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明の検査装置によれば
、被検透明物体としてのレチクル等の表面検査の時に、
裏面に形成されたパターンから発生する迷光を良好に遮
光することができるので、Ｓ／Ｎが高く誤検出の少ない
検査が可能となる。
、被検透明物体としてのレチクル等の表面検査の時に、
裏面に形成されたパターンから発生する迷光を良好に遮
光することができるので、Ｓ／Ｎが高く誤検出の少ない
検査が可能となる。
【図１】本発明による検査装置の基本構成を示す断面光
路図。
路図。
【図２】本発明における条件を説明するための拡大光路
図。
図。
【図３】本発明による実施例の構成を示す斜視図。
１０…照射光学系
２０…検出光学系
５０…被検透明基板
５１…スポット走査軌跡
２２…受光対物レンズ
２４…スリット開口
２５…フィールドレンズ
６０…検出手段
Claims (3)
- 【請求項１】被検透明基板上に光スポットを形成して所
定の方向で走査するための照射光学系と、該被検透明基
板上表面からの反射散乱光を検出するための検出光学系
とを有する光学的検査装置において、前記検出光学系は
前記被検透明基板上の光スポットの像を形成するための
受光対物レンズと、該受光対物レンズの像面上にて前記
光スポットの走査軌跡と共役なスリット開口を有する遮
光板と、該遮光板のスリット開口を通過する光を検出す
る光検出手段とを有し、前記被検透明基板上において前
記検出光学系の光軸は前記照射光学系の光軸と同一方向
に傾斜し、照射光学系１０のビーム照射角、該検出光学
系のビーム入射角、前記受光光学系の受光対物レンズの
倍率及び前記スリットの幅は、前記被検透明基板の裏面
からの散乱光が該スリット内に入射しないように構成さ
れていることを特徴とする透明基板の光学的検査装置。 - 【請求項２】前記照射光学系による光スポットの前記被
検透明基板表面への入射角をＡ、該照射光学系の被検透
明基板側の開口数をＮＡ１ 、前記検出光学系の受光角
度をＢ、前記受光対物レンズの被検透明基板側の開口数
をＮＡ２ 、前記スリットの幅をδ、前記受光光学系に
よる前記スリット開口と前記被検透明基板との間の結像
倍率をＭ、前記被検透明基板の厚さをｄ、屈折率をｎと
するとき、 【数１】 の条件を満たすことを特徴とする請求項１記載の透明基
板の光学的検査装置。 - 【請求項３】前記受光光学系は、前記照射光学系の光軸
を挟んで、前記光スポットの走査方向に偏芯して並列配
置された２つの受光対物レンズを有することを特徴とす
る請求項１乃至２記載の透明基板の光学的検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03039871A JP3106521B2 (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 透明基板の光学的検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03039871A JP3106521B2 (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 透明基板の光学的検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277643A true JPH04277643A (ja) | 1992-10-02 |
| JP3106521B2 JP3106521B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=12565046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03039871A Expired - Fee Related JP3106521B2 (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 透明基板の光学的検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3106521B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509667A (ja) * | 1999-09-16 | 2003-03-11 | エムケーエス インストゥルメンツ インコーポレーテッド | 層および表面特性の光学測定方法およびその装置 |
| JP2008292171A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Toray Ind Inc | 表面検査装置、表面検査方法および高分子フィルム表面検査方法 |
| JP2014044094A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査方法及び装置 |
| CN112469985A (zh) * | 2018-07-26 | 2021-03-09 | 株式会社岛津制作所 | 光散射检测装置 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP03039871A patent/JP3106521B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509667A (ja) * | 1999-09-16 | 2003-03-11 | エムケーエス インストゥルメンツ インコーポレーテッド | 層および表面特性の光学測定方法およびその装置 |
| JP2008292171A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Toray Ind Inc | 表面検査装置、表面検査方法および高分子フィルム表面検査方法 |
| JP2014044094A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査方法及び装置 |
| CN112469985A (zh) * | 2018-07-26 | 2021-03-09 | 株式会社岛津制作所 | 光散射检测装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3106521B2 (ja) | 2000-11-06 |
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