JPH04272640A - 集束イオンビームエッチング装置 - Google Patents
集束イオンビームエッチング装置Info
- Publication number
- JPH04272640A JPH04272640A JP3030737A JP3073791A JPH04272640A JP H04272640 A JPH04272640 A JP H04272640A JP 3030737 A JP3030737 A JP 3030737A JP 3073791 A JP3073791 A JP 3073791A JP H04272640 A JPH04272640 A JP H04272640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- ion beam
- focused ion
- ions
- ion source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 4
- KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 1-[(1R)-1-(2,4-dichlorophenyl)ethyl]-6-[(4S,5R)-4-[(2S)-2-(hydroxymethyl)pyrrolidin-1-yl]-5-methylcyclohexen-1-yl]pyrazolo[3,4-b]pyrazine-3-carbonitrile Chemical class ClC1=C(C=CC(=C1)Cl)[C@@H](C)N1N=C(C=2C1=NC(=CN=2)C1=CC[C@@H]([C@@H](C1)C)N1[C@@H](CCC1)CO)C#N KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 229940125877 compound 31 Drugs 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス作成に
おける加工、修正などに使用される集束イオンビームエ
ッチング装置に関する。
おける加工、修正などに使用される集束イオンビームエ
ッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の集束イオンビームエッチング装置
は、図３に示されるような構成になつている。すなわち
、本装置は、真空排気系４０により真空排気されたエッ
チング室４１内にガス導入系４２よりエッチング用のガ
ス、例えば塩素ガスを導入し、同エッチング室４１内に
置いた被加工対象である試料４３に吹き付け、同時に、
集束イオンビームカラム４４より集束イオンビーム４５
を照射することにより、エッチングを行う。
は、図３に示されるような構成になつている。すなわち
、本装置は、真空排気系４０により真空排気されたエッ
チング室４１内にガス導入系４２よりエッチング用のガ
ス、例えば塩素ガスを導入し、同エッチング室４１内に
置いた被加工対象である試料４３に吹き付け、同時に、
集束イオンビームカラム４４より集束イオンビーム４５
を照射することにより、エッチングを行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の集束
イオンビーム装置においては、塩素ガス等のエッチング
用ガスを試料室に導入するため、試料の加工しない部分
と試料室内もガスにさらされ試料を汚染し、また、エッ
チング室内壁も反応性ガスにさらされ、これらをも汚染
することがある。また、加速されたイオンによる照射損
傷が生じ易い。さらには、大量のエッチングガスを排気
するため、排気装置にも悪影響を与えるといった問題が
あった。
イオンビーム装置においては、塩素ガス等のエッチング
用ガスを試料室に導入するため、試料の加工しない部分
と試料室内もガスにさらされ試料を汚染し、また、エッ
チング室内壁も反応性ガスにさらされ、これらをも汚染
することがある。また、加速されたイオンによる照射損
傷が生じ易い。さらには、大量のエッチングガスを排気
するため、排気装置にも悪影響を与えるといった問題が
あった。
【０００４】本発明は上述した問題点を解決するもので
、エッチング作用を持つ化合物を含む含浸電極形イオン
源を用い、エッチング作用を有するイオンのみを試料に
照射し、エッチングを行うようにしたことにより、試料
および試料室内の汚染を防止すると共に照射損傷を防止
することができる集束イオンビームエッチング装置を提
供することを目的とする。
、エッチング作用を持つ化合物を含む含浸電極形イオン
源を用い、エッチング作用を有するイオンのみを試料に
照射し、エッチングを行うようにしたことにより、試料
および試料室内の汚染を防止すると共に照射損傷を防止
することができる集束イオンビームエッチング装置を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、エッチングに関与する粒子を含む化合物を
つめた含浸電極形イオン源を用い、このイオン源よりエ
ッチング作用を持つイオンをイオンビーム引き出し手段
により引き出し被加工対象に照射するようにしたもので
ある。
に本発明は、エッチングに関与する粒子を含む化合物を
つめた含浸電極形イオン源を用い、このイオン源よりエ
ッチング作用を持つイオンをイオンビーム引き出し手段
により引き出し被加工対象に照射するようにしたもので
ある。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、含浸電極形イオン源から
エッチング作用を持つイオンを引き出し、このイオンビ
ームを集束すると共に、被加工対象に所定パターンで照
射して、エッチングすることができる。
エッチング作用を持つイオンを引き出し、このイオンビ
ームを集束すると共に、被加工対象に所定パターンで照
射して、エッチングすることができる。
【０００７】
【実施例】本発明による微細エッチング用集束イオンビ
ーム装置の実施例を図１、図２を用いて説明する。この
集束イオンビームエッチング装置は、二点鎖線で示す真
空チャンバ１内に、エッチングに関与する粒子を含む化
合物をつめた含浸電極形イオン源１１、このイオン源１
１よりイオンを引き出す引き出し電極１２、引き出した
イオンを集束してビームとする静電型レンズ１３ａおよ
び１３ｂ、マスフィルタ１４、集束イオンビームを被加
工対象に所定パターンで照射するための偏向電極１５、
集束イオンビームを所定のエネルギーに減速するための
減速電極１６、および被加工対象である基板１０を取付
けるためのサンプルステージ１７等が設けられている。
ーム装置の実施例を図１、図２を用いて説明する。この
集束イオンビームエッチング装置は、二点鎖線で示す真
空チャンバ１内に、エッチングに関与する粒子を含む化
合物をつめた含浸電極形イオン源１１、このイオン源１
１よりイオンを引き出す引き出し電極１２、引き出した
イオンを集束してビームとする静電型レンズ１３ａおよ
び１３ｂ、マスフィルタ１４、集束イオンビームを被加
工対象に所定パターンで照射するための偏向電極１５、
集束イオンビームを所定のエネルギーに減速するための
減速電極１６、および被加工対象である基板１０を取付
けるためのサンプルステージ１７等が設けられている。
【０００８】さらに、イオンに加速エネルギーを与える
加速電源１８と、イオン源１１と引出し電極１２の間に
電位差を与える引出し電源１９と、イオンに減速エネル
ギーを与える減速電源２０を備えている。一方、前記イ
オン源１１は、図２に示すように、含浸電極チップ３０
と、この含浸電極チップ３０内につめられたエッチング
に関与する粒子（エッチャント）を含む化合物（例えば
ＡｇＣｌ）３１と、この化合物３１の融点以上に含浸電
極チップ３０を加熱する加熱電極３２と、加熱電源３３
とによって構成される。そして、化合物３１の融点以上
に含浸電極チップ３０を加熱し、この含浸電極チップ３
０の先端に化合物３１を溶かして染み出させる。
加速電源１８と、イオン源１１と引出し電極１２の間に
電位差を与える引出し電源１９と、イオンに減速エネル
ギーを与える減速電源２０を備えている。一方、前記イ
オン源１１は、図２に示すように、含浸電極チップ３０
と、この含浸電極チップ３０内につめられたエッチング
に関与する粒子（エッチャント）を含む化合物（例えば
ＡｇＣｌ）３１と、この化合物３１の融点以上に含浸電
極チップ３０を加熱する加熱電極３２と、加熱電源３３
とによって構成される。そして、化合物３１の融点以上
に含浸電極チップ３０を加熱し、この含浸電極チップ３
０の先端に化合物３１を溶かして染み出させる。
【０００９】次に、本実施例の動作を説明する。上記構
成において、イオン源１１から引き出されたイオンビー
ムＢは静電型レンズ１３ａ，１３ｂで集束されると同時
に、マスフィルタ１４で所望イオンのみが選別されてサ
ンプルステージ１７に導かれるが、この集束イオンビー
ムＢがサンプルステージ１７上の基板１０に到達すると
きのエネルギーは、加速電源１８と減速電源２０との出
力電圧差に等しいものとなる。
成において、イオン源１１から引き出されたイオンビー
ムＢは静電型レンズ１３ａ，１３ｂで集束されると同時
に、マスフィルタ１４で所望イオンのみが選別されてサ
ンプルステージ１７に導かれるが、この集束イオンビー
ムＢがサンプルステージ１７上の基板１０に到達すると
きのエネルギーは、加速電源１８と減速電源２０との出
力電圧差に等しいものとなる。
【００１０】すなわち、集束イオンビームＢは、減速電
極１６に近づくまでは加速電源１８で与えられるエネル
ギーを持っているが、減速電極１６とサンプルステージ
１７の電位を減速電源２０によって上げると、基板１０
に入射する集束イオンビームＢはその分だけ減速される
。従って、減速電源２０の出力調整により、原理的には
出力０から加速電源１８のフル出力までの間で連続的に
集束イオンビームＢの基板１０への到達エネルギーを変
化させ得ることになる。
極１６に近づくまでは加速電源１８で与えられるエネル
ギーを持っているが、減速電極１６とサンプルステージ
１７の電位を減速電源２０によって上げると、基板１０
に入射する集束イオンビームＢはその分だけ減速される
。従って、減速電源２０の出力調整により、原理的には
出力０から加速電源１８のフル出力までの間で連続的に
集束イオンビームＢの基板１０への到達エネルギーを変
化させ得ることになる。
【００１１】このような集束イオンビームＢを用いるこ
とにより、基板１０に損傷を与えない程度に減速された
イオンは、照射損傷なしに基板１０をエッチングする。 また、偏向電極１５によりイオンは走査され、任意のパ
ターンを形成することができる。 なお、上記のサン
プルステージ１７には、駆動機構が設けられており、そ
のステージの位置は測長機（例えばレーザ干渉計）によ
り、正確に求められるようになっている。従って、基板
１０が大面積であつてもステージ１７を移動させて任意
の場所に任意の微細パターンを形成することができる。 また、集束イオンビーム自体が、化学的エッチング作用
を持つため、基板１０に向けてエッチング用ガスを導入
する必要がないので、試料室の汚染をなくすことができ
る。
とにより、基板１０に損傷を与えない程度に減速された
イオンは、照射損傷なしに基板１０をエッチングする。 また、偏向電極１５によりイオンは走査され、任意のパ
ターンを形成することができる。 なお、上記のサン
プルステージ１７には、駆動機構が設けられており、そ
のステージの位置は測長機（例えばレーザ干渉計）によ
り、正確に求められるようになっている。従って、基板
１０が大面積であつてもステージ１７を移動させて任意
の場所に任意の微細パターンを形成することができる。 また、集束イオンビーム自体が、化学的エッチング作用
を持つため、基板１０に向けてエッチング用ガスを導入
する必要がないので、試料室の汚染をなくすことができ
る。
【００１２】なお、本発明は以上詳述した実施例に限定
されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲におい
て種々の変更を加えることができる。例えば、含浸電極
内に塩素を含む化合物を用いれば、ＳｉやＧａＡｓ等を
エッチングすることができ、ふっ素を含む化合物を用い
れば、Ｓｉをエッチングすることができる。
されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲におい
て種々の変更を加えることができる。例えば、含浸電極
内に塩素を含む化合物を用いれば、ＳｉやＧａＡｓ等を
エッチングすることができ、ふっ素を含む化合物を用い
れば、Ｓｉをエッチングすることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、含浸電極
形イオン源にエッチャントを含む化合物をつめたものを
用いることにより、試料やエッチング室の汚染発生を未
然に防止して、試料をエッチング加工することができる
。このとき、イオン電流量でエッチング量を精度よく制
御することができる。また、排気装置の損傷を来すこと
も防止できる。なお、集束イオンを減速する減速手段を
使用すれば、試料に対するダメージをより一層、少なく
することができる。
形イオン源にエッチャントを含む化合物をつめたものを
用いることにより、試料やエッチング室の汚染発生を未
然に防止して、試料をエッチング加工することができる
。このとき、イオン電流量でエッチング量を精度よく制
御することができる。また、排気装置の損傷を来すこと
も防止できる。なお、集束イオンを減速する減速手段を
使用すれば、試料に対するダメージをより一層、少なく
することができる。
【図１】本発明の集束イオンビームエッチング装置の一
実施例を示す構成図である。
実施例を示す構成図である。
【図２】同装置のイオン源部の構成図である。
【図３】従来の集束イオンビームエッチング装置の構成
図である。
図である。
１ 真空チャンバ
１０ 基板
１１ 含浸電極形イオン源
１２ 引出し電極
３０ 含浸電極チップ
３１ 化合物
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチングに関与する粒子を含む化合
物をつめた含浸電極形イオン源と、このイオン源よりエ
ッチング作用を持つイオンを引き出すイオンビーム引き
出し手段とを備え、この引き出したイオンビームを被加
工対象に照射するようにしたことを特徴とする集束イオ
ンビームエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030737A JPH04272640A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 集束イオンビームエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030737A JPH04272640A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 集束イオンビームエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04272640A true JPH04272640A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12311988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3030737A Pending JPH04272640A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 集束イオンビームエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04272640A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004778A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Fei Co | 高解像度プラズマ・エッチング |
| JP2009140925A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 試料への負荷を減少させる高分解能ガスフィールドイオンカラム |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3030737A patent/JPH04272640A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004778A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Fei Co | 高解像度プラズマ・エッチング |
| US8303833B2 (en) | 2007-06-21 | 2012-11-06 | Fei Company | High resolution plasma etch |
| JP2009140925A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 試料への負荷を減少させる高分解能ガスフィールドイオンカラム |
| US8735847B2 (en) | 2007-12-05 | 2014-05-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | High resolution gas field ion column with reduced sample load |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH088245B2 (ja) | 集束イオンビームエッチング装置 | |
| US20080078949A1 (en) | Technique for improved ion beam transport | |
| EP0237220B1 (en) | Method and apparatus for forming a film | |
| JPH04253328A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPS60136315A (ja) | マイクロイオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| JPH04272640A (ja) | 集束イオンビームエッチング装置 | |
| JP2008047535A6 (ja) | 誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置 | |
| JPS63107118A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
| JP3168593B2 (ja) | 高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法 | |
| JP3074375B2 (ja) | 集束イオンビーム加工装置および集束イオンビーム加工方法 | |
| JPH0437129A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
| JP2730269B2 (ja) | 半導体素子製造装置 | |
| JPH03210746A (ja) | イオン処理装置のクリーニング方法 | |
| JP2890431B2 (ja) | 超電導回路の製造方法 | |
| JPS63216257A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
| JP2900490B2 (ja) | Ｍｅｓ型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH02230731A (ja) | イオンビーム加工方法 | |
| JP3478739B2 (ja) | イオンビーム加工方法およびそれによる被加工物 | |
| JPH03259515A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS61248428A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| JPH01292827A (ja) | 集束荷電ビームエッチング装置 | |
| JPS5987818A (ja) | イオンエツチング装置 | |
| JPH04272642A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JPH0594977A (ja) | ガリウムヒ素ウエハの洗浄方法及び装置 | |
| JPH01179325A (ja) | 有機膜の除去方法とその装置 |