JPH04270315A - 非線形素子およびそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピューター、ワー
ドプロセッサー、テレビ受像機等の表示画面として用い
ることが出来、階調表示を必要とする分野への応用が可
能である。

【０００２】

【従来の技術】従来コンピューター、ワードプロセッサ
ー等の表示画面にはＳＴＮ（スーパーツイストネマチッ
ク）型の液晶表示装置が多く用いられている。ＳＴＮは
以前のＴＮ（ツイストネマチック）型の液晶表示装置に
比べて、液晶材料の電気光学特性に急峻性があるために
、ＴＮでは難しかった情報量の多い高時分割駆動が可能
となり、現在のノートパソコン、ノートワープロの火付
け役となった。しかしながら時分割駆動を行なうがため
に、操作線の数が増加すると走査線中の選択と非選択部
での印加電圧比がとりにくくなり、表示品質特にコント
ラストの低下が起きてしまった。

【０００３】これを解消するために、ＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）を用いてＴＮ液晶を駆動させるアクティブマ
トリックスの開発が行なわれて現在に到っている。アク
ティブマトリックス型の液晶表示装置は、書込みを行な
いたい操作線につながるＴＦＴのゲートのみをＯＮ状態
にするために、他の操作線への影響を極力押さえる事が
出来、クロストークフリーな表示が可能になった。また
、一度書き込んだ後は、実質的に容量成分である液晶部
分に電荷がチャージされるために、他の操作線を書き込
んでいる間でも、コントラストの低下が発生しないスタ
ティック駆動が可能になり、格段に表示品質が向上した
。また、ソース・ドレイン間電圧を調整することで容易
に階調表示が可能になっている。しかしながら、ＴＦＴ
の作製工程において、６〜８枚のフォトマスクを使用す
るために歩留りの低下が否めなかった。さらにゲート酸
化膜のピンホール等から正常動作しない素子も多く、や
はり歩留りの点から全体の製造コストを上げる要因の一
つとなっていた。そこで、簡易な構造で表示品質の良い
液晶表示装置が求められていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこでクラーク・ラグ
ァウォールらによって提案されたものが、強誘電性液晶
を用いたディスプレイであった。図１にその概念図を示
す。強誘電性液晶は自発分極を有するために、螺旋がほ
どけるまで液晶層の厚みを薄くした場合、界面安定状態
（ＳＳＦＬＣ）が出来、一度電界を加えたあとは、その
電界を取り去っても透過または非透過の状態が継続する
メモリー効果を得ることが出来た。このメモリー状態を
利用することによって、ＴＦＴのアクティブマトリック
スＬＣＤと同じような、スタティック的な駆動が可能に
なっている。

【０００５】しかしながらこのメモリー性を強調した場
合、現実的には『焼け』と呼ばれる現象が起き、表示不
良をひきおこしている。『焼け』は一度透過なり非透過
なりの状態をメモリーさせて長時間放置した場合、次に
その逆の状態を表示しようとしても完全な非透過または
透過の状態が得られず、コントラストの低下を引き起こ
していた。これを解決する手段として、メモリー性を極
力押さえた液晶材料を用いて、表示を行なうことが有効
であることが判った。強誘電性液晶において、全くメモ
リー性の無いまたは自発分極を持たない組成物は存在し
えないが、『焼け』を解消するためにそれらを極力押さ
えた場合、数画面分のメモリー性はあるものの、時分割
数が増加したりした場合に表示品質を落とすという欠点
がクローズアップしてきた。しかし、強誘電性液晶の持
つ高速応答性については捨てがたく、この特徴を生かし
たまま『焼け』現象が解決されるような方法が求められ
ていた。

【０００６】また、強誘電性液晶の場合、透過、非透過
の２個の安定状態しかとらないために、情報の多様化に
ともなう階調表示を苦手としていた。これを解決する方
法として、単位画素を面積的に多分割して複数のドット
で構成することにより、階調を表示することがなされて
いる。例えば、単位画素を面積比で１：２：４に分割し
、それらのＯＮ／ＯＦＦの組み合わせで８階調を得る等
が考案されている。図２ａ、ｂ　　に２階調表示の時の
電極構造と、８階調表示の時の電極構造を示す。

【０００７】しかしながら、１つの単位画素につき３個
のデーター信号を加えなければならないため、外部回路
が非常に複雑になってきてしまい、コストの上昇および
外部回路接続時の歩留りの低下が生じてしまった。また
さらに、分割のために電極間の絶縁区間をとるため、開
口率の低下が起きてしまっている。例えば、２５０μｍ
ピッチ、２５μｍギャップの単位画素を考えた場合、分
割をしない場合の開口率は８１％であるのに対して、同
一ギャップで分割した場合、６３％まで低下してしまう
ことが判る。またさらに、分割のために一番細い電極（
１０３）の幅は、前記ピッチ、ギャップの場合、２５μ
ｍとなってしまう。液晶表示装置として１０００×１０
００画素のものをＩＴＯのシート抵抗が５Ω以下のもの
を使い作製した場合でも、データー方向の電極は端から
端まで約５０ｋΩの抵抗を有することになる。これでは
、電極の両端における液晶にかかる電界強度が異なり、
均一な表示が出来なくなってしまうことになった。 そこで、アナログ的に階調が制御できる方法が求められ
ていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】『焼け』現象を回避する
ためのメモリー性の低下策は、図３（２０１）に示す時
分割駆動時における非選択時の透過率の揺らぎを生じ、
コントラストの低下を招いている。図３に駆動波形と液
晶表示装置の光学応答を示す。

【０００９】さらに階調表示を行なうため、信号パルス
の波高（電圧）を変化させた場合、任意の画素が非選択
の場合でも通常の２階調表示時に比べて大きな電圧が加
わるために、図４（２０２）に示す揺らぎをさらに生じ
、コントラストの低下を生じていた。図４に通常の強誘
電液晶に階調表示を行なう場合における駆動波形と液晶
表示装置の光学応答を示す。

【００１０】時分割駆動時の非選択時の透過率の揺らぎ
を解決する方法として、抵抗成分がオームの法則にのら
ない非線型特性を有する素子を、液晶表示素子電極に直
列接合する方法がある。

【００１１】本発明は、強誘電性液晶を狭持する２枚の
基板のうち、少なくとも何方か一方の液晶層側の面上に
ＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物質
を含む薄膜を有する液晶表示装置を駆動する際に、走査
側電極に単位時間内に４相よりなる電気信号を加え、情
報側電極に単位時間内に４相よりなる電気信号を加える
駆動方法において、後半２相分または最終相分のパルス
高さを変化させることによって、液晶パネルの透過率を
任意に制御することを特徴としている。

【００１２】また別の発明として、走査側電極に単位時
間内に３相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位
時間内に３相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動
方法において、後部２相分または最終相分のパルス高さ
を変化させることによって、液晶パネルの透過率を任意
に制御することを特徴としている。

【００１３】またさらに別の発明として、走査側電極に
単位時間内に２相よりなる電気信号を加え、情報側電極
に単位時間内に２相以上の相数よりなる電気信号を加え
る駆動方法において、最終相分のパルス高さを変化させ
ることによって、液晶パネルの透過率を任意に制御する
ことを特徴としている。またさらに別の発明として、走
査側電極に単位時間内に単相よりなる電気信号を加え、
情報側電極に単位時間内に単相以上の相数よりなる電気
信号を加える駆動方法において、最終相分のパルス高さ
を変化させることによって、液晶パネルの透過率を任意
に制御することを特徴としている。

【００１４】強誘電性液晶は図５に示す様に、応答速度
と加えるパルスの電圧値との積がほぼ一定の特性を有し
ている。つまり、低い電圧パルスの時の応答速度と電圧
値との積と、高い電圧パルスの時の応答速度と電圧値と
の積とが概略等しくなるのである。これを、メモリー性
が極力少ない強誘電性を示す液晶組成物に適用した場合
、パルス幅を一定にして電圧を変化させると、一定期間
内の透過率を制御できることが判った。図６に駆動パル
ス（波形）と液晶表示装置の光学応答を示す。

【００１５】そこで、階調表示を実現させるために、駆
動方法として本効果を利用した。以下に実施例を示し、
さらに詳細な説明を加える。

【００１６】

【実施例１】本実施例は、図７にその構造を示すように
、可視光を透過する絶縁性基板（１）上に、可視光を透
過する第１の電極（２）およびリードを有し、該電極上
をＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物
を含む薄膜（３）で覆い、該薄膜上に、可視光を透過す
る第２の電極（４）を有する第一の基板（１０）と、可
視光を透過する絶縁性基板（９）上に、可視光を透過す
る第３の電極（８）およびリードを有する第２の基板（
１１）を使用し、それら、第１の基板（１０）と第２の
基板（１１）の内側に、強誘電性を示す液晶組成物（７
）と、該液晶組成物を一定方向に配向させる手段（５）
とを有する液晶表示装置に対し走査側電極に単位時間内
に４相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間
内に４相よりなる電気信号を加える駆動方法において、
後半２相分または最終相分のパルス高さを変化させるこ
とによって、液晶パネルの透過率を任意に制御すること
を特徴とする液晶電気光学装置の駆動方法の実施例であ
る。

【００１７】以下、本実施例に用いた液晶表示装置の作
製法を最初に示す。まず１．１ｍｍのソーダライムガラ
ス（１）に、ＤＣスパッタ法によって、ＩＴＯを１００
０Å成膜し、その後、フォトリソ法を用いて、表示画素
電極の一方の辺と、概略同一寸法とする幅のストライプ
状に、パターニングをして、第一の電極（２）とした。

【００１８】その後、下記条件の下にグロー放電を行い
、ＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）膜（３）を５００
Å成膜した。成膜条件は、ガス混合比Ｃ２Ｈ４が２ＳＣ
ＣＭ、ＮＦ３が１ＳＣＣＭ、Ｈ２が１０ＳＣＣＭであり
、反応圧力が５０Ｐａ、ＲＦパワーが１００Ｗである。

【００１９】本実施例においてＮＦ３を添加するのは、
膜（３）の導電率を変化させ、非線型特性を制御するた
めであり、３０体積％以下の割合で添加すると効果があ
る。この非線型性を制御する方法としては、熱アニール
を加える方法がある。これは、ＭＩＭ型素子のＩ（ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ）部分に相当する薄膜（３）の脱水素化
を計ることによって膜中の水素含有量をコントロールし
、ＭＩＭ型素子の非線型性を制御するものである。この
熱アニールの処理条件は、温度が３８０℃、圧力が１０
０Ｐａ、処理雰囲気がＡｒ、処理時間が１時間でる。 また、本発明においてはこのＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋
Ｚ＝１）で示される組成物を含む薄膜（３）の厚さを２
０００Å以下、好ましくは５００Å以下にすることによ
って、その光透過性を高めることができた。図８にＳｉ
ＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物を含む
薄膜の５００Å時の分光透過率を示す。

【００２０】従来はＭＩＭ型素子のｉｎｓｕｌａｔｏｒ
部分に炭素を組成物として含む炭素膜例えばＴａＯ５（
５酸化タンタル）膜を用いようとする場合、その光透過
性が問題となるので、なるべくその面積を小さくする等
の工程上の制約があった。その後，再びＤＣスパッタ法
によって、膜（３）上にＩＴＯを１０００Å成膜し、フ
ォトリソ法を用いて、第２の電極（４）を得た。この場
合、マグネトロン型ＲＦスパッタ法を用いてもよい。

【００２１】画素電極の一方である第２の電極の寸法は
、一辺が２５０μｍの正方形とし、画素間のギャップは
、２５μｍとした。この第２の電極（４）は表示の際、
単位画素となる大きさを有するものであり、薄膜（３）
に加わる電界が各画素において均一になるように作用す
るものである。この様にして、第１の基板（１０）を得
た。

【００２２】他方の第２の基板（１１）も、１．１ｍｍ
のソーダライムガラス（９）に、ＤＣスパッタ法によっ
て、ＩＴＯを１０００Å成膜した。その後、フォトリソ
法を用いて、表示画素電極の一方の辺と、概略同一寸法
とする幅のストライプ状に、パターニングをして、第３
の電極（８）とした構造となっている。

【００２３】前記第１の基板（１０）上に、印刷法によ
りポリイミド薄膜を２００Å成膜し、その後，ラビング
法によって、液晶分子をある一定方向に並べる手段とし
て配向膜（５）を設けた。

【００２４】第１の基板（１０）と第２の基板（１１）
の間に、強誘電性液晶（７）、および樹脂からなる基板
間の間隔を保持するためのスペーサー（６）を入れ、そ
の周囲をエポキシ系の接着剤で固定した。

【００２５】その後，第１の電極（２）、第３の電極（
４）につながるリードに、ＣＯＧ法を用いて液晶駆動用
ＬＳＩを接続し、液晶表示装置を得た。

【００２６】本実施例において成膜した薄膜（３）は光
透過性を有しており５００Åの厚さであれば光学的にな
んら問題はなかった。

【００２７】図１４ａ，ｂに本実施例の非線形素子の電
流電圧特性を示す。

【００２８】次に図９に本実施例における液晶装置に加
える駆動波形を示す。走査側電極に単位時間内に４相よ
りなる電気信号（３０１）を加え、情報側電極に単位時
間内に４相よりなる電気信号（３０２）を加え後半２相
分または最終相分のパルス高さを変化させることによっ
て（３０３ａ、３０３ｂ）、液晶パネルの透過率を任意
に制御している。選択時ＯＮのときの信号（３０４）は
４相中の最後の相を３Ｖから４Ｖの間で変化させること
によって、透過率を制御するものである。

【００２９】図１０に駆動信号と本実施例による液晶表
示装置の光学応答を示す。これらの図を見ると明らかな
ように、非線形素子の効果によって液晶セルには、ある
一定以上の強さの信号電界が液晶装置に加わった場合に
のみ電界が加わっているために非選択時においても揺ら
ぎが観測されない。また、最終相または最終前の相の電
圧を変化させることで、光学応答が制御できていること
が判る。

【００３０】

【実施例２】本実施例に用いた液晶表示装置の構造を図
１１に示す。本実施例は、可視光を透過する絶縁性基板
（１）と、該絶縁性基板上に設けられた金属酸化物で可
視光を透過する第１の電極（２）およびリードと、前記
電極およびリード上を覆う少なくともＳｉＸＣＹＯＺ（
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物を含んだ２層からな
る薄膜（７１），（７２）と、該薄膜上に設けられた強
誘電性を示す液晶組成物（７）と、該液晶層上に設けら
れた金属酸化物で可視光を透過する第２の電極（８）お
よびリード、そして可視光を透過する第２の絶縁性基板
（９）からなる液晶表示装置において、前記ＳｉＸＣＹ
ＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）とする組成物を含んだ薄膜の液
晶層側の面上にこの薄膜上に設けられる強誘電性を示す
液晶組成物を一定方向に配向させる機能を持たせた液晶
表示装置に対し、走査側電極に単位時間内に３相よりな
る電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に３相以上
の相数よりなる電気信号を加える駆動方法において、後
部２相分または最終相分のパルス高さを変化させること
によって、液晶パネルの透過率を任意に制御することを
特徴とする液晶電気光学装置の駆動方法を示すものであ
る。

【００３１】すなわち、本実施例は、図１１に示すよう
に実施例１においてＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）
で示される組成物を含んだ薄膜上に設けられた第２の電
極がないものである。

【００３２】以下、本実施例の作製法を示す。本実施例
の作製法は、実施例１における各画素に対応する第２の
電極（４）、配向膜（５）がないこと、ＳｉＸＣＹＯＺ
（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される組成物を含んだ薄膜（３
）の成膜法と構成が違うこと、この薄膜（３）の液晶層
に接する面に配向処理がなされること、以外は実施例１
とその作製法は同様である。

【００３３】本実施例におけるＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝１）で示される組成物を含んだ薄膜、すなわち非
線形素子のｉｎｓｕｌａｔｏｒとして、第１の薄膜とし
てＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）においてＹ≪１と
して炭素を含んだＳｉＯ２に近い膜（７１）を、第２の
薄膜としてＸ＝０，Ｚ＝０でＤＬＣ膜（７２）を設け、
この２層を用いた。なおここでＺ＝０としてＳｉＣ膜を
設けてもよい。

【００３４】マグネトロン型ＲＦスパッタ法によって、
まず第１の薄膜（７１）を以下の条件で５０〜２０００
Åの厚さ、本実施例においては３００Åの厚さに形成し
た。成膜条件は、基板温度が１５０℃、ＲＦパワーは４
００Ｗ、成膜圧力は０．５ｐａ、成膜雰囲気はＯ２体積
９５％　　、ＮＦ３体積５　　％であり、ターゲットは
ＳｉにＣを微量に添加したのインゴットを用いた。また
、成膜法としては、公知の光ＣＶＤ法を用いてもよい。 なお、上記スパッタ時の雰囲気中に水素を添加すること
により各画素における非線型特性を制御することができ
る。

【００３５】つぎに、この薄膜（７１）の液晶層に接す
る面上に炭素を主成分とする薄膜（以下ＤＬＣと称する
）（７２）を以下の条件で２０〜２０００Å、本実施例
では３００Åの厚さに成膜した。成膜条件は、ガス混合
比がＣ２Ｈ６：ＮＦ３：Ｈ２＝２：１：１０であり、Ｒ
Ｆパワーが１００Ｗである。このＤＬＣ薄膜（７２）の
液晶層に接する面上（１２）のに配向処理を施し、後は
実施例１と同様にして本実施例を完成させた。

【００３６】本実施例の特性は実施例１と同様であった
が、その電気的安定性が高く、特性の変化が小さかった
。本実施例においては、薄膜（７１）と薄膜（７２）で
ＭＩＭ型素子のｉｎｓｕｌａｔｏｒに相当する部分を形
成しようとするものである。この際、弗素、窒素元素の
混入した酸化珪素膜である薄膜（７１）は、水素が含ま
れておらず極めて電気的に安定しているという特徴を有
する。また、ＤＬＣ膜である薄膜（７２）はＩＶ族元素
が主体であるので極性をもたず、しかも水素、窒素、弗
素の作用で低抵抗率を有しているので、液晶層として強
誘電液晶層を用いた場合、強誘電性液晶の自発分極と電
気的相互作用をすることがなく、強誘電性液晶の高速応
答に影響を与えないという特徴を有する。

【００３７】これらの薄膜（７１）と薄膜（７２）は全
くパターニングする必要がないので、従来の単純マトリ
ックス型式の液晶表示表示装置の作製工程に上記２枚の
薄膜を作製する工程が増えるだけですむという作製工程
上の特徴も有する。もちろん、膜（７１）と膜（７２）
の何れか一方のみを用いて、この膜上に配向処理を施し
てもよい。さらに、ｉｎｓｕｌａｔｏｒ部分となるいず
れかの膜中にハロゲン元素、リンを２０原子パーセント
以下混入させることは、ガラス基板から拡散するナトリ
ウムイオンや固定電荷となり電気的不安定性の原因とな
る結合から離れた水素イオン等のゲッタリング（取り込
んでしまう作用）に効果がある。

【００３８】次に図１２に本実施例における液晶装置に
加える駆動波形を示す。走査側電極に単位時間内に３相
よりなる電気信号（３０５）を加え、情報側電極に単位
時間内に３相よりなる電気信号（３０６）を加え後半２
相分または最終相分のパルス高さを変化させることによ
って（３０７ａ、３０７ｂ）、液晶パネルの透過率を任
意に制御している。選択時ＯＮのときの信号（３０８）
は３相中の最後の相を３Ｖから４Ｖの間で変化させるこ
とによって、透過率を制御するものである。

【００３９】

【実施例３】本実施例は実施例２と同じ構造の液晶表示
装置を用い、図１３に示す駆動波形を加えることによっ
て、階調表示をおこなわせている。走査側電極に単位時
間内に２相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位
時間内に２相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動
方法において、後部２相分または最終相分のパルス高さ
を変化させることによって、液晶パネルの透過率を任意
に制御することを特徴とする液晶電気光学装置の駆動方
法を示すものである。

【００４０】

【発明の効果】本発明の構成をとることによって、各画
素に非線形性を持たせることができ、簡単な構造であり
ながら時分割駆動時の非選択時の透過率の揺らぎが生ぜ
ず、しかも表示コントラストの高い液晶ディスプレイ、
特に強誘電性液晶ディスプレイを得ることができた。

【図面の簡単な説明】

【第１図】強誘電性液晶の概念図を示す

【第２図】画素
電極面積の変化による階調表示方式を示す。

【第３図】通常の強誘電性液晶に時分割駆動させた時の
駆動波形と光学応答を示す。

【第４図】通常の強誘電性液晶に本発明の駆動方法で動
作させた時の駆動波形と光学応答を示す。

【第５図】強誘電性液晶の電圧と応答速度の関係を示す
。

【第６図】メモリー性が極力少ない強誘電性液晶に、電
圧を変化させて動作させた時の光学応答を示す。

【第７図】本実施例に用いた液晶表示装置の構造図を示
す。

【第８図】本実施例に用いた非線形素子用の絶縁膜の透
過率を示す。

【第９図】本発明による駆動波形を示す。

【第１０図】本発明による駆動波形と光学応答を示す。

【第１１図】本実施例に用いた液晶表示装置の構造図を
示す。

【第１２図】本発明による駆動波形を示す。

【第１３図】本発明による駆動波形を示す。

【第１４図】本実施例に用いた非線形素子の電気光学特
性を示す。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に設けた透過性画素電極とリードに
   対し、直列接合した電気的非線形素子を有する第一の基
   板と透過性画素電極とリードを有する第二の基板によっ
   て強誘電性を示す液晶組成物と該液晶組成物の少なくと
   も初期における配向を行なう手段とを少なくとも挟持し
   た液晶電気光学装置に対し、走査側電極に単位時間内に
   ４相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内
   に４相よりなる電気信号を加える駆動方法でって、後半
   ２相分または最終相分のパルスの高さを変化させること
   によって、液晶パネルの透過率を任意に制御することを
   特徴とする液晶電気光学装置の駆動方法。
2. 【請求項２】請求項１に於いて、電気的非線形素子はそ
   の両側を導電体に接続したＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ
   ＝１）が主体構成物質であることを特徴とする液晶電気
   光学装置の駆動方法。
3. 【請求項３】基板上に設けた透過性画素電極とリードに
   対し、直列接合した電気的非線形素子を有する第一の基
   板と透過性画素電極とリードを有する第二の基板によっ
   て強誘電性を示す液晶組成物と該液晶組成物の少なくと
   も初期における配向を行なう手段とを少なくとも挟持し
   た液晶電気光学装置に対し、走査側電極に単位時間内に
   ３相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内
   に３相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法で
   って、後部２相分または最終相分のパルスの高さを変化
   させることによって、液晶パネルの透過率を任意に制御
   することを特徴とする液晶電気光学装置の駆動方法。
4. 【請求項４】請求項３に於いて、電気的非線形素子はそ
   の両側を導電体に接続したＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ
   ＝１）が主体構成物質であることを特徴とする液晶電気
   光学装置の駆動方法。
5. 【請求項５】基板上に設けた透過性画素電極とリードに
   対し、直列接合した電気的非線形素子を有する第一の基
   板と透過性画素電極とリードを有する第二の基板によっ
   て強誘電性を示す液晶組成物と該液晶組成物の少なくと
   も初期における配向を行なう手段とを少なくとも挟持し
   た液晶電気光学装置に対し、走査側電極に単位時間内に
   ２相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内
   に２相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法で
   あって、最終相分のパルスの高さを変化させることによ
   って、液晶パネルの透過率を任意に制御することを特徴
   とする液晶電気光学装置の駆動方法。
6. 【請求項６】請求項５に於いて、電気的非線形素子はそ
   の両側を導電体に接続したＳｉＸＣＹＯＺ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ
   ＝１）が主体構成物質であることを特徴とする液晶電気
   光学装置の駆動方法。