JPH04267100A - 放射光発生装置 - Google Patents

放射光発生装置

Info

Publication number
JPH04267100A
JPH04267100A JP2708091A JP2708091A JPH04267100A JP H04267100 A JPH04267100 A JP H04267100A JP 2708091 A JP2708091 A JP 2708091A JP 2708091 A JP2708091 A JP 2708091A JP H04267100 A JPH04267100 A JP H04267100A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
insertion light
deflection electromagnets
deflection
combination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2708091A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Mizushina
水品 知之
Manabu Mizota
溝田 学
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taisei Corp
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Taisei Corp
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taisei Corp, Mitsubishi Electric Corp filed Critical Taisei Corp
Priority to JP2708091A priority Critical patent/JPH04267100A/ja
Publication of JPH04267100A publication Critical patent/JPH04267100A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電子(あるいは陽電
子)ビームの加速器と挿入光源を用いて放射光を発生さ
せる放射光発生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の技術に関しては、日本物
理学会編「シンクロトロン放射」(1986)および特
開平1−195700号公報に示されたものがある。図
3,図4は従来の挿入光源をストレージリング(蓄積リ
ング)に組み込んだ例を示し、図において、(1) は
ストレージリング、(2)はビーム中心軌道、(3) 
は挿入光源、(4) は挿入光源(3) から放射され
る放射光の方向を示す。
【0003】次に動作について説明する。ストレージリ
ング(1) を周回する電子(あるいは陽電子)ビーム
は、挿入光源(3) によって作られた磁場により放射
光を発生する。この放射光が放出される方向(4) は
、ビーム中心軌道(2) が挿入光源(3) の中で蛇
行するときの軸に沿った方向である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の放射光発生装置
は、ビーム中心軌道(2) が固定されていたので、発
生する放射光の方向(4) も固定されており、大面積
にわたって放射光を物質に照射するには、取出した放射
光の光学系で、特殊なミラーやレンズ等を用いなければ
ならず、しかも、より平行性の高い光が欲しい場合には
、挿入光源から被照射物までかなりの距離を必要とし、
装置全体が大きくなってしまうという問題があった。
【0005】あるいは、前記公開公報に示されたように
、ストレージリングの特定の場所に偏向磁石を置かなけ
ればならず、そのための空間をストレージリング設計の
段階から確保しておく必要があるし、また、このような
構成ではストレージリングの他の部分の軌道にも影響を
及ぼしてしまうという問題があった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、光学系の複雑化を避け、ストレ
ージリングの挿入光源のない所での偏向電磁石の設置や
軌道の移動を行わずに、挿入光源の前後のわずかなスペ
ースで、容易に放射光の照射位置を制御したり、大面積
の照射野を得ることができる放射光発生装置を得ること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る放射光発
生装置は、挿入光源の上流側に偏向電磁石を備え、挿入
光源内のビームの蛇行する軸を任意に移動させる。
【0008】
【作用】この発明においては、挿入光源の上流側偏向電
磁石のコイルに流れる電流を制御することにより、偏向
磁場の大きさが変わり、ビーム中心軌道を偏向させ、挿
入光源内での蛇行の軸を傾かせる。また、2台の偏向電
磁石を用いることによって、蛇行の軸を従来の軸から平
行にシフトさせ、放射光の発生方向、位置を制御する。
【0009】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1について説
明する。図において(1) はストレージリング、(2
) はビーム中心軌道、(3) は挿入光源、(4) 
はこの挿入光源(3)から放射される放射光の方向、(
5a),(5b)  は挿入光源(3) の上流に備え
られた2台の偏向電磁石、(6a),(6b) は挿入
光源(3) の下流に備えられた2台の偏向電磁石であ
る。
【0010】以上の構成により、偏向電磁石(5a),
(5b)の組み合わせで挿入光源(3) に入る直前の
ビーム中心軌道(2) の位置と角度を任意に変える。 その結果、挿入光源(3) 内でのビーム蛇行の軸も変
化し、発生する放射光の位置および方向もそれに伴って
変化する。挿入光源(3) を通ったビームは、下流の
偏向電磁石(6a),(6b) の組み合わせで、摂動
を受けない従来の軌道に戻される。 このように挿入光源(3)の上流と下流の偏向電磁石の
組み合わせによって、局所的なビーム軌道の変移を作り
、他の部分への影響を失くしている。偏向電磁石(5a
),(5b)と(6a),(6b)の偏向磁場を制御し
、時間的な変化を加えれば、放射光の短時間での大面積
の照射が可能となる。
【0011】なお、上記実施例ではストレージリング(
1) の偏向面内方向へのビーム軌道の偏向を示したが
、リングの偏向面に垂直な方向でもよいし、偏向磁石を
多数用いることにより任意の方向への偏向、平行移動を
行ってもよい。
【0012】図2は挿入光源(3) を線型加速器ある
いはマイクロトロンなどの電子(あるいは陽電子)ビー
ム発生装置(7) の下流に位置させた、他の実施例で
あり、(2) はビーム中心軌道、(4) はこの挿入
光源から放射される放射光の方向、(5a),(5b)
は挿入光源の上流に備えられた2台の偏向電磁石である
【0013】以上の構成により、ストレージリングに挿
入光源を組み込んだ場合と違って、挿入光源(3) を
通った後のビームは必ずしも再利用する必要がないので
、挿入光源(3) の下流側の偏向電磁石(6) は、
ビームと放射光を分離する目的に用いられるため、細か
な制御は必ずしも必要としないし、1台で済ませること
もできる。
【0014】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、挿入
光源内の局所的な部分で、ビーム軌道軸を任意の方向、
位置に移動できるようにしたので、他の部分のビーム軌
道に影響を及ぼすことなく、任意の位置、方向への放射
光の取出しが可能となり、また、大きな空間を必要とせ
ず、大照射野を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例の要部平面図である。
【図2】他の実施例の要部平面図である。
【図3】従来の放射光発生装置の平面図である。
【図4】図3の一部拡大平面図である。
【符号の説明】
1    蓄積リング 2    ビーム中心軌道 3    挿入光源 4    放射光の方向

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  蓄積リングおよび電子ビーム発生手段
    のいずれかに設けられた挿入光源と、この挿入光源の上
    流に配置され前記電子ビームの軌道軸を局所的に任意の
    量の平行移動および任意の方向への偏向を可能にした偏
    向電磁石とを備えてなる放射光発生装置。
JP2708091A 1991-02-21 1991-02-21 放射光発生装置 Pending JPH04267100A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2708091A JPH04267100A (ja) 1991-02-21 1991-02-21 放射光発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2708091A JPH04267100A (ja) 1991-02-21 1991-02-21 放射光発生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04267100A true JPH04267100A (ja) 1992-09-22

Family

ID=12211102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2708091A Pending JPH04267100A (ja) 1991-02-21 1991-02-21 放射光発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04267100A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4741115B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
TWI676083B (zh) 光束傳遞裝置及方法
JPH10233299A (ja) 荷電粒子ビームエキスパンダー
JPH06501334A (ja) シンクロトロン放射源
EP0258383A1 (en) SYSTEM AND METHOD OF MASKED ION RAY LITHOGRAPHY.
US6770890B2 (en) Stage devices including linear motors that produce reduced beam-perturbing stray magnetic fields, and charged-particle-beam microlithography systems comprising same
EP0088457A2 (en) Charged particle beam apparatus
JPH04267100A (ja) 放射光発生装置
US5892810A (en) X-ray source for lithography
JP3133155B2 (ja) 電子ビーム加速器および該加速器に用いる偏向電磁石
JP2813386B2 (ja) 荷電粒子装置の電磁石
JP2556112B2 (ja) 荷電粒子装置
JP2018113161A (ja) 超伝導電磁石装置及び超伝導電磁石装置における磁場補正方法
JP4629527B2 (ja) 磁気回路装置及びそれを用いたシンクロトロン装置
JP2916292B2 (ja) 荷電粒子装置
JPS60146500A (ja) シンクロトロン放射光発生装置
JP2516853B2 (ja) 産業用シンクロトロン放射光発生装置
JPH05114548A (ja) X線マスク製造装置
RU2031558C1 (ru) Электромагнит быстрого синхротрона
JPH0195500A (ja) 電子波動リング
JPH0950900A (ja) 粒子蓄積リングあるいはシンクロトロンの調整方法
JPH06267700A (ja) αアンジュレータ
JPH0574600A (ja) アンジユレータ
JPH0372172B2 (ja)
JPS63250099A (ja) X線露光装置