JPH04262536A - 配線構体形成法 - Google Patents
配線構体形成法Info
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- JPH04262536A JPH04262536A JP4295491A JP4295491A JPH04262536A JP H04262536 A JPH04262536 A JP H04262536A JP 4295491 A JP4295491 A JP 4295491A JP 4295491 A JP4295491 A JP 4295491A JP H04262536 A JPH04262536 A JP H04262536A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性基板上に配線構
体を形成する配線構体形成法に関する。
体を形成する配線構体形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図３０を伴って次に述べる配線構
体形成法が提案されている。すなわち、絶縁性基板１上
に、所要のパタ―ンを有する配線構体２を形成する（図
３０）。
体形成法が提案されている。すなわち、絶縁性基板１上
に、所要のパタ―ンを有する配線構体２を形成する（図
３０）。
【０００３】次に、絶縁性基板１上に、配線構体２を局
部的に覆っている例えばフォトレジストでなるマスク層
３を形成する（図３１）。
部的に覆っている例えばフォトレジストでなるマスク層
３を形成する（図３１）。
【０００４】次に、絶縁性基板１の表面上、配線構体２
の表面上及びマスク層３の表面上にそれに沿って連接し
て延長している導電性層４を、スパッタリング法によっ
て形成する（図３２）。
の表面上及びマスク層３の表面上にそれに沿って連接し
て延長している導電性層４を、スパッタリング法によっ
て形成する（図３２）。
【０００５】次に、導電性層４上に、形成せんとする配
線構体に対応しているパタ―ンを有する窓６Ａ及び６Ｂ
を有する、例えばフォトレジストでなるマスク層５を形
成する（図３３）。この場合、窓６Ａは、上方からみて
配線構体２をマスク層３上の位置において横切って延長
しているパタ―ンを有し、また窓６Ｂは、上方からみて
配線構体２をマスク層３上以外の位置において横切って
延長している。
線構体に対応しているパタ―ンを有する窓６Ａ及び６Ｂ
を有する、例えばフォトレジストでなるマスク層５を形
成する（図３３）。この場合、窓６Ａは、上方からみて
配線構体２をマスク層３上の位置において横切って延長
しているパタ―ンを有し、また窓６Ｂは、上方からみて
配線構体２をマスク層３上以外の位置において横切って
延長している。
【０００６】次に、導電性層４上に、マスク層５の窓６
Ａ及び６Ｂに臨む領域において、導電性層７Ａ及び７Ｂ
を、導電性層４をメッキ用電極として用いた電解メッキ
法によって、マスク層５の窓６Ａ及び６Ｂを埋めるよう
に形成する（図３４）。
Ａ及び６Ｂに臨む領域において、導電性層７Ａ及び７Ｂ
を、導電性層４をメッキ用電極として用いた電解メッキ
法によって、マスク層５の窓６Ａ及び６Ｂを埋めるよう
に形成する（図３４）。
【０００７】次に、マスク層５に対する除去処理（例え
ば溶去処理）によって、マスク層５を導電性層４上から
除去する（図３５）。
ば溶去処理）によって、マスク層５を導電性層４上から
除去する（図３５）。
【０００８】次に、導電性層４に対する除去処理（例え
ばイオンミリング処理）によって、導電性層４を、導電
性層７Ａ及び７Ｂ下の領域を導電性層８Ａ及び８Ｂとし
て残して配線構体２及びマスク層３上から除去し、次で
、マスク層３に対する除去処理（溶去処理）によって、
マスク層を絶縁性基板１及び導電性層２から除去し、よ
って、導電性層７Ａ及び８Ａによる配線構体２を空隙１
０を介して橋架している配線構体９Ａと、導電性層７Ｂ
及び８Ｂによる配線構体２に連結している他の配線構体
９Ｂとを形成する（図３６）。
ばイオンミリング処理）によって、導電性層４を、導電
性層７Ａ及び７Ｂ下の領域を導電性層８Ａ及び８Ｂとし
て残して配線構体２及びマスク層３上から除去し、次で
、マスク層３に対する除去処理（溶去処理）によって、
マスク層を絶縁性基板１及び導電性層２から除去し、よ
って、導電性層７Ａ及び８Ａによる配線構体２を空隙１
０を介して橋架している配線構体９Ａと、導電性層７Ｂ
及び８Ｂによる配線構体２に連結している他の配線構体
９Ｂとを形成する（図３６）。
【０００９】以上が、従来の配線構体形成法である。こ
のような配線構体形成法によれば、導電性層７Ａ及び７
Ｂを、電解メッキ法によって形成するので、それら導電
性層７Ａ及び７Ｂを厚く形成することができる。このた
め、配線構体９Ａ及び９Ｂを、低い抵抗を有するものと
して形成することができる。
のような配線構体形成法によれば、導電性層７Ａ及び７
Ｂを、電解メッキ法によって形成するので、それら導電
性層７Ａ及び７Ｂを厚く形成することができる。このた
め、配線構体９Ａ及び９Ｂを、低い抵抗を有するものと
して形成することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３０
〜図３６に示す従来の配線構体形成法の場合、導電性層
７Ａ及び７Ｂを電解メッキ法によって形成する工程にお
いて、電解液がマスク層５の窓６Ａ及び６Ｂの内面にお
いても触れるため、マスク層５がその窓６Ａ及び６Ｂの
内面においても電解液に侵され、よって、マスク層５の
窓６Ａ及び６Ｂが当初のパタ―ンから崩れたパタ―ンに
なり、従って、導電性層７Ａ及び７Ｂが所期のパタ―ン
で得られず、よって、配線構体９Ａ及び９Ｂが所期のパ
タ―ンで得られなくなる、という欠点を有していた。
〜図３６に示す従来の配線構体形成法の場合、導電性層
７Ａ及び７Ｂを電解メッキ法によって形成する工程にお
いて、電解液がマスク層５の窓６Ａ及び６Ｂの内面にお
いても触れるため、マスク層５がその窓６Ａ及び６Ｂの
内面においても電解液に侵され、よって、マスク層５の
窓６Ａ及び６Ｂが当初のパタ―ンから崩れたパタ―ンに
なり、従って、導電性層７Ａ及び７Ｂが所期のパタ―ン
で得られず、よって、配線構体９Ａ及び９Ｂが所期のパ
タ―ンで得られなくなる、という欠点を有していた。
【００１１】また、図３０〜図３６に示す従来の配線構
体形成法の場合、導電性層４に対する除去処理によって
、導電性層４から導電性層８Ａ及び８Ｂを形成する工程
において、導電性層４の導電性層７Ａ及び７Ｂ間の領域
が、導電性層７Ａ及び７Ｂの影になることによって、導
電性層４が導電性層７Ａ及び７Ｂ間において薄く残り、
このため、導電性層８Ａ及び８Ｂが、短絡されているも
のとして形成されるおそれを有していた。また、このた
めに、導電性層４に対する除去処理を長時間行うなどし
た場合、絶縁性基板１の表面を損傷させるおそれを有す
る、などの欠点を有していた。
体形成法の場合、導電性層４に対する除去処理によって
、導電性層４から導電性層８Ａ及び８Ｂを形成する工程
において、導電性層４の導電性層７Ａ及び７Ｂ間の領域
が、導電性層７Ａ及び７Ｂの影になることによって、導
電性層４が導電性層７Ａ及び７Ｂ間において薄く残り、
このため、導電性層８Ａ及び８Ｂが、短絡されているも
のとして形成されるおそれを有していた。また、このた
めに、導電性層４に対する除去処理を長時間行うなどし
た場合、絶縁性基板１の表面を損傷させるおそれを有す
る、などの欠点を有していた。
【００１２】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な配線構体形成法を提案せんとするものである。
新規な配線構体形成法を提案せんとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
る配線構体形成法は、（ｉ）絶縁性基板上に、形成せん
とする配線構体に対応しているパタ―ンを有する窓を有
するマスク層を形成する工程と、（ｉｉ）上記マスク層
のその窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延長し
ている第１の導電性層を形成する工程と、（ｉｉｉ）上
記第１の導電性層上に、第２の導電性層を、上記第１の
導電性層をメッキ用電極として用いた電解メッキ法によ
って、上記マスク層の窓を上記第１の導電性層を介して
埋めるように形成する工程と、（ｉｖ）上記第１及び第
２の導電性層に対するそれらの上方からの除去処理によ
って、上記第１の導電性層から、その上記マスク層の窓
に臨む領域でなる断面Ｕ字状の第３の導電性層を形成す
るとともに、上記第２の導電性層から、その上記マスク
層の窓に臨む領域でなる第４の導電性層を形成する工程
とを有する。
る配線構体形成法は、（ｉ）絶縁性基板上に、形成せん
とする配線構体に対応しているパタ―ンを有する窓を有
するマスク層を形成する工程と、（ｉｉ）上記マスク層
のその窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延長し
ている第１の導電性層を形成する工程と、（ｉｉｉ）上
記第１の導電性層上に、第２の導電性層を、上記第１の
導電性層をメッキ用電極として用いた電解メッキ法によ
って、上記マスク層の窓を上記第１の導電性層を介して
埋めるように形成する工程と、（ｉｖ）上記第１及び第
２の導電性層に対するそれらの上方からの除去処理によ
って、上記第１の導電性層から、その上記マスク層の窓
に臨む領域でなる断面Ｕ字状の第３の導電性層を形成す
るとともに、上記第２の導電性層から、その上記マスク
層の窓に臨む領域でなる第４の導電性層を形成する工程
とを有する。
【００１４】本願第２番目の発明による配線構体形成法
は、請求項１記載の配線構体形成法において、上記第３
及び第４の導電性層を形成して後、上記マスク層を除去
する。
は、請求項１記載の配線構体形成法において、上記第３
及び第４の導電性層を形成して後、上記マスク層を除去
する。
【００１５】本願第３番目の発明による配線構体形成法
は、（ｉ）絶縁性基板上に、形成せんとする配線構体に
対応しているパタ―ンを有する第１の窓を有する第１の
マスク層を形成する工程と、（ｉｉ）上記第１のマスク
層の第１の窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延
長している第１の導電性層を形成する工程と、上記第１
の導電性層上に、第２の導電性層を、上記第１の導電性
層をメッキ用電極として用いた電解メッキ法によって、
上記第１のマスク層の第１の窓を埋めるように形成する
工程と、（ｉｉｉ）上記第２の導電性層上に、上記第１
及び第２の導電性層を上記第１のマスク層の第１の窓に
臨む領域においてマスクする第２のマスク層を形成する
工程と、 （ｉｖ）上記第１及び第２の導電性層に対す
る上記第２のマスク層をマスクとする除去処理によって
、上記第１の導電性層から、上記第１のマスク層の第１
の窓に臨む領域でなる断面Ｕ字状の第３の導電性層を形
成するとともに、上記第２の導電性層から、第１のマス
ク層の上記第１の窓に臨む領域でなる第４の導電性層を
形成する工程とを有する。
は、（ｉ）絶縁性基板上に、形成せんとする配線構体に
対応しているパタ―ンを有する第１の窓を有する第１の
マスク層を形成する工程と、（ｉｉ）上記第１のマスク
層の第１の窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延
長している第１の導電性層を形成する工程と、上記第１
の導電性層上に、第２の導電性層を、上記第１の導電性
層をメッキ用電極として用いた電解メッキ法によって、
上記第１のマスク層の第１の窓を埋めるように形成する
工程と、（ｉｉｉ）上記第２の導電性層上に、上記第１
及び第２の導電性層を上記第１のマスク層の第１の窓に
臨む領域においてマスクする第２のマスク層を形成する
工程と、 （ｉｖ）上記第１及び第２の導電性層に対す
る上記第２のマスク層をマスクとする除去処理によって
、上記第１の導電性層から、上記第１のマスク層の第１
の窓に臨む領域でなる断面Ｕ字状の第３の導電性層を形
成するとともに、上記第２の導電性層から、第１のマス
ク層の上記第１の窓に臨む領域でなる第４の導電性層を
形成する工程とを有する。
【００１６】本願第４番目の発明による配線構体形成法
は、（ｉ）絶縁性基板上に、形成せんとする配線構体に
対応しているパタ―ンを有する第１の窓を有する第１の
マスク層を形成する工程と、（ｉｉ）上記第１のマスク
層の第１の窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延
長している第１の導電性層を形成する工程と、（ｉｉｉ
）上記第１の導電性層上に、それらに沿って延長してい
る第２の導電性層を、上記第１の導電性層をメッキ用電
極として用いた電解メッキ法によって形成する工程と、
（ｉｖ）上記第２の導電性層上に、その上記第１のマス
ク層の第１の窓に臨む領域をマスクする第２のマスク層
を形成する工程と、（ｖ）上記第１及び第２の導電性層
に対する上記第２のマスク層をマスクとする除去処理に
よって、上記第１及び第２の導電性層から上記第１の窓
に臨む領域による第３及び第４の導電性層を形成する工
程とを有する。
は、（ｉ）絶縁性基板上に、形成せんとする配線構体に
対応しているパタ―ンを有する第１の窓を有する第１の
マスク層を形成する工程と、（ｉｉ）上記第１のマスク
層の第１の窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延
長している第１の導電性層を形成する工程と、（ｉｉｉ
）上記第１の導電性層上に、それらに沿って延長してい
る第２の導電性層を、上記第１の導電性層をメッキ用電
極として用いた電解メッキ法によって形成する工程と、
（ｉｖ）上記第２の導電性層上に、その上記第１のマス
ク層の第１の窓に臨む領域をマスクする第２のマスク層
を形成する工程と、（ｖ）上記第１及び第２の導電性層
に対する上記第２のマスク層をマスクとする除去処理に
よって、上記第１及び第２の導電性層から上記第１の窓
に臨む領域による第３及び第４の導電性層を形成する工
程とを有する。
【００１７】本願第５番目の発明による配線構体形成法
は、請求項３または請求項４記載の配線構体形成法にお
いて、上記第３及び第４の導電性層を形成して後、上記
第２のマスク層のみを、または上記第１及び第２のマス
ク層の双方を除去する。
は、請求項３または請求項４記載の配線構体形成法にお
いて、上記第３及び第４の導電性層を形成して後、上記
第２のマスク層のみを、または上記第１及び第２のマス
ク層の双方を除去する。
【００１８】本願第６番目の発明による配線構体形成法
は、（ｉ）絶縁性基板上に、配線構体としての第１及び
第２の導電性層を形成する工程と（ｉｉ）上記絶縁性基
板上に、上記第１及び第２の導電性層を外部に臨ませる
第１及び第２の窓を有する第１のマスク層を形成する工
程と、（ｉｉｉ）上記第１のマスク層の第１及び第２の
窓の内面を含んだ表面上及び上記第１及び第２の導電性
層の上記第１のマスク層の第１及び第２の窓に臨む領域
上に、それらに接し且つそれらに沿って連続して延長し
ている第３の導電性層を形成する工程と、（ｉｖ）上記
第３の導電性層上に、第４の導電性層を、上記第３の導
電性層をメッキ用電極として用いた電解メッキ法によっ
て、上記マスク層の第１及び第２の窓を上記第３の導電
性層を介して埋めるように形成する工程と、（ｖ）上記
第４の導電性層上に、上記第３及び第４の導電性層の上
記第１のマスク層の第１及び第２の窓に臨む領域及び上
記第１のマスク層の第１及び第２の窓間の領域をマスク
する第２のマスク層を形成する工程と、（ｖｉ）上記第
３及び第４の導電性層に対する上記第２のマスク層をマ
スクとする除去処理によって、上記第３及び第４の導電
性層から、それらの上記第２のマスク層下の領域でなる
第５及び第６の導電性層を形成する工程とを有する。
は、（ｉ）絶縁性基板上に、配線構体としての第１及び
第２の導電性層を形成する工程と（ｉｉ）上記絶縁性基
板上に、上記第１及び第２の導電性層を外部に臨ませる
第１及び第２の窓を有する第１のマスク層を形成する工
程と、（ｉｉｉ）上記第１のマスク層の第１及び第２の
窓の内面を含んだ表面上及び上記第１及び第２の導電性
層の上記第１のマスク層の第１及び第２の窓に臨む領域
上に、それらに接し且つそれらに沿って連続して延長し
ている第３の導電性層を形成する工程と、（ｉｖ）上記
第３の導電性層上に、第４の導電性層を、上記第３の導
電性層をメッキ用電極として用いた電解メッキ法によっ
て、上記マスク層の第１及び第２の窓を上記第３の導電
性層を介して埋めるように形成する工程と、（ｖ）上記
第４の導電性層上に、上記第３及び第４の導電性層の上
記第１のマスク層の第１及び第２の窓に臨む領域及び上
記第１のマスク層の第１及び第２の窓間の領域をマスク
する第２のマスク層を形成する工程と、（ｖｉ）上記第
３及び第４の導電性層に対する上記第２のマスク層をマ
スクとする除去処理によって、上記第３及び第４の導電
性層から、それらの上記第２のマスク層下の領域でなる
第５及び第６の導電性層を形成する工程とを有する。
【００１９】本願第７番目の発明による配線構体形成法
は、請求項６記載の配線構体形成法において、上記第５
及び第６の導電性層を形成して後、上記第２のマスク層
のみを、または上記第１及び第２のマスク層の双方を除
去する工程とを有する。
は、請求項６記載の配線構体形成法において、上記第５
及び第６の導電性層を形成して後、上記第２のマスク層
のみを、または上記第１及び第２のマスク層の双方を除
去する工程とを有する。
【００２０】
【作用・効果】本願第１番目の発明による配線構体形成
法によれば、第１の導電性層上に、第２の導電性層を、
電解メッキ法によって形成する工程において、第１の導
電性層が、マスク層の窓の内面を含んだ表面上に延長し
ているので、マスク層が図３０で前述した従来の配線構
体形成法の場合のように電解液によって侵されるという
ことがないため、第２の導電性層を形成する工程に関し
、図３０で前述した従来の配線構体形成法の場合の前述
した欠点を有効に回避することができる。
法によれば、第１の導電性層上に、第２の導電性層を、
電解メッキ法によって形成する工程において、第１の導
電性層が、マスク層の窓の内面を含んだ表面上に延長し
ているので、マスク層が図３０で前述した従来の配線構
体形成法の場合のように電解液によって侵されるという
ことがないため、第２の導電性層を形成する工程に関し
、図３０で前述した従来の配線構体形成法の場合の前述
した欠点を有効に回避することができる。
【００２１】また、第１及び第２の導電性層に対する上
方からの除去処理によって、第１及び第２の導電性層か
ら、配線構体としての第３及び第４の導電性層を形成す
るようにしているので、配線構体の２本を第１及び第２
の配線構体として近接して形成しても、図３０で前述し
た従来の配線構体形成法の場合のように配線構体＊＊そ
れら第１及び第２の配線構体を、それら間が短縮されて
いるものとして形成されるおそれなしに、容易に形成す
ることができる。
方からの除去処理によって、第１及び第２の導電性層か
ら、配線構体としての第３及び第４の導電性層を形成す
るようにしているので、配線構体の２本を第１及び第２
の配線構体として近接して形成しても、図３０で前述し
た従来の配線構体形成法の場合のように配線構体＊＊そ
れら第１及び第２の配線構体を、それら間が短縮されて
いるものとして形成されるおそれなしに、容易に形成す
ることができる。
【００２２】本願第２番目の発明による配線構体形成法
によれば、マスク層を除去するので、配線構体の２本を
第１及び第２の配線構体として近接して形成しても、そ
れら第１及び第２の配線構体をそれら間の寄生容量が、
マスク層を除去しない場合に比し低いものとして形成す
ることができる。
によれば、マスク層を除去するので、配線構体の２本を
第１及び第２の配線構体として近接して形成しても、そ
れら第１及び第２の配線構体をそれら間の寄生容量が、
マスク層を除去しない場合に比し低いものとして形成す
ることができる。
【００２３】
【実施例１】次に、図１〜図７を伴って、本発明による
配線構体形成法の第１の実施例を述べよう。
配線構体形成法の第１の実施例を述べよう。
【００２４】図１〜図７において、図３０〜図３６との
対応部分には同一符号を付し、詳細説明を省略する。
対応部分には同一符号を付し、詳細説明を省略する。
【００２５】図１〜図７に示す本発明による配線構体形
成法は、次に述べる順次の工程をとって、配線構体を形
成する。
成法は、次に述べる順次の工程をとって、配線構体を形
成する。
【００２６】すなわち、絶縁性基板１上に、図３０で前
述した従来の配線構体形成法の場合と同様の配線構体２
を同様に形成する（図１）。
述した従来の配線構体形成法の場合と同様の配線構体２
を同様に形成する（図１）。
【００２７】次に、絶縁性基板１上に、図３０で前述し
た従来の配線構体形成法の場合と同様のマスク層３を同
様に形成する（図２）。
た従来の配線構体形成法の場合と同様のマスク層３を同
様に形成する（図２）。
【００２８】次に、絶縁性基板１上に、図３０で前述し
た従来の配線構体形成法の場合と同様の、形成せんとす
る配線構体に対応している窓６Ａ及び６Ｂを有する同様
のマスク層５を、同様のパタ―ンに形成する（図３）。
た従来の配線構体形成法の場合と同様の、形成せんとす
る配線構体に対応している窓６Ａ及び６Ｂを有する同様
のマスク層５を、同様のパタ―ンに形成する（図３）。
【００２９】次に、マスク層５の窓６Ａ及び６Ｂの内面
を含んだ表面上に、それに沿って延長している導電性層
１１を例えばスパッタリング法によって形成する（図４
）。この場合、導電性層１１は、マスク層５の窓６Ａが
絶縁性基板１及びマスク層３を外部に臨ませ、また、マ
スク層５の窓６Ｂが絶縁性基板１及び配線構体２を外部
に臨ませているので、マスク層５の表面上から、絶縁性
基板１及びマスク層３のマスク層５の窓６Ａに臨む領域
、及び絶縁性基板１及び配線構体２のマスク層５の窓６
Ｂに臨む領域にも連続して延長している。
を含んだ表面上に、それに沿って延長している導電性層
１１を例えばスパッタリング法によって形成する（図４
）。この場合、導電性層１１は、マスク層５の窓６Ａが
絶縁性基板１及びマスク層３を外部に臨ませ、また、マ
スク層５の窓６Ｂが絶縁性基板１及び配線構体２を外部
に臨ませているので、マスク層５の表面上から、絶縁性
基板１及びマスク層３のマスク層５の窓６Ａに臨む領域
、及び絶縁性基板１及び配線構体２のマスク層５の窓６
Ｂに臨む領域にも連続して延長している。
【００３０】次に、導電性層１１上に、例えば金でなる
導電性層１２を、導電性層１１をメッキ用電極として用
いた電解メッキ法によって、マスク層５の窓６Ａ及び６
Ｂを導電性層１０を介して埋めるように形成する（図５
）。
導電性層１２を、導電性層１１をメッキ用電極として用
いた電解メッキ法によって、マスク層５の窓６Ａ及び６
Ｂを導電性層１０を介して埋めるように形成する（図５
）。
【００３１】次に、導電性層１１及び１２に対するそれ
らの上方からの除去処理（例えばイオンミリング処理）
によって、導電性層１１から、そのマスク層５の窓６Ａ
及び６Ｂに領域でなる断面Ｕ字状の導電性層１３Ａ及び
１３Ｂを形成するとともに、導電性層１２から、そのマ
スク層５の窓６Ａ及び６Ｂに臨む領域でなる導電性層１
４Ａ及び１４Ｂを形成し、よって、導電性層１３Ａ及び
１４Ａによる配線構体１５Ａと、導電性層１３Ｂ及び１
４Ｂによる配線構体２に連結している配線構体１５Ｂと
を形成する（図６）。
らの上方からの除去処理（例えばイオンミリング処理）
によって、導電性層１１から、そのマスク層５の窓６Ａ
及び６Ｂに領域でなる断面Ｕ字状の導電性層１３Ａ及び
１３Ｂを形成するとともに、導電性層１２から、そのマ
スク層５の窓６Ａ及び６Ｂに臨む領域でなる導電性層１
４Ａ及び１４Ｂを形成し、よって、導電性層１３Ａ及び
１４Ａによる配線構体１５Ａと、導電性層１３Ｂ及び１
４Ｂによる配線構体２に連結している配線構体１５Ｂと
を形成する（図６）。
【００３２】次に、マスク層３及び５に対する除去処理
（例えば溶去処理）によって、マスク層３及び５を絶縁
性基板１から除去し、よって、半導体層２を空隙１０を
介して橋架している配線構体１５Ａと、配線構体２に連
結している配線構体１５Ｂとを形成する（図７）。
（例えば溶去処理）によって、マスク層３及び５を絶縁
性基板１から除去し、よって、半導体層２を空隙１０を
介して橋架している配線構体１５Ａと、配線構体２に連
結している配線構体１５Ｂとを形成する（図７）。
【００３３】以上が、本発明による配線構体形成法の第
１の実施例である。
１の実施例である。
【００３４】
【実施例２】次に、図８〜図１２を伴って、本発明によ
る配線構体形成法の第２の実施例を述べよう。
る配線構体形成法の第２の実施例を述べよう。
【００３５】図８〜図１２において、図１〜図７との対
応部分には同一符号を付し、詳細説明を省略する。
応部分には同一符号を付し、詳細説明を省略する。
【００３６】図８〜図１２に示す本発明による配線構体
形成法は、次に述べる順次の工程をとって配線構体を形
成する。すなわち、図１〜図７に示す本発明による配線
構体形成法における図１〜図５に示す順次の工程をとっ
て、図５に示すと同様の構成を得る（図８）。
形成法は、次に述べる順次の工程をとって配線構体を形
成する。すなわち、図１〜図７に示す本発明による配線
構体形成法における図１〜図５に示す順次の工程をとっ
て、図５に示すと同様の構成を得る（図８）。
【００３７】次に、導電性層１２上に、上方からみて、
マスク層５の窓６Ａ及び６Ｂと同じパタ―ンを有する窓
６Ａ′及び６Ｂ′を有するマスク層５′を、マスク層５
に準じて形成する（図９）。
マスク層５の窓６Ａ及び６Ｂと同じパタ―ンを有する窓
６Ａ′及び６Ｂ′を有するマスク層５′を、マスク層５
に準じて形成する（図９）。
【００３８】次に、マスク層５′の窓６Ａ′及び６Ｂ′
の内表面を含めた表面上及び導電性層１２のマスク層５
′の窓６Ａ′及び６Ｂ′に臨む領域上にそれらに沿って
連続延長している導電性層１１′を、導電性層１１に準
じて形成する（図１０）。
の内表面を含めた表面上及び導電性層１２のマスク層５
′の窓６Ａ′及び６Ｂ′に臨む領域上にそれらに沿って
連続延長している導電性層１１′を、導電性層１１に準
じて形成する（図１０）。
【００３９】次に、導電性層１１′上に、導電性層１２
′を、導電性層１２に準じて、導電性層１１′をメッキ
用電極として用いた電解メッキ法によってマスク層５′
の窓６Ａ′及び６Ｂ′を導電性層１１′を介して埋める
ように形成する（図１１）。
′を、導電性層１２に準じて、導電性層１１′をメッキ
用電極として用いた電解メッキ法によってマスク層５′
の窓６Ａ′及び６Ｂ′を導電性層１１′を介して埋める
ように形成する（図１１）。
【００４０】次に、図１〜図７で上述した本発明による
配線構体形成法における図７に示す工程に準じた工程を
２回とって、導電性層２を空隙１０を介して橋架してい
る、導電性層１３Ａ、１４Ａ、１３Ａ′及び１４Ａ′か
らなる配線構体１５Ａ′と、導電性層２に連結している
、導電性層１３Ｂ、１４Ｂ、１３Ｂ′及び１４Ｂ′から
なる配線構体１５Ｂ′とを形成する（図１２）。
配線構体形成法における図７に示す工程に準じた工程を
２回とって、導電性層２を空隙１０を介して橋架してい
る、導電性層１３Ａ、１４Ａ、１３Ａ′及び１４Ａ′か
らなる配線構体１５Ａ′と、導電性層２に連結している
、導電性層１３Ｂ、１４Ｂ、１３Ｂ′及び１４Ｂ′から
なる配線構体１５Ｂ′とを形成する（図１２）。
【００４１】以上が、本発明による配線構体形成法の第
２の実施例である。
２の実施例である。
【００４２】
【実施例３】次に、図１３〜図１６を伴って、本発明に
よる配線構体形成法の第３の実施例を述べよう。図１３
〜図１６において、図１〜図７との対応部分には同一符
号を付し、詳細説明を省略する。図１３〜図１６に示す
本発明による配線構体形成法は、次に述べる順次の工程
をとって配線構体を形成する。
よる配線構体形成法の第３の実施例を述べよう。図１３
〜図１６において、図１〜図７との対応部分には同一符
号を付し、詳細説明を省略する。図１３〜図１６に示す
本発明による配線構体形成法は、次に述べる順次の工程
をとって配線構体を形成する。
【００４３】すなわち、図１〜図７に示す本発明による
配線構体形成法における図１〜図５に示す順次の工程を
とって、図５に示すと同様の構成を得る（図１３）。
配線構体形成法における図１〜図５に示す順次の工程を
とって、図５に示すと同様の構成を得る（図１３）。
【００４４】次に、導電性層１２上に、そのマスク層５
の窓６Ａ及び６Ｂに臨む領域をマスクする例えばフォト
レジストでなるマスク層１６を形成する（図１４）。
の窓６Ａ及び６Ｂに臨む領域をマスクする例えばフォト
レジストでなるマスク層１６を形成する（図１４）。
【００４５】次に、導電性層１１及び１２に対するマス
ク層１６をマスクとする除去処理（例えばイオンミリン
グ処理）によって、導電性層１１から、図１〜図７に示
す本発明による配線構体形成法の図６に示す工程で形成
されると同様の導電性層１３Ａ及び１３Ｂと、図１〜図
７に示す本発明による配線構体形成法の図６に示す工程
で形成される導電性層１４Ａ及び１４Ｂに対応している
導電性層１４Ａ″及び１４Ｂ″とを形成し、よって、導
電性層１３Ａ及び１４Ａ″からなる導電性層１５Ａ″と
、配線構体２に連結している、導電性層１３Ｂ及び１４
Ｂ″からなる導電性層１５Ｂ″とを形成する（図１５）
。
ク層１６をマスクとする除去処理（例えばイオンミリン
グ処理）によって、導電性層１１から、図１〜図７に示
す本発明による配線構体形成法の図６に示す工程で形成
されると同様の導電性層１３Ａ及び１３Ｂと、図１〜図
７に示す本発明による配線構体形成法の図６に示す工程
で形成される導電性層１４Ａ及び１４Ｂに対応している
導電性層１４Ａ″及び１４Ｂ″とを形成し、よって、導
電性層１３Ａ及び１４Ａ″からなる導電性層１５Ａ″と
、配線構体２に連結している、導電性層１３Ｂ及び１４
Ｂ″からなる導電性層１５Ｂ″とを形成する（図１５）
。
【００４６】次に、マスク層３及び５に対する除去処理
によって、配線構体２を空隙１０を介して橋架している
導電性層１５Ａ″と、配線構体２に連結している導電性
層１５Ｂ″とを形成する（図１６）。
によって、配線構体２を空隙１０を介して橋架している
導電性層１５Ａ″と、配線構体２に連結している導電性
層１５Ｂ″とを形成する（図１６）。
【００４７】以上が、本発明による配線構体形成法の第
３の実施例である。
３の実施例である。
【００４８】
【実施例４】次に、図１７〜図２２を伴って、本発明に
よる配線構体形成法の第４の実施例を述べよう。図１７
〜図２２において、図１〜図７との対応部分には同一符
号を付して示す。
よる配線構体形成法の第４の実施例を述べよう。図１７
〜図２２において、図１〜図７との対応部分には同一符
号を付して示す。
【００４９】図１７〜図２２に示す本発明による配線構
体形成法は、次に述べる順次の工程をとって、配線構体
を形成する。
体形成法は、次に述べる順次の工程をとって、配線構体
を形成する。
【００５０】すなわち、絶縁性基板１上に、図３の場合
に準じてマスク層５に対応している、窓６″を有するマ
スク層５″を形成する（図１７）。次に、マスク層５″
のその窓６″を含んだ表面上に、図４の場合と同様の導
電性層１１を形成する（図１８）。
に準じてマスク層５に対応している、窓６″を有するマ
スク層５″を形成する（図１７）。次に、マスク層５″
のその窓６″を含んだ表面上に、図４の場合と同様の導
電性層１１を形成する（図１８）。
【００５１】次に、導電性層１１上に、それに沿って延
長している図５の場合の導電性層１２に対応している、
導電性層１２″を形成する（図１９）。
長している図５の場合の導電性層１２に対応している、
導電性層１２″を形成する（図１９）。
【００５２】次に、導電性層１２″上に、そのマスク層
５″の窓６″に臨む領域をマスクとする例えばフォトレ
ジストでなる、図１４のマスク層１６に対応しているマ
スク層１６′を形成する（図２０）。
５″の窓６″に臨む領域をマスクとする例えばフォトレ
ジストでなる、図１４のマスク層１６に対応しているマ
スク層１６′を形成する（図２０）。
【００５３】次に、導電性層１１及び１２″に対するマ
スク層１６′をマスクとする除去処理（例えばイオンミ
リング処理）によって、導電性層１１及び１２″から、
マスク層５″の窓６″に臨む領域でなる導電性層１３及
び１４″とを形成し、よって、導電性層１３及び１４″
からなる配線構体１５″を形成する（図２１）。
スク層１６′をマスクとする除去処理（例えばイオンミ
リング処理）によって、導電性層１１及び１２″から、
マスク層５″の窓６″に臨む領域でなる導電性層１３及
び１４″とを形成し、よって、導電性層１３及び１４″
からなる配線構体１５″を形成する（図２１）。
【００５４】次に、マスク層５″及び１０′の除去処理
（例えば溶去処理）によって、マスク層５″及び１６′
をそれぞれ絶縁性基板１及び配線構体１５″上から除去
する（図２２）。
（例えば溶去処理）によって、マスク層５″及び１６′
をそれぞれ絶縁性基板１及び配線構体１５″上から除去
する（図２２）。
【００５５】以上が、本発明による配線構体形成法の第
４の実施例である。
４の実施例である。
【００５６】
【実施例５】次に、図２３〜図２９を伴って、本発明に
よる配線構体形成法の第５の実施例を述べよう。図２３
〜図２９に示す本発明による配線構体形成法は、次に述
べる順次の工程をとって、絶縁性基板上に形成されてい
る２本の配線構体が、それら間の絶縁性基板上に形成さ
れている他の配線構体を橋架している構成を得る。
よる配線構体形成法の第５の実施例を述べよう。図２３
〜図２９に示す本発明による配線構体形成法は、次に述
べる順次の工程をとって、絶縁性基板上に形成されてい
る２本の配線構体が、それら間の絶縁性基板上に形成さ
れている他の配線構体を橋架している構成を得る。
【００５７】すなわち、絶縁性基板１上に、３本の配線
構体２１Ａ、２１Ｂ及び２１Ｃを、配線構体２１Ｃが配
線構体２１Ａ及び２１Ｂ間に延長しているように形成す
る（図２３）。
構体２１Ａ、２１Ｂ及び２１Ｃを、配線構体２１Ｃが配
線構体２１Ａ及び２１Ｂ間に延長しているように形成す
る（図２３）。
【００５８】次に、絶縁性基板１上に、配線構体２１Ａ
及び２１Ｂを外部に臨ませる窓２３Ａ及び２３Ｂを有す
るマスク層２２を形成する（図２４）。
及び２１Ｂを外部に臨ませる窓２３Ａ及び２３Ｂを有す
るマスク層２２を形成する（図２４）。
【００５９】次に、マスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂ
の内表面を含めた表面上及び配線構体２１Ａ及び２１Ｂ
のマスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂに臨む領域上に連
続延長している導電性層２４を形成する（図２５）。
の内表面を含めた表面上及び配線構体２１Ａ及び２１Ｂ
のマスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂに臨む領域上に連
続延長している導電性層２４を形成する（図２５）。
【００６０】次に、導電性層２４上に、導電性層２５を
、導電性層２４をメッキ用電極として用いた電解メッキ
法によって、マスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂを埋め
るように形成する（図２６）。
、導電性層２４をメッキ用電極として用いた電解メッキ
法によって、マスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂを埋め
るように形成する（図２６）。
【００６１】次に、導電性層２５上に、導電性層２４及
び２５のマスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂに臨む領域
及びマスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂ間の領域をマス
クする例えばフォトレジストでなるマスク層２６を形成
する（図２７）。
び２５のマスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂに臨む領域
及びマスク層２２の窓２３Ａ及び２３Ｂ間の領域をマス
クする例えばフォトレジストでなるマスク層２６を形成
する（図２７）。
【００６２】次に、導電性層２４及び２５に対するマス
ク層２６をマスクとする除去処理によって、導電性層２
４及び２５から、それらのマスク層２６下の領域でなる
導電性層２６及び２７を形成し、よって、導電性層２６
及び２７による両端を配線構体２１Ａ及び２１Ｂにそれ
ぞれ連結して、配線構体２１Ｃを橋架している橋架導電
性層２８を形成する（図２８）。
ク層２６をマスクとする除去処理によって、導電性層２
４及び２５から、それらのマスク層２６下の領域でなる
導電性層２６及び２７を形成し、よって、導電性層２６
及び２７による両端を配線構体２１Ａ及び２１Ｂにそれ
ぞれ連結して、配線構体２１Ｃを橋架している橋架導電
性層２８を形成する（図２８）。
【００６３】次に、マスク層２２及び２６に対する除去
処理（溶去処理）によって、それらを除去し、配線構体
２１Ｃ及び橋架導電性層２８間に空隙２９を形成する（
図２９）。
処理（溶去処理）によって、それらを除去し、配線構体
２１Ｃ及び橋架導電性層２８間に空隙２９を形成する（
図２９）。
【００６４】以上が、本発明による配線構体形成法の第
５の実施例である。
５の実施例である。
【００６５】なお、上述においては、本発明のわずかな
実施例を示したに留まり、図１〜図７、図１３〜図１６
及び図２３〜図２９で上述した本発明による配線構体形
成法において、マスク層５及び５′を、例えばポリイミ
ド樹脂などの絶縁剤で形成し、そして、図７の工程をと
らず、マスク層５及び５′を残すようにすることもでき
、その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変
型、変更をなし得るであろう。
実施例を示したに留まり、図１〜図７、図１３〜図１６
及び図２３〜図２９で上述した本発明による配線構体形
成法において、マスク層５及び５′を、例えばポリイミ
ド樹脂などの絶縁剤で形成し、そして、図７の工程をと
らず、マスク層５及び５′を残すようにすることもでき
、その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変
型、変更をなし得るであろう。
【図１Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第１の
実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図２Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第１の
実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図３Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第１の
実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図４Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第１の
実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図５Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第１の
実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図６Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第１の
実施例を示す第６番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第６番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図７Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第１の
実施例を示す第７番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第７番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図８Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第２の
実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図９Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第２の
実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及び
その断面図である。
【図１０Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第２
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１１Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第２
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１２Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第２
の実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１３Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第３
の実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１４Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第３
の実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１５Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第３
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１６Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第３
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１７Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第４
の実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１８Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第４
の実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図１９Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第４
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２０Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第４
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２１Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第４
の実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２２Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第４
の実施例を示す第６番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第６番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２３Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第５
の実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第１番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２４Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第５
の実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第２番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２５Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第５
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第３番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２６Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第５
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第４番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２７Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第５
の実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第５番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２８Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第５
の実施例を示す第６番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第６番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図２９Ａ及びＢ】本発明による配線構体形成法の第５
の実施例を示す第７番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
の実施例を示す第７番目の工程における略線的平面図及
びその断面図である。
【図３０Ａ及びＢ】従来の配線構体形成法の第１番目の
工程における略線的平面図及びその断面図である。
工程における略線的平面図及びその断面図である。
【図３１Ａ及びＢ】従来の配線構体形成法の第２番目の
工程における略線的平面図及びその断面図である。
工程における略線的平面図及びその断面図である。
【図３２Ａ及びＢ】従来の配線構体形成法の第３番目の
工程における略線的平面図及びその断面図である。
工程における略線的平面図及びその断面図である。
【図３３Ａ及びＢ】従来の配線構体形成法の第４番目の
工程における略線的平面図及びその断面図である。
工程における略線的平面図及びその断面図である。
【図３４Ａ及びＢ】従来の配線構体形成法の第５番目の
工程における略線的平面図及びその断面図である。
工程における略線的平面図及びその断面図である。
【図３５Ａ及びＢ】従来の配線構体形成法の第６番目の
工程における略線的平面図及びその断面図である。
工程における略線的平面図及びその断面図である。
【図３６Ａ及びＢ】従来の配線構体形成法の第７番目の
工程における略線的平面図及びその断面図である。
工程における略線的平面図及びその断面図である。
１ 絶縁性基板２
配線構体３、５
マスク層 ４ 導電性層６Ａ、６Ｂ
窓 ７Ａ、７Ｂ 導電性層 ８Ａ、８Ｂ 導電性層 ９Ａ、９Ｂ 配線構体 １０ 空隙１１、１２
導電性層 １３Ａ、１３Ｂ 導電性層 １４Ａ、１４Ｂ 導電性層 １５Ａ、１５Ｂ 配線構体 ２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ配線構体 ２２ マスク層２３Ａ、２
３Ｂ 窓
配線構体３、５
マスク層 ４ 導電性層６Ａ、６Ｂ
窓 ７Ａ、７Ｂ 導電性層 ８Ａ、８Ｂ 導電性層 ９Ａ、９Ｂ 配線構体 １０ 空隙１１、１２
導電性層 １３Ａ、１３Ｂ 導電性層 １４Ａ、１４Ｂ 導電性層 １５Ａ、１５Ｂ 配線構体 ２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ配線構体 ２２ マスク層２３Ａ、２
３Ｂ 窓
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、形成せんとする配線
構体に対応しているパタ―ンを有する窓を有するマスク
層を形成する工程と、上記マスク層のその窓の内面を含
んだ表面上に、それに沿って延長している第１の導電性
層を形成する工程と、上記第１の導電性層上に、第２の
導電性層を、上記第１の導電性層をメッキ用電極として
用いた電解メッキ法によって、上記マスク層の窓を上記
第１の導電性層を介して埋めるように形成する工程と、
上記第１及び第２の導電性層に対するそれらの上方から
の除去処理によって、上記第１の導電性層から、その上
記マスク層の窓に臨む領域でなる断面Ｕ字状の第３の導
電性層を形成するとともに、上記第２の導電性層から、
その上記マスク層の窓に臨む領域でなる第４の導電性層
を形成する工程とを有する配線構体形成法。 - 【請求項２】 請求項１記載の配線構体形成法におい
て、上記第３及び第４の導電性層を形成して後、上記マ
スク層を除去することを特徴とする配線構体形成法。 - 【請求項３】絶縁性基板上に、形成せんとする配線構体
に対応しているパタ―ンを有する第１の窓を有する第１
のマスク層を形成する工程と、上記第１のマスク層の第
１の窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延長して
いる第１の導電性層を形成する工程と、上記第１の導電
性層上に、第２の導電性層を、上記第１の導電性層をメ
ッキ用電極として用いた電解メッキ法によって、上記第
１のマスク層の第１の窓を埋めるように形成する工程と
、上記第２の導電性層上に、上記第１及び第２の導電性
層を上記第１のマスク層の第１の窓に臨む領域において
マスクする第２のマスク層を形成する工程と、上記第１
及び第２の導電性層に対する上記第２のマスク層をマス
クとする除去処理によって、上記第１の導電性層から、
上記第１のマスク層の第１の窓に臨む領域でなる断面Ｕ
字状の第３の導電性層を形成するとともに、上記第２の
導電性層から、第１のマスク層の上記第１の窓に臨む領
域でなる第４の導電性層を形成する工程とを有する配線
構体形成法。 - 【請求項４】 絶縁性基板上に、形成せんとする配線
構体に対応しているパタ―ンを有する第１の窓を有する
第１のマスク層を形成する工程と、上記第１のマスク層
の第１の窓の内面を含んだ表面上に、それに沿って延長
している第１の導電性層を形成する工程と、上記第１の
導電性層上に、それらに沿って延長している第２の導電
性層を、上記第１の導電性層をメッキ用電極として用い
た電解メッキ法によって形成する工程と、上記第２の導
電性層上に、その上記第１のマスク層の第１の窓に臨む
領域をマスクする第２のマスク層を形成する工程と、上
記第１及び第２の導電性層に対する上記第２のマスク層
をマスクとする除去処理によって、上記第１及び第２の
導電性層から上記第１の窓に臨む領域による第３及び第
４の導電性層を形成する工程とを有することを特徴とす
る配線構体。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４記載の配線構
体形成法において、上記第３及び第４の導電性層を形成
して後、上記第２のマスク層のみを、または上記第１及
び第２のマスク層の双方を除去することを特徴とする配
線構体形成法。 - 【請求項６】 絶縁性基板上に、配線構体としての第
１及び第２の導電性層を形成する工程と、上記絶縁性基
板上に、上記第１及び第２の導電性層を外部に臨ませる
第１及び第２の窓を有する第１のマスク層を形成する工
程と、上記第１のマスク層の第１及び第２の窓の内面を
含んだ表面上及び上記第１及び第２の導電性層の上記第
１のマスク層の第１及び第２の窓に臨む領域上に、それ
らに接し且つそれらに沿って連続して延長している第３
の導電性層を形成する工程と、上記第３の導電性層上に
、第４の導電性層を、上記第３の導電性層をメッキ用電
極として用いた電解メッキ法によって、上記マスク層の
第１及び第２の窓を上記第３の導電性層を介して埋める
ように形成する工程と、上記第４の導電性層上に、上記
第３及び第４の導電性層の上記第１のマスク層の第１及
び第２の窓に臨む領域及び上記第１のマスク層の第１及
び第２の窓間の領域をマスクする第２のマスク層を形成
する工程と、上記第３及び第４の導電性層に対する上記
第２のマスク層をマスクとする除去処理によって、上記
第３及び第４の導電性層から、それらの上記第２のマス
ク層下の領域でなる第５及び第６の導電性層を形成する
工程とを有することを特徴とする配線構体形成法。 - 【請求項７】 請求項６記載の配線構体形成法におい
て、上記第５及び第６の導電性層を形成して後、上記第
２のマスク層のみを、または上記第１及び第２のマスク
層の双方を除去する工程とを有することを特徴とする配
線構体形成法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4295491A JP2962490B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 配線構体形成法 |
| US07/787,136 US5281769A (en) | 1990-11-05 | 1991-11-04 | Dewall plating technique |
| US08/133,211 US5639686A (en) | 1990-11-05 | 1993-10-07 | Method of fabricating circuit elements on an insulating substrate |
| US08/449,277 US5550068A (en) | 1990-11-05 | 1995-05-24 | Process of fabricating a circuit element for transmitting microwave signals |
| US08/608,520 US5652157A (en) | 1990-11-05 | 1996-02-28 | Forming a gate electrode on a semiconductor substrate by using a T-shaped dummy gate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4295491A JP2962490B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 配線構体形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04262536A true JPH04262536A (ja) | 1992-09-17 |
| JP2962490B2 JP2962490B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=12650417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4295491A Expired - Lifetime JP2962490B2 (ja) | 1990-11-05 | 1991-02-15 | 配線構体形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2962490B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808641B2 (en) * | 2000-01-17 | 2004-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP4295491A patent/JP2962490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808641B2 (en) * | 2000-01-17 | 2004-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components |
| US7316783B2 (en) | 2000-01-17 | 2008-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2962490B2 (ja) | 1999-10-12 |
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