JPH0426101B2 - - Google Patents

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JPH0426101B2
JPH0426101B2 JP88783A JP88783A JPH0426101B2 JP H0426101 B2 JPH0426101 B2 JP H0426101B2 JP 88783 A JP88783 A JP 88783A JP 88783 A JP88783 A JP 88783A JP H0426101 B2 JPH0426101 B2 JP H0426101B2
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JP
Japan
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plating
composition
photoresist
copper
resist
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JP88783A
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Japanese (ja)
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JPS59125728A (en
Inventor
Hiroyuki Uchida
Jun Nakauchi
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Mitsubishi Rayon Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS59125728A publication Critical patent/JPS59125728A/en
Publication of JPH0426101B2 publication Critical patent/JPH0426101B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/085—Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、金属表面への密着が改善された、特
にプリント配線板用のフオトレジストの形成に用
いられる光重合性樹脂組成物に関する。 フオトレジストを用いたプリント配線板の製造
は一般に次の工程よりなる。(1)ガラス・エポキシ
銅張積層板等の基板にフオトレジストを積層す
る。(2)パターンマスクフイルムを通して画像形成
できるように活性光線を照射する。(3)適当な現像
液でフオトレジストの未硬化部分を選択的に溶解
除去し、銅面を露出させると共にレジストパター
ンを形成する。(4)露出銅面上に電気銅メツキした
後、電気ハンダメツキを行なう。(5)硬化レジスト
を適当な溶媒で剥離し、銅面を露出させる。(6)ハ
ンダメツキ層をレジストとして露出銅面を適当な
溶媒でエツチングし、ハンダコートした部分が配
線部となるプリント配線板を得る。 これらの製造工程において、フオトレジストに
対する特に重要な要求性能は、フオトレジストが
メツキ液等の液体に侵されず、フオトレジストに
被覆された基材を十分に保護できることである。
特にハイスローハンダメツキ時に生じる硬化レジ
ストの剥離は、硬化レジストと銅面間へのメツキ
液の浸み込みとなつて、回路部以外にもハンダが
メツキされ、導線間の短絡、導線幅の拡大、導線
周辺部の形状の乱れ等の問題を生じていた。 これらの問題は硬化レジストと銅面の密着力の
不足によるものでありこのため密着促進剤の研究
開発が行なわれ、米国特許第3622334号明細書に
記載されるようなベンゾトリアゾール，ベンズイ
ミダゾールのような複素環式窒素含有化合物を光
重合性樹脂組成物に添加すること等が提案されて
いる。 しかしながら、近年の高密度，高精度化による
ライン幅の狭い配線を用いたプリント配線板を製
造するには上記複素環式窒素含有化合物の添加量
を増加しなければ高精度パターンが得られず、こ
のことが新たな問題を引きおこす原因となつてい
る。すなわちベンゾトリアゾール，ベンズイミダ
ゾールの増加は従来から、フオトレジストのパタ
ーン形状確認のため必須な染料を退色したり、フ
オトレジストの感度を低下させる。一方感度向上
のため光重合開始剤の添加量を増すと解像された
パターン断面が逆台形となり、解像度の低下を生
じる。また分子量の小さい添加剤の量を増加する
と、多くの工程で硬化レジスト層の溶解を促進
し、レジスト膜の耐性の低下をきたす点から好ま
しくない。 本発明者らは、上記したような従来からある問
題点を克服すべき鋭意検討した結果、光重合性樹
脂組成物に、特定の化合物を極めて少量添加する
ことにより、金属面への密着性が改善できること
を見い出し本発明を完成した。 すなわち、本発明の要旨とするところは、 (a) バインダー用熱可塑性重合体 (b) 分子中に少なくとも１個のエチレン性不飽和
基を有する架橋性単量体 (c) 光重合開始剤および (d) テオフイリン よりなる光重合性樹脂組成物にある。 本発明の光重合性樹脂組成物の特徴は、前記の
一般式(1)で示される化合物を含有しているため、
フオトレジストと銅板との密着性が優れ、レジス
ト剥離、メツキもぐり等の現象を全く引き起さず
微細パターンのプリント配線板の製造に適してい
る。 本発明の組成物を構成するバインダー用熱可塑
性重合体は、使用する現像液に可溶であるかまた
は膨潤するものであれば種々のものが使用でき
る。具体例としては、１，１，１トリクロロエタ
ンを現像液とするフオトレジストの場合、ポリメ
タクリル酸メチルまたはメタクリル酸メチルを主
成分とする共重合体が用いられる。メタクリル酸
メチルと共重合するのに使用される単量体の具体
例としては、アクリル酸メチル、（メタ）アクリ
ル酸エチル（アクリル酸エチルまたはメタクリル
酸エチルの意、以下同様）、（メタ）アクリル酸ｎ
−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、
（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル
酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、
（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）
アクリル酸ラウリル、（メタ）アクリル酸２−ヒ
ドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロ
キシプロピル等の（メタ）アクリル酸エステル，
スチレンなどがあげられる。 一方、炭酸ナトリウム等のアルカリ希薄溶液を
現像液とするフオトレジストの場合は、前記の
（メタ）アクリル酸エステルまたはスチレン等と
アクリル酸，メタクリル酸，イタコン酸，フマル
酸，マレイン酸等のカルボン酸との共重合体があ
げられる。 本発明のバインダー用熱可塑性樹脂は、使用目
的によつて分子量，共重合体の組成を一既に決め
られないが、分子量の範囲としては現像または皮
膜特性の点から20000〜200000がよい。 本発明の組成物を構成する分子中に少なくとも
１個のエチレン性不飽和基を有する架橋性単量体
としては、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト，ペンタエリスリトールジアクリレート，ペン
タエリスリトールトリアクリレート，ペンタエリ
スリトールテトラアクリレート，トリメチロール
プロパントリアクリレート等のポリエステルアク
リレートやエポキシアクリレート，ウレタンアク
リレート等があげられ、これらは１種またはそれ
以上併用して、組成物中25〜50重量％の範囲で使
用される。架橋性単量体の使用量が25重量％未満
では硬化皮膜の強度が十分でなく、また50重量％
をこえるとフオトレジストが軟くなりすぎてコー
ルドフローを起しやすい。 本発明の組成物を構成する光重合開始剤は公知
の例えば、ベンゾフエノン、ミヒラーズケトン，
４，4′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフエノ
ン，ｔ−ブチルアントラキノン，２−エチルアン
トラキノン，チオキサントン類，ベンゾイルアル
キルエーテル類，ベンジルケタール類等があげら
れ、これらは１種または２種以上を併用できる。
組成物中の光重合開始剤の使用量はコスト，パタ
ーンの仕上り具合あるいは解像度の点から0.5〜
５重量％である。また本発明において使用するテ
オフイリンは、フオトレジストの金属板への密着
性を改良するための極めて有効な成分である。こ
の化合物の組成物への添加量は、フオトレジスト
の組成成分と組成比、および光硬化後のフオトレ
ジストの硬さによつて一概にめられないが、有効
な密着効果を得るための量は組成物中0.001〜１
重量％、好ましくは0.01〜0.5重量％の範囲であ
る。多すぎると感度が低下し、少なすぎるとハン
ダメツキ等にメツキもぐりを起しやすい。 本発明の組成物は、希釈剤の不存在下で使用可
であるが、ベース樹脂を溶解させ、かつ沸点のあ
まり高くない溶剤、例えばメチルエチルケトン，
メチレンクロリド，塩化メチレン／メチルアルコ
ール混合物，またはイソプロピルアルコール等を
併用した方が好ましい結果を与える。溶剤の使用
量は組成物に対して200重量％以下、好ましくは
100〜200重量％である。 本発明の組成物は、必要に応じて可塑剤，熱重
合禁止剤，充填剤等を添加することもできる。 以上のべたような成分組成からなる本発明の光
重合性樹脂組成物は、金属面、例えば銅，ニツケ
ル，クロム好ましくは銅の上にラミネートして用
いられる。使用法としては液状のレジストとして
金属面に塗布し、乾燥後、保護フイルムを被覆し
て用いるか、またはドライフイルムフオトレジス
トとしてそれを金属面にラミネートしたものとし
て用いられるる。フオトレジスト層の厚みは用途
によつて異なるが、乾燥後の厚みで５〜100μm程
度である。 液状レジストとした時の保護フイルムとしては
ポリエチレン，ポリプロピレンのような不活性な
ポリオレフインフイルムが好ましく用いられる。
ドライフイルムフオトレジストはポリエステルの
支持フイルム上に光重合性樹脂組成物を塗布し、
乾燥後、ポリオレフインの保護フイルムを積層し
て作られる。 次にアートワークと呼ばれるネガまたはポジマ
スクパターンフイルムを通して活性光線を照射す
る。活性光線としてはカーボンアーク灯，超高圧
水銀灯，高圧水銀灯，キセノンランプ等の紫外線
を有効に放射するものが用いられる。露光量は一
概にめられないが300mJ／cm2，好ましくは50〜
200mJ／cm2である。活性光線露光後、適当な現像
液を用いて未露光部分を洗浄除去することにより
硬化部分のレジストパターンを得る。 現像液は、安全で安定である必要がある。しか
し特に重要な点は現像の操作性、すなわちフオト
レジストの硬化部と未硬化部の溶解速度差が極め
て大きく、未硬化部の溶解速度が適度に速いよう
な溶媒を現像液として選択することである。一般
溶剤現像型のフオトレジストでは、１，１，１，
トリクロロエタン，アルカリ現像型のフオトレジ
ストでは炭酸ナトリウムの希薄溶液等が好ましく
用いられる。 現像の方法は、デツプ方式，パドル方式，スプ
レー方式等があるが、高圧スプレー方式が解像度
向上には最も適している。 現像後に行なわれる電気銅メツキは、硫酸銅メ
ツキ，ピロリン酸銅メツキが用いられ、ハンダメ
ツキにはハイスローハンダメツキが多く用いられ
ている。 本発明の光重合性樹脂組成物は、金属積層板の
配線加工、特にプリント配線板に使用される銅張
り積層板の配線加工に対して、極めてすぐれたレ
ジスト性能を有するため、高精度、高密度化が要
求される配線加工に適したものである。 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、実施例中の部は重量部を表わす。 実施例 １〜６、比較例１ ガラス・エポキシ銅張積層板上に、下記の組成
からなる感光性樹脂組成物 ポリメタクリル酸メチル 100部 （分子量（MN）＝60000） トリメチロールプロパントリアクリレート 50〃 ポリエチレングリコールジアクリレート 10〃 ベンジルジメチルケタール １〃 ハイドロキノン 0.05〃 マラカイトグリーン 0.1〃 メチルエチルケトン 150〃 テオフイリン 変更量 をドクターナイフで塗布し、乾燥してメチルエチ
ルケトンを放散させてフオトレジストの厚みを
50μｍとした。この上に25μｍ厚のポリエチレン
製フイルムを保護膜として積層し、さらにこの上
にアートワークを密着して超高圧水銀灯で露光し
た。アートワークは50μｍ，60μｍ，80μｍ，100μ
ｍのラインアンドスペイスパターンを用いた。露
光に使用した超高圧水銀灯はウシオ電機(株)製、
USH−102Dで80mJ／cm2照射した。この際の露光
強度は、ウシオ電機(株)製紫外線強度計UIT−100
に受光器UVD−365Pを取付けて測定し2mw／cm2
一定とした。 露光後20分間放置して、保護フイルムを剥離
し、１，１，１−トリクロロエタンを入れたデユ
ポン社製デユポン“Ｃ”プロセツサー中で現像し
た。温度は18〜20℃に保ち、通過速度は200cm／
分で、スプレー圧力は1.4Kg／cm2に調節した。 次いで現像処理したものを中性洗剤水溶液中に
室温で約１分間浸漬し、脱脂後、オーバフロータ
ンクでスプレー水洗を約１分間行ない、次いで約
20重量％濃度の過硫酸アンモニウム水溶液中に１
分間浸漬した。引続き再びスプレー水洗洗浄を約
１分間行なつた後、約15％の硫酸水溶液浴に１分
間浸漬し、再びスプレー水洗を１分間行なつた。 次いでピロリン酸銅メツキ槽（PH＝8.2〜8.4，
温度50±２℃）に入れて45分間２，7A／ｄm2で
メツキを行なつた。 メツキ終了後、直ちに水洗し、15％硼フツ酸水
溶液に浸漬し、次いで下記の組成 錫 15ｇ（ハンダメツキ液１当り量） 鉛 10ｇ（ 〃 ） 遊離硼フツ酸
400ｇ（ 〃 ） 遊離硼酸 21.6ｇ（ 〃 ） ペプトン 5.2ｇ（ 〃 ） を有するハイスローハンダメツキ浴中で、室温に
て1.5A／ｄm2でハンダメツキを行なつた。メツ
キ終了後水洗を行ない乾燥した。メツキ製品のも
ぐり現像を観察するため、試料を切り出し、レジ
スト断面を光学顕微鏡で観察した。結果を表１に
示す。 比較例 ２〜８ 添加剤テオフイリンをベンゾトリアゾールに変
えかつその使用量および露光量を表１に示すよう
にした以外は実施例１と同様な方法をくり返して
メツキを行ないその性能を評価した。得られた結
果を表１に示す。 【表】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photopolymerizable resin composition that has improved adhesion to metal surfaces and is used particularly for forming photoresists for printed wiring boards. The production of printed wiring boards using photoresists generally consists of the following steps. (1) Layer photoresist on a substrate such as a glass/epoxy copper-clad laminate. (2) Actinic rays are irradiated through the patterned mask film so that an image can be formed. (3) Selectively dissolve and remove the uncured portions of the photoresist using a suitable developer to expose the copper surface and form a resist pattern. (4) After electrolytic copper plating is applied to the exposed copper surface, electrolytic solder plating is performed. (5) Peel off the cured resist with an appropriate solvent to expose the copper surface. (6) Using the solder plating layer as a resist, the exposed copper surface is etched with an appropriate solvent to obtain a printed wiring board in which the solder coated portion becomes the wiring section. In these manufacturing processes, a particularly important performance requirement for the photoresist is that the photoresist is not attacked by a liquid such as a plating solution, and that the substrate coated with the photoresist can be sufficiently protected.
In particular, peeling of the hardened resist that occurs during high-slow solder plating causes the plating liquid to seep between the hardened resist and the copper surface, causing solder to be plated in areas other than the circuit area, causing short circuits between conductors, and expansion of the conductor width. , problems such as irregularities in the shape of the peripheral portion of the conductor occurred. These problems are due to the lack of adhesion between the cured resist and the copper surface. Therefore, research and development of adhesion promoters has been conducted, such as benzotriazole and benzimidazole as described in U.S. Pat. No. 3,622,334. It has been proposed to add a heterocyclic nitrogen-containing compound to a photopolymerizable resin composition. However, in order to manufacture printed wiring boards using wiring with narrow line width due to recent advances in high density and high precision, a high precision pattern cannot be obtained unless the amount of the heterocyclic nitrogen-containing compound added is increased. This is causing new problems. In other words, an increase in benzotriazole and benzimidazole has conventionally caused discoloration of dyes essential for confirming the pattern shape of photoresists and decreased the sensitivity of photoresists. On the other hand, if the amount of photopolymerization initiator added is increased to improve sensitivity, the cross section of the resolved pattern becomes an inverted trapezoid, resulting in a decrease in resolution. In addition, increasing the amount of additives with low molecular weights is undesirable because it promotes dissolution of the cured resist layer in many steps, resulting in a decrease in the resistance of the resist film. As a result of intensive studies to overcome the conventional problems described above, the present inventors discovered that by adding an extremely small amount of a specific compound to a photopolymerizable resin composition, the adhesion to metal surfaces can be improved. They found that it could be improved and completed the present invention. That is, the gist of the present invention is as follows: (a) a thermoplastic polymer for a binder, (b) a crosslinkable monomer having at least one ethylenically unsaturated group in the molecule, (c) a photopolymerization initiator, and (d) A photopolymerizable resin composition comprising theophylline. The photopolymerizable resin composition of the present invention is characterized by containing the compound represented by the above general formula (1),
It has excellent adhesion between the photoresist and the copper plate, and does not cause any phenomena such as resist peeling or plating, making it suitable for manufacturing printed wiring boards with fine patterns. As the thermoplastic polymer for the binder constituting the composition of the present invention, various polymers can be used as long as they are soluble or swellable in the developer used. As a specific example, in the case of a photoresist using 1,1,1 trichloroethane as a developer, polymethyl methacrylate or a copolymer containing methyl methacrylate as a main component is used. Specific examples of monomers used for copolymerization with methyl methacrylate include methyl acrylate, ethyl (meth)acrylate (meaning ethyl acrylate or ethyl methacrylate, hereinafter the same), (meth)acrylic acid n
-propyl, isopropyl (meth)acrylate,
(meth)acrylate n-butyl, (meth)acrylate isobutyl, (meth)acrylate t-butyl,
(meth)acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth)
(meth)acrylic acid esters such as lauryl acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate;
Examples include styrene. On the other hand, in the case of a photoresist that uses a dilute alkali solution such as sodium carbonate as a developer, the above-mentioned (meth)acrylic acid ester or styrene and a carboxylic acid such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, fumaric acid, maleic acid, etc. Examples include copolymers with The molecular weight and composition of the copolymer of the thermoplastic resin for the binder of the present invention cannot be determined depending on the purpose of use, but the molecular weight range is preferably from 20,000 to 200,000 from the viewpoint of development or film properties. Examples of the crosslinkable monomer having at least one ethylenically unsaturated group in the molecule constituting the composition of the present invention include polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, Examples include polyester acrylates such as trimethylolpropane triacrylate, epoxy acrylates, urethane acrylates, etc., and these are used alone or in combination in an amount of 25 to 50% by weight in the composition. If the amount of crosslinkable monomer used is less than 25% by weight, the strength of the cured film will not be sufficient;
If the temperature is exceeded, the photoresist becomes too soft and cold flow is likely to occur. The photopolymerization initiator constituting the composition of the present invention is known, for example, benzophenone, Michler's ketone,
Examples include 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, t-butylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, thioxanthones, benzoyl alkyl ethers, and benzyl ketals, and these may be used alone or in combination of two or more.
The amount of photopolymerization initiator used in the composition is 0.5 to 0.5 from the viewpoint of cost, pattern finish, or resolution.
It is 5% by weight. Furthermore, theophylline used in the present invention is an extremely effective component for improving the adhesion of photoresists to metal plates. The amount of this compound to be added to the composition cannot be determined unconditionally depending on the composition and composition ratio of the photoresist, and the hardness of the photoresist after photocuring, but the amount necessary to obtain an effective adhesion effect is 0.001-1 in the composition
% by weight, preferably in the range 0.01-0.5% by weight. If it is too large, the sensitivity will decrease, and if it is too small, it will easily cause solder plating, etc. The composition of the present invention can be used in the absence of a diluent, but a solvent that dissolves the base resin and does not have a very high boiling point, such as methyl ethyl ketone,
The combined use of methylene chloride, methylene chloride/methyl alcohol mixture, isopropyl alcohol, etc. gives preferable results. The amount of solvent used is 200% by weight or less based on the composition, preferably
It is 100-200% by weight. A plasticizer, a thermal polymerization inhibitor, a filler, etc. may be added to the composition of the present invention, if necessary. The photopolymerizable resin composition of the present invention having the above-described component composition is used by being laminated onto a metal surface, such as copper, nickel, or chromium, preferably copper. It is used either by applying it as a liquid resist to a metal surface and, after drying, covering it with a protective film, or by laminating it onto a metal surface as a dry film photoresist. The thickness of the photoresist layer varies depending on the application, but the thickness after drying is about 5 to 100 μm. As a protective film when used as a liquid resist, an inert polyolefin film such as polyethylene or polypropylene is preferably used.
Dry film photoresist is made by applying a photopolymerizable resin composition onto a polyester support film.
After drying, a polyolefin protective film is laminated. Next, actinic light is irradiated through a negative or positive mask pattern film called artwork. As the active light, a carbon arc lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, etc., which effectively emit ultraviolet rays, are used. The exposure amount cannot be determined in general, but it is 300mJ/cm 2 , preferably 50~
It is 200mJ/ cm2 . After exposure to actinic light, the unexposed portions are washed and removed using a suitable developer to obtain a resist pattern of the cured portions. Developer solutions need to be safe and stable. However, the most important point is the operability of development, that is, the difference in dissolution rate between the cured and uncured areas of the photoresist is extremely large, and it is important to select a solvent as the developer that allows the dissolution rate of the uncured areas to be appropriately fast. be. In general solvent-developed photoresists, 1, 1, 1,
For trichloroethane and alkaline developing type photoresists, dilute solutions of sodium carbonate and the like are preferably used. There are various developing methods such as a dip method, a paddle method, and a spray method, but the high-pressure spray method is most suitable for improving resolution. Copper sulfate plating and copper pyrophosphate plating are used for electrolytic copper plating performed after development, and high-slow solder plating is often used for solder plating. The photopolymerizable resin composition of the present invention has extremely excellent resist performance for wiring processing of metal laminates, particularly for wiring processing of copper-clad laminates used in printed wiring boards. It is suitable for wiring processing that requires high density. Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples, in which parts represent parts by weight. Examples 1 to 6, Comparative Example 1 A photosensitive resin composition consisting of the following composition: 100 parts of polymethyl methacrylate (molecular weight (M N ) = 60,000) and 50 parts of trimethylolpropane triacrylate were placed on a glass-epoxy copper-clad laminate. 〃 Polyethylene glycol diacrylate 10〃 Benzyl dimethyl ketal 1〃 Hydroquinone 0.05〃 Malachite green 0.1〃 Methyl ethyl ketone 150〃 Theophylline Apply the changing amount with a doctor knife, dry and diffuse the methyl ethyl ketone to increase the thickness of the photoresist.
It was set to 50 μm. A 25 μm thick polyethylene film was laminated on top of this as a protective film, and the artwork was adhered onto this and exposed to light using an ultra-high pressure mercury lamp. Artwork is 50μm, 60μm, 80μm, 100μm
A line and space pattern of m was used. The ultra-high pressure mercury lamp used for exposure was manufactured by Ushio Inc.
80 mJ/cm 2 was irradiated with USH-102D. The exposure intensity at this time was determined using an ultraviolet intensity meter UIT-100 manufactured by Ushio Inc.
Attach the photodetector UVD-365P and measure 2mw/cm 2
It was set as constant. After exposure, the protective film was removed for 20 minutes and developed in a DuPont "C" processor containing 1,1,1-trichloroethane. The temperature is kept at 18-20℃, and the passing speed is 200cm/
minutes, and the spray pressure was adjusted to 1.4 Kg/cm 2 . The developed product was then immersed in a neutral detergent aqueous solution at room temperature for about 1 minute, degreased, sprayed with water in an overflow tank for about 1 minute, and then washed with water for about 1 minute.
1 in an aqueous solution of ammonium persulfate at a concentration of 20% by weight.
Soaked for minutes. Subsequently, the product was spray-washed again for about 1 minute, then immersed in a 15% sulfuric acid aqueous solution bath for 1 minute, and spray-washed again for 1 minute. Next, copper pyrophosphate plating bath (PH=8.2~8.4,
Plating was carried out at 2.7 A/dm 2 for 45 minutes at a temperature of 50±2°C. After plating, immediately wash with water, immerse in 15% boric acid aqueous solution, and then use the following composition: tin 15g (amount per solder plating solution) lead 10g (〃) free borofluoric acid
Solder plating was carried out at room temperature at 1.5 A/dm 2 in a high-slow solder plating bath containing 400 g ( ) free boric acid 21.6 g ( ) peptone 5.2 g ( ). After finishing plating, it was washed with water and dried. In order to observe the development of the plating product, a sample was cut out and the cross section of the resist was observed using an optical microscope. The results are shown in Table 1. Comparative Examples 2 to 8 Plating was performed in the same manner as in Example 1, except that benzotriazole was used instead of theophylline additive and the amount of use and exposure amount were as shown in Table 1, and the performance was evaluated. The results obtained are shown in Table 1. 【table】

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １ (a) バインダー用熱可塑性重合体 (b) 分子中に少なくとも１個のエチレン性不飽和
基を有する架橋性単量体 (c) 光重合開始剤および (d) テオフイリン よりなる光重合性樹脂組成物。[Scope of Claims] 1 (a) thermoplastic polymer for binder (b) crosslinkable monomer having at least one ethylenically unsaturated group in the molecule (c) photopolymerization initiator and (d) theophylline A photopolymerizable resin composition consisting of:
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